JPS599565U - ガリウム燐発光ダイオ−ド - Google Patents

ガリウム燐発光ダイオ−ド

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JPS599565U
JPS599565U JP10387282U JP10387282U JPS599565U JP S599565 U JPS599565 U JP S599565U JP 10387282 U JP10387282 U JP 10387282U JP 10387282 U JP10387282 U JP 10387282U JP S599565 U JPS599565 U JP S599565U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
junction
emitting diode
light emitting
gallium phosphorus
gallium
Prior art date
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Pending
Application number
JP10387282U
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English (en)
Inventor
健太郎 井上
高須　広海
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Tottori Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS599565U publication Critical patent/JPS599565U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の発光ダイオードの模式図、第２図は本考
案実施例のガリウム燐発光ダイオードの模式図、第３図
はその発光ダイオードの不純物濃度の状態図である。 図に於て１は基板、２は第１のＮ層３は第１のＰ層、４
は第１のＰＮ接合、５は第２のＰ層、６は第２のＮ層、
７は第３のＮ層、８は第２のＰＮ接合、９はオーミック
電極である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ガリウム燐基板上に設けられた赤色発光の第１のＰＮ接
    合と、第１のＰＮ接合の上に表面側がＮ層となるように
    設けられた緑色発光の第２のＰＮ接合と、第２のＰＮ接
    合の上に設けられたオーミック電極とを具備したガリウ
    ム燐発光ダイオードにおいて、前記第２のＰＮ接合のＮ
    層は接合側の低不純物濃度領域と電極側の高不純物濃度
    領域とを含んでいる事を特徴とするガリウム燐発光タ身
    オ
JP10387282U 1982-07-08 1982-07-08 ガリウム燐発光ダイオ−ド Pending JPS599565U (ja)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50151485A (ja) * 1974-05-27 1975-12-05
JPS5661182A (en) * 1979-10-24 1981-05-26 Toshiba Corp Gap green light-emitting element
JPS5793589A (en) * 1980-12-02 1982-06-10 Semiconductor Res Found Gap light emitting diode

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50151485A (ja) * 1974-05-27 1975-12-05
JPS5661182A (en) * 1979-10-24 1981-05-26 Toshiba Corp Gap green light-emitting element
JPS5793589A (en) * 1980-12-02 1982-06-10 Semiconductor Res Found Gap light emitting diode

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