JPS5936837B2 - 光半導体装置 - Google Patents

光半導体装置

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JPS5936837B2
JPS5936837B2 JP52038046A JP3804677A JPS5936837B2 JP S5936837 B2 JPS5936837 B2 JP S5936837B2 JP 52038046 A JP52038046 A JP 52038046A JP 3804677 A JP3804677 A JP 3804677A JP S5936837 B2 JPS5936837 B2 JP S5936837B2
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JP
Japan
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light
emitting element
light emitting
reflector
disposed
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JP52038046A
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JPS53123688A (en
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修 阿部
洋 藤田
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Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/882—Scattering means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S362/00—Illumination
    • Y10S362/80—Light emitting diode

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  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光半導体装置にかゝれ、特に半導体発光素子の
発光の拡散方式の改良に関する。
従来、文字、記号、数字等を表示する一方法として反射
型発光表示装置があり、第１図ａまたはｂに示す構造が
その主流となつている。
同図ａに示すものは半導体発光素子１（以降発光素子と
略称）が外囲器２の基部２ａに配設されるとともに発光
素子に外囲する反射体３を有し、発光素子の発光とその
反射光の放出径路に光拡散板４を有する外囲器を備えて
なるものである。次の同図ｂに示すものは発光素子１が
外囲器２の基部２ａに配設されるとともに発光素子に外
囲する反射体３を有し、この反射体の内面から発光素子
の発光面を被覆する光拡散部材４’を備えてなるもので
ある。上記第１図に示す発光表示装置はいずれも発光の
放出径路に光拡散の手段を備え、反射面と相まつて小型
の発光素子から発する光を吸収少なく、かつ均一な発光
面を得るようになつている。上記均一な発光面はその面
の最低輝度部分と最大輝度部分との輝度をほぼ１：２以
下にすることによつて達成される。そして実用的な電流
領域において点灯外観が損なわれない輝度分布にし、こ
の輝度分布の平均輝度が実用輝度とし実用化されている
。一例として第１図ａの場合、光拡散板４内には光拡散
剤としてＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＣａＣ０３等の粉末を
混入したフィルム等を用いる場合と、透明または発光素
子の発光色に合わせたフィルタを兼ねた樹脂またはガラ
ス板の主面を粗（凹凸状に）加工処理をする手段がある
。かかる場合、反射面の品質、光拡散剤の吸収が使用さ
れる材質によつて大きく左右される。特に反射面につい
ては価格低減のために金属から樹脂に反射膜が置換され
る傾向にあるため、光の放出量の損失が多くなるという
欠点がある。本発明は上記従来の光半導体装置の欠点を
改良するためのもので、半導体発光素子と、前記発光素
子を配設させた外囲器基部と、前記発光素子の周囲を取
囲む開孔を有して外囲器基部上に配設されその開孔の内
壁に発光素子からの光を反射する反射面を有する反射体
と、前記発光素子から離隔して対向し前記反射体の開孔
を塞ぐように配置された光散乱フィルムとを備え、前記
光散乱フィルムは透光性材料のフィルム中に並設された
複数の繊維状光散乱材を配置することによつて形成され
た光拡散部と透光部とを有することを特徴とする。
次に本発明を一実施例の発光表示装置につき図面を参照
して詳細に説明する。第２図は本発明の一実施例の発光
表示装置の断面図で、１は発光素子、１２ａは外囲器１
２の基部、１３は反射体でその反射面１３ａが発光素子
１を囲繞する。１４は光拡散体で外囲器の一部をなし、
第３図に示す如く透明領域体１４ａに拡散体ロッド１４
ｂが並列に封入されてなる。
上記透明領域体１４ａは一例として板厚０．２ＷｆＬの
アクリル樹脂板、拡散体ロツド１４ｂは一例として第４
図に示す如く、５０μ径の樹脂棒または管の周面が光拡
散効果を大ならしめるために凹凸状に加工処理されてな
Ｄ１第３図に示す如く所定間隔に配置される。上記間隔
は発光素子の発光と反射光とについてその一部を拡散し
、他をそのま＼透過せしめる。即ち拡散部と透過部との
面積比を１：２以下の程度にすれば点灯外観として充分
良好なことが認められた。さらに上記を図示する第５図
は拡散体に棒状の拡散部材を封入したもの＼ポジシヨン
の輝度を示し、点線にて平均的の輝度を示す。図からも
明らかなように平均的の輝度は相当大きく、従来の方式
に比し５０〜８０％大である。次の一実施例の拡散体は
透明または不透明のガラスせんいを不均一にからみ合わ
せ、プレス成形を施して厚さ０．１５ｗｎの板にした。
したがつてこの板に入射する光はガラスせんい部で拡散
光となｂ１ガラスせんいの不所在部、一例として０．０
１〜０．２５ｍのピッチになる部分で透光となる。な卦
輝度分布を考慮する場合、せんいの太さ訃よびプレス加
工の場合の厚さ等で簡単にコントロールできる。本発明
によれば、光散乱フイルムが透光性材料のフイルム中に
複数の繊維状光散乱材を配置することによつて形成され
た光拡散部と透光部とを有するので、発光素子の発光の
実用平均輝度が５０〜８０％向上するとともに、発光面
内の輝度も改良されて点灯外観も良好となる。
次の表に示すものは本発明一実施例の発光表示装置の平
均輝度と発光面内輝度分布を従来のそれらと比較したも
のである。実施例 １ 板厚０．１５ｔ！Ｒｌｔｌ５Ｏ〜１８０１：１．５以下
光拡散体０．０５１ｍφ光拡散体のピツチ０．２ｒｆｆ
！ｆｌ 実施例 ２ 板厚０．１５ｍ１３０〜１５０１：２．０以下光拡散体
ガラスせんい従来方式 板厚０．１５ｍ１００１：２．０以下 光拡散剤ＣａＣＯ，を １５％添加
【図面の簡単な説明】
第１図ａ訃よびｂはいづれも夫々が従来の発光表示装置
の構造を示す断面図、第２図は本発明の一実施例の発光
表示装置の断面図、第３図は（第２図の一部の）光拡散
体の一部の斜視図、第４図は拡散ロツドの断面図、第５
図は本発明一実施例の発光表示装置の発光面の輝度を示
す線図である。 １・・・・・・発光素子、１２・・・・・・外囲器、１
２ａ・・・・・・外囲器の基部、１３・・・・・・反射
体、１３ａ・・・・・・反射体の反射面、１４・・・・
・・光拡散体、１４ａ・・・・・・光拡散体の透光部、
１４ｂ・・・・・・光拡散体の光拡散部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 半導体発光素子と、前記発光素子を配設させた外囲
    器基部と、前記発光素子の周囲を取囲む開孔を有して外
    囲器基部上に配設されその開孔の内壁に発光素子からの
    光を反射する反射面を有する反射体と、前記発光素子か
    ら離隔して対向し前記反射体の開孔を塞ぐように配置さ
    れた光散乱フィルムとを備え、前記光散乱フィルムは透
    光性材料のフィルム中に並設された複数の繊維状光散乱
    材を配置することによつて形成された光拡散部と透光部
    とを有することを特徴とする光半導体装置。
JP52038046A 1977-04-05 1977-04-05 光半導体装置 Expired JPS5936837B2 (ja)

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US05/891,405 US4152618A (en) 1977-04-05 1978-03-29 Light-emitting display device including light diffusing film

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JP52038046A JPS5936837B2 (ja) 1977-04-05 1977-04-05 光半導体装置

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JPS53123688A JPS53123688A (en) 1978-10-28
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