JPS5940316B2 - パルスレ−ザダイオ−ド駆動回路 - Google Patents
パルスレ−ザダイオ−ド駆動回路Info
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- JPS5940316B2 JPS5940316B2 JP10030079A JP10030079A JPS5940316B2 JP S5940316 B2 JPS5940316 B2 JP S5940316B2 JP 10030079 A JP10030079 A JP 10030079A JP 10030079 A JP10030079 A JP 10030079A JP S5940316 B2 JPS5940316 B2 JP S5940316B2
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- JP
- Japan
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- laser diode
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- resonant
- circuit
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 15
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体パルスレーザダイオードをパルス、駆動
する回路に関するものである。
する回路に関するものである。
従来のノタルスレーザダイオード、駆動回路の一例を第
１図に示す。
１図に示す。
印加電圧端子Ｔに加えられた電圧ＶＨを昇圧用コイル１
及び電圧ホールドダイオード２の昇圧回路部によつて昇
圧して充放電コンデンサ３に加えて充電を行い、このコ
ンデンサ３に蓄えられた電荷をＳＣＲ５のスイッチング
によりパルスレーザダイオード４に放電電流ＩＤとして
流すように構成されている。ＳＣＲ５のスイッチングは
、トリガパルス入力端子６に入力されるパャス信号に従
つて行われる。上記コンデンサ３に充電電圧として加わ
る電圧は、ＳＣＲ５のスイッチングによる急激な電圧変
化を利用して昇圧コイル１で昇圧され、電圧ホールドダ
イオード２によつてピークホールドされる。
及び電圧ホールドダイオード２の昇圧回路部によつて昇
圧して充放電コンデンサ３に加えて充電を行い、このコ
ンデンサ３に蓄えられた電荷をＳＣＲ５のスイッチング
によりパルスレーザダイオード４に放電電流ＩＤとして
流すように構成されている。ＳＣＲ５のスイッチングは
、トリガパルス入力端子６に入力されるパャス信号に従
つて行われる。上記コンデンサ３に充電電圧として加わ
る電圧は、ＳＣＲ５のスイッチングによる急激な電圧変
化を利用して昇圧コイル１で昇圧され、電圧ホールドダ
イオード２によつてピークホールドされる。
′この回路構成では、ＳＣＲ５と印加電圧端子７の間に
ほとんど直流抵抗成分がないため、印加電圧ＶＨによつ
て流れる電流が、ＳＣＲ５の保持電流以上となり、ＳＣ
Ｒ５のターンオフミスが生じ直流電流が流れてＳＣＲ５
やパルスレーザダイオード４が破損するという欠点があ
つた。また、第２図に示す例では、第１図の構成に対し
印加電圧ＶＨによる電流が、ＳＣＲ５の保持電流以下に
なるように電流制限抵抗９を付加してぉり、ＳＣＲ５の
ターンオフミスは生じなくなるが、上記電流制限抵抗９
は昇圧用コイル１による昇圧効果を抑制するダンピング
律抗として働くため昇圧効果が大幅に減少し高い印加電
圧ＶＨが必要となるという欠点があつた。
ほとんど直流抵抗成分がないため、印加電圧ＶＨによつ
て流れる電流が、ＳＣＲ５の保持電流以上となり、ＳＣ
Ｒ５のターンオフミスが生じ直流電流が流れてＳＣＲ５
やパルスレーザダイオード４が破損するという欠点があ
つた。また、第２図に示す例では、第１図の構成に対し
印加電圧ＶＨによる電流が、ＳＣＲ５の保持電流以下に
なるように電流制限抵抗９を付加してぉり、ＳＣＲ５の
ターンオフミスは生じなくなるが、上記電流制限抵抗９
は昇圧用コイル１による昇圧効果を抑制するダンピング
律抗として働くため昇圧効果が大幅に減少し高い印加電
圧ＶＨが必要となるという欠点があつた。
本発明は、これらの欠点を除去するため、ＳＣＲのター
ンオフミス防止用の共振回路を付加することにより、昇
圧回路部の昇圧効果を損うことな＜確実にＳＣＲのター
ンオフを実行可能な高性能のパルスレーザダイオード駆
動回路を提供しようとするものである。
ンオフミス防止用の共振回路を付加することにより、昇
圧回路部の昇圧効果を損うことな＜確実にＳＣＲのター
ンオフを実行可能な高性能のパルスレーザダイオード駆
動回路を提供しようとするものである。
以下図面について詳細に説明する。第３図に本発明の一
実施例を示す。
実施例を示す。
この図において、充放電コンデンサ３と並列に、共振用
コイル１０、共振用コンデンサ１１及びダンピング用抵
抗１２で構成される共振回路１３を付加してある。な始
、その他の構成は第１図の場合と同様である。以上の構
成において、印加電圧７から、昇圧用コイル１及び電圧
ホールドダイオード２の昇圧回路部を介して充放電コン
デンサ３に充電を行い、上記コンデンサ３に蓄えられた
電荷をＳＣＲ５のスイツチングによつてパルスレーザダ
