JPS5967607A - 非直線抵抗体の製造方法 - Google Patents
非直線抵抗体の製造方法Info
- Publication number
- JPS5967607A JPS5967607A JP57177632A JP17763282A JPS5967607A JP S5967607 A JPS5967607 A JP S5967607A JP 57177632 A JP57177632 A JP 57177632A JP 17763282 A JP17763282 A JP 17763282A JP S5967607 A JPS5967607 A JP S5967607A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nonlinear resistor
- resistor
- sagger
- present
- producing nonlinear
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は酸化ｍｊ！鉛（ＺｎＯ） ’ｌｘ主成分とする
非直線抵抗体の製造方法に関する。
非直線抵抗体の製造方法に関する。
従来から電気系統Ｃ二おいて、例えば落雷または系統の
切り換えなどＣ二より起り得る異常電圧な除去し電気系
統や電気機器を保護するために、サージ・アブソーバ及
び避雷器などの過電圧保護装置が使用さ第１てきた。
切り換えなどＣ二より起り得る異常電圧な除去し電気系
統や電気機器を保護するために、サージ・アブソーバ及
び避雷器などの過電圧保護装置が使用さ第１てきた。
この過電圧保護装置には正常な電圧でほぼ絶縁特性を示
し、異常電圧が印加されたときに比較的低抵抗値Ｃ二な
る非＋１ｊ線抵抗体が用いられる。この非直線抵抗体と
して、すぐれたＰＫ圧・電流非直線性を有する酸化亜鉛
（ＺｎＯ）を主成分とするものが知られている。
し、異常電圧が印加されたときに比較的低抵抗値Ｃ二な
る非＋１ｊ線抵抗体が用いられる。この非直線抵抗体と
して、すぐれたＰＫ圧・電流非直線性を有する酸化亜鉛
（ＺｎＯ）を主成分とするものが知られている。
避雷器などに用いらｉする大口径の非直線Ｊ１．を抗体
の側面ζ二は絶縁耐力を向上させるためなどの３：１１
由で、高抵抗層形成物例えば８１０．−Ｂｉ、ＯＢ −
８ＪＯ３糸混合物を４戸布した後焼成し、高抵抗層を形
成せしめている。これらの混合物の塗布は、焼成中に累
体七の熱膨張率の差Ｃ二よるはく離を防ぐため（二数形
体仮焼後に行われている。従来この成形体仮焼は例えば
多孔’Ｂのアルミナの匣鉢に成形体を入れ上蓋をして密
閉雰囲気中で８００ないし１，２００℃で行われていた
。しかし、このような方法で成形体仮焼を行うと、混合
時Ｃ二人Ｉｔた成形体中の有機バインダーが蒸発除去さ
れるが匣鉢内が密閉されるために完全に除去されず、こ
のため素体に構造的欠陥を形成する原因となりよい特性
が得られないという欠点があった。また、上蓋なせず完
全に開放の雰囲気中で葭焼する方法は気流の影響などで
、匣鉢内に温度差が生じ素体内部の特性が不均一になる
とともに特性低下の原因にもなるという問題がある。
の側面ζ二は絶縁耐力を向上させるためなどの３：１１
由で、高抵抗層形成物例えば８１０．−Ｂｉ、ＯＢ −
８ＪＯ３糸混合物を４戸布した後焼成し、高抵抗層を形
成せしめている。これらの混合物の塗布は、焼成中に累
体七の熱膨張率の差Ｃ二よるはく離を防ぐため（二数形
体仮焼後に行われている。従来この成形体仮焼は例えば
多孔’Ｂのアルミナの匣鉢に成形体を入れ上蓋をして密
閉雰囲気中で８００ないし１，２００℃で行われていた
。しかし、このような方法で成形体仮焼を行うと、混合
時Ｃ二人Ｉｔた成形体中の有機バインダーが蒸発除去さ
れるが匣鉢内が密閉されるために完全に除去されず、こ
のため素体に構造的欠陥を形成する原因となりよい特性
が得られないという欠点があった。また、上蓋なせず完
全に開放の雰囲気中で葭焼する方法は気流の影響などで
、匣鉢内に温度差が生じ素体内部の特性が不均一になる
とともに特性低下の原因にもなるという問題がある。
本発明は、上記の欠点を除去するためになされたもので
成形体よりの有機バインダーを除去するとともに特性を
同上させた非直線抵抗体の製造方法を提供することを目
的とする。
成形体よりの有機バインダーを除去するとともに特性を
同上させた非直線抵抗体の製造方法を提供することを目
的とする。
かかる目的を達成するために本発明は成形体仮焼の際に
匣鉢側面に開口面を設は上蓋をしてもその内外空間が連
通ずる匣鉢を用いることを特徴とする。
匣鉢側面に開口面を設は上蓋をしてもその内外空間が連
通ずる匣鉢を用いることを特徴とする。
以下、本発明な実施例によって説明する。
例えば９５ ｒｎｏ６％のＺｎＯに少なくとも一種以上
の金属酸化物例えばＢｉ、Ｏ８，Ｓｂ、０． 、 Ｃｏ
Ｏ、Ｃｒ、０３゜ＭＩＩＯ、ＮｉＯ、５ｉ０２を夫々０
．５ないし２．０ｍｏｚ％合計５ｍ０Ｊ％を秤ｈｌ、配
合し湿式混合し乾燥し内径５０〜１３０ Ｍの円板状に
成形する。この成形体を乾燥した後、例えば内径３００
ｘ２００ｘｌＯＯｗの直形体坂焼を行う。その後仮焼し
た成形体の側面に晶抵抗層形成物を塗布し１１００〜１
５００℃の温度で本焼成する。この焼結体を一定の厚さ
に研磨し、研磨面に電極を付けて非直線抵抗体を形成す
る。
の金属酸化物例えばＢｉ、Ｏ８，Ｓｂ、０． 、 Ｃｏ
Ｏ、Ｃｒ、０３゜ＭＩＩＯ、ＮｉＯ、５ｉ０２を夫々０
．５ないし２．０ｍｏｚ％合計５ｍ０Ｊ％を秤ｈｌ、配
合し湿式混合し乾燥し内径５０〜１３０ Ｍの円板状に
成形する。この成形体を乾燥した後、例えば内径３００
ｘ２００ｘｌＯＯｗの直形体坂焼を行う。その後仮焼し
た成形体の側面に晶抵抗層形成物を塗布し１１００〜１
５００℃の温度で本焼成する。この焼結体を一定の厚さ
