JPS5938190B2 - Ｈｇ↓１−↓ｘＣｄ↓ｘＴｅの結晶の製造方法 - Google Patents
Ｈｇ↓１−↓ｘＣｄ↓ｘＴｅの結晶の製造方法Info
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- JPS5938190B2 JPS5938190B2 JP57041779A JP4177982A JPS5938190B2 JP S5938190 B2 JPS5938190 B2 JP S5938190B2 JP 57041779 A JP57041779 A JP 57041779A JP 4177982 A JP4177982 A JP 4177982A JP S5938190 B2 JPS5938190 B2 JP S5938190B2
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/125—The active layers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or CdTe
- H10F71/1253—The active layers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or CdTe comprising at least three elements, e.g. HgCdTe
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/04—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
- C30B11/08—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt every component of the crystal composition being added during the crystallisation
- C30B11/10—Solid or liquid components, e.g. Verneuil method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
本発明は、いわゆるＴＨＭ法（移動ヒータ法）に従つて
高純度のＨｇｌ−ｘＣｄｘＴｅの結晶を製造するために
、結晶の組成に関与する化合物のインゴットをして、溶
媒領域を通過させることによシ上記結晶を製造する方法
に関する。
高純度のＨｇｌ−ｘＣｄｘＴｅの結晶を製造するために
、結晶の組成に関与する化合物のインゴットをして、溶
媒領域を通過させることによシ上記結晶を製造する方法
に関する。
先行技術の記載
Ξ元化合物Ｈｇｌ−ｃＣｄｘＴｅは、カドミウムの割合
Ｘで禁止帯幅が変る半導体である。
Ｘで禁止帯幅が変る半導体である。
選はれる割合もしくは比Ｘに依存して、赤外線の異なつ
た領域（ｘ′−０．７の場合約１．５μｍ、、ｘ−−Ｏ
、２０の場合約１０ｔｔｍ）にスペクトル感度を有する
光電検出器を得ることができる。「 ＲｅｖｕｅｄｅＰ
ｈｙｓｉｑｕｅＡｐｐｌｉｑｉｅ」、１２巻（１９７７
年２月）１２３頁に掲載されているＲ、Ｔｒｉｂｏｕｌ
ｅｔの論文「 ＣｄＴｅａｎｄＣｄＴｅ：Ｈｇａｌｌｏ
ｙｓｃｒｙｓｔａｌｇｒｏｗｔｈｕｓｉｎｇｓｔｏｉｃ
ｈｉａｎｅｔｒｉｃａｎｄｏｆｆｌｔｏｉｃｈｉ（ｘｒ
ｅｔｒｉｃ２ｏｎｅｐａｓｓｉｎｇｔｅｃｈｎｉｑｕｅ
ｓ」には、テルルを溶媒として用いて、ＨｇＴｅのイン
ゴットおよびＣｄＴｅのインゴットからＨｇ、−ｘＣｄ
ｘＴｅ（但しＸΣ０．９）の結晶の製造が記述されてい
る、これら２つの原料インゴツ卜は、適当に加熱された
溶媒領域に対して非常に遅い速度で移動せしめられる。
た領域（ｘ′−０．７の場合約１．５μｍ、、ｘ−−Ｏ
、２０の場合約１０ｔｔｍ）にスペクトル感度を有する
光電検出器を得ることができる。「 ＲｅｖｕｅｄｅＰ
