JPS5936619B2 - カルボスチリル誘導体の製造法 - Google Patents
カルボスチリル誘導体の製造法Info
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- Quinoline Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は新規なるカルボスチリル誘導体の製造法に関す
る。
る。
発明の構成
本発明で得られるカルボスチリル誘導体は一般式〔式中
R1及びR2は水素原子又は炭素数1〜4個の低級アル
キル基を、R3は炭素数1〜4個の低級アルキル基を、
Aは−C一又は−CH−を示す。
R1及びR2は水素原子又は炭素数1〜4個の低級アル
キル基を、R3は炭素数1〜4個の低級アルキル基を、
Aは−C一又は−CH−を示す。
また3、4位の結合は一重結合又は二重結合を示す。〕
で表わされる。
で表わされる。
上記化合物及びその酸付加塩は新規化合物であつて、気
管支拡張等の作用を有する医薬として有用である。本発
明方法は一般式 〔式中R1、R2、A及び3、4位の結合は上記と同様
の意味を表わす。
管支拡張等の作用を有する医薬として有用である。本発
明方法は一般式 〔式中R1、R2、A及び3、4位の結合は上記と同様
の意味を表わす。
〕で表わされる化合物を一般式
〔式中R3は上記と同様の意味を表わし、Xは・・ロゲ
ン原子又は酸素原子を示す。
ン原子又は酸素原子を示す。
またnはXがハロゲン原子の時1又はXが酸素原子の時
2を示す。〕で表わされる化合物で了・ソルイk十スご
いf卜hφ施される。本発明の上記方法において原料と
する一般式()の化合物は新規化合物である。
2を示す。〕で表わされる化合物で了・ソルイk十スご
いf卜hφ施される。本発明の上記方法において原料と
する一般式()の化合物は新規化合物である。
該化合物は例えば次の様な反応を経て得られる。即ち公
知の一般式 〔式中3、4位の結合は上記と同様の意味を表わす。
知の一般式 〔式中3、4位の結合は上記と同様の意味を表わす。
〕で表わされる化合物と一般式
〔式中X′及びxは同一又は相異なつてハロゲン原子を
示し、R1は上記と同様の意味を表わす。
示し、R1は上記と同様の意味を表わす。
〕で表わされるα−ハロ脂肪酸ハライドとをルイス酸の
存在下に反応させて新規な一般式〔式中R1、X及び3
、4位の結合は上記と同様の意味を表わす。
存在下に反応させて新規な一般式〔式中R1、X及び3
、4位の結合は上記と同様の意味を表わす。
〕で表わされる化合物を得る。
次いで該化合物を一般式〔式中Rl,R2及び3、4位
の結合は上記と同様の意味を表わす。
の結合は上記と同様の意味を表わす。
〕で表わされる化合物を得る。
更に該化合物(1a)をナトリウムボロンヒドリド、リ
チウムアルミニウムヒドリド等の水素化剤又はパラジウ
ム炭素、パラジウム黒、酸化白金等の接触還元触媒存在
下に還元することにより、5位のケト基が還元された一
般式〔式中Rl,R2及び3、4位の結合は上記と同様
の意味を表わす。
チウムアルミニウムヒドリド等の水素化剤又はパラジウ
ム炭素、パラジウム黒、酸化白金等の接触還元触媒存在
下に還元することにより、5位のケト基が還元された一
般式〔式中Rl,R2及び3、4位の結合は上記と同様
の意味を表わす。
〕で表わされる化合物を得ることができる。
本発明において原料として使用される一般式(I)の化
合物は上記一般式(1a)及び(Ib)で表わされる各
化合物を包含する。上記一般式(I)の化合物において
R1及びR2で表わされる炭素数1〜4個の低級アルキ
ル基としては例えばメチル、エチル、プロピル、イソプ
ロピル、ブチル、Sec−ブチル及びTert−ブチル
基等が挙げられる。
合物は上記一般式(1a)及び(Ib)で表わされる各
化合物を包含する。上記一般式(I)の化合物において
R1及びR2で表わされる炭素数1〜4個の低級アルキ
ル基としては例えばメチル、エチル、プロピル、イソプ
ロピル、ブチル、Sec−ブチル及びTert−ブチル
基等が挙げられる。
本発明において他方の原料として用いられる一般式()
の化合物は通常公知のアシル化剤であり、代表的化合物
としては例えばアセチルクロライド、プロピオニルクロ
ライド、ブチリルクロラィド等並びに之等に相当する臭
