JPS5936220A - 固定スリット型光電顕微鏡 - Google Patents
固定スリット型光電顕微鏡Info
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- JPS5936220A JPS5936220A JP57147054A JP14705482A JPS5936220A JP S5936220 A JPS5936220 A JP S5936220A JP 57147054 A JP57147054 A JP 57147054A JP 14705482 A JP14705482 A JP 14705482A JP S5936220 A JPS5936220 A JP S5936220A
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- JP
- Japan
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- light
- slit
- inspected
- polarized
- irradiation mechanism
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/04—Measuring microscopes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B21/00—Microscopes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/02—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the intensity of light
- G02B26/04—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the intensity of light by periodically varying the intensity of light, e.g. using choppers
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、物体上の線状パターンの位置を検出する固定
スリット型光電顕微鏡に関する。
スリット型光電顕微鏡に関する。
従来、線状ノイターンの位置を光学的に検出するものと
して各種の光電顕微鏡が提案されているが、これらの代
表的なものを第１図及び第２図に示す６第１図に示す光
電顕微鏡では、検出すべき目盛線（線状パターン）１を
持つスケール２は、スケール２が透明物体の場合透過照
明系３によって照明され、またスケール２が不透明物体
の場合落射照明系４によジノ・−７ミラー５を介して照
明される。そして、スケール２上の目盛線１の像は対物
レンズ６によシハーフミラー７を介して焦点鏡８に結像
されると共に、スリット板９のスリット９ＩＬ上に結像
される。
して各種の光電顕微鏡が提案されているが、これらの代
表的なものを第１図及び第２図に示す６第１図に示す光
電顕微鏡では、検出すべき目盛線（線状パターン）１を
持つスケール２は、スケール２が透明物体の場合透過照
明系３によって照明され、またスケール２が不透明物体
の場合落射照明系４によジノ・−７ミラー５を介して照
明される。そして、スケール２上の目盛線１の像は対物
レンズ６によシハーフミラー７を介して焦点鏡８に結像
されると共に、スリット板９のスリット９ＩＬ上に結像
される。
焦点鏡８に結像された像は接眼レンズ１０によシ肉眼で
モニタされる。スリット板９は発振器１ノからの電流で
駆動される振動子１２に取着され図中矢印Ａ方向に振動
せられるものであシ、スリブ）９ｍを通過した光束は光
電変換素子１３によシミ気信号に変換される。そして、
この変換信号がプリアンプ１４を介して増幅されたのち
同期整流回路１５によシ同期整流され、この整流出力が
前記スケール２上の目盛線１の変位量として指示メータ
１６に表示されるものとなっている。
モニタされる。スリット板９は発振器１ノからの電流で
駆動される振動子１２に取着され図中矢印Ａ方向に振動
せられるものであシ、スリブ）９ｍを通過した光束は光
電変換素子１３によシミ気信号に変換される。そして、
この変換信号がプリアンプ１４を介して増幅されたのち
同期整流回路１５によシ同期整流され、この整流出力が
前記スケール２上の目盛線１の変位量として指示メータ
１６に表示されるものとなっている。
また、第２図に示す光電顕微鏡は、前記スリット板９を
振動させる代シに、前記振動子１２によシ反射鏡１７を
図中矢印Ｂ方向に回動せしめるようにしたものである。
振動させる代シに、前記振動子１２によシ反射鏡１７を
図中矢印Ｂ方向に回動せしめるようにしたものである。
すなわち、前記スケール２上の目盛線１の像は対物レン
ズ６によシハーフばラー５，７及び上記反射鏡１７を介
してスリット板９のスリット９＆上に結像されるものと
なっている。
ズ６によシハーフばラー５，７及び上記反射鏡１７を介
してスリット板９のスリット９＆上に結像されるものと
なっている。
このように第１図及び第２図に示す光電顕微鏡は、スリ
ット板９のスリブ）４１Ｊａを透過し光電変換素子１３
に受光される光束を変調するのに、スリット板９を振動
させるか或いは光束を振動させるかの違いがあるだけで
、その他の構成は同様である。そして、この種の光電顕
微鏡では、第３図に示す如き変位−出力電圧特性が得ら
れる。また、光電変換素子１３に受光される光束が変調
されているので、交流増幅器を使用することができ、Ｓ
