JPS5994470A - 光半導体装置の製造方法 - Google Patents
光半導体装置の製造方法Info
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- JPS5994470A JPS5994470A JP57203929A JP20392982A JPS5994470A JP S5994470 A JPS5994470 A JP S5994470A JP 57203929 A JP57203929 A JP 57203929A JP 20392982 A JP20392982 A JP 20392982A JP S5994470 A JPS5994470 A JP S5994470A
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- optical semiconductor
- transparent electrode
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
- H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）技術分野
本発明は絶縁基板の一工面に複数の元半導体層乞備えに
感光領域音形成する光半導体装置の製造方法に関する。
感光領域音形成する光半導体装置の製造方法に関する。
（ロ）背景技術
石油等のエネルギ資源の枯渇が問題となるなかで無尽蔵
な太陽光？エネルギ源とＴる太陽電池が脚光を浴びてい
る。この種太陽電池は従来に於いては単結晶シリコンか
ら成り、単位発電量当りのコストが高くつくのみならず
、容易に大面撰化することが困難であり何らかの改善が
望まれている。
な太陽光？エネルギ源とＴる太陽電池が脚光を浴びてい
る。この種太陽電池は従来に於いては単結晶シリコンか
ら成り、単位発電量当りのコストが高くつくのみならず
、容易に大面撰化することが困難であり何らかの改善が
望まれている。
そこで本発明者等に単結晶シリコンとは異なる新’ｆｌ
料としてアモルファスシリコン等のアモルファス半導体
に注目し、・斯るアモルファス半導体を生体とした太陽
電池を実用化している。第１図（Ａ）〜（Ｃ）ｔＩ′ｉ
上記アモルファス半導体ケ生体とした特開昭５５−１０
７２７６号公報に開示された太陽電池を示し、（１）ハ
透明基板、（２ａ）（２ｂ）（２Ｃ）は基板１１）の−
工面に一足間隔で被着された透明電極層、（３）は上記
透明電極層（２ｓ、）（２ｂ）（２ｃ）に跨って一様に
重畳被着さ肚にアモルファス半導体の如きミクロンオー
ダ若しくはすブミクロンオーダ程鹿の薄膜状光半導体層
、（４ａ）（４ｂ）（４ｃ）は上記光半導体層（３）を
挾んで透明電極層（２ａ）（２ｂ）（２ｃ）と対向する
裏面電極層で、該裏面電極層（４ａ ）（４ｂ ）（４
Ｃ）から基板１１．１の端面に向って延在し定延長部（
５ａ）（５ｂ）（５ｃ）と透明電極層（２ａ）（２ｂ）
（２ｃ）と連なり光半導体層（３）から露出した端子部
（６ａ）（６ｂ）（６ｃ）との同夫々隣接したもの同士
が結合し６個の光電変換領域（７ａ）（７ｂ）（７ｃ）
は電気的に直列接続状態となる。
料としてアモルファスシリコン等のアモルファス半導体
に注目し、・斯るアモルファス半導体を生体とした太陽
電池を実用化している。第１図（Ａ）〜（Ｃ）ｔＩ′ｉ
上記アモルファス半導体ケ生体とした特開昭５５−１０
７２７６号公報に開示された太陽電池を示し、（１）ハ
透明基板、（２ａ）（２ｂ）（２Ｃ）は基板１１）の−
工面に一足間隔で被着された透明電極層、（３）は上記
透明電極層（２ｓ、）（２ｂ）（２ｃ）に跨って一様に
重畳被着さ肚にアモルファス半導体の如きミクロンオー
ダ若しくはすブミクロンオーダ程鹿の薄膜状光半導体層
、（４ａ）（４ｂ）（４ｃ）は上記光半導体層（３）を
挾んで透明電極層（２ａ）（２ｂ）（２ｃ）と対向する
裏面電極層で、該裏面電極層（４ａ ）（４ｂ ）（４
