JPS5936014Y2 - 増幅器 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は増幅器に関する。

従来負帰還のかけられないオーテ゛イオ電力増幅器に於
いて、負荷としてインピーダンスの高い小形スピーカを
使用した場合、電力増幅器の出力インピーダンスに対し
てスピーカのインピーダンスが無視できなくなり、小形
スピーカのインピーダンス特性がそのまま表われ、聴感
上不快感をもたらす。

即ち小形スピーカに於いてそのインピーダンス特性は第
１図の実線に示すように低域の共振周波数ｆｏに於いて
峰をもち高域で上昇していく。

この時のスピーカの周波数特性を破線Ａに示す。

この様に周波数特性は高域部分で上昇し、この為聴感上
でも低域の部分に比べ高域の部分の方がレベルが大きく
なり、聴感上の不快感をもたらす。

この為従来はスピーカの両端にコンデンサを挿入し電力
増幅器の出力中の高域成分のレベルを落していた。

この改善した周波数特性を破線Ｂで示す。しかしながら
このコンデンサとしては電力増幅器の出力を減衰させる
のであるから大容量の、例えば数μＦの電解コンデンサ
を必要とし、スピーカのインダクタンスと伴って発振を
起し、不要輻射を起す恐れがあった。

本考案は上述の点に鑑み電力増幅器内でスピーカに供給
される電力増幅器の出力中の高域成分を充分に減衰させ
しかも発振を起さない様にしたものである。

以下第２図を参照しながら本考案の一実施例を説明しよ
う。

第２図に於いて入力端子１からのオーディオ信号をコン
デンサ２を介してＮＰＮ形トランジスタ３のベースに供
給する。

このトランジスタのコレクタに抵抗器４，５及び６を介
して電源を供給する。

そしてトランジスタ３のエミッタを抵抗器７を介して接
地する。

又抵抗器５及び６の接続中点をＮＰＮ形トランジスタ８
のベースに接続し、このトランジスタ８のエミッタを抵
抗器９及び１０を介してＰＮＰ形トランジスタ１１のエ
ミッタに接続し、このトランジスタ１１のコレクタを接
地する。

そして、トランジスタ３のコレクタをトランジスタ１１
のベースに接続し、抵抗器９及び１０の接続中点を抵抗
器１２を介してトランジスタ３のベースに接続しこのト
ランジスタ３のベースを抵抗器１３を介して接地する。

そしてトランジスタ８のベースにはダイオード１４のア
ノードを接続し、このダイオード１４のカソードをトラ
ンジスタ１１のベースに接続する。

又抵抗器４及び５の接続中点をコンデンサ１５を介して
抵抗器９及び１０の接続中点に接続し、この抵抗器９及
び１０の接続中点をコンテ゛ンサ１６を介してスピーカ
１７の一方の入力端子に接続し、このスピーカ１７の他
方の入力端子を接地する。

ここでトランジスタ３はドライブ段のトランジスタでこ
のトランジスタ３のコレクタとベース間に高域減衰用コ
ンデンサ２０（この容量を０１とする。

）を挿入する。又トランジスタ８及び１１はエミッタ出
力コンブリメンタリープッシュプル出力段を構成し、之
等トランジスタ８もしくは１１の内の少なくとも一方の
トランジスタ、第２図ではトランジスタ８のコレクター
ベース間に発振防止用コンデンサ２１（この容量をＣ２
とする。

）を挿入する。この第２図に於いて破線で示すコンデン
サ２２は従来挿入された高域減衰用のコンテ゛ンサを示
す。

第２図に於いてはドライブ段トランジスタ３のコレクタ
・ベース間に高域減衰用のコンテ゛ンサ２０を挿入して
いるので破線に示す高域減衰用のコンデンサ２２に比べ
小さい容量のコンデンサで高域を減衰させることができ
る。

ここでコンデンサ２０と別にコンデンサ２１を設けてい
るのはコンデンサ２０のみで高域の減衰を行なおうとし
た時容量Ｃ１を大としなければならずこの為発振を生じ
てしまう恐れがあるからである。

この為トランジスタ８のコレクターベース間にもコンデ
ンサ２１を挿入しこの容量Ｃ２によりトランジスタ８の
出力信号の位相を調節して発振を防止するものである。

次に各素子に実際の数値を入れた時のスピーカのインピ
ーダンス特性及び周波数特性を第３図に示す。

但しここでコンデンサ２，１５及び１６の容量は夫々１
０μＦ、１０μＦ及び１００μＦとし、抵抗器４゜５、
６．７．９．１０．１２及び１３の抵抗値は５１０Ω。

１．２にΩ、４７０Ω、３９Ω、３．３Ω、３．３Ω、
９１にΩ。

９、ＩＫΩ、スピーカ１７のインピーダンスは３２Ωと
する。

そして発振防止用コンデンサ２１の容量蟻は３３０ Ｐ
Ｆとする。

第３図に於いて実線で示す曲線はスピーカのインピーダ
ンス特性である。

そして・印の破線は容量Ｃ１の値を２２００ ＰＦにし
た場合の純抵抗負荷時の周波数特性で、Δ印の破線は容
量Ｃ１の値を１０００ ＰＦにした場合の純抵抗負荷時
の周波数特性、×印は容量Ｃ０の値を１５００ ＰＦに
した場合の純抵抗負荷時の周波数特性を示す。

上述の周波数特性は出力電力１００ｍＷ、負荷抵抗３２
Ω、周囲温度２５°Ｃの場合である。

そして第３図に示す周波数特性を参照して実験１ したことからてτの値は３〜９であった場合が聴感上か
ら最適の設計条件であることが確かめられた。

以上述べた様に本考案は発振を生じることなく高域を充
分に減衰させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は小形スピーカのインピーダンス特性及び周波数
特性を示すグラフ、第２図は本考案の一実施例を示す接
続図、第３図は第２図に於いてその要部の数値を変えた
時の周波数特性の変化を示す図で゛ある。 ３．８．１１はトランジスタ、２０は高域減衰用コンデ
゛ンサ、２１は発振防止用コンデ゛ンサである。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. エミッタ出力コンブリメンタリーブツシュプル出力段と
   、ドライブ段トランジスタとを有し、負荷としてはその
   インピーダンスが高く、且つ高域側でこのインピーダン
   スが上昇するインピーダンス特性を有するスピーカを接
   続し、上記ドライバ一段トランジスタのベース・コレク
   タ間に小容量の第１のコンテ゛ンサを挿入すると共に、
   上記出力段トランジスタの少なくとも一方のベース・コ
   レクタ間に第２のコンデンサを挿入し、上記第１のコン
   デンサの値Ｃ１と第２のコンデンサの値らの比Ｃ１／Ｃ
   ２が３〜９どなるように選定して、上記スピーカの高域
   側に於ける周波数特性を改善する様にした増幅器。