Ｎ比の高い検出出力が得られることも知られている。し
かしながら、前記スリ、ト９ａ或いは反射鏡１７を機械
的に振動させその振動中心を検出原点に対応させる原理
であるため、振動中心の変動量以上の高い検出精度が得
られないと云う欠点があった。つまり、スリット９＆或
いは反射鏡１７を機械的に振動させているため、その振
動中心を検出原点に正確に一致させることは困難であシ
、振動中心の変動に起因する検出精度の低下を防ぐこと
はできなかった。
ット板９のスリブ）４１Ｊａを透過し光電変換素子１３
に受光される光束を変調するのに、スリット板９を振動
させるか或いは光束を振動させるかの違いがあるだけで
、その他の構成は同様である。そして、この種の光電顕
微鏡では、第３図に示す如き変位−出力電圧特性が得ら
れる。また、光電変換素子１３に受光される光束が変調
されているので、交流増幅器を使用することができ、Ｓ
Ｎ比の高い検出出力が得られることも知られている。し
かしながら、前記スリ、ト９ａ或いは反射鏡１７を機械
的に振動させその振動中心を検出原点に対応させる原理
であるため、振動中心の変動量以上の高い検出精度が得
られないと云う欠点があった。つまり、スリット９＆或
いは反射鏡１７を機械的に振動させているため、その振
動中心を検出原点に正確に一致させることは困難であシ
、振動中心の変動に起因する検出精度の低下を防ぐこと
はできなかった。
一方、上記の欠点を取シ除いた装置として、文献（Ｐｒ
ｏｃ、 ｏｆ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｎａｌ Ｃｏｎｔｅ
ｒｅｎｃｅ ｏｎＭｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ、
Ｍｉｃｒｏｃｌｒｃｕｉｔ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ
８０、 Ａｍｓｔｅｒｄａｍ （１９８０） Ｐ １８
１ ） に記載されているような、集積回路のマスク
パターン焼き付けのために使用されるアライナのアライ
メン信号検出装置が提案されている。この装置は、第４
図に示す如くウェーハ２１上の回折格子構造のアライメ
ントマーク２２が、レチクルマスク２３上のマルチスリ
ット２４ｍ、２４ｂの中心位置に対する変位を検出する
ものである。光源２５からの光は音響光学変調器２６に
ょシ変調かつ偏向され、ハーフミラ−２７及びレンズ２
８を介してウェーハ２１上のアライメントマーク２２に
照射される。このとき、音響光学変調器２６からの光は
レチクルマスク２３上のマルチスリット２４ｍ、２４ｂ
を透過するもので、アライメントマーク２２に照射され
る光束は上記マルチスリット２４ｈ、２４ｂの形状と相
似に整形される。アライメントマーク２２で２重回折さ
れた光束は、し／ズ２８を通シ再びマルチスリ、Ｆ ２
４ ＆ ｔ ２４ ｂを透過した後、ハーフミラ−２７
、反射鏡２９及び焦光レンズ３゜を介して光電変換素子
１３に受光される。そして、この光電変換素子１３にて
電気信号に変換された変換信号がプリアンプ１４及び同
期整流回路１５を介して増幅及び同期整流され、先に説
明したのと同様に指示メータ１６にアライメントマーク
２２の変位量が表示されるものとなっている。なお、図
中３１は前記音響光学変調器２６及び同期整流回路１５
に基準信号を与えるためのドライバを示している。
ｏｃ、 ｏｆ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｎａｌ Ｃｏｎｔｅ
ｒｅｎｃｅ ｏｎＭｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ、
Ｍｉｃｒｏｃｌｒｃｕｉｔ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ
８０、 Ａｍｓｔｅｒｄａｍ （１９８０） Ｐ １８
１ ） に記載されているような、集積回路のマスク
パターン焼き付けのために使用されるアライナのアライ
メン信号検出装置が提案されている。この装置は、第４
図に示す如くウェーハ２１上の回折格子構造のアライメ
ントマーク２２が、レチクルマスク２３上のマルチスリ
ット２４ｍ、２４ｂの中心位置に対する変位を検出する
ものである。光源２５からの光は音響光学変調器２６に
ょシ変調かつ偏向され、ハーフミラ−２７及びレンズ２
８を介してウェーハ２１上のアライメントマーク２２に
照射される。このとき、音響光学変調器２６からの光は
レチクルマスク２３上のマルチスリット２４ｍ、２４ｂ
を透過するもので、アライメントマーク２２に照射され
る光束は上記マルチスリット２４ｈ、２４ｂの形状と相
似に整形される。アライメントマーク２２で２重回折さ
れた光束は、し／ズ２８を通シ再びマルチスリ、Ｆ ２
４ ＆ ｔ ２４ ｂを透過した後、ハーフミラ−２７
、反射鏡２９及び焦光レンズ３゜を介して光電変換素子
１３に受光される。そして、この光電変換素子１３にて
電気信号に変換された変換信号がプリアンプ１４及び同
期整流回路１５を介して増幅及び同期整流され、先に説
明したのと同様に指示メータ１６にアライメントマーク
２２の変位量が表示されるものとなっている。なお、図
中３１は前記音響光学変調器２６及び同期整流回路１５
に基準信号を与えるためのドライバを示している。
この装置では、光電変換素子１３へ入射する光束の変調
に音響光学的変調器２６及び２つの固定された回折格子
構造マルチスリット２４＆＊２４ｂを利用しているので
、前述したスリット９ａ及び反射鏡１７等の振動中心の
変位に起因する検出精度の低下を回避することができる
。
に音響光学的変調器２６及び２つの固定された回折格子
