JPS5931253U - フオトカプラ− - Google Patents

フオトカプラ−

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Publication number
JPS5931253U
JPS5931253U JP12676582U JP12676582U JPS5931253U JP S5931253 U JPS5931253 U JP S5931253U JP 12676582 U JP12676582 U JP 12676582U JP 12676582 U JP12676582 U JP 12676582U JP S5931253 U JPS5931253 U JP S5931253U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
conductivity type
transparent conductive
emitting diode
photocoupler
Prior art date
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Pending
Application number
JP12676582U
Other languages
English (en)
Inventor
西浦　真治
神山　道也
Original Assignee
株式会社富士電機総合研究所
富士電機製造株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社富士電機総合研究所, 富士電機製造株式会社 filed Critical 株式会社富士電機総合研究所
Priority to JP12676582U priority Critical patent/JPS5931253U/ja
Publication of JPS5931253U publication Critical patent/JPS5931253U/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図はフォトカプラーの従来例の断面図、第２図は本
考案によるフォトカプラーの一実施例の断面図、第３図
は同じく平面図、第４図はフォトカプラーの等価回路図
である。 １１・・・・・・半導体基板、１２・・・・・・Ｐ層、
′１４・・・・・・透明絶縁膜、１５・・・・・・透明
導電膜、１６・・・・・・ａ　−３ｉ、　ｐ層、１１　
””　ａ　−３ｉ、　　ｉ層、１　Ｂ　＝　ａ　−３ｉ
、　ｎ層、１９．　２０．　２１．　２２−−−−−−
金属電極。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電形の半導体基体の中に他導電形の層を形成してな
    る発光ダイオード素子の前記他導電形の層の上面に一部
    を残して透明絶縁膜が、該透明絶縁膜上に透明導電膜が
    、さらに該透明導電膜の上面に一部を残して太陽電池素
    子として形成される薄膜シリコン層が順次積層され、そ
    の薄膜シリコンの上面、前記透明導電膜の露出した上面
    ならびに前記発光ダイオード素子の他導電形の層の露出
    した上面および一導電形基体の下面にそれぞれ電極が設
    けられたことを特徴とするフォトカプラー。
JP12676582U 1982-08-21 1982-08-21 フオトカプラ− Pending JPS5931253U (ja)

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JPS5931253U true JPS5931253U (ja) 1984-02-27

Family

ID=30288126

Family Applications (1)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63102379A (ja) * 1986-09-30 1988-05-07 シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト 反射光障壁およびその製造方法
KR20200139740A (ko) 2018-04-03 2020-12-14 혼부 산케이 가부시키가이샤 열화 차아염소산염으로부터 신규 염소 산화물 조성물을 얻는 제법

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