JPS5941469A - 膜形成装置 - Google Patents
膜形成装置Info
- Publication number
- JPS5941469A JPS5941469A JP14932682A JP14932682A JPS5941469A JP S5941469 A JPS5941469 A JP S5941469A JP 14932682 A JP14932682 A JP 14932682A JP 14932682 A JP14932682 A JP 14932682A JP S5941469 A JPS5941469 A JP S5941469A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shutter
- heater
- substrate
- film forming
- forming apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、膜形成装置に係り、特に加熱された基板にド
ライプロセスにより薄膜を形成するのに好適な膜形成装
置に関するものである。
ライプロセスにより薄膜を形成するのに好適な膜形成装
置に関するものである。
加熱された基板にドライプロセスにより薄膜を形成する
のに用られている従来の膜形成装置を第１図により説明
する。
のに用られている従来の膜形成装置を第１図により説明
する。
第１図で、真空室１０には、ターゲット電極１１と試料
台１２とが所定の空間加を有し対向して内股されている
。空間加には、シャッター１３が、この場合は水平方向
に往復動可能に配設されている。また、試料台１２の空
間旬と反対側には、ヒータ加が設けられている。
台１２とが所定の空間加を有し対向して内股されている
。空間加には、シャッター１３が、この場合は水平方向
に往復動可能に配設されている。また、試料台１２の空
間旬と反対側には、ヒータ加が設けられている。
ターゲット電極１１の空間加側の面には、ターゲット４
０が取付けられ、また、試料台１２には、所定枚数の基
板４１が載置された後、真空室１０内は排気装置（図示
省略）により所定圧力まで減圧、排気される。真空室ｌ
Ｏ内の減圧完了後、真空室１０内には、反応ガス供給装
置（図示省略）より反応ガスが供給され、この反応ガス
は、例えば、高周波電圧の印加によりイオン化される。
０が取付けられ、また、試料台１２には、所定枚数の基
板４１が載置された後、真空室１０内は排気装置（図示
省略）により所定圧力まで減圧、排気される。真空室ｌ
Ｏ内の減圧完了後、真空室１０内には、反応ガス供給装
置（図示省略）より反応ガスが供給され、この反応ガス
は、例えば、高周波電圧の印加によりイオン化される。
なお、真空室１０内の減圧時及び反応ガスのイオン化初
期時においては、試料台１２に載置された基板４１とタ
ーゲット４０との間はシャッター１３により遮断されて
いる。
期時においては、試料台１２に載置された基板４１とタ
ーゲット４０との間はシャッター１３により遮断されて
いる。
また、基板４１は、試料台１２を介しヒータＩにより所
定温度壕で加熱される。
定温度壕で加熱される。
反応ガスのイオン化が安定した時点でシャッター１３は
公知の往復動手段（図示省略）により第１図では右方向
へ移動させられ、この結果、基板４１とターゲラ）４０
との遮断は解除される。これにより、イオンの衝突でタ
ーゲット４０から放出されたターゲット粒子は基板４１
表面に到達するようになる。ターゲ・ット粒子は基板４
１表面に到達した後番こ凝固、付着し、この結果、基板
４１表面には、薄膜が形成される。なお、この間、試料
台犯は、公知の冷却手段（図示省略）で冷却されている
。
公知の往復動手段（図示省略）により第１図では右方向
へ移動させられ、この結果、基板４１とターゲラ）４０
との遮断は解除される。これにより、イオンの衝突でタ
ーゲット４０から放出されたターゲット粒子は基板４１
表面に到達するようになる。ターゲ・ット粒子は基板４
１表面に到達した後番こ凝固、付着し、この結果、基板
４１表面には、薄膜が形成される。なお、この間、試料