に研磨し、研磨面に電極を付けて非直線抵抗体を形成す
る。
このようにして得られた本発明に係る非直線抵抗体は、
従来法に比して、蒸発除去しきらない有機バインダーの
影響もなく、非直線性、課電寿命共に、第１表に比較し
て示す様に従来の方法によって得られた非直線抵抗体よ
りも優れている。
従来法に比して、蒸発除去しきらない有機バインダーの
影響もなく、非直線性、課電寿命共に、第１表に比較し
て示す様に従来の方法によって得られた非直線抵抗体よ
りも優れている。
上表はφ６５Ｘｔ２２の非直線抵抗体の電気的緒特性を
示したものである。表においてｖ、ｍＡは交流抵抗分電
流１ｍＡ流したときの電圧である。Ｖ＋ｏｋＡ／Ｖ１ｍ
Ａは、１ＱｋＡ 、１ｍＡを流したときの電圧の比で、
小さいもの程篩性能である。課電寿命は周囲温度１２０
℃で■ｆｎＡの１００％の交流電圧を２０００時間印加
した場合の交流抵抗分電流ＩＲの変化率△ＩＲを表わし
たもので、小さいものほど寿命、が長いことを示す。σ
は繰返し製造した１０００飼に対する■ＩｍＡのばらつ
きを表わす。
示したものである。表においてｖ、ｍＡは交流抵抗分電
流１ｍＡ流したときの電圧である。Ｖ＋ｏｋＡ／Ｖ１ｍ
Ａは、１ＱｋＡ 、１ｍＡを流したときの電圧の比で、
小さいもの程篩性能である。課電寿命は周囲温度１２０
℃で■ｆｎＡの１００％の交流電圧を２０００時間印加
した場合の交流抵抗分電流ＩＲの変化率△ＩＲを表わし
たもので、小さいものほど寿命、が長いことを示す。σ
は繰返し製造した１０００飼に対する■ＩｍＡのばらつ
きを表わす。
本発明によれば、成形体仮焼の際の有８：ｉ ／Ｎイン
グーの蒸発除去が円滑かつ完全に行われるため性能の優
れた非１］ｌ線抵抗体が安定に製造できる。
グーの蒸発除去が円滑かつ完全に行われるため性能の優
れた非１］ｌ線抵抗体が安定に製造できる。
尚、開口面の面積は匣轄の全側面積の５〜３０％の範囲
が極めて良好である。５％よ°り小ではノ（イングーの
蒸発除去が完全に行われず、３０％より大では匣鉢内の
ｌ晶度分布の差異か大きくなるため抵抗体の性能にばら
つきが大きくなる。
が極めて良好である。５％よ°り小ではノ（イングーの
蒸発除去が完全に行われず、３０％より大では匣鉢内の
ｌ晶度分布の差異か大きくなるため抵抗体の性能にばら
つきが大きくなる。
なお側面の開口面の形状は、例えば円形等であっても上
記の所定の面積を有していれは同様の効果が得られるこ
とを検証した。
記の所定の面積を有していれは同様の効果が得られるこ
とを検証した。
以上説明した様に、本発明によれば成形体よりの有機バ
インダー除去を改善するとともに特性を向上させた非直
線抵抗体を提供することができる。
インダー除去を改善するとともに特性を向上させた非直
線抵抗体を提供することができる。
（７３］７）代理人 弁理士 則 近・憲 佑（ほか１
名）
名）
Claims (1)
- １、主成分のＺｎＯに少なくとも１種以上の金属酸化物
を添加混合し、この混合物を成形体となし抗体の製造方
法Ｃ二おいて、前記匹★・トは側面にその内外空間を逆
潮させる開口部を有することを特徴とする非直線抵抗体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57177632A JPS5967607A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 非直線抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57177632A JPS5967607A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 非直線抵抗体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5967607A true JPS5967607A (ja) | 1984-04-17 |
Family
ID=16034390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57177632A Pending JPS5967607A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 非直線抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5967607A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS617605A (ja) * | 1984-06-21 | 1986-01-14 | 株式会社 富士電機総合研究所 | 電圧非直線抵抗素子の製造方法 |
| JPH04226001A (ja) * | 1991-05-18 | 1992-08-14 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 電圧非直線抵抗素子の製造方法 |
-
1982
- 1982-10-12 JP JP57177632A patent/JPS5967607A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS617605A (ja) * | 1984-06-21 | 1986-01-14 | 株式会社 富士電機総合研究所 | 電圧非直線抵抗素子の製造方法 |
| JPH04226001A (ja) * | 1991-05-18 | 1992-08-14 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 電圧非直線抵抗素子の製造方法 |
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