構造マルチスリット２４＆＊２４ｂを利用しているので
、前述したスリット９ａ及び反射鏡１７等の振動中心の
変位に起因する検出精度の低下を回避することができる
。
しかしながら、アライメントマーク２２の検出に２重回
折を利用しているので、マルチスリッ）２４ｍ、２４ｂ
のピッチ間隔を、アライメントマーク２２のピッチ間隔
にレンズ２８の倍率を掛けた寸法に厳密に一致させる必
要があシ、これがために装置の調整の煩雑化を招いた。
折を利用しているので、マルチスリッ）２４ｍ、２４ｂ
のピッチ間隔を、アライメントマーク２２のピッチ間隔
にレンズ２８の倍率を掛けた寸法に厳密に一致させる必
要があシ、これがために装置の調整の煩雑化を招いた。
さらに、アライメントマーク２２やマルチスリット２４
＆、２４ｂ等の形成工程が煩雑化する等の問題もあった
。
＆、２４ｂ等の形成工程が煩雑化する等の問題もあった
。
本発明の目的は、スリットや反射鏡等の機械的振動に起
因する検出精度の低下を招くことなく、被検査物体上の
線状・臂ターンの位置を高精度に検出することができ、
かつ調整の容易化をはかシ得る固定スリット型光電顕微
鏡を提供することにある。
因する検出精度の低下を招くことなく、被検査物体上の
線状・臂ターンの位置を高精度に検出することができ、
かつ調整の容易化をはかシ得る固定スリット型光電顕微
鏡を提供することにある。
本発明の骨子は、光電変換素子に入射する光束の変調方
法として、固定配置された単一のスリット及び、相互に
直交する方向に偏光された一対の偏光光に対し異なる光
路を与える光学偏向素子を用いることにある。
法として、固定配置された単一のスリット及び、相互に
直交する方向に偏光された一対の偏光光に対し異なる光
路を与える光学偏向素子を用いることにある。
すなわち本発明は、被検査物体上の線状パターンの位置
を検出する光電顕微鏡において、対物レンズに関して上
記線状パターンと共役な位置に固定配置された単一のス
リットと、上記被検査物体上の線状パターンに相互に直
交する方向に偏光された一対の偏光光を一定周期で交互
に照射する光照射機構と、上記被検査物体とスリットと
の間に配置され上記各偏光光に対し異なる光路を与え、
上記光照射機構による被検査物体からの反射光或いは透
過光を上記スリットに選択的に入射せしめる光学偏向素
子と、スリ、トを介して得られる光を検出する光電変換
素子と、この光電変換素子の検出信号を上記光照射機構
による一対の偏光光の交互照射に同期して整流する同期
整流回路と、この同期整流回路の出力信号を表示する表
示器とを具備してなるものである。
を検出する光電顕微鏡において、対物レンズに関して上
記線状パターンと共役な位置に固定配置された単一のス
リットと、上記被検査物体上の線状パターンに相互に直
交する方向に偏光された一対の偏光光を一定周期で交互
に照射する光照射機構と、上記被検査物体とスリットと
の間に配置され上記各偏光光に対し異なる光路を与え、
上記光照射機構による被検査物体からの反射光或いは透
過光を上記スリットに選択的に入射せしめる光学偏向素
子と、スリ、トを介して得られる光を検出する光電変換
素子と、この光電変換素子の検出信号を上記光照射機構
による一対の偏光光の交互照射に同期して整流する同期
整流回路と、この同期整流回路の出力信号を表示する表
示器とを具備してなるものである。
本発明によれば、スリットや反射鏡等を機械的に振動さ
せることなく、光電変換素子に入射する光束を変調させ
ることができる。このため、機械的振動に起因する検出
精度の低下を未然に防止することができ、検出精度の大
幅な向上をはかシ得る。まだ、２重回折を利用するもの
ではなく、その調整が容易である等の効果を奏する。
せることなく、光電変換素子に入射する光束を変調させ
ることができる。このため、機械的振動に起因する検出
精度の低下を未然に防止することができ、検出精度の大
幅な向上をはかシ得る。まだ、２重回折を利用するもの
ではなく、その調整が容易である等の効果を奏する。
第５図は本発明の一実施例を示す概略構成図である。図
中４１は透明物体のスケールであシ、このスケール４１
には目盛線（線状）４ターン）４２が形成されている。
中４１は透明物体のスケールであシ、このスケール４１
には目盛線（線状）４ターン）４２が形成されている。
スケール４ノの下方には光源４３、ハーフばラー４４．
４５、反射鏡４６．４７、偏光板４１１．４９及びチョ
ッパ５０からなる光照射機構が設けられている。この光
照射機構では、光源４３からの光がハーフミラ−４４を
介して偏光板４８に照射されると共に、ハーフミラ−４
４及び反射鏡４６を介して偏光板４９に照射される。偏
光板４８１４９はそれぞれの偏光方向が直交するよう配
置されておシ、これらの偏光板４８．４９により直交す
る方向に直線偏光された一対の偏光光はそれぞれチョッ
パ５０に照射される。チョッパ５θは、例えば不透明円
板体の外周近傍を一定の間隔で一部切欠して形成された
ものでｓｂ、このチョッパ４５Ｑを図中Ｃ方向に回転せ
しめることによシ、第６図に示す如く前記直線偏光され
た一対の偏光光Ｐ、Ｑが一定の周期Ｔで交互ＫＯＮ −
ＯＦＦされる。チョッパ５０によシ選択された偏光光は
ハーフミラ−４５を介して、或いは反射鏡４７及びハー
フ＜ ９−４５を介してスケール４１上の目盛線４２に
照射される。つまり、光照射機構によシ相互に直交する
方向に偏光された一対の偏光光が一定の周期で交互に、
上記スケール４１上の目盛線４２に照射されるものとな
っている。
４５、反射鏡４６．４７、偏光板４１１．４９及びチョ
ッパ５０からなる光照射機構が設けられている。この光
照射機構では、光源４３からの光がハーフミラ−４４を