化物、沃化物等の酸ハロゲン化物或いは無水酢酸、無水
プロピオン酸等の酸無水物を例示することができる。
の化合物は通常公知のアシル化剤であり、代表的化合物
としては例えばアセチルクロライド、プロピオニルクロ
ライド、ブチリルクロラィド等並びに之等に相当する臭
化物、沃化物等の酸ハロゲン化物或いは無水酢酸、無水
プロピオン酸等の酸無水物を例示することができる。
本発明の一般式(I)の化合物と一般式()の化合物と
のアシル化反応は、アシル化剤自体溶媒として作用する
ため無溶媒で行なつてもよいが、通常溶媒の存在下に行
なわれる。
のアシル化反応は、アシル化剤自体溶媒として作用する
ため無溶媒で行なつてもよいが、通常溶媒の存在下に行
なわれる。
この際使用される溶媒としては特に限定されないが、代
表的なものとしては例えばジクロロメタン、ジクロロエ
タン、ベンゼン、ピリジン、エチルエーテル等が挙げら
れ、之等溶媒は単独で用いてもよく、又混合して用いて
もよい。本反応において一般式(I)の化合物と一般式
()の化合物との使用割合は適宜選択すればよく特に限
定されないが、一般に前者に対し後者を当量〜大過剰用
いればよい。
表的なものとしては例えばジクロロメタン、ジクロロエ
タン、ベンゼン、ピリジン、エチルエーテル等が挙げら
れ、之等溶媒は単独で用いてもよく、又混合して用いて
もよい。本反応において一般式(I)の化合物と一般式
()の化合物との使用割合は適宜選択すればよく特に限
定されないが、一般に前者に対し後者を当量〜大過剰用
いればよい。
また本反応における反応温度も適宜選択すればよいが、
0〜70℃の温度範囲で反応は容易に進行する。本反応
により目的とする化合物が収得される。
0〜70℃の温度範囲で反応は容易に進行する。本反応
により目的とする化合物が収得される。
かくして得られる目的化合物は、通常の分離手段により
単離精製できる。該分離手段としては、例えば、溶媒抽
出法、希釈法、再結晶法、カラムクロマトグラフイ一、
プレパラテイブ薄層クロマトグラフイー等を採用できる
。本発明により得られるカルボスチリル誘導体は、必要
に応じ常法に従い、塩酸、硫酸等の無機酸、マレイン酸
、フマール酸等の有機酸と反応させて生理的に許容され
る酸付加塩とすることができる。
単離精製できる。該分離手段としては、例えば、溶媒抽
出法、希釈法、再結晶法、カラムクロマトグラフイ一、
プレパラテイブ薄層クロマトグラフイー等を採用できる
。本発明により得られるカルボスチリル誘導体は、必要
に応じ常法に従い、塩酸、硫酸等の無機酸、マレイン酸
、フマール酸等の有機酸と反応させて生理的に許容され
る酸付加塩とすることができる。
実施例本発明方法において原料とする一般式(I)の化
合物を得るための適当な方法を下記参考例に示し、引き
続き実施例を示す。
合物を得るための適当な方法を下記参考例に示し、引き
続き実施例を示す。
,参考例
8−ヒドロキシカルボスチリル27y)クロルアセチル
クロライド37m1をニトロベンゼン250m1に溶解
し、塩化アルミニウム85yを徐徐に加えた後70℃で
20時間撹拌する。
クロライド37m1をニトロベンゼン250m1に溶解
し、塩化アルミニウム85yを徐徐に加えた後70℃で
20時間撹拌する。
10%塩酸500m1を加えた後水蒸気蒸留によりニト
ロベンゼンを除去する。
ロベンゼンを除去する。
冷後析出結晶をr取し、熱水300m1で洗浄したのち
メタノールより再結晶してMp285〜287℃(分解
点)の薄黄色結晶の5−クロルアセチル「8−ヒドロキ
シカルボスチリル14.0fを得る。次に上記5−クロ
ルアセチル−8−ヒドロキシカルボスチリル1・2.6
1をイソプロパノール1301!tに懸濁させ、攪拌下
にイソプロピルアミン25.5tを滴下する。
メタノールより再結晶してMp285〜287℃(分解
点)の薄黄色結晶の5−クロルアセチル「8−ヒドロキ
シカルボスチリル14.0fを得る。次に上記5−クロ
ルアセチル−8−ヒドロキシカルボスチリル1・2.6
1をイソプロパノール1301!tに懸濁させ、攪拌下
にイソプロピルアミン25.5tを滴下する。
55〜60℃で3時間攪拌する。
冷後濃塩酸を加えてPH=2〜3とする。析出結晶をF
取、アセトンで洗浄した後メタノール−ジメチルホルム
アミドより再結晶して本発明の原料であるMp.286