Ｃ）から基板１１．１の端面に向って延在し定延長部（
５ａ）（５ｂ）（５ｃ）と透明電極層（２ａ）（２ｂ）
（２ｃ）と連なり光半導体層（３）から露出した端子部
（６ａ）（６ｂ）（６ｃ）との同夫々隣接したもの同士
が結合し６個の光電変換領域（７ａ）（７ｂ）（７ｃ）
は電気的に直列接続状態となる。
上記光半導体層（３）はその内部に例えば基板１１）に
平行なＰＩＮ接合を含み、従って透明基板１１１及び透
明電極層（２ａ）（２ｂ）（２ｃ）Ｙ順次介して光入射
があると、光起電カフ発生する。各光電変換領域（７ａ
）（７ｂ）（７ｃ）で発生しπ元′起電力は裏面電極層
（４ａ）（４ｂ）の延長部（５ａ）（５’ｂ）と透明電
極ＪＦＩ（２ｂ）（２ｃ）の端子部（６ｂ）（６ｃ）と
の接続により直列的に相加される。
平行なＰＩＮ接合を含み、従って透明基板１１１及び透
明電極層（２ａ）（２ｂ）（２ｃ）Ｙ順次介して光入射
があると、光起電カフ発生する。各光電変換領域（７ａ
）（７ｂ）（７ｃ）で発生しπ元′起電力は裏面電極層
（４ａ）（４ｂ）の延長部（５ａ）（５’ｂ）と透明電
極ＪＦＩ（２ｂ）（２ｃ）の端子部（６ｂ）（６ｃ）と
の接続により直列的に相加される。
この様な＠置に於いて、元利用効率ン左右する一つの要
因は、＠置全体の受光面積（ａち、基板面積）に対し、
実際に発電に寄与する元′亀変換領域（７ａ）（７ｂ）
（７Ｃ）の総面積の占メル割合いである。然るに各透明
電極層（２ａ）（２ｂ）（２ｃ）の＠接間隔に必然的に
存在する分離領域（，８ａｂ）（８ｂｃ）は上記面槓割
合乞低下させる。
因は、＠置全体の受光面積（ａち、基板面積）に対し、
実際に発電に寄与する元′亀変換領域（７ａ）（７ｂ）
（７Ｃ）の総面積の占メル割合いである。然るに各透明
電極層（２ａ）（２ｂ）（２ｃ）の＠接間隔に必然的に
存在する分離領域（，８ａｂ）（８ｂｃ）は上記面槓割
合乞低下させる。
従−って、）を利用効率？（川−ヒＴるには透明電極層
（２ａ）（２ｂ）（２０）の隣接間隔である分離領域（
８ａｂ）（８ｂｃ）Ｙ小さくぜねばならない。
（２ａ）（２ｂ）（２０）の隣接間隔である分離領域（
８ａｂ）（８ｂｃ）Ｙ小さくぜねばならない。
斯る間隔縮小に各層の刀ロエ稍度で決まり、従って、従
来は細密加工性に優２ｔている写真蝕亥１］技術が用い
ら几ている、この技術による場合、基板（１）全面への
透明電極層の被着工程と、フォトレジスト及びエツチン
グによる各個別の透明電極７！ （２ａ）（２ｂ）（２
ｃ）σ）分離、Ｂｌｌち各透明電極層（２ａ）（２ｂ）
（２ｃ）の隣接ＩＫ Ｉ’ｉ％部分の除去工程とを順次
経ることになる。
来は細密加工性に優２ｔている写真蝕亥１］技術が用い
ら几ている、この技術による場合、基板（１）全面への
透明電極層の被着工程と、フォトレジスト及びエツチン
グによる各個別の透明電極７！ （２ａ）（２ｂ）（２
ｃ）σ）分離、Ｂｌｌち各透明電極層（２ａ）（２ｂ）
（２ｃ）の隣接ＩＫ Ｉ’ｉ％部分の除去工程とを順次
経ることになる。
然し乍ら、上記写真蝕刻技術は集積回路、大規模集積回
路、更には超大規模集積回路等のスケールの小さ艷基板
への微細刀ロエの上では極めて１憂ルでいるものの、太
陽電池の１口く大面積１ヒの万１肯にある光半導体装置
の広（長）範囲に及ぶ隣接間隔部分の除去には上記集積
回路に適用される程微細に加工を施こ丁ことができない
。＠えば１０ｔｉｗ程度写真蝕刻技術により隣接間隔部
分音再現性良く除去しようとＴ、ｉｔば、その除去幅に
数１００μｍが限度である。即ち、−辺が１０ ｔｎｔ
８度の光半導体装置を製造しようと下れば、複数の分離
領域（８ａｂ）（８ｂｃ）の幅は数１００μｍ以上必要
であると言うことである。更に写真蝕刻技術は通常ウエ
ットプロセスビ含むために、薄膜状を成−１元半導体層
にピンホールが発生でる危惧乞も有している。
路、更には超大規模集積回路等のスケールの小さ艷基板
への微細刀ロエの上では極めて１憂ルでいるものの、太
陽電池の１口く大面積１ヒの万１肯にある光半導体装置
