JPS5941387U - 発光素子の電極取出構造 - Google Patents

発光素子の電極取出構造

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JPS5941387U
JPS5941387U JP13652182U JP13652182U JPS5941387U JP S5941387 U JPS5941387 U JP S5941387U JP 13652182 U JP13652182 U JP 13652182U JP 13652182 U JP13652182 U JP 13652182U JP S5941387 U JPS5941387 U JP S5941387U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
insulating substrate
impurity region
extraction structure
emitting element
Prior art date
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Pending
Application number
JP13652182U
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English (en)
Inventor
牛窪　孝
紘 高野
健 上條
小沢　晶
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の発光ダイオード表示素子の構造を示す平
面図、第２図は第１図のｎ−ｎ’線に沿って切断して示
す断面図、第３図はこの考案の発光素子の電極取出構造
の一実施例を示す平面図、第４図は第３図のＩＶ−ＩＶ
線の断面図、第５図ａおよび第５図すは同上発光素子の
電極取出構造の製造工程を説明するための図、第６図は
同上発光素子の電極取出構造の発光領域の接続例を示す
図、第７図はこの考案の発光素子の電極取出構造の他の
実施例の平面図、第８図すないし第８図Ｃはそれぞれ第
７図め発光素子の電極取出構造の製造工程を説明するた
めの図である。 １Ａ・・・化合物半導体基板、ＩＢ・・・絶縁性基板、
２Ｂ、　　３Ｂ、　　２Ｃ，３Ｃ・・・Ｎ型の不純物領
域、５Ａ。 ７Ａ、１２Ａ、１４Ａ、５Ｂ、７Ｂ、１２Ｂ。 １４Ｂ・・・Ｐ型の不純物領域、１８Ａ、１９Ａ。 ２１Ａ、２４Ａ、１８Ｂ、１９Ｂ、２１Ｂ、２４Ｂ・・
・電極。 ２Ｃ９Ａ　　　　　ＢＣ［６Ａ ２１４６Ａ　　　　Ｉ３Ａ　２４Ａ　　　　　　笛Ｌ　
　　　　　　　　　　　　Ｒ

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 化合物半導体の半絶縁性基板または絶縁性基板に形成さ
    れた第１の導電型の不純物領域と、この不純物領域に形
    成され上記半絶縁性基板または絶縁性基板の表面に対し
    て上記不純物領域とともに、垂直方向にＰＮ接合を形成
    する上記第１の導電型とは逆の第２の導電型の不純物領
    域と、上記第１および第２の導電型の不純物領域の表面
    に形成されて取り出される電極とよりなる発光素子の電
    極、　取出構造。
JP13652182U 1982-09-10 1982-09-10 発光素子の電極取出構造 Pending JPS5941387U (ja)

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