介して偏光板４８に照射されると共に、ハーフミラ−４
４及び反射鏡４６を介して偏光板４９に照射される。偏
光板４８１４９はそれぞれの偏光方向が直交するよう配
置されておシ、これらの偏光板４８．４９により直交す
る方向に直線偏光された一対の偏光光はそれぞれチョッ
パ５０に照射される。チョッパ５θは、例えば不透明円
板体の外周近傍を一定の間隔で一部切欠して形成された
ものでｓｂ、このチョッパ４５Ｑを図中Ｃ方向に回転せ
しめることによシ、第６図に示す如く前記直線偏光され
た一対の偏光光Ｐ、Ｑが一定の周期Ｔで交互ＫＯＮ −
ＯＦＦされる。チョッパ５０によシ選択された偏光光は
ハーフミラ−４５を介して、或いは反射鏡４７及びハー
フ＜ ９−４５を介してスケール４１上の目盛線４２に
照射される。つまり、光照射機構によシ相互に直交する
方向に偏光された一対の偏光光が一定の周期で交互に、
上記スケール４１上の目盛線４２に照射されるものとな
っている。
スケール４ノの上方には対物レンズ５１が配置されてお
沙、この対物レンズ５１によシスケール４１上の目盛線
４２の像がスリット板５４のスリット５４ａ上に結像さ
れる・対物レンズ５１とスリット板５４との間の対物レ
ンズ５ノの光軸上には１例えばサバール板からなる光学
偏向素子５５が配置されている。この光学偏向素子５５
は第７図に示す如く被屈折を有する光学結晶を所定方位
に配置したものであυ、光学偏向素子５５に固有な所定
方位に平行な方向りに直線偏光された光束と、該方位に
直交する方向ＥＫ直線偏光された光束とは相異なる屈折
を受け、相異なる光路５６ａ、５６ｂを通ることになる
。そして、上記偏光光の各偏光方向は、前記光照射機構
によシスケール４１上の目盛線４２に交互照射される光
束のそれぞれの偏光方向と一致するよう定められている
。りまシ、前記偏光光Ｐをハーフミラ−４５を介して得
られる偏光光ｐ／の偏光方向と上記偏光方向りとが一致
し、前記偏光光Ｑを反射鏡４７を介して得られる偏光光
Ｑ′の偏光方向と上記偏光方向Ｅとが一致するものとな
っている。これにょシ、偏光光ｐ／ 、 Ｑｌは光学偏
向素子５５にょシ異なる光路を通υスリット板５４のス
リット５４ａに入射する。つまり、偏光光Ｐ／は右側の
光路、５６ａを通シスリット板５４のスリット５４＆を
透過し、焦光レンズ５７によシ焦光され光電変換素子５
８に入射する。同様に偏光光Ｑ／は左側の光路５６ｍを
通シスリット５４＆及び焦光レンズ５７を介して光電変
換素子５８に入射するものとなっている。
沙、この対物レンズ５１によシスケール４１上の目盛線
４２の像がスリット板５４のスリット５４ａ上に結像さ
れる・対物レンズ５１とスリット板５４との間の対物レ
ンズ５ノの光軸上には１例えばサバール板からなる光学
偏向素子５５が配置されている。この光学偏向素子５５
は第７図に示す如く被屈折を有する光学結晶を所定方位
に配置したものであυ、光学偏向素子５５に固有な所定
方位に平行な方向りに直線偏光された光束と、該方位に
直交する方向ＥＫ直線偏光された光束とは相異なる屈折
を受け、相異なる光路５６ａ、５６ｂを通ることになる
。そして、上記偏光光の各偏光方向は、前記光照射機構
によシスケール４１上の目盛線４２に交互照射される光
束のそれぞれの偏光方向と一致するよう定められている
。りまシ、前記偏光光Ｐをハーフミラ−４５を介して得
られる偏光光ｐ／の偏光方向と上記偏光方向りとが一致
し、前記偏光光Ｑを反射鏡４７を介して得られる偏光光
Ｑ′の偏光方向と上記偏光方向Ｅとが一致するものとな
っている。これにょシ、偏光光ｐ／ 、 Ｑｌは光学偏
向素子５５にょシ異なる光路を通υスリット板５４のス
リット５４ａに入射する。つまり、偏光光Ｐ／は右側の
光路、５６ａを通シスリット板５４のスリット５４＆を
透過し、焦光レンズ５７によシ焦光され光電変換素子５
８に入射する。同様に偏光光Ｑ／は左側の光路５６ｍを
通シスリット５４＆及び焦光レンズ５７を介して光電変
換素子５８に入射するものとなっている。
光電変換素子５８にて検出され電気信号に変換された信
号は、プリアンプ５９を介して増幅された後同期整流回
路６０に、供給される。同期整流回路６０では、上記入
力した信号が前記光照射機構による一対の偏光光の交互
照射に同期して整流される。そして、この同期整流回路
６０の出力信号が、指示メータ（表示器）６１により前
記スケール４１上の目盛線４２の変位として表示される
ものとなっている。なお、図中６２は前記チョッパ４５
０に付設されチｗ ツノ＃５０による偏光光Ｐ、Ｑの交
互照射のタイミングを検出するだめのフォトインタラプ
タであシ。
号は、プリアンプ５９を介して増幅された後同期整流回
路６０に、供給される。同期整流回路６０では、上記入
力した信号が前記光照射機構による一対の偏光光の交互
照射に同期して整流される。そして、この同期整流回路
６０の出力信号が、指示メータ（表示器）６１により前
記スケール４１上の目盛線４２の変位として表示される
ものとなっている。なお、図中６２は前記チョッパ４５
０に付設されチｗ ツノ＃５０による偏光光Ｐ、Ｑの交
互照射のタイミングを検出するだめのフォトインタラプ
タであシ。
このフォトインクラブタロ２から前記同期整流回路６０
に基準信号が与えられるものとなっている。
に基準信号が与えられるものとなっている。
このような構成でおれば、光照射機構による相互に直交
する方向に直線偏光された一対の偏光光ｐ’ ｒ Ｑ’
の交互照射、スリット板５４のスリット５４＆、及び光
学偏向素子５５の作用によって、スケール４１上の目盛
線４２からの光束（位置情報）が交互に異なる光路５６
ａ 、 ５６ｂを通）、スリン）５４ａ及び焦光レン