ｈｙｓｉｑｕｅＡｐｐｌｉｑｉｅ」、１２巻（１９７７
年２月）１２３頁に掲載されているＲ、Ｔｒｉｂｏｕｌ
ｅｔの論文「 ＣｄＴｅａｎｄＣｄＴｅ：Ｈｇａｌｌｏ
ｙｓｃｒｙｓｔａｌｇｒｏｗｔｈｕｓｉｎｇｓｔｏｉｃ
ｈｉａｎｅｔｒｉｃａｎｄｏｆｆｌｔｏｉｃｈｉ（ｘｒ
ｅｔｒｉｃ２ｏｎｅｐａｓｓｉｎｇｔｅｃｈｎｉｑｕｅ
ｓ」には、テルルを溶媒として用いて、ＨｇＴｅのイン
ゴットおよびＣｄＴｅのインゴットからＨｇ、−ｘＣｄ
ｘＴｅ（但しＸΣ０．９）の結晶の製造が記述されてい
る、これら２つの原料インゴツ卜は、適当に加熱された
溶媒領域に対して非常に遅い速度で移動せしめられる。
溶媒領域に侵入する原料インゴツトの部分は溶融して、
この領域を去る際にＨｇｌ−ＸＣｄｖＴｅの単結晶が形
成される。ここでカドミウムの比ｘは原料インゴツトの
断面積間の比の関数である。上掲の論文を読めば明らか
なように、得られるＨｇｌ−ＸＣｄｘＴｅのインゴツト
の組成は、その全長にわたつて一定ではない。
この領域を去る際にＨｇｌ−ＸＣｄｖＴｅの単結晶が形
成される。ここでカドミウムの比ｘは原料インゴツトの
断面積間の比の関数である。上掲の論文を読めば明らか
なように、得られるＨｇｌ−ＸＣｄｘＴｅのインゴツト
の組成は、その全長にわたつて一定ではない。
実際、インゴツトの頭部分では、カドミウムの比は所望
値ｘよりも大きく、従つて所望の比もしくは割合ｘはイ
ンゴツトの１部分だけ、特にその全長の約６０ないし７
０％に相当する部分たけにしか得られないことが確めら
れた。発明の目的 従つて本発明が解決しようとする課題は、上述のような
インゴツトの頭部に卦ける組成の望ましからざる変動を
除去し、実質的にインゴツト全体が所望の組成を呈し、
従つて所望のスペクトル感度を有するようにすることに
ある。
値ｘよりも大きく、従つて所望の比もしくは割合ｘはイ
ンゴツトの１部分だけ、特にその全長の約６０ないし７
０％に相当する部分たけにしか得られないことが確めら
れた。発明の目的 従つて本発明が解決しようとする課題は、上述のような
インゴツトの頭部に卦ける組成の望ましからざる変動を
除去し、実質的にインゴツト全体が所望の組成を呈し、
従つて所望のスペクトル感度を有するようにすることに
ある。
組成変動は、プロセスの初期にテルルだけからなる溶媒
が、初期の段階では、ＣｄＴｅの比ＸＬに対応し原料イ
ンゴツトの断面積の比に等しい比でＣｄＴｅおよびＨｇ
Ｔｅに富むが、しかしながら溶媒領域を去る際に形成さ
れるインゴツトはＸＬよねも大きい状態図により決定さ
れるカドミウムの割合Ｘ を呈するという事実に起因す
るものであるＳことを発見した。
が、初期の段階では、ＣｄＴｅの比ＸＬに対応し原料イ
ンゴツトの断面積の比に等しい比でＣｄＴｅおよびＨｇ
Ｔｅに富むが、しかしながら溶媒領域を去る際に形成さ
れるインゴツトはＸＬよねも大きい状態図により決定さ
れるカドミウムの割合Ｘ を呈するという事実に起因す
るものであるＳことを発見した。
ＸＬおよびＸ８間のこの差に起因して、溶媒領域から取
出されるＣｄＴｅの量はＣｄＴｅの添加量よりも大きく
なり、そのため徐々に溶媒領域のカドミウムが不足し、
逆に水銀は富んでくる。
出されるＣｄＴｅの量はＣｄＴｅの添加量よりも大きく
なり、そのため徐々に溶媒領域のカドミウムが不足し、
逆に水銀は富んでくる。
それに伴なつてＸＬ訃よびＸｓ間の差が減少し、最終的
には、形成されるインゴツトが原料インゴツトの断面積
比に対応する所望の比ＸＬに等しい比Ｘｓを呈する熱力
学的平衡状態に達し、溶媒領域はテルルに加えて所定量
のＣｄＴｅおよびＨｇＴｅを含む。発明の概要上の発見
に基づいて、本発明は、溶媒として純デルルの代ｖに、
上述の熱力学的平衡に対応する割合もしくは比で、テル
ル、テルル化水銀ＨｇＴｅ）｝よびテルル化カドミウム
（ＣｄＴｅ）を含む溶媒を用いることを提案するもので
ある。
には、形成されるインゴツトが原料インゴツトの断面積