の広（長）範囲に及ぶ隣接間隔部分の除去には上記集積
回路に適用される程微細に加工を施こ丁ことができない
。＠えば１０ｔｉｗ程度写真蝕刻技術により隣接間隔部
分音再現性良く除去しようとＴ、ｉｔば、その除去幅に
数１００μｍが限度である。即ち、−辺が１０ ｔｎｔ
８度の光半導体装置を製造しようと下れば、複数の分離
領域（８ａｂ）（８ｂｃ）の幅は数１００μｍ以上必要
であると言うことである。更に写真蝕刻技術は通常ウエ
ットプロセスビ含むために、薄膜状を成−１元半導体層
にピンホールが発生でる危惧乞も有している。
特開昭５７−１２５６８号公報に開示さね定先行技術に
、レーザビーム照射による層の焼き切りで、上記隣接間
隔を設けるもの、所甜レーザスクライブ下るものであり
、写真蝕刻技術を使わないその技法Ｖ工上記の課題を解
決する上で極めて有効である。
、レーザビーム照射による層の焼き切りで、上記隣接間
隔を設けるもの、所甜レーザスクライブ下るものであり
、写真蝕刻技術を使わないその技法Ｖ工上記の課題を解
決する上で極めて有効である。
然し乍ら、斯る公開公報によオＬば直列接続される光電
変換領域（７ａ）（７ｂ、）（７ｃ）Ｏ）１＆続形態に
第２図に示す如く、隣接間隔に露出し之透明電極層（２
ｂ）（２ｃ）上にその隣接間隔の長千万回に亘って左隣
りの裏面電極層（４ａ）（４ｂ）が延ｆ：することによ
り実現されており、従って、透明電極層、光半導体層及
び裏面電極層を複数の光電変換領域（７ａ）（７ｂ）（
７ｃ）［跨って各々被着形成後毎にレーザビームの照射
を施さなければならない欠点のみならず、下記の如き欠
点全７Ｉイしている。即ち、元手導体層ケレーザビーム
の照射によりスクライブする際、下層に存在する透明電
極層（２ａ）（２ｂ）（２ｃ）Ｙ傷付けずに行なわなけ
ればならず、ま２裏Ｉｆｉ電極層のレーザスクライブに
つい−Ｃも下層に存（ｌ！ｌ：Ｔる光半導体層（６ａ）
（６ｂ）（６ｃ）Ｙ損傷することなく施さなければなら
ない厳＠な選択加工性を必要とする。斯る厳密な選択加
工性は例えばレーザビームの被加工物へのエネルギ密度
を対物レンズのデフォーカスにより調整する際に、被加
工面の表面状態が大面積化に伴ない僅かながらも凹凸Ｚ
有すると、個々の箇所に於いてレーザビームの反対車が
大きく、ｙ！なる定めＶ？−被加工物の臨界二ネルギ′
＃！ｉ度が変動し、従って下層に存在する層全損傷する
ことなくレーザスクライブしようと丁れば上記レーザビ
ームのエネルギ密度ン上記臨界エネルギ密琥の変動に対
応させなければならない。
変換領域（７ａ）（７ｂ、）（７ｃ）Ｏ）１＆続形態に
第２図に示す如く、隣接間隔に露出し之透明電極層（２
ｂ）（２ｃ）上にその隣接間隔の長千万回に亘って左隣
りの裏面電極層（４ａ）（４ｂ）が延ｆ：することによ
り実現されており、従って、透明電極層、光半導体層及
び裏面電極層を複数の光電変換領域（７ａ）（７ｂ）（
７ｃ）［跨って各々被着形成後毎にレーザビームの照射
を施さなければならない欠点のみならず、下記の如き欠
点全７Ｉイしている。即ち、元手導体層ケレーザビーム
の照射によりスクライブする際、下層に存在する透明電
極層（２ａ）（２ｂ）（２ｃ）Ｙ傷付けずに行なわなけ
ればならず、ま２裏Ｉｆｉ電極層のレーザスクライブに
つい−Ｃも下層に存（ｌ！ｌ：Ｔる光半導体層（６ａ）
（６ｂ）（６ｃ）Ｙ損傷することなく施さなければなら
ない厳＠な選択加工性を必要とする。斯る厳密な選択加
工性は例えばレーザビームの被加工物へのエネルギ密度
を対物レンズのデフォーカスにより調整する際に、被加
工面の表面状態が大面積化に伴ない僅かながらも凹凸Ｚ
有すると、個々の箇所に於いてレーザビームの反対車が
大きく、ｙ！なる定めＶ？−被加工物の臨界二ネルギ′
＃！ｉ度が変動し、従って下層に存在する層全損傷する
ことなくレーザスクライブしようと丁れば上記レーザビ
ームのエネルギ密度ン上記臨界エネルギ密琥の変動に対
応させなければならない。
（ハ）発明の開示
本発明に斯る点に鑑みレーザビームの如きエネルギビー
