JPS5935497A - 銅張り積層板 - Google Patents
銅張り積層板Info
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- JPS5935497A JPS5935497A JP14649582A JP14649582A JPS5935497A JP S5935497 A JPS5935497 A JP S5935497A JP 14649582 A JP14649582 A JP 14649582A JP 14649582 A JP14649582 A JP 14649582A JP S5935497 A JPS5935497 A JP S5935497A
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- Japan
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- copper
- expansion coefficient
- linear expansion
- insulating layer
- laminated board
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- Pending
Links
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Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体を高密度に実装するプリント基板として
使用される銅張り積層板に関するものである。
使用される銅張り積層板に関するものである。
■０が開発されて以来Ｄｕａｌ−Ｉｎｌｉｎｅ−Ｐａｃ
ｋａｇｅ（ＤＩＰ）が標準的な実装法として採用されて
きた。
ｋａｇｅ（ＤＩＰ）が標準的な実装法として採用されて
きた。
しかし近年電子機器の小型化、薄型化に伴い半導体チッ
プの基板への搭載も高密度化が要求されている。ＤＩＰ
では素子面積に対する製品全体の形状が大きすぎ、外部
リード数の多い・ξツケージでは、外部すｈ％が大きな
面積を占めるとともに、取り扱いにくさなどが問題とな
っている。
プの基板への搭載も高密度化が要求されている。ＤＩＰ
では素子面積に対する製品全体の形状が大きすぎ、外部
リード数の多い・ξツケージでは、外部すｈ％が大きな
面積を占めるとともに、取り扱いにくさなどが問題とな
っている。
このためり−ルスの実装法としてチップキャリアが急速
に普及し始めてきた。従来のガラスエポキシプリント基
板などは熱放散性が悪いので、高密度化したチップを塔
載したチップキャリアを接合すると、チップからの発熱
を如何に放散させるかが重要な問題になっている。この
ためアルミや鋼の金属板を絶縁して銅箔を張り付けた金
属基板を使うことも試みられるようになってきた。
に普及し始めてきた。従来のガラスエポキシプリント基
板などは熱放散性が悪いので、高密度化したチップを塔
載したチップキャリアを接合すると、チップからの発熱
を如何に放散させるかが重要な問題になっている。この
ためアルミや鋼の金属板を絶縁して銅箔を張り付けた金
属基板を使うことも試みられるようになってきた。
チップキャリアはアルミナ製のセラミックで、プリント
基板にはハンダで接合される。しかし従来のプリント基
板とチップキャリアは熱膨張係数が大きく異なるため、
厳しい温度サイクルが加わると接続個所で・・ンダにク
ラックが発生し、断線や剥離などの故障が発生した。
基板にはハンダで接合される。しかし従来のプリント基
板とチップキャリアは熱膨張係数が大きく異なるため、
厳しい温度サイクルが加わると接続個所で・・ンダにク
ラックが発生し、断線や剥離などの故障が発生した。
このためチップキャリアに適合するような高熱伝導性と
熱膨張係数を持つ基板の開発が望まれている。
熱膨張係数を持つ基板の開発が望まれている。
本発明の目的は従来のプリント基板の欠点を解消し、高
熱伝導性で熱膨張係数が適合したチップキャリア用の銅
張シ積層板を提供することにある。
熱伝導性で熱膨張係数が適合したチップキャリア用の銅
張シ積層板を提供することにある。
すなわち本発明の要旨は高熱伝導性の積層基板として、
線膨張係数が４−１０Ｘ １０−６ｔａｎ／ｌａｎ ℃