比に対応する所望の比ＸＬに等しい比Ｘｓを呈する熱力
学的平衡状態に達し、溶媒領域はテルルに加えて所定量
のＣｄＴｅおよびＨｇＴｅを含む。発明の概要上の発見
に基づいて、本発明は、溶媒として純デルルの代ｖに、
上述の熱力学的平衡に対応する割合もしくは比で、テル
ル、テルル化水銀ＨｇＴｅ）｝よびテルル化カドミウム
（ＣｄＴｅ）を含む溶媒を用いることを提案するもので
ある。
溶媒の組成は最初から平衡値に在るので、形成されるイ
ンゴツトは最初から、所望の比に実質的に等しいカドミ
ウムの比Ｘｓを呈しておジ、従つて得られるインゴツト
はその全長に亘つて使用可能となる。
ンゴツトは最初から、所望の比に実質的に等しいカドミ
ウムの比Ｘｓを呈しておジ、従つて得られるインゴツト
はその全長に亘つて使用可能となる。
所与の値ｘに対する平衡組成は、溶媒の温度（この温度
自体ｘの関数として選ばれる）に対応する熱力学的デー
タだけにしか左右されない。
自体ｘの関数として選ばれる）に対応する熱力学的デー
タだけにしか左右されない。
例としてカドミウムの比もしくは割合ｘを０．７とし、
温度を７００℃とした場合には次のような比が好適であ
る。発明の好適な実施態様の記載 本発明は添付図面を参照しての以下の説明を検討するこ
とにより一層明瞭に理解されよう。
温度を７００℃とした場合には次のような比が好適であ
る。発明の好適な実施態様の記載 本発明は添付図面を参照しての以下の説明を検討するこ
とにより一層明瞭に理解されよう。
さて図面を参照するに、第１図は耐火材料から造られた
気密閉鎖された囲壁室１を示し、この室１内には、同じ
長さのＨｇＴｅのインゴツト２およびＣｄＴｅのインゴ
ツト３が配置されている。これらインゴツトの断面形状
は、その断面積比が最終生成物における所望のカドミウ
ム／水銀比に等しい限Ｄに｝いてそれ程重要ではない。
例えば円筒状の部分とすることができる。導電巻線によ
つて構成されている環状加熱装置４が囲壁室１を包囲し
て訃つて、その軸線方向に約１ないし５ｍｍ／日台の速
度で移動する。
気密閉鎖された囲壁室１を示し、この室１内には、同じ
長さのＨｇＴｅのインゴツト２およびＣｄＴｅのインゴ
ツト３が配置されている。これらインゴツトの断面形状
は、その断面積比が最終生成物における所望のカドミウ
ム／水銀比に等しい限Ｄに｝いてそれ程重要ではない。
例えば円筒状の部分とすることができる。導電巻線によ
つて構成されている環状加熱装置４が囲壁室１を包囲し
て訃つて、その軸線方向に約１ないし５ｍｍ／日台の速
度で移動する。
移動装置は任意のものでよい。囲壁室内には、加熱温度
で液相であつてＨｇＴｅ卦よびＣｄＴｅのインゴツトに
対し溶媒としての働きをなすテルル、ＨｇＴｅ｝よびＣ
ｄＴｅの混合物が充填されている。
で液相であつてＨｇＴｅ卦よびＣｄＴｅのインゴツトに
対し溶媒としての働きをなすテルル、ＨｇＴｅ｝よびＣ
ｄＴｅの混合物が充填されている。
その結果、得られる溶媒領域５は、装置４によつて加熱
される部分に限定され、そして加熱装置の変位に由９、
インゴツトの１端から他端に向かつて運動する。溶媒領
域５と接触関係になるインゴツト２｝よび３の部分は溶
解して、領域５を去る際に非常に純度の高いＨｇｌ−Ｘ
ＣｄぇＴｅの単一のインゴツト６の形態に再結晶する。
される部分に限定され、そして加熱装置の変位に由９、
インゴツトの１端から他端に向かつて運動する。溶媒領
域５と接触関係になるインゴツト２｝よび３の部分は溶
解して、領域５を去る際に非常に純度の高いＨｇｌ−Ｘ
ＣｄぇＴｅの単一のインゴツト６の形態に再結晶する。
なお上記化学式において水銀卦よびカドミウムの割合は
ＨｇＴｅおよびＣｄＴｅのインゴツト２｝よび３の断面
比に対応する。溶媒領域に｝ける温度Ｔは６００℃と７
００℃の間にあり、正確な温度値は所望の値Ｘに依存す
る。ｘ−０．７の場合には、７００℃の温度Ｔとするの
が好ましい。ｘ＝０．７で且つＴ＝７００℃の場合には
次の組成の溶媒が用いられる。