ムの持つ優ｎＴＣ微ＦＪＪ７ＪＩＪ工性ｌ′より一層利
用しに光半導体装置の製追号法乞提供Ｔるものである。
ムの持つ優ｎＴＣ微ＦＪＪ７ＪＩＪ工性ｌ′より一層利
用しに光半導体装置の製追号法乞提供Ｔるものである。
即ち、本発明の待ｇば、絶縁基板の一工面の複数の感光
領域に跨って設けら；ｒｔ、に第１′セ極層上に、光半
導体層並びに第２電極層？順次槓層した後、と粘等第１
電極層、光半導体層及び第２電極Ｈの ｆ’ＡＹエネル
ギビームの照射により除去し複数の感光領域に分割する
と共に、該複数の感光領域の各々の第１電極層並びに第
２゛市極屑から上記絶縁基板の側面に延出した延長部を
、隣接ぞる感光領域が互いに゛心気的に１頁列関係にな
るべく重畳接続せしめ定ところにある。
領域に跨って設けら；ｒｔ、に第１′セ極層上に、光半
導体層並びに第２電極層？順次槓層した後、と粘等第１
電極層、光半導体層及び第２電極Ｈの ｆ’ＡＹエネル
ギビームの照射により除去し複数の感光領域に分割する
と共に、該複数の感光領域の各々の第１電極層並びに第
２゛市極屑から上記絶縁基板の側面に延出した延長部を
、隣接ぞる感光領域が互いに゛心気的に１頁列関係にな
るべく重畳接続せしめ定ところにある。
に）実施例
第６図乃至第６図は本発明実施例方法馨工程順に示して
いる。第６図の工程では厚み１關〜３間のガラス製の透
明基！＋１１上に、厚み２０００ｉ〜５０００Ａの酸化
錫から成る透明電極屑（２）が複数の感光領域、即ち光
電変換領域に跨って被着される。この被着工程に於いて
適当な金属マスク乞使用することにより透明電極層（２
）から透明基板（１１の両側面に接続端子となる４個の
延長部（６ａ）（６ｂ）（６ｃ）（６ｄ）を交互に延出
ぞしめる。
いる。第６図の工程では厚み１關〜３間のガラス製の透
明基！＋１１上に、厚み２０００ｉ〜５０００Ａの酸化
錫から成る透明電極屑（２）が複数の感光領域、即ち光
電変換領域に跨って被着される。この被着工程に於いて
適当な金属マスク乞使用することにより透明電極層（２
）から透明基板（１１の両側面に接続端子となる４個の
延長部（６ａ）（６ｂ）（６ｃ）（６ｄ）を交互に延出
ぞしめる。
第４図の工程では、上記透明電極層（２）から対向側面
に延出シ定延長部（６ａ）（６ｂ）（６ｃ）（Ｓａ）Ｖ
露出ぞしめ定状態で厚み５［］００Ａ〜７０００Ａのア
モルファスシリコンの如き光半導体層（３）が被着され
る。斯る光半導体層（３）はその内部に層面と平行なＰ
ＩＮ接合を含み、従ってより具体的には、先ずＰ型の光
半導体膜が被着され、欠いで１型及びＮ型の光半導体膜
が順次積層被着される。
に延出シ定延長部（６ａ）（６ｂ）（６ｃ）（Ｓａ）Ｖ
露出ぞしめ定状態で厚み５［］００Ａ〜７０００Ａのア
モルファスシリコンの如き光半導体層（３）が被着され
る。斯る光半導体層（３）はその内部に層面と平行なＰ
ＩＮ接合を含み、従ってより具体的には、先ずＰ型の光
半導体膜が被着され、欠いで１型及びＮ型の光半導体膜
が順次積層被着される。
第５図の工程では、光半導体１１！ （３）を覆うべく
厚４２０００ｉ〜１μｍのアルミニウムｄ、 ラフｉ
ルミＩ面電極層（４）が被着される。この被着工程に於
いて、金属マスクの使用にＬり夫々光電変換領域となる
べき裏面電極層（４）から透明基板ｆｉ＋の対向側面に
交互に延出した鉤状の延長部（５ａｂ）（５Ｍ）（５ｃ
ｄ）は左１４つの元′＠変換領域となるべき箇所から延
出した透明゛電極層（２１の延長部（６ａ）（６ｂ）（
６ｃ）７覆い硯り的に接続される。
厚４２０００ｉ〜１μｍのアルミニウムｄ、 ラフｉ
ルミＩ面電極層（４）が被着される。この被着工程に於
いて、金属マスクの使用にＬり夫々光電変換領域となる
べき裏面電極層（４）から透明基板ｆｉ＋の対向側面に
交互に延出した鉤状の延長部（５ａｂ）（５Ｍ）（５ｃ
ｄ）は左１４つの元′＠変換領域となるべき箇所から延
出した透明゛電極層（２１の延長部（６ａ）（６ｂ）（
６ｃ）７覆い硯り的に接続される。
第６図の最終工程でにｒ複数（本実施例でに４個）の光