〜288℃(分解点)の薄黄色結晶の5−イソプロピル
アミノアセチル−8−ヒドロキシカルボスチリル塩酸塩
〔化合物(a)〕6.5yを得る。更に上記5−イソプ
ロピルアミノアセチル−8−ヒドロキシカルボスチリル
塩酸塩1.0fを水40a11C溶解し、パラジウム炭
素0.5fを触媒として加え35〜40℃に加温、攪拌
下に水素を吸収させる。
取、アセトンで洗浄した後メタノール−ジメチルホルム
アミドより再結晶して本発明の原料であるMp.286
〜288℃(分解点)の薄黄色結晶の5−イソプロピル
アミノアセチル−8−ヒドロキシカルボスチリル塩酸塩
〔化合物(a)〕6.5yを得る。更に上記5−イソプ
ロピルアミノアセチル−8−ヒドロキシカルボスチリル
塩酸塩1.0fを水40a11C溶解し、パラジウム炭
素0.5fを触媒として加え35〜40℃に加温、攪拌
下に水素を吸収させる。
還元が終了したところで触媒をP別し、P液を減圧濃縮
乾固する。さらにエタノールを加えて濃縮乾固を繰り返
し完全に水を除去した後、残渣にアセトンを加えて結晶
化させる。エタノール−アセトンより再結晶して本発明
の原料であるMp.2lO〜212℃(分解点)の薄黄
色無定形の5−(2−イソプロピルアミノ−1−ヒドロ
キシ)エチル−8−ヒドロキシカルボスチリル塩酸塩〔
化合物(Ib)〕0.47を得る。実施例 1 5−(1−ヒドロキシ−2−イソプロピルアミノ)ブチ
ル−8−ヒドロキシカルボスチリル0.4fにピリジン
12aを加え、氷水冷攪拌下イソブチリルクロライド0
.6dを徐々に滴下し、更に3時間攪拌する。
乾固する。さらにエタノールを加えて濃縮乾固を繰り返
し完全に水を除去した後、残渣にアセトンを加えて結晶
化させる。エタノール−アセトンより再結晶して本発明
の原料であるMp.2lO〜212℃(分解点)の薄黄
色無定形の5−(2−イソプロピルアミノ−1−ヒドロ
キシ)エチル−8−ヒドロキシカルボスチリル塩酸塩〔
化合物(Ib)〕0.47を得る。実施例 1 5−(1−ヒドロキシ−2−イソプロピルアミノ)ブチ
ル−8−ヒドロキシカルボスチリル0.4fにピリジン
12aを加え、氷水冷攪拌下イソブチリルクロライド0
.6dを徐々に滴下し、更に3時間攪拌する。
エチルエーテル約200m1を加え、析出物をエチルエ
ーテルで充分洗浄後水50111に溶解する。次いでジ
クロロエタンで5回洗浄した後水層を濃縮乾固し、アセ
トンを加えて結晶化させる。アセトンより再結晶して融
点228〜229℃(着色分解点)の5−(1−ヒドロ
キシ−2−イソプロピルアミノ)ブチル−8−イソブチ
リルオキシカルボスチリル塩酸塩0.337を得る。実
施例 2 8−ヒドロキシ−5−(α−イソプロピルアミノブチリ
ル)カルボスチリル2,5fにピリジン50m1を加え
、氷水冷撹拌下イソブチリルクロライド5m1を徐々に
滴下し、更に2時間撹拌する。
ーテルで充分洗浄後水50111に溶解する。次いでジ
クロロエタンで5回洗浄した後水層を濃縮乾固し、アセ
トンを加えて結晶化させる。アセトンより再結晶して融
点228〜229℃(着色分解点)の5−(1−ヒドロ
キシ−2−イソプロピルアミノ)ブチル−8−イソブチ
リルオキシカルボスチリル塩酸塩0.337を得る。実
施例 2 8−ヒドロキシ−5−(α−イソプロピルアミノブチリ
ル)カルボスチリル2,5fにピリジン50m1を加え
、氷水冷撹拌下イソブチリルクロライド5m1を徐々に
滴下し、更に2時間撹拌する。
エチルエーテル約500mtを加え、析出物をエチルエ
ーテルで洗浄し、次いで該析出物を少量の冷水中で撹拌
後、沢取し、少量の冷水、アセトン次いでエチルエーテ
ルで洗浄する。得られる結晶をアセトンより再結晶して
融点231〜233℃(着色分解点)の8−イソブチリ
ルオキシ一5一(α−イソプロピルアミノブチリル)カ
ルボスチリル塩酸塩2.1fを得る。実施例 3 5−(1−ヒドロキシ−2−イソプロピルアミノ)ブチ
ル−8−ヒドロキシ−3・4−ジヒドロカルポスチリル
塩酸塩1yにピリジン25m1を加え、氷水冷攪拌下、
イソブチリルクロライド3m1を滴下し、更に3時間攪
拌する。
ーテルで洗浄し、次いで該析出物を少量の冷水中で撹拌
後、沢取し、少量の冷水、アセトン次いでエチルエーテ
ルで洗浄する。得られる結晶をアセトンより再結晶して
融点231〜233℃(着色分解点)の8−イソブチリ
