JPS5936825B2 - モ−ルド型高耐圧半導体素子の製造方法 - Google Patents
モ−ルド型高耐圧半導体素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS5936825B2 JPS5936825B2 JP51131131A JP13113176A JPS5936825B2 JP S5936825 B2 JPS5936825 B2 JP S5936825B2 JP 51131131 A JP51131131 A JP 51131131A JP 13113176 A JP13113176 A JP 13113176A JP S5936825 B2 JPS5936825 B2 JP S5936825B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- treatment material
- surface protection
- protection treatment
- semiconductor
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はモールド型高耐圧半導体素子の改良構造に関す
るものである。
るものである。
さらに詳しくは、多数の半導体ペレットを積層した後そ
の表面に塗布する保護処理材を改良し、素子の逆方向特
性を著しく改善しようとするものである。
の表面に塗布する保護処理材を改良し、素子の逆方向特
性を著しく改善しようとするものである。
第１図は従来のモールド型高耐圧半導体素子の断面図で
あり、図中の符号１は半導体ペレットを示し、これを複
数個接着し半導体積層体２とし、この両端にリード線３
の端子板４をそれぞれ接続し、次いで前記の積層体２の
表面にシリコーン系の表面保護処理材５を塗布した後、
その周囲一定の範囲にわたつてモールド６が施してある
。
あり、図中の符号１は半導体ペレットを示し、これを複
数個接着し半導体積層体２とし、この両端にリード線３
の端子板４をそれぞれ接続し、次いで前記の積層体２の
表面にシリコーン系の表面保護処理材５を塗布した後、
その周囲一定の範囲にわたつてモールド６が施してある
。
しかるに上記の構造において、半導体積層体の表面に塗
布するシリコーン系の表面保護処理材とその上に施され
るモールド物質との接着性が悪いために特に高耐圧を要
求される素子ではそれら両物質の境界を通して、リード
線の両端子板間で放電現象を生起し、いわゆる放電破壊
により素子を損傷するおそれがあつた。本発明は上記の
欠点を改良するためになされたものであつて、以下に図
面に示す実施例に基いて詳細に説明する。
布するシリコーン系の表面保護処理材とその上に施され
るモールド物質との接着性が悪いために特に高耐圧を要
求される素子ではそれら両物質の境界を通して、リード
線の両端子板間で放電現象を生起し、いわゆる放電破壊
により素子を損傷するおそれがあつた。本発明は上記の
欠点を改良するためになされたものであつて、以下に図
面に示す実施例に基いて詳細に説明する。
１０は半導体ペレットであり、このペレット１０を複数
個直列に接続し、半導体積層体１１を形成する。
個直列に接続し、半導体積層体１１を形成する。
この積層体１１の両端にリード線１３の端子板１４を接
着し、次いで前記積層体１１の表面全域にわたつて表面
保護処理材１５を塗布する。
着し、次いで前記積層体１１の表面全域にわたつて表面
保護処理材１５を塗布する。
この表面保護処理材はシリコーンワニス等シリコーン系
のものを使用し、溶液中に有機系含鉛溶剤たとえばオク
チル酸鉛をトルエンに１％程度溶解した希釈液を、上記
の表面保護処理材と、たとえば５■５の割合で混合し、
十分かくはんしてから、前記積層体表面に塗布１５する
。その後、オープンにて、たとえば１４０℃で２時間乾
燥することにより、表面保護処理材中に混入されていた
トルエンが揮発し、処理材の体積の減少により、その表
面に約１０ミクロン内外の微細な凹凸１６を形成する。
次いで、前記表面保護処理材１５の周囲一定範囲にわた
つてモールド１７を施すことにより、前記の処理材１５
の表面上に形成した微細な凹凸１６が作用し、モールド
物質と表面保護処理材との強固な接着が得られるととも
に、リード線の両端子板間における表面保護処理材のい
わゆる沿面距離が増加するために放電現象が生起しにく
くなり、素子の破壊を防止できる。
のものを使用し、溶液中に有機系含鉛溶剤たとえばオク
チル酸鉛をトルエンに１％程度溶解した希釈液を、上記
の表面保護処理材と、たとえば５■５の割合で混合し、