ＨｇＴｅおよびＣｄＴｅのインゴツト２｝よび３の断面
比に対応する。溶媒領域に｝ける温度Ｔは６００℃と７
００℃の間にあり、正確な温度値は所望の値Ｘに依存す
る。ｘ−０．７の場合には、７００℃の温度Ｔとするの
が好ましい。ｘ＝０．７で且つＴ＝７００℃の場合には
次の組成の溶媒が用いられる。
溶媒混合物の組成は、温度Ｔにおける熱力学的データか
ら得られる平衡組成に対応する。
ら得られる平衡組成に対応する。
第２図は、ｘ−０．７の場合に得られる
Ｈｇｌ−ＸＣｄｘＴｅインゴツトの組成変化を示す。
なおこの図には純テルルが溶媒として用いられた場合（
破線曲線Ａで示す）訃よび上に定義した本発明７Ｃよる
混合物を溶媒として用いた事例（実線の曲線Ｂ）が示さ
れている。図から明らかなように、テルル溶媒では、イ
ンゴツトはその頭部（曲線の左側の端）に０．７よりも
大きなカドミウム比を呈し、しかもこの値が実質的に守
られているインゴツトの部分はインゴツトの長さの約７
０（：！）を占める。
破線曲線Ａで示す）訃よび上に定義した本発明７Ｃよる
混合物を溶媒として用いた事例（実線の曲線Ｂ）が示さ
れている。図から明らかなように、テルル溶媒では、イ
ンゴツトはその頭部（曲線の左側の端）に０．７よりも
大きなカドミウム比を呈し、しかもこの値が実質的に守
られているインゴツトの部分はインゴツトの長さの約７
０（：！）を占める。
これとは対照的に本発明による混合物もしくは組成物の
場合には、組成は均質であつて、実質的にインゴツトの
全長にわた９、値ｘ＝０．７に対応する。
場合には、組成は均質であつて、実質的にインゴツトの
全長にわた９、値ｘ＝０．７に対応する。
第３図には溶媒領域の形成が図解されてふ・り、これは
次のようにして実施される。
次のようにして実施される。
所望の割合でテルル、ナルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）
およびテルル化水銀（ＨｇＴｅ）を先ず囲壁室１の底部
に置く。
およびテルル化水銀（ＨｇＴｅ）を先ず囲壁室１の底部
に置く。
これら生成物は固相状態にあジ、細片の形態にある。次
に溶媒領域の完全に扁平な表面を確保する目的でこれら
生成物上に石英ピストン１０を配置する。
に溶媒領域の完全に扁平な表面を確保する目的でこれら
生成物上に石英ピストン１０を配置する。
次いで、囲壁室を弁１１を介して真空源に接続し、減圧
してアルゴンのような中性ガスを囲壁室内に導入し、約
２ないし３気圧程度の圧力まで高め、加熱中ＨｇＴｅが
分解するのを阻止する。
してアルゴンのような中性ガスを囲壁室内に導入し、約
２ないし３気圧程度の圧力まで高め、加熱中ＨｇＴｅが
分解するのを阻止する。
次いで、囲壁室の底部に装入した生成物を、炉１２内で
加熱することにより溶融する。ピストン１０はこのよう
にして形成された溶融混合物１３上に浮く。と言うのは
その密度は溶融混合物の密度より低いからである。２な
いし３時間後に加熱を停止し、混合物を結晶化させる。
加熱することにより溶融する。ピストン１０はこのよう
にして形成された溶融混合物１３上に浮く。と言うのは
その密度は溶融混合物の密度より低いからである。２な
いし３時間後に加熱を停止し、混合物を結晶化させる。
ピストン１０が存在するために、自由表面は完全な平面
状態を保有する。ピストン１０が存在しない場合には、
湯の自由表面は、溶融したＴｅ−ｌ−ＨｇＴｅ−１−Ｃ
ｄＴｅ混合物に僅かではあるが湿潤性があるために完全
な平面とはならない。
状態を保有する。ピストン１０が存在しない場合には、
湯の自由表面は、溶融したＴｅ−ｌ−ＨｇＴｅ−１−Ｃ
ｄＴｅ混合物に僅かではあるが湿潤性があるために完全
な平面とはならない。
そして原料インゴツト２および３が溶媒領域で溶融する
際に、この溶融の進捗は囲壁の全断面にわたつて同じで
はなくなるであろう。結晶化後に、囲壁室を開らき、ピ
ストン１０を取ジ出して、原料インゴツト２卦よひ３を
導入し、しかる後に上に述べたプロセスを開始すること