イオード４に放電電流１。
コイル１０、共振用コンデンサ１１及びダンピング用抵
抗１２で構成される共振回路１３を付加してある。な始
、その他の構成は第１図の場合と同様である。以上の構
成において、印加電圧７から、昇圧用コイル１及び電圧
ホールドダイオード２の昇圧回路部を介して充放電コン
デンサ３に充電を行い、上記コンデンサ３に蓄えられた
電荷をＳＣＲ５のスイツチングによつてパルスレーザダ
イオード４に放電電流１。
として流すことにより上記パルスレーザダイオード４を
駆動する。ＳＣＲ５は、トリガパルス入力端子６に入力
されるパルス信号によつてスイツチングする。このスイ
ツチングによる急激な電圧変化を利用して、昇圧用コイ
ル１及び電圧ホールドダイオード２で印加電圧の昇圧を
行い、かつ、共振用コイル１０、共振用コンデンサ１１
、ダンピング用抵抗１２で構成される共振回路１３に振
動を生じさせる。この振動によつてＳＣＲ５の陽極には
次に説明するようにＳＣＲのターンオフに必要な時間以
上にわたつて正電圧が印加されないようになる。第３図
に示した実施回路におけるＳＣＲ５の陽極電圧波形を第
４図に示す。
駆動する。ＳＣＲ５は、トリガパルス入力端子６に入力
されるパルス信号によつてスイツチングする。このスイ
ツチングによる急激な電圧変化を利用して、昇圧用コイ
ル１及び電圧ホールドダイオード２で印加電圧の昇圧を
行い、かつ、共振用コイル１０、共振用コンデンサ１１
、ダンピング用抵抗１２で構成される共振回路１３に振
動を生じさせる。この振動によつてＳＣＲ５の陽極には
次に説明するようにＳＣＲのターンオフに必要な時間以
上にわたつて正電圧が印加されないようになる。第３図
に示した実施回路におけるＳＣＲ５の陽極電圧波形を第
４図に示す。
横軸に時間ｔ、縦軸にＳＣＲの陽極電圧Ｖをとり、ＳＣ
Ｒ５のスイツチングが終つた時点から次のスイツチング
が始まるまでのＳＣＲ５に印加される電圧波形を表わし
ている。ＳＣＲ５の陽極電圧波形は、上記共振回路１３
を付加しない場合の点線で示す電圧波形１４の上に、上
記共振回路１３の振動が重畳されたかたちの電圧波形１
５となり、ＳＣＲ５の陽極ＩｌＣは上記コンデンサ３と
上記昇圧用コイル１及び上記共振回路１３で決定される
時間τだけ正電圧が印加されない。パルスレーザダイオ
ード駆動回路等に使用する高速ＳＣＲでは、ターンオフ
が完了するに必要な時間は１０〜３０μｓであるので、
上記時間τが４０μｓ以上となるように上記共振回路１
３の定数を調整すれば完全にターンオフが終了するまで
ＳＣＲ５の陽極に正電圧が印加されないのでターンオフ
ミスを防ぐことができる。
Ｒ５のスイツチングが終つた時点から次のスイツチング
が始まるまでのＳＣＲ５に印加される電圧波形を表わし
ている。ＳＣＲ５の陽極電圧波形は、上記共振回路１３
を付加しない場合の点線で示す電圧波形１４の上に、上
記共振回路１３の振動が重畳されたかたちの電圧波形１
５となり、ＳＣＲ５の陽極ＩｌＣは上記コンデンサ３と
上記昇圧用コイル１及び上記共振回路１３で決定される
時間τだけ正電圧が印加されない。パルスレーザダイオ
ード駆動回路等に使用する高速ＳＣＲでは、ターンオフ
が完了するに必要な時間は１０〜３０μｓであるので、
上記時間τが４０μｓ以上となるように上記共振回路１
３の定数を調整すれば完全にターンオフが終了するまで
ＳＣＲ５の陽極に正電圧が印加されないのでターンオフ
ミスを防ぐことができる。
また、本実施回路では上記ダンピング用抵抗１２の値を
大きくすることにより、第５図に示すように充電が完了
して一定の電圧ＶＡに達する前に上記共振回路１３によ
る振動を減衰させ、ＳＣＲ５の陽極及び上記充放電用コ
ンデンサ３及び上記共振回路１３に印加される最大ピー
ク電圧を低下させることができるので、耐圧の低い部品
を使用できる。
大きくすることにより、第５図に示すように充電が完了
して一定の電圧ＶＡに達する前に上記共振回路１３によ
る振動を減衰させ、ＳＣＲ５の陽極及び上記充放電用コ
ンデンサ３及び上記共振回路１３に印加される最大ピー
ク電圧を低下させることができるので、耐圧の低い部品
を使用できる。
なお、ダンピング用抵抗１２としては共振用コイル１０
自体の抵抗分を利用してもよいことは明らかである。
自体の抵抗分を利用してもよいことは明らかである。
以上のように、本発明のパルスレーザダイオード駆動回
路によれば、ＳＣＲのターンオフミスを防ぐことができ
、かつ印加電圧の昇圧効果が大であるので部品を破損す
ることなく安全で、かつ低い印加電圧により大きな駆動
パルス電流でパルスレーザダイオードを駆動できる利点
がある。
路によれば、ＳＣＲのターンオフミスを防ぐことができ
、かつ印加電圧の昇圧効果が大であるので部品を破損す
ることなく安全で、かつ低い印加電圧により大きな駆動
パルス電流でパルスレーザダイオードを駆動できる利点
がある。
第１図は従来のパルスレーザダイオード駆動回路の一例
を示す回路図、第２図は従来のものの他の例を示す回路
図、第３図は本発明に係るパルスレーザダイオード駆動
回路の一実施例を示す回路図、第４図は第３図の実施回
路のＳＣＲ陽極電圧波形の一例を示す波形図、第５図は
第３図の実施回路のＳＣＲ陽極電圧波形の他の例を示す
波形図である。 １・・・昇圧用コイル、２・・・電圧ホールドダイオー
ド、３・・・充放電コンデンサ、４・・・パルスレーザ
ダイオード、５・・・ＳＣＲ，６・・・トリガパルス入