ズ５７を介して光電変換素子５８に入射することになる
。
する方向に直線偏光された一対の偏光光ｐ’ ｒ Ｑ’
の交互照射、スリット板５４のスリット５４＆、及び光
学偏向素子５５の作用によって、スケール４１上の目盛
線４２からの光束（位置情報）が交互に異なる光路５６
ａ 、 ５６ｂを通）、スリン）５４ａ及び焦光レン
ズ５７を介して光電変換素子５８に入射することになる
。
これは、光電変換素子５８側から見ると、単一のスリッ
ト５４ｔｋを検出原点に対応させて機械的に振動させた
場合と等価である。し、たがって、前記第１図及び第２
図に示した光電顕微鏡と同様にして、スケール４１上の
目盛線４２の変位を検出できることになる。
ト５４ｔｋを検出原点に対応させて機械的に振動させた
場合と等価である。し、たがって、前記第１図及び第２
図に示した光電顕微鏡と同様にして、スケール４１上の
目盛線４２の変位を検出できることになる。
そしてこの場合、光電変換素子５８に入射する光束を変
調するのに機檄的振動子を用いる必要がなく５機械的振
動による振動中心の変動を完全に取シ除くことができる
。このため、スケール４１上の目盛線４２の位置検出を
極めて高い精度で行うことができる。本発明者等の実験
によれば、０．０１Ｃμｍ〕と云う極めて高い位置検出
精度が得られることが確認された。また、煩雑さはない
。さらに、２重回折を利用するものに比して、その調整
が極めて容易である等の利点もある。
調するのに機檄的振動子を用いる必要がなく５機械的振
動による振動中心の変動を完全に取シ除くことができる
。このため、スケール４１上の目盛線４２の位置検出を
極めて高い精度で行うことができる。本発明者等の実験
によれば、０．０１Ｃμｍ〕と云う極めて高い位置検出
精度が得られることが確認された。また、煩雑さはない
。さらに、２重回折を利用するものに比して、その調整
が極めて容易である等の利点もある。
第８図は他の実施例を示す概略構成図である。
なお、第５図と同一部分には同一符号を付して、その詳
しい詳細な省略する。この実施例が先に説明した実施例
と異なる点は、前記光照射機構として電気光学変調器６
３を用いたことにある。
しい詳細な省略する。この実施例が先に説明した実施例
と異なる点は、前記光照射機構として電気光学変調器６
３を用いたことにある。
ＫＤＰ（燐酸２水素カリウム）等の結晶からなる電気光
学変調器は、結晶の特性によって決まる一定の電圧を印
加している状態と印加していない状態とでは、透過した
光の偏光状態が異なる。
学変調器は、結晶の特性によって決まる一定の電圧を印
加している状態と印加していない状態とでは、透過した
光の偏光状態が異なる。
そして、両者の偏光方向が互いに直交している偏光光を
取シ出すことが可能である。このような電気光学変調器
６３に第９図に示す如きデユーティ比５０ 〔％）の矩
形波状の交流電圧を印加することによって、互いに直交
する偏光方向に偏光された偏光光が一定周期Ｔで交互に
取シ出される。そして、これらの偏光光は反射鏡６４を
介して前記スケール４１上の目盛線４２に照射されるも
のとなっている。なお、反射鏡６４を介してスケール４
１に照射される一対の偏光光は前記偏光光ｐ／ 、 ｑ
／の各偏光方向り、Ｅにそれぞれ対応するものとなって
いる。また、図中６５は前記デユーティ比５０ ［％］
の矩形状波の交流電圧を電気光学変調器６３に印加する
ためのドライバを示し、さらにこのドライバ６５の出力
電圧は基準信号として前記同期整流回路６０に与えられ
るものとなっている。
取シ出すことが可能である。このような電気光学変調器
６３に第９図に示す如きデユーティ比５０ 〔％）の矩
形波状の交流電圧を印加することによって、互いに直交
する偏光方向に偏光された偏光光が一定周期Ｔで交互に
取シ出される。そして、これらの偏光光は反射鏡６４を
介して前記スケール４１上の目盛線４２に照射されるも
のとなっている。なお、反射鏡６４を介してスケール４
１に照射される一対の偏光光は前記偏光光ｐ／ 、 ｑ
／の各偏光方向り、Ｅにそれぞれ対応するものとなって
いる。また、図中６５は前記デユーティ比５０ ［％］
の矩形状波の交流電圧を電気光学変調器６３に印加する
ためのドライバを示し、さらにこのドライバ６５の出力
電圧は基準信号として前記同期整流回路６０に与えられ
るものとなっている。
このような構成であれば、光源４３、電気光学変調器６
３及び反射鏡６４からなる光照射機構により、先の実施
例と同様に相互に直交する方向に偏光された一対の偏光
光を、一定周期で交互にスケール４１上の目盛線４２に
照射することができる。したがって、先の実施例と同様
な効果を奏する。また、前記チョッｚ４’５９等の機械
的に回転させる部品が不要となシ、その構成の簡略化を
はかシ得る等の利点もある。
３及び反射鏡６４からなる光照射機構により、先の実施
例と同様に相互に直交する方向に偏光された一対の偏光
光を、一定周期で交互にスケール４１上の目盛線４２に
照射することができる。したがって、先の実施例と同様
な効果を奏する。また、前記チョッｚ４’５９等の機械
的に回転させる部品が不要となシ、その構成の簡略化を
はかシ得る等の利点もある。
なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものでは
ない。例えば、前記光照射機構は被検査物体の下方側に
配置されると限るものではなく、被検査物体の上方側に
配置し光照射機構を反射照明系として用いることが可能
である。
ない。例えば、前記光照射機構は被検査物体の下方側に
配置されると限るものではなく、被検査物体の上方側に
配置し光照射機構を反射照明系として用いることが可能
である。