ルオキシ一5一(α−イソプロピルアミノブチリル)カ
ルボスチリル塩酸塩2.1fを得る。実施例 3 5−(1−ヒドロキシ−2−イソプロピルアミノ)ブチ
ル−8−ヒドロキシ−3・4−ジヒドロカルポスチリル
塩酸塩1yにピリジン25m1を加え、氷水冷攪拌下、
イソブチリルクロライド3m1を滴下し、更に3時間攪
拌する。
エチルエーテル約200m1を加え、析出物にアセトン
を加えて結晶化させた後、アセトンより再結晶して融点
239〜240℃(着色分解点)の5−(1−ヒドロキ
シ−2−イソプロビルアミノ)ブチル−8−イソブチリ
ルオキシ一3・4−ジヒドロカルボスチリル塩酸塩0。
87を得る。
を加えて結晶化させた後、アセトンより再結晶して融点
239〜240℃(着色分解点)の5−(1−ヒドロキ
シ−2−イソプロビルアミノ)ブチル−8−イソブチリ
ルオキシ一3・4−ジヒドロカルボスチリル塩酸塩0。
87を得る。
実施例 4〜8
適当な出発物質を用い、上記実施例と同様に反応させて
得られる代表的な本発明の目的化合物を下記第1表に示
す。
得られる代表的な本発明の目的化合物を下記第1表に示
す。
尚第1表には上記実施例1〜3の化合物を併記する。実
施例 9 5−( 1−ヒドロキシ−2−イソプロピルアミノ)ブ
チル−8−ヒドロキシカルボスチリル3Vを200mi
の無水クロロホルムに溶解し、無水イソ酪酸3m1を滴
下する。
施例 9 5−( 1−ヒドロキシ−2−イソプロピルアミノ)ブ
チル−8−ヒドロキシカルボスチリル3Vを200mi
の無水クロロホルムに溶解し、無水イソ酪酸3m1を滴
下する。
反応混合物を室温で5時間撹拌する。溶媒を減圧留去し
、残渣に石油エーテルを加え析出する沈澱物を沢取する
。
、残渣に石油エーテルを加え析出する沈澱物を沢取する
。
沈澱物を、50m1の氷冷飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液で中性にし、不溶物質を沢取し、水洗する。この不溶
物質は、薄層クロマトグラフイ一で約7化合物の混合物
であり、これをシリカゲルカラムクロマトグラフイー〔
シリカゲル;グレードC−200(和光純薬社製)、溶
出液;クロロホルムリメタノール=20:1〕にて10
m1ずつ分画し、それぞれの分画をシリカゲル薄層クロ
マトグラフイ一にてチエツクし、同成分が含まれる分画
をそれぞれ合せ、その後之等よりそれぞれ溶媒を留去し
て5つの化合物を分離する。またそれぞれの残渣に5m
iの塩化水素ガス飽和エタノールを加え、ついで石油エ
ーテルを加える。析出結晶を沢取し、それぞれアセトン
より再結晶して、下記各化合物を得る。。5−(1−イ
ソプチリルオキシ一2−イソプロピルアミノ)ブチル−
8−イソブチリルオキシカルボスチリル・塩酸塩収量1
.5y,mp198−199℃ 。
液で中性にし、不溶物質を沢取し、水洗する。この不溶
物質は、薄層クロマトグラフイ一で約7化合物の混合物
であり、これをシリカゲルカラムクロマトグラフイー〔
シリカゲル;グレードC−200(和光純薬社製)、溶
出液;クロロホルムリメタノール=20:1〕にて10
m1ずつ分画し、それぞれの分画をシリカゲル薄層クロ
マトグラフイ一にてチエツクし、同成分が含まれる分画
をそれぞれ合せ、その後之等よりそれぞれ溶媒を留去し
て5つの化合物を分離する。またそれぞれの残渣に5m
iの塩化水素ガス飽和エタノールを加え、ついで石油エ
ーテルを加える。析出結晶を沢取し、それぞれアセトン
より再結晶して、下記各化合物を得る。。5−(1−イ
ソプチリルオキシ一2−イソプロピルアミノ)ブチル−
8−イソブチリルオキシカルボスチリル・塩酸塩収量1
.5y,mp198−199℃ 。
2・8−ジイソブチリルオキシ一5−(1−ヒドロキシ
−2−イソプロピルアミノ)ブチルキノリン・塩酸塩収
量0.IV,mp201〜203℃(分解点).。
−2−イソプロピルアミノ)ブチルキノリン・塩酸塩収
量0.IV,mp201〜203℃(分解点).。
5−(1−ヒドロキシ−2−イソプロピルアミノ)ブチ
ル−8−イソブチリルオキシカルボスチリル・塩酸塩収
量0.4V,.mp228−229℃(着色分解点)。
ル−8−イソブチリルオキシカルボスチリル・塩酸塩収
量0.4V,.mp228−229℃(着色分解点)。