台犯は、公知の冷却手段（図示省略）で冷却されている
。
このような膜形成装置では、次のような欠点があった。
（１）基板は、冷却される試料台を介してヒータにより
加熱されるため、基板を所定温度に加熱するのに要する
時間が長くなり、したがって、スループットが低下する
。
加熱されるため、基板を所定温度に加熱するのに要する
時間が長くなり、したがって、スループットが低下する
。
（２）基板は、冷却される試料台を介してヒータにより
加熱されるため、基板を所定温度に加熱するには大容量
のヒータが必要となり、したがって、運転費が増界する
。
加熱されるため、基板を所定温度に加熱するには大容量
のヒータが必要となり、したがって、運転費が増界する
。
（３） ヒータが、試料台の空間と反対側に設けられ
ているため、保守点検が面倒である。
ているため、保守点検が面倒である。
本発明の主たる目的は、基板を加熱手段により直接、効
率良く加熱することで、スループットを向上できる膜形
成装置を提供することにある。また、他の目的は、基板
を加熱手段により直接、効率良く加熱することで、運転
費を節減できる膜形成装置を提供することにある６また
、更に他の目的は、加熱手段をシャッターに設けること
で、加熱手段の保守点検を容易化できる膜形成装置を提
供することにある。
率良く加熱することで、スループットを向上できる膜形
成装置を提供することにある。また、他の目的は、基板
を加熱手段により直接、効率良く加熱することで、運転
費を節減できる膜形成装置を提供することにある６また
、更に他の目的は、加熱手段をシャッターに設けること
で、加熱手段の保守点検を容易化できる膜形成装置を提
供することにある。
本発明による膜形成装置は、基板を直接、効率良く加熱
するとともに、加熱手段の保守点検を容易化するために
、試料台と対向するシャッター面に加熱手段を設けたも
のである。
するとともに、加熱手段の保守点検を容易化するために
、試料台と対向するシャッター面に加熱手段を設けたも
のである。
本発明の一実施例を第２図により説明する。なお、第２
図で第１図と同一部品等は同一符号で示し説明は省略す
る。
図で第１図と同一部品等は同一符号で示し説明は省略す
る。
第２図で、試料台ルと対向するシャッター１３面には、
加熱手段、例えば、ヒータ３０′が設けられている。こ
のヒータＷは、接続手段、例えば、真空室１０側壁に気
密に設けられた端子間を介して電源（図示省略）に接続
されている。
加熱手段、例えば、ヒータ３０′が設けられている。こ
のヒータＷは、接続手段、例えば、真空室１０側壁に気
密に設けられた端子間を介して電源（図示省略）に接続
されている。
試料台１２に所定枚数載置された基板４１は、ヒータ凹
′により直接、効率良く加熱され所定温度に達する。基
板４１が所定温度に達し、また、反応ガスのイオン化が
安定した時点でヒータ園′はシャッター１３とともに公
知の往復動手段（図示省略）により第２図では右方向へ
移動させられる。
′により直接、効率良く加熱され所定温度に達する。基
板４１が所定温度に達し、また、反応ガスのイオン化が
安定した時点でヒータ園′はシャッター１３とともに公
知の往復動手段（図示省略）により第２図では右方向へ
移動させられる。
このような膜形成装置では、次のような効果が得られる
。
。
（１）基板は、ヒータにより直接、効率良く加熱される
ため、基板を所定温度に加熱するのに要する時間が短縮
でき、したがって、スループ７）が向上する。
ため、基板を所定温度に加熱するのに要する時間が短縮
でき、したがって、スループ７）が向上する。
（２）基板は、ヒータにより直接、効率良く加熱される
ため、ヒータを小容量化でき、したがって、運転費を節
減できる。
ため、ヒータを小容量化でき、したがって、運転費を節
減できる。
（３） ヒータをシャッターとともに真空室外部へ取
出すことができるため、ヒータの保守点検を容易に行う
ことができる。
出すことができるため、ヒータの保守点検を容易に行う
ことができる。
第３図は、接続手段の他の実施例を説明するもので、ン
ヤソターが往復動により移動する場合に好適である。
ヤソターが往復動により移動する場合に好適である。