ができる。発明の効果 本発明の製造によればインゴツトの全長にわたＤ均質な
組成の、高純度のＨｇ，−ＸＣｄｘＴｅの結晶が得られ
る。
際に、この溶融の進捗は囲壁の全断面にわたつて同じで
はなくなるであろう。結晶化後に、囲壁室を開らき、ピ
ストン１０を取ジ出して、原料インゴツト２卦よひ３を
導入し、しかる後に上に述べたプロセスを開始すること
ができる。発明の効果 本発明の製造によればインゴツトの全長にわたＤ均質な
組成の、高純度のＨｇ，−ＸＣｄｘＴｅの結晶が得られ
る。
第１図はＴＨＭ法によるＨｇｌ−ＸＣｄｘＴｅのインゴ
ツトの製造を略示する図、第２図は従来の方向と比較し
て、本発明で得られるインゴツトの組成プロフイルを示
すグラフ、そして第３図は溶媒領域の形成を図解する図
である。 １・・・・・・囲壁室、２，３，６・・・・・・インゴ
ツト、４・・・・・・加熱装置、５・・・・・・溶媒領
域、１０・・・・・・ピストン、１１・・・・・・弁、
１２・・・・・・炉、１３・・・・・・溶融混合物。
ツトの製造を略示する図、第２図は従来の方向と比較し
て、本発明で得られるインゴツトの組成プロフイルを示
すグラフ、そして第３図は溶媒領域の形成を図解する図
である。 １・・・・・・囲壁室、２，３，６・・・・・・インゴ
ツト、４・・・・・・加熱装置、５・・・・・・溶媒領
域、１０・・・・・・ピストン、１１・・・・・・弁、
１２・・・・・・炉、１３・・・・・・溶融混合物。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ＨｇＴｅおよびＣｄＴｅのインゴットを溶媒領域に
通すことによつて、Ｈｇ＿１−＿ｘＣｄ＿ｘＴｅの結晶
を製造する方法において、前記溶媒として、熱力学的平
衡に対応する割合でテルル、ＨｇＴｅおよびＣｄＴｅの
混合物を用いる段階を含むことを特徴とするＨｇ＿１−
＿ｘＣｄ＿ｘＴｅの結晶の製造方法。 ２ ｘ＝０．７とした場合、溶媒を６８モル％のテルル
、３０モル％のＨｇＴｅおよび２モル％のＣｄＴｅから
構成した特許請求の範囲第１項記載のＨｇ＿１−＿ｘＣ
ｄ＿ｘＴｅの結晶の製造方法。 ３ 溶媒混合物を、閉鎖した囲壁室内で固相出発成分を
装入しそして該成分材料の頂部に前記混合物を溶融した
場合の密度よりも低い密度を有するピストンを配置して
溶融することにより形成する特許請求の範囲第１項記載
のＨｇ＿１−＿ｘＣｄ＿ｘＴｅの結晶の製造方法。 ４ 出発成分を中性ガスの雰囲気下で溶融する特許請求
の範囲第３項記載のＨｇ＿１−＿ｘＣｄ＿ｘＴｅの結晶
の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8105387 | 1981-03-18 | ||
| FR8105387A FR2502190A1 (fr) | 1981-03-18 | 1981-03-18 | Procede de preparation de cristaux de hg1-x cdx te |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57166392A JPS57166392A (en) | 1982-10-13 |
| JPS5938190B2 true JPS5938190B2 (ja) | 1984-09-14 |
Family
ID=9256364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57041779A Expired JPS5938190B2 (ja) | 1981-03-18 | 1982-03-18 | Ｈｇ↓１−↓ｘＣｄ↓ｘＴｅの結晶の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4662980A (ja) |
| EP (1) | EP0060744B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5938190B2 (ja) |