電変換領域（’７ａ）（７’ｂ）（７ｃ）（７ｄ）に跨
って一様に被貴さｎ定透明電極順（２）、光）（８ｂｃ
）（８ｃａ）が形収さル、複数ノ元電変換領域（７ａ）
（７ｂ）（７ｃ）（７ａ）ｕ上記分離領域（８ａｂ）（
８ｂｃ ）（８ｃ（１）によって電気的に分離さ７ｔ、
る。従って、分離さｌｔ′した光電変換領域（７ａ）（
７ｂ）（７ｃ）（７ｄ）は透明基板１１）の対向側面に
交互に延出しに透明電極層（２）並びに裏面電極層（４
）の延長部（６ａ）（６ｂ）（６Ｃ）、（５ａｂ）（５
ｂＣ）（５Ｃａ）が上述のσ口＜重畳接続状態にあるの
で、電気的に直列関係となる。
電変換領域（’７ａ）（７’ｂ）（７ｃ）（７ｄ）に跨
って一様に被貴さｎ定透明電極順（２）、光）（８ｂｃ
）（８ｃａ）が形収さル、複数ノ元電変換領域（７ａ）
（７ｂ）（７ｃ）（７ａ）ｕ上記分離領域（８ａｂ）（
８ｂｃ ）（８ｃ（１）によって電気的に分離さ７ｔ、
る。従って、分離さｌｔ′した光電変換領域（７ａ）（
７ｂ）（７ｃ）（７ｄ）は透明基板１１）の対向側面に
交互に延出しに透明電極層（２）並びに裏面電極層（４
）の延長部（６ａ）（６ｂ）（６Ｃ）、（５ａｂ）（５
ｂＣ）（５Ｃａ）が上述のσ口＜重畳接続状態にあるの
で、電気的に直列関係となる。
尚、上記実施例で挙げた光半導体層ばＰＩＮ接合ン含む
アモルファスシリコンηλら成っていγこが、アモルフ
ァスシリコンカーバイド、アモルファスシリコンゲルマ
ニワム等のアモルファス半纏体や該アモルファス半導体
と多結晶半導体若しくは微結晶半婢体との組合せ及びカ
リウム砒素、硫化カドミウム等の薄膜状半導体で構成し
ても長く、また接合を積層せしめにタンデム構造な成子
こともできる。更に、透明電極層の抵抗１直が問題とな
る場合に、蔽透明嶌極層と光半導体層との間に光透過に
悪影響ン与えない程度の果屯極、所謂グリラドン設ける
ことも可能である。まに１複数の光電変換領域に分割下
る手段としてレーザビーム・を用いたが電子ビーム等の
その他のエネルギビームであっても購わない。
アモルファスシリコンηλら成っていγこが、アモルフ
ァスシリコンカーバイド、アモルファスシリコンゲルマ
ニワム等のアモルファス半纏体や該アモルファス半導体
と多結晶半導体若しくは微結晶半婢体との組合せ及びカ
リウム砒素、硫化カドミウム等の薄膜状半導体で構成し
ても長く、また接合を積層せしめにタンデム構造な成子
こともできる。更に、透明電極層の抵抗１直が問題とな
る場合に、蔽透明嶌極層と光半導体層との間に光透過に
悪影響ン与えない程度の果屯極、所謂グリラドン設ける
ことも可能である。まに１複数の光電変換領域に分割下
る手段としてレーザビーム・を用いたが電子ビーム等の
その他のエネルギビームであっても購わない。
（ホ）効 果
・ 本発明に以上の説明から明ら力為なタロく、絶縁基
板イハー工面に複数の感光領域に跨って順次積ｌ−さイ
を之Ｊ！ １・■＠層、元手導体層及び第２電極虐の厚
み方回乞同時にエネルギビームの照射により除去し複数
の感光領域に分割しＫので、各屑？選択的にビーム１工
し；２くても艮＜、シかも厳密な這択加工性ン必要とし
ない定めに製造工程を極めて簡略化゛Ｔることかできる
と共に、製造歩留りを同上し潜る。更ｅ（、上記Ｍ敢の
感光領域の直列接ｄも絶縁基板の９１面にて行なゎ７す
るので、上記基板面績ＶＣ対する感５ｅ領域の占める割
合を上記エネルギビーム石川による敗細刀ロエ住と相俟
って上昇せしめることができる。
板イハー工面に複数の感光領域に跨って順次積ｌ−さイ
を之Ｊ！ １・■＠層、元手導体層及び第２電極虐の厚
み方回乞同時にエネルギビームの照射により除去し複数
の感光領域に分割しＫので、各屑？選択的にビーム１工
し；２くても艮＜、シかも厳密な這択加工性ン必要とし
ない定めに製造工程を極めて簡略化゛Ｔることかできる
と共に、製造歩留りを同上し潜る。更ｅ（、上記Ｍ敢の
感光領域の直列接ｄも絶縁基板の９１面にて行なゎ７す
るので、上記基板面績ＶＣ対する感５ｅ領域の占める割