2−イソプチリルオキシ一5−(1−ヒドロキシ−2−
イソプロピルアミノ)ブチル−8−ヒドロキシキノリン
・塩酸塩収量0.IV,.mp225−226.5℃(
着色分解点)402・8−ジイソブチリルオキシ一5−
(1−イソブチリルオキシ一2−イソプロピルアミノ)
ブチルキノリン・塩酸塩収量0.1f7、Mpl87−
188℃ <薬埋試験方法> 雄犬(体重10〜15kg)にペントバルビタールナト
リウム塩30mf7/K9を静脈内投与して麻酔し、背
位に固定する。
イソプロピルアミノ)ブチル−8−ヒドロキシキノリン
・塩酸塩収量0.IV,.mp225−226.5℃(
着色分解点)402・8−ジイソブチリルオキシ一5−
(1−イソブチリルオキシ一2−イソプロピルアミノ)
ブチルキノリン・塩酸塩収量0.1f7、Mpl87−
188℃ <薬埋試験方法> 雄犬(体重10〜15kg)にペントバルビタールナト
リウム塩30mf7/K9を静脈内投与して麻酔し、背
位に固定する。
気管にカヌユーレを挿入し、コンツエツトーレスラ一(
KOnzett−R6ssler)法〔KOnzett
H.&R6sslerR.、“VersuchsanO
rdnmgzOUntersuchungenande
rBrOnchialMOskOlatur−Arch
.Exp.Path.、Pharmack)195、P
7l−74、27−40、(1940年)〕の装置を介
して、人工呼吸を実施し、吸入時のオーバーフローする
空気量をニユーモタコメータ一(PneumOtach
Ometer)を介して、気管支抵抗を測定し、ポリグ
ラフ上に記録した。
KOnzett−R6ssler)法〔KOnzett
H.&R6sslerR.、“VersuchsanO
rdnmgzOUntersuchungenande
rBrOnchialMOskOlatur−Arch
.Exp.Path.、Pharmack)195、P
7l−74、27−40、(1940年)〕の装置を介
して、人工呼吸を実施し、吸入時のオーバーフローする
空気量をニユーモタコメータ一(PneumOtach
Ometer)を介して、気管支抵抗を測定し、ポリグ
ラフ上に記録した。
気管支収縮物質としてはヒスタミン10pV/K9を使
用し、供試化合物はヒスタミン投与前1分に股静脈より
投与した。尚自発呼吸を抑制し、麻酔を一定にするため
に自動注入器でペントバルビタールナトリウム塩を4T
IVf7/Kfl/Hrで注入した。ED5O値は、ド
ーズ−レスポンス(DOse−RespOnse)曲線
を用いて計算した。同時にトランスデユーサ一(Tra
nsducer)を介して心拍数を測定し、測定値をポ
リグラフ上に記録し該ポリグラフよりED25を計算し
た。結果を第2表に示す。尚供試化合物としては以下の
各化合物を用いた。供試化合物 A.8−イソブチリルオキシ一5−(1−ヒドロキシ−
2−イソプロピルアミノ)ブチルカルボスチリル・塩酸
塩(実施例1)B.8−イソブチリルオキシ一5−(1
−ヒドロキシ−2−Tert−ブチルアミノ)プロピル
カルボスチリル・塩酸塩(実施例6)C.8−アセトキ
シ−5−(1−ヒドロキシ−2−エチルアミノ)ブチル
カルボスチリル・塩酸塩(実施例8)上記第2表より本
発明化合物は、いずれも気管支拡張作用を有することが
明らかである。
用し、供試化合物はヒスタミン投与前1分に股静脈より
投与した。尚自発呼吸を抑制し、麻酔を一定にするため
に自動注入器でペントバルビタールナトリウム塩を4T
IVf7/Kfl/Hrで注入した。ED5O値は、ド
ーズ−レスポンス(DOse−RespOnse)曲線
を用いて計算した。同時にトランスデユーサ一(Tra
nsducer)を介して心拍数を測定し、測定値をポ
リグラフ上に記録し該ポリグラフよりED25を計算し
た。結果を第2表に示す。尚供試化合物としては以下の
各化合物を用いた。供試化合物 A.8−イソブチリルオキシ一5−(1−ヒドロキシ−
2−イソプロピルアミノ)ブチルカルボスチリル・塩酸
塩(実施例1)B.8−イソブチリルオキシ一5−(1
−ヒドロキシ−2−Tert−ブチルアミノ)プロピル
カルボスチリル・塩酸塩(実施例6)C.8−アセトキ
シ−5−(1−ヒドロキシ−2−エチルアミノ)ブチル
カルボスチリル・塩酸塩(実施例8)上記第2表より本
発明化合物は、いずれも気管支拡張作用を有することが