ノ金属基板上に線膨張係数がｌθ〜２０ Ｘ １０−６
ｔａｎ／ｌａｎ℃で厚さ５０〜２ｏｏｐｍのガラス以外
の無機物充填強化樹脂からなる絶縁層を設けたものを用
いたことにある。
線膨張係数が４−１０Ｘ １０−６ｔａｎ／ｌａｎ ℃
ノ金属基板上に線膨張係数がｌθ〜２０ Ｘ １０−６
ｔａｎ／ｌａｎ℃で厚さ５０〜２ｏｏｐｍのガラス以外
の無機物充填強化樹脂からなる絶縁層を設けたものを用
いたことにある。
前記金属基板としては線膨張係数が上記範囲にある例え
ｂ合金、クララ１材、繊維強化金属などが用いられる。
ｂ合金、クララ１材、繊維強化金属などが用いられる。
アルミナ製のチップキャリアは熱膨張係数が７〜８ Ｘ
１０ ”−’ ｍｍ／ｍｍ ’Ｃ程度であシ、前記金
属基板の線膨張係数が上記節・囲にあれば接合するハン
ダはヒートサイクル時のストレスが小さくヒートサイク
ルによってクラックを発生しない。
１０ ”−’ ｍｍ／ｍｍ ’Ｃ程度であシ、前記金
属基板の線膨張係数が上記節・囲にあれば接合するハン
ダはヒートサイクル時のストレスが小さくヒートサイク
ルによってクラックを発生しない。
前記絶縁層の線膨張係数は１０ Ｘ １０ ”−’ ｍ
ｍ／ｍｍ ℃未満では樹脂が硬質なだめ製造および取扱
いが困難であり、２０ Ｘ Ｉ Ｏ’−’ ｍｍ／ｒｒ
ａｎ ℃を越えると金属基板の固定効果が不十分となり
複合材料としての線膨張係数がチップキャリアのそれと
適合しない。
ｍ／ｍｍ ℃未満では樹脂が硬質なだめ製造および取扱
いが困難であり、２０ Ｘ Ｉ Ｏ’−’ ｍｍ／ｒｒ
ａｎ ℃を越えると金属基板の固定効果が不十分となり
複合材料としての線膨張係数がチップキャリアのそれと
適合しない。
まだ、前記絶縁層は厚さ５０μｍ未満では電気的特性特
に耐電圧が低く、２００μｍを越えると熱伝導性が低下
する。
に耐電圧が低く、２００μｍを越えると熱伝導性が低下
する。
次に実施例を説明する前に添付図面により本発明銅張り
積層板の使用態様を説明すると、■は金属基板、２は無
機絶縁材料を高充填した樹脂からなる絶縁層、３は銅箔
であり、これらは互いに接着一体化されて積層構造とな
っている。鋼箔３は配線用回路を形成し、この上に予め
シリコンチップ６を接着一体化したセラミックチップキ
ャリア５がハンダ４により接合一体化される。このよう
にして銅張り積層板上にチップキャリアが塔載され、半
導体の実装が行なわれる。
積層板の使用態様を説明すると、■は金属基板、２は無
機絶縁材料を高充填した樹脂からなる絶縁層、３は銅箔
であり、これらは互いに接着一体化されて積層構造とな
っている。鋼箔３は配線用回路を形成し、この上に予め
シリコンチップ６を接着一体化したセラミックチップキ
ャリア５がハンダ４により接合一体化される。このよう
にして銅張り積層板上にチップキャリアが塔載され、半
導体の実装が行なわれる。
以下本発明の詳細な説明する。
線膨張係数が９．５ Ｘ １０−’ ｔｔｒｍ／■℃で
厚さ１．５鮒のクララＰ材（Ａｎ／４２％Ｎ ｉ −Ｆ
ｃ合金／ Ａ １１ ）に、線膨張係数が１２ Ｘ
１０−’ ｍｎ／ｍｍ ℃で厚さ７５μｍの無機絶縁材
料を高充填したエポキシベース樹脂を接着一体化し、さ
らにその上に銅箔を接着一体化した積層板を作成した。
厚さ１．５鮒のクララＰ材（Ａｎ／４２％Ｎ ｉ −Ｆ
ｃ合金／ Ａ １１ ）に、線膨張係数が１２ Ｘ
１０−’ ｍｎ／ｍｍ ℃で厚さ７５μｍの無機絶縁材
料を高充填したエポキシベース樹脂を接着一体化し、さ
らにその上に銅箔を接着一体化した積層板を作成した。
この積層板を用いて銅箔上に９２％Ｐｂ−５％５ｎ−３
％Ａｇハンダでチップキャリアを接合し、−６５℃〜１
２５℃のヒートサイクルを繰シ返したが１０００回の熱
衝撃に対しても異常に認められなかった。放熱特性は６
５℃／Ｗであった。なお放熱特性の測定は５×８副の面
積の３５μｍ厚の銅張り積１−板の中央に１００Ωのチ
ップ抵抗をハンダ付けして、ＩＷの４カを消費させた時
の温度上昇を測定したものである。
％Ａｇハンダでチップキャリアを接合し、−６５℃〜１
２５℃のヒートサイクルを繰シ返したが１０００回の熱
衝撃に対しても異常に認められなかった。放熱特性は６
５℃／Ｗであった。なお放熱特性の測定は５×８副の面
積の３５μｍ厚の銅張り積１−板の中央に１００Ωのチ