合を上記エネルギビーム石川による敗細刀ロエ住と相俟
って上昇せしめることができる。
第１図［ａ）は従来例を示す平面図、同図（ｂ）は同図
（ε１）に於けるＢ−Ｂ線断面図、同図（Ｃ）は同図（
ａ）に於妨るＣ −Ｃ線断面図、第２図Ｏま他の従来例
を示Ｔ安都庁・Ｆ硯図、第６図乃至第６図は本発明製造
方法を工程別に説明Ｔるための斜視図である。 Ｉｌｌ・・・絶縁基板、（２）・・・透明電極層、１３
）・・・元手導体層、（４）・・・裏面電極層。
（ε１）に於けるＢ−Ｂ線断面図、同図（Ｃ）は同図（
ａ）に於妨るＣ −Ｃ線断面図、第２図Ｏま他の従来例
を示Ｔ安都庁・Ｆ硯図、第６図乃至第６図は本発明製造
方法を工程別に説明Ｔるための斜視図である。 Ｉｌｌ・・・絶縁基板、（２）・・・透明電極層、１３
）・・・元手導体層、（４）・・・裏面電極層。
Claims (1)
- （１）絶縁基板の一工面の複数の感光領域に跨って設は
られた第１電極層上に、光半導体層並びに第２電極層を
順次績層した後、これ等第１電極層、光半導体層及び第
２電極層の一部をエネルギビームの照射により除去し複
数の感光領域に分割すると共に、該複数の感光領域の各
々の第１電極層並びに第２電極層から上記絶縁基板の軸
面に延出した延長部を、隣接ぜる感光領域が互いに″ボ
ス的に直列関係になるべく重畳接読ぜしめにことを特徴
とする光半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57203929A JPS5994470A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 光半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57203929A JPS5994470A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 光半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5994470A true JPS5994470A (ja) | 1984-05-31 |
Family
ID=16482028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57203929A Pending JPS5994470A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 光半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5994470A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61251193A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | 株式会社イナックス | 導電性被膜の形成方法 |
| JPS61251587A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | 株式会社イナックス | 無機質被膜の形成方法 |
-
1982
- 1982-11-19 JP JP57203929A patent/JPS5994470A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61251193A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | 株式会社イナックス | 導電性被膜の形成方法 |
| JPS61251587A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | 株式会社イナックス | 無機質被膜の形成方法 |
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