明らかである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中R_1及びR_2は水素原子又は炭素数1〜4個
の低級アルキル基を示し、Aは▲数式、化学式、表等が
あります▼又は▲数式、化学式、表等があります▼を示
す。 また3、4位の結合は一重結合又は二重結合を示す。〕
で表わされる化合物を一般式 (R_3CO)_nX 〔式中R_3は炭素数1〜4個の低級アルキル基を示し
、Xはハロゲン原子又は酸素原子を示す。 またnはXがハロゲン原子の時1又はXが酸素原子の時
2を示す。〕で表わされる化合物でアシル化して一般式
▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中R_1、R_2、R_3、A及び3、4位の結合
は上記と同様の意味を表わす。 〕で表わされるカルボスチリル誘導体を得ることを特徴
とするカルボスチリル誘導体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7777175A JPS5936619B2 (ja) | 1975-06-23 | 1975-06-23 | カルボスチリル誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7777175A JPS5936619B2 (ja) | 1975-06-23 | 1975-06-23 | カルボスチリル誘導体の製造法 |
Related Child Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6370784A Division JPS6059913B2 (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | カルボスチリル誘導体の製造法 |
| JP6370984A Division JPS6036425B2 (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | カルボスチリル誘導体の製造法 |
| JP6370884A Division JPS6036424B2 (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | カルボスチリル誘導体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS523076A JPS523076A (en) | 1977-01-11 |
| JPS5936619B2 true JPS5936619B2 (ja) | 1984-09-05 |
Family
ID=13643202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7777175A Expired JPS5936619B2 (ja) | 1975-06-23 | 1975-06-23 | カルボスチリル誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5936619B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6451815A (en) * | 1987-08-24 | 1989-02-28 | Seiko Electronic Components | Longitudinal crystal resonator |
-
1975
- 1975-06-23 JP JP7777175A patent/JPS5936619B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6451815A (en) * | 1987-08-24 | 1989-02-28 | Seiko Electronic Components | Longitudinal crystal resonator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS523076A (en) | 1977-01-11 |
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