ップ抵抗をハンダ付けして、ＩＷの４カを消費させた時
の温度上昇を測定したものである。
以上のように本発明の銅張り積層板は、線膨張係数が４
〜１０ Ｘ １０”−’ ｍｍ／ｍｍ ℃ の金属基
板上に線膨張係数がｌＯ〜２０Ｘ１０−’咽／諭℃で厚
さ５０〜２００μｍのガラス以外の無機物充填強化樹脂
からなる絶縁層を設け、その上に配線用の銅箔を張り付
けたことから、熱膨張係数がチップキャリアのそれに適
合しかつ高熱伝導性を有するだめ、ヒートサイクル時に
ハンダ接合部において受ける応力を小さくし、その疲労
寿命を延長して健全なる半導体製品を得ることができる
効果がある。
〜１０ Ｘ １０”−’ ｍｍ／ｍｍ ℃ の金属基
板上に線膨張係数がｌＯ〜２０Ｘ１０−’咽／諭℃で厚
さ５０〜２００μｍのガラス以外の無機物充填強化樹脂
からなる絶縁層を設け、その上に配線用の銅箔を張り付
けたことから、熱膨張係数がチップキャリアのそれに適
合しかつ高熱伝導性を有するだめ、ヒートサイクル時に
ハンダ接合部において受ける応力を小さくし、その疲労
寿命を延長して健全なる半導体製品を得ることができる
効果がある。
図は銅張り積層板にチップキャリアをハンダ接 ′
合した状態を示す断面図である。 ■・・・金属基板、２・・絶縁層、３・銅箔、４・・・
ハンダ、５・・・セラミックチップキャリア、６・・・
シリコンチップ。
合した状態を示す断面図である。 ■・・・金属基板、２・・絶縁層、３・銅箔、４・・・
ハンダ、５・・・セラミックチップキャリア、６・・・
シリコンチップ。
Claims (1)
- （１） 、！ｉｌｉ！膨張係数が４〜ｌ０ＸＩＯ”咽
／＋＋Ｉｌ＋１℃の金属基板上に、線膨張係数が１０〜
２０Ｘ １０−’ ｔｔａｎ／■ｉで厚さ５０〜２００
μｍのガラス以外の無機物充填強化樹脂からなる絶縁層
を設け、該絶縁層上に配線用の銅箔を張り付けてなる′
ことを特徴とする銅張り積層板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14649582A JPS5935497A (ja) | 1982-08-24 | 1982-08-24 | 銅張り積層板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14649582A JPS5935497A (ja) | 1982-08-24 | 1982-08-24 | 銅張り積層板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5935497A true JPS5935497A (ja) | 1984-02-27 |
Family
ID=15408911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14649582A Pending JPS5935497A (ja) | 1982-08-24 | 1982-08-24 | 銅張り積層板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5935497A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022176448A1 (ja) * | 2021-02-18 | 2022-08-25 | 住友ベークライト株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物、パワーモジュール用基板およびパワーモジュール |
-
1982
- 1982-08-24 JP JP14649582A patent/JPS5935497A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022176448A1 (ja) * | 2021-02-18 | 2022-08-25 | 住友ベークライト株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物、パワーモジュール用基板およびパワーモジュール |
| JPWO2022176448A1 (ja) * | 2021-02-18 | 2022-08-25 |
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