力端子、７・・・印加電圧端子、９・・・電流制限抵楓
１０・・・共振用コイル、１１・・・共振用コンデン
サ、１２・・・ダンピング用抵抗、１３・・・共振回路
、１４・・・共振回路を付加しないときのＳＣＲの陽極
電圧波形、１５・・・共振回路を付加したときのＳＣＲ
陽極電圧波形、・・・印加電圧、ＩＯ・・・放電電流。
を示す回路図、第２図は従来のものの他の例を示す回路
図、第３図は本発明に係るパルスレーザダイオード駆動
回路の一実施例を示す回路図、第４図は第３図の実施回
路のＳＣＲ陽極電圧波形の一例を示す波形図、第５図は
第３図の実施回路のＳＣＲ陽極電圧波形の他の例を示す
波形図である。 １・・・昇圧用コイル、２・・・電圧ホールドダイオー
ド、３・・・充放電コンデンサ、４・・・パルスレーザ
ダイオード、５・・・ＳＣＲ，６・・・トリガパルス入
力端子、７・・・印加電圧端子、９・・・電流制限抵楓
１０・・・共振用コイル、１１・・・共振用コンデン
サ、１２・・・ダンピング用抵抗、１３・・・共振回路
、１４・・・共振回路を付加しないときのＳＣＲの陽極
電圧波形、１５・・・共振回路を付加したときのＳＣＲ
陽極電圧波形、・・・印加電圧、ＩＯ・・・放電電流。
Claims (1)
- １ 充電された充放電コンデンサの電荷を、ＳＣＲのス
イッチングによつてパルスレーザダイオードに放電電流
として流すことによりパルスレーザダイオードを駆動す
るパルスレーザダイオード駆動回路において、充電電圧
を昇圧するための昇圧用コイルと電圧ホールドダイオー
ドとからなる昇圧回路部に、前記ＳＣＲが完全にターン
オフするまでＳＣＲ陽極に放電電圧が加わらないように
するための共振用コイル及び共振用コンデンサを有する
共振回路を付加したことを特徴とするパルスレーザダイ
オード駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10030079A JPS5940316B2 (ja) | 1979-08-08 | 1979-08-08 | パルスレ−ザダイオ−ド駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10030079A JPS5940316B2 (ja) | 1979-08-08 | 1979-08-08 | パルスレ−ザダイオ−ド駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5624990A JPS5624990A (en) | 1981-03-10 |
| JPS5940316B2 true JPS5940316B2 (ja) | 1984-09-29 |
Family
ID=14270310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10030079A Expired JPS5940316B2 (ja) | 1979-08-08 | 1979-08-08 | パルスレ−ザダイオ−ド駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5940316B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0367618U (ja) * | 1989-11-05 | 1991-07-02 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10041079A1 (de) * | 2000-08-22 | 2002-03-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lasermodul mit Ansteuerschaltung |
| US9368936B1 (en) | 2013-09-30 | 2016-06-14 | Google Inc. | Laser diode firing system |
| JP6569236B2 (ja) * | 2015-02-18 | 2019-09-04 | 株式会社豊田中央研究所 | レーザダイオード駆動回路及びレーザレーダ装置 |
| US10256605B2 (en) | 2016-10-14 | 2019-04-09 | Waymo Llc | GaNFET as energy store for fast laser pulser |
| DE112020006729T5 (de) * | 2020-04-15 | 2022-12-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laserdiodentreiberschaltung |
-
1979
- 1979-08-08 JP JP10030079A patent/JPS5940316B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0367618U (ja) * | 1989-11-05 | 1991-07-02 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5624990A (en) | 1981-03-10 |
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