また、光照射機構として、磁界の印加によシ偏光方向を
変える磁気光学変調器を用いることが可能である。さら
に、前記一対の偏光光を選択する手段としては、前記チ
ョッノｆ、電気光学変調器及び磁気光学変調器等に限定
されるものではなく、一対の偏光光に対応する２つの光
源（半導体発光素子）を用い、これらの光源を交互に点
灯するようにしてもよい。また、前記偏光器としては偏
光板の代シに偏光ゾリズム、その他自然光を直線偏光に
変える素子であれば用いてもよい。また、前記光学偏向
素子はサバール板に限るものではなく、前述した偏向機
能を有するものであればよい。さらに、光学偏向素子の
配置位置は対物レンズとスリットとの間に限るものでは
なく、対物レンズと被検査物との間であってもよい。要
するに本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変
形して実施することができる。
変える磁気光学変調器を用いることが可能である。さら
に、前記一対の偏光光を選択する手段としては、前記チ
ョッノｆ、電気光学変調器及び磁気光学変調器等に限定
されるものではなく、一対の偏光光に対応する２つの光
源（半導体発光素子）を用い、これらの光源を交互に点
灯するようにしてもよい。また、前記偏光器としては偏
光板の代シに偏光ゾリズム、その他自然光を直線偏光に
変える素子であれば用いてもよい。また、前記光学偏向
素子はサバール板に限るものではなく、前述した偏向機
能を有するものであればよい。さらに、光学偏向素子の
配置位置は対物レンズとスリットとの間に限るものでは
なく、対物レンズと被検査物との間であってもよい。要
するに本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変
形して実施することができる。
第１図及び第２図はそれぞれ従来の光電顕微鏡を示す概
略構成図、第３図は上記光電顕微鏡における変位−出力
電圧特性を示す模式図、第４図は従来のアライメント信
号検出装置を示す概略構成図、第５図は本発明の一実施
例に係わる固定スリット型光電顕微鏡を示す概略構成図
、第６図は上記実施例における照明用偏光光の時間的変
化を示す信号波形図、第７図は上記実施例に使用した光
学偏向素子の作用を説明するための模式図、第８図は他
の実施例を示す概略構成図、第９図は上記他の実施例に
使用した電気光学変調器へ印加する電圧信号を示す信号
波形図である。 ４１・・・スケール（被検査物体）、４２・・・目盛線
（線状パターン）、４３・・・光源、４４．４６・・・
ハーフミラ−１４５，４７，６４・・・反射鏡、４８．
４９・・・偏光板、５０・・・チヨ、、／ｆ１５ノ・・
・対物レンズ、５４・・・スリット板、５４＆・・・ス
リット、５５・・・光学偏向素子、５７・・・焦光レン
ズ、５８・・・光電変換素子、６０・・・同期整流回路
、６１・・・指示メータ（表示器）、６２・・・フォト
インタラシタ、６３・・・電気光学変調器、６５・・・
ドライバ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１ 図
略構成図、第３図は上記光電顕微鏡における変位−出力
電圧特性を示す模式図、第４図は従来のアライメント信
号検出装置を示す概略構成図、第５図は本発明の一実施
例に係わる固定スリット型光電顕微鏡を示す概略構成図
、第６図は上記実施例における照明用偏光光の時間的変
化を示す信号波形図、第７図は上記実施例に使用した光
学偏向素子の作用を説明するための模式図、第８図は他
の実施例を示す概略構成図、第９図は上記他の実施例に
使用した電気光学変調器へ印加する電圧信号を示す信号
波形図である。 ４１・・・スケール（被検査物体）、４２・・・目盛線
（線状パターン）、４３・・・光源、４４．４６・・・
ハーフミラ−１４５，４７，６４・・・反射鏡、４８．
４９・・・偏光板、５０・・・チヨ、、／ｆ１５ノ・・
・対物レンズ、５４・・・スリット板、５４＆・・・ス
リット、５５・・・光学偏向素子、５７・・・焦光レン
ズ、５８・・・光電変換素子、６０・・・同期整流回路
、６１・・・指示メータ（表示器）、６２・・・フォト
インタラシタ、６３・・・電気光学変調器、６５・・・
ドライバ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１ 図
Claims (6)
- （１） 対物レンズに関して被検査物体上の線状パタ
ーンと共役な位置に固定配置された単一のスリットと、
上記被検査物体上の線状パターンに相互に直交する偏光
方向を有する一対の偏光光を一定周期で交互に照射する
光照射機構と、前記被検査物体とスリットとの間に配置
され上記各偏光光に対し異なる光路を与え上記光照射機
構による前記被検査物体からの反射光或いは透過光を上
記スリットに選択的に入射せしめる光学偏向素子と、前
記スリットを介して得られる光を検出する光電変換素子
と、この光電変換素子の検出信号を前記光照射機構によ
る一対の偏光光の交互照射に同期して整流する同期整流
回路と、この同期整流回路の出力信号を表示する表示器
とを具備してなることを特徴とする固定スリット型光電
顕微鏡。 - （２） 前記光照射機構は、光源からの光を相互に直
交する方向に偏光する一対の偏光器、これらの偏光器を
介して得られる偏光光をチョッピングするチョッ／４’
及びこのチ、ツバによシ選択された偏光光を前記被検査
物体の線状ノリーンに照射する光学系からなるものであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の固定ス
リット型光電顕微鏡。 - （３） 前記光照射機構は、電界印加によ多光源から