十分かくはんしてから、前記積層体表面に塗布１５する
。その後、オープンにて、たとえば１４０℃で２時間乾
燥することにより、表面保護処理材中に混入されていた
トルエンが揮発し、処理材の体積の減少により、その表
面に約１０ミクロン内外の微細な凹凸１６を形成する。
次いで、前記表面保護処理材１５の周囲一定範囲にわた
つてモールド１７を施すことにより、前記の処理材１５
の表面上に形成した微細な凹凸１６が作用し、モールド
物質と表面保護処理材との強固な接着が得られるととも
に、リード線の両端子板間における表面保護処理材のい
わゆる沿面距離が増加するために放電現象が生起しにく
くなり、素子の破壊を防止できる。
本発明によれば例えば第３図に示すように逆方向耐圧２
０ＫＶ以上でもほとんど破壊することなく、使用に耐え
るのに対し、従来の素子では逆方向電圧１０ＫＶ程度で
９０％以上が破壊してしまい本発明の著しい効果をうか
がい知ることができ）る。
０ＫＶ以上でもほとんど破壊することなく、使用に耐え
るのに対し、従来の素子では逆方向電圧１０ＫＶ程度で
９０％以上が破壊してしまい本発明の著しい効果をうか
がい知ることができ）る。
なお、本発明の実施例では、保護処理材中に混入した希
釈剤として、トルエンを主成分としたが、これに限定さ
れるものではなく、塗布後に揮発して表面保護処理材の
体積が減少し、その表面に微細な凹凸が形成されるもの
であれば、他の成分の希釈剤でもよい。
釈剤として、トルエンを主成分としたが、これに限定さ
れるものではなく、塗布後に揮発して表面保護処理材の
体積が減少し、その表面に微細な凹凸が形成されるもの
であれば、他の成分の希釈剤でもよい。
第１図は従来のモールド型高耐圧半導体素子の断面図、
第２図は本発明のモールド型高耐圧半導体素子の断面図
、第３図は本発明と従来の素子との特性を比較した図で
ある。 １０・・・・・・半導体ベレツト、１１・・・・・・半
導体積層体、１５・・・・・・表面保護処理材、１６・
・・・・・微細な凹凸、１７・・・・・・モールド。
第２図は本発明のモールド型高耐圧半導体素子の断面図
、第３図は本発明と従来の素子との特性を比較した図で
ある。 １０・・・・・・半導体ベレツト、１１・・・・・・半
導体積層体、１５・・・・・・表面保護処理材、１６・
・・・・・微細な凹凸、１７・・・・・・モールド。
Claims (1)
- １ 複数の半導体ペレットを積層し、その両端にそれぞ
れリード線の端子板を接着した後、前記半導体ペレット
の表面に表面保護処理材を塗布し、その周囲一定範囲に
わたつてモールドを施すモールド型高耐圧半導体素子に
おいて、前記表面保護処理材中に予め揮発性の溶剤を混
合し塗布後の乾燥によつて、該表面保護処理材の表面に
微細な凹凸を形成したことを特徴とするモールド型高耐
圧半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51131131A JPS5936825B2 (ja) | 1976-10-27 | 1976-10-27 | モ−ルド型高耐圧半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51131131A JPS5936825B2 (ja) | 1976-10-27 | 1976-10-27 | モ−ルド型高耐圧半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5354475A JPS5354475A (en) | 1978-05-17 |
| JPS5936825B2 true JPS5936825B2 (ja) | 1984-09-06 |
Family
ID=15050698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51131131A Expired JPS5936825B2 (ja) | 1976-10-27 | 1976-10-27 | モ−ルド型高耐圧半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5936825B2 (ja) |
-
1976
- 1976-10-27 JP JP51131131A patent/JPS5936825B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5354475A (en) | 1978-05-17 |
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