JPS594010A - 薄膜の結晶粒成長方法 - Google Patents

薄膜の結晶粒成長方法

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JPS594010A
JPS594010A JP57111682A JP11168282A JPS594010A JP S594010 A JPS594010 A JP S594010A JP 57111682 A JP57111682 A JP 57111682A JP 11168282 A JP11168282 A JP 11168282A JP S594010 A JPS594010 A JP S594010A
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JP
Japan
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film
layer
sample
substrate
thin film
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JP57111682A
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English (en)
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JPS6234129B2 (ja
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Hidekazu Okabayashi
岡林　秀和
Kohei Higuchi
行平 樋口
Shuichi Saito
修一 斉藤
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National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Agency of Industrial Science and Technology
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Publication date
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Publication of JPS594010A publication Critical patent/JPS594010A/ja
Publication of JPS6234129B2 publication Critical patent/JPS6234129B2/ja
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/32—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H10P14/3202—Materials thereof
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    • H—ELECTRICITY
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    • H10P14/3808—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams

Landscapes

  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は薄膜の結晶粒の成長または単結晶化を成長また
は単結晶化を行おうとする光ビームアニール法を用いた
薄膜の結晶粒の成長もしくは単結晶化技術は、ＳＯＩ　
（５ｉｌｉｃｏｎ−ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ　）と呼
ばれている非晶質絶縁基板上に単結晶または結晶粒の大
きなシリコン薄膜を形成した構造の実現といった点で多
くの人々の注目を集めている。結晶粒成長を効率よく行
うためには、結晶成長速度の小さい固相での結晶粒成長
を避け、結晶成長速度の大きい液相からの結晶成長を用
いる必要がある。すなわち、薄膜を一担融解させてから
再固化させる必要がある。しかし、光ビームアニール法
により薄膜を急激に加熱・融解・再固化させた場合には
、融解時のショックにより発生する融液中の波や融液の
飛散等により再固化層表面に荒れが生じ易いという問題
がある。これを解決するため、結晶粒を成長させるべき
第１の薄膜の上に光ビームに対して透明で該第１の薄膜
より融点の高い第２の薄膜を化学蒸着や物理蒸着法によ
り堆積して、融解時のショックや融液の飛散をおさえこ
もうとする試みがなされているが必すしも十分な効果か
た第１の薄膜上に、該第１の薄膜よりも融点の高い第２
の薄膜を堆積し、次いで所定の波長の高出力光線に対し
て透明である第２の基板を第２の薄膜上に密着して配置
し、次いで該第２の基板を加圧することにより第１の基
板上に形成された第１の薄膜をも加圧しながら前記所定
の波長の高出力光線を照射することにより第１の薄膜を
融解せしめた後に再結晶化させることにより第１の薄膜
の結晶粒の成長または単結晶化を行うことを特徴とする
ものである。
本発明による方法では、−２結晶粒を成長させるべき第
１の薄膜は、光ビームに対して透明な第２の薄膜を介し
て第２の基板により加圧されているので、光ビーム照射
加熱によって形成された融液表面の変動の発生をおさえ
ることができ、従って平担な表面を有する再同化層を再
現性よく形成するより０．８μｍの酸化シリコン膜２を
形成し、さらに化学蒸着法により０．５μｍ　の多結晶
シリコン膜３と保護膜としての酸化シリコン膜を厚さ１
μｍ堆積したものを用いた。この様な試料を第２図に示
した様な断面構造を有する試料台に取付けてＮｄ：ＹＡ
Ｇレーザ光を照射してレーザアニールした。ここに５は
第１図において断面を示した試料、６は試料台枠、７は
加圧用ガス導入口、８は石英板、９は試料吸着用排気口
、１ｏは気密シール用オーリングである。試料５の保霞
膜４が透明石英板８に密着する様にして試料５を真空吸
着した後、加圧用ガス導入ロアより窒素ガスを約２気圧
にまで導入し試料を加圧した。次に連続発振のＮｄ：Ｙ
ＡＧ　　レーザ光１１を透明石英板８を透して試料５に
照射し、多結晶シリコン膜３を融解させることにより多
結晶シリコン膜の結晶粒の大きさを増大させた。この結
果、多結晶シリコン膜３に著しい表面荒れを生じないで
レーザアニールできるＮｄ：ＹＡＧ　　レーザ光の出力
範囲を、本発明による方法を採用すること（こより、従
来方法の場合に比べてのではなくアニール用の１／−サ
やランプの波長の光を透過するものであればよい。
【図面の簡単な説明】
第１図はレーザアニールに用いた試料の断面略図。第２
図は本発明による方法を実施するために用いたレーザ光
照射台（試料台）の断面略図。 １・・・ｐ型シリコン結晶基板、２，４・・・酸化シリ
コン膜、３・多結晶シリコン膜、５・・・試料、６・・
・試料台枠、７・・・加圧用ガス導入口、８・・・透明
石英板、９・・・試料吸着用排気口、１０・・・気密用
オーリング、１１　、＝　Ｎｄ　：　ＹＡＧレーザ光。 工際技ｊネ１院長

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 少なくとも表面の一部に非晶質絶縁体層を備えた第１の
    基板上に形成された第１の薄膜上に、該第１の薄膜より
    も融点の高い第２の薄膜を堆積し、次いで所定の波長の
    高出力光線に対して透明である第２の基板を第２の薄膜
    上に密着して配置し、次いで該第２の基板を加圧するど
    とにより第１のことにより第１の薄膜の結晶粒の成長ま
    たは単結晶化を行うことを特徴とする薄膜の結晶粒成長
    方法。
JP57111682A 1982-06-30 1982-06-30 薄膜の結晶粒成長方法 Granted JPS594010A (ja)

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Publication Number Publication Date
JPS594010A true JPS594010A (ja) 1984-01-10
JPS6234129B2 JPS6234129B2 (ja) 1987-07-24

Family

ID=14567501

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62163533U (ja) * 1986-04-09 1987-10-17

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62163533U (ja) * 1986-04-09 1987-10-17

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JPS6234129B2 (ja) 1987-07-24

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