の光を交互に直交する方向に偏光する電気光学変調素子
、及びこの電気光学変調素子を介して得ら扛る偏光光を
前記被検査物体上の線状パターンに照射する光学系から
なるものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の固定スリット型光電顕微鏡。 - （４） 前記光照射機構は、磁界印加によ多光源から
の光を交互に直交する方向に偏光する磁気光学変調素子
、及びこの磁気光学変調素子を介して得られる偏光光を
前記被検査物体上の線状パターンに照射する光学系から
なるものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の固定スリット型光電顕微鏡。 - （５） 前記光照射機構は、交互に点灯される一対の
半導体発光素子、これらの半導体発光素子からの光をそ
れぞれ相互に直交する方向に偏光する一対の偏光器及び
これらの偏光器を介して得られる偏光光を前記被検査物
体上の線状パターンに照射する光学系からなるものであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の固定ス
リット型光電顕微鏡。 - （６） 前記光学偏向素子は、サバール板からなるも
のであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
固定スリット型光電顕微鏡。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57147054A JPS5936220A (ja) | 1982-08-25 | 1982-08-25 | 固定スリット型光電顕微鏡 |
| DE8383304052T DE3377011D1 (en) | 1982-08-25 | 1983-07-12 | Fixed slit type photoelectric microscope |
| EP83304052A EP0102714B1 (en) | 1982-08-25 | 1983-07-12 | Fixed slit type photoelectric microscope |
| US06/513,452 US4560278A (en) | 1982-08-25 | 1983-07-13 | Fixed-slit type photoelectric microscope |
| DD83253413A DD210130A5 (de) | 1982-08-25 | 1983-07-26 | Lichtelektronisches festspaltmikroskop |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57147054A JPS5936220A (ja) | 1982-08-25 | 1982-08-25 | 固定スリット型光電顕微鏡 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5936220A true JPS5936220A (ja) | 1984-02-28 |
| JPS6325282B2 JPS6325282B2 (ja) | 1988-05-25 |
Family
ID=15421454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57147054A Granted JPS5936220A (ja) | 1982-08-25 | 1982-08-25 | 固定スリット型光電顕微鏡 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4560278A (ja) |
| EP (1) | EP0102714B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5936220A (ja) |
| DD (1) | DD210130A5 (ja) |
| DE (1) | DE3377011D1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62247319A (ja) * | 1986-04-01 | 1987-10-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 光学活性を示す物質の像形成方法及び装置 |
| JP2008225013A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Olympus Corp | レーザー走査型顕微鏡 |
| JP2020030378A (ja) * | 2018-08-24 | 2020-02-27 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 光切替器および観察装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5841577A (en) * | 1996-02-16 | 1998-11-24 | Carnegie Mellon University | Light microscope having acousto-optic tunable filters |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52154369A (en) * | 1976-06-17 | 1977-12-22 | Philips Nv | Method of positioning mask pattern and apparatus therefor |