| DE (1) | DE3260806D1 (ja) |
| FR (1) | FR2502190A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2536767A1 (fr) * | 1982-11-30 | 1984-06-01 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'elaboration de composes semi-conducteurs ternaires ou quaternaires |
| FR2560227B1 (fr) * | 1983-08-17 | 1992-01-03 | Comp Generale Electricite | Procede de preparation d'une zone de solvant pour la realisation de composes semiconducteurs |
| FR2560226B1 (fr) * | 1983-08-17 | 1986-08-08 | Commissariat Energie Atomique | Procede de preparation d'un alliage polycristallin destine a la realisation de monocristaux par passage dans une zone de solvant |
| US4728388A (en) * | 1983-08-17 | 1988-03-01 | Commissariat A L'energie Atomique | Process for producing a monocrystal of a compound by crystallizing a polycrystal of said compound by transferring a solvent zone |
| FR2593196B1 (fr) * | 1986-01-21 | 1988-04-15 | Telecommunications Sa | Procede de preparation d'un lingot cristallin de hg1-xo cdxo te |
| FR2629476B1 (fr) * | 1988-04-01 | 1990-11-30 | Telecommunications Sa | Procede de preparation d'un lingot cristallin de hgcdte |
| US6189793B1 (en) * | 1992-06-12 | 2001-02-20 | Metrologic Instruments, Inc. | Automatic laser projection scanner with improved activation controlling mechanism |
| ES2066726A1 (es) * | 1993-06-03 | 1995-03-01 | Univ Madrid | Procedimiento y dispositivo para la preparacion de monocristales semiconductores en volumen y su aplicacion al crecimiento del monocristalesde hg1-xcdxte. |
| US6273969B1 (en) | 1998-01-07 | 2001-08-14 | Rensselaer Polytechnic Institute | Alloys and methods for their preparation |
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