| JPS5311385A (en) * | 1976-07-19 | 1978-02-01 | Brother Ind Ltd | Process for cutting paper |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE378834C (de) * | 1922-04-05 | 1923-08-03 | Heinrich Hanemann | Metallmikroskop |
| DE1296396B (de) * | 1965-07-24 | 1969-05-29 | Leitz Ernst Gmbh | Optisches Mehrzweckmessgeraet |
| FR1532660A (fr) * | 1967-06-09 | 1968-07-12 | Genevoise Instr Physique | Microscope photoélectrique |
| DE1915680B2 (de) * | 1969-03-27 | 1973-03-08 | Ernst Leitz Gmbh, 6330 Wetzlar | Fotometer fuer beobachtungsinstrumente, insbesondere mikroskope |
| JPS503355A (ja) * | 1973-05-11 | 1975-01-14 | ||
| US3943359A (en) * | 1973-06-15 | 1976-03-09 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for relatively positioning a plurality of objects by the use of a scanning optoelectric microscope |
| US3990798A (en) * | 1975-03-07 | 1976-11-09 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method and apparatus for aligning mask and wafer |
| DD139902A1 (de) * | 1978-12-19 | 1980-01-23 | Hermann Beyer | Doppelbrechendes bauelement fuer polarisierende interferenzapparate |
-
1982
- 1982-08-25 JP JP57147054A patent/JPS5936220A/ja active Granted
-
1983
- 1983-07-12 EP EP83304052A patent/EP0102714B1/en not_active Expired
- 1983-07-12 DE DE8383304052T patent/DE3377011D1/de not_active Expired
- 1983-07-13 US US06/513,452 patent/US4560278A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-07-26 DD DD83253413A patent/DD210130A5/de not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52154369A (en) * | 1976-06-17 | 1977-12-22 | Philips Nv | Method of positioning mask pattern and apparatus therefor |
| JPS5311385A (en) * | 1976-07-19 | 1978-02-01 | Brother Ind Ltd | Process for cutting paper |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62247319A (ja) * | 1986-04-01 | 1987-10-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 光学活性を示す物質の像形成方法及び装置 |
| JP2008225013A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Olympus Corp | レーザー走査型顕微鏡 |
| JP2020030378A (ja) * | 2018-08-24 | 2020-02-27 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 光切替器および観察装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DD210130A5 (de) | 1984-05-30 |
| EP0102714B1 (en) | 1988-06-08 |
| JPS6325282B2 (ja) | 1988-05-25 |
| US4560278A (en) | 1985-12-24 |
| DE3377011D1 (en) | 1988-07-14 |
| EP0102714A2 (en) | 1984-03-14 |
| EP0102714A3 (en) | 1986-02-19 |
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