第３図で、接続手段は、端子５１．５２とソケゾト郭と
で構成され、端子５１は、真空室１０側壁に絶縁体５４
ヲ介して気密に設けられている。端子５１の一端（第３
図では左端）は、電源（図示省略）と接続され、他端（
第３図では右端）には、真空室１０内に突出してソケッ
ト５３が設けられている。このソケット５３は、弾性を
有する材料で形成されている。端子５２は、シャッター
１３の往復動によりソケット５３（こ抜脱可能な位置で
、絶縁体５５を介してシャッター１３に設けられるとと
もに、ヒータ３０′と接続されている。なお、真空室１
０側壁には、ターゲット粒子暑こよる汚染および絶縁破
壊を防止するため端子５１とソケン）５３とを包囲して
カバー５６が設けられている。
で構成され、端子５１は、真空室１０側壁に絶縁体５４
ヲ介して気密に設けられている。端子５１の一端（第３
図では左端）は、電源（図示省略）と接続され、他端（
第３図では右端）には、真空室１０内に突出してソケッ
ト５３が設けられている。このソケット５３は、弾性を
有する材料で形成されている。端子５２は、シャッター
１３の往復動によりソケット５３（こ抜脱可能な位置で
、絶縁体５５を介してシャッター１３に設けられるとと
もに、ヒータ３０′と接続されている。なお、真空室１
０側壁には、ターゲット粒子暑こよる汚染および絶縁破
壊を防止するため端子５１とソケン）５３とを包囲して
カバー５６が設けられている。
このような接続手段を用いた場合は、端子とヒータとの
接続が簡素化できるとともに、ヒータへの通電をシャッ
ターの往復動により簡単に行うことができる。
接続が簡素化できるとともに、ヒータへの通電をシャッ
ターの往復動により簡単に行うことができる。
第４図は、接続手段の更に他の実施例を説明するもので
、シャッターが回動により移動する場合に好適である。
、シャッターが回動により移動する場合に好適である。
ｆｆ１４図で、接続手段は、中空軸５６と端子５７とで
構成され、中空軸５６は、真空室１０内を３回動可能に
突設され、その真空室１ｏ内端（第４図では上端）には
、シャッター１３’がブラケット郭を介して設けられる
とともに、端子５７が、絶縁体５９を介して気密に設け
られている。端子５７の一端（第４図では下端）は電源
（図示省略）と接続され、他端（第４図では上端）は、
ヒータ（９）′とされている。
構成され、中空軸５６は、真空室１０内を３回動可能に
突設され、その真空室１ｏ内端（第４図では上端）には
、シャッター１３’がブラケット郭を介して設けられる
とともに、端子５７が、絶縁体５９を介して気密に設け
られている。端子５７の一端（第４図では下端）は電源
（図示省略）と接続され、他端（第４図では上端）は、
ヒータ（９）′とされている。
このような接続手段を用いた場合は、端子とヒータとの
接続を簡素化できる。
接続を簡素化できる。
第５図は、加熱手段の他の実施例を説明するもので、１
加熱手段は、ヒータ関′と均熱板３１とで構成されてい
る。試料台１２と刈向してシャッター１３には、均熱板
３１が設けられ、また、均熱板３１とシャッター１３と
の間には、ヒータ（９）′が均熱板３１に接して設けら
れている。
加熱手段は、ヒータ関′と均熱板３１とで構成されてい
る。試料台１２と刈向してシャッター１３には、均熱板
３１が設けられ、また、均熱板３１とシャッター１３と
の間には、ヒータ（９）′が均熱板３１に接して設けら
れている。
このような加熱手段を用いた場合は、基板の加熱が更に
均一化でき、したがって、基板への薄膜の形成を更に均
一化できる。
均一化でき、したがって、基板への薄膜の形成を更に均
一化できる。
なお、加熱手段が設けられるシャッター面を鏡面とする
ことで、熱の反射量が向上し、したがって、加熱効率が
更に向上する。
ことで、熱の反射量が向上し、したがって、加熱効率が
更に向上する。
本発明は、以上説明したように、試料台と刈向するシャ
ッター面に加熱手段を設けたことで、試料台に載置され
た基板を所定温度に加熱するの瘉こ要する時間を短縮で
きるので、スループソ）が向上するという効果がある。
ッター面に加熱手段を設けたことで、試料台に載置され
た基板を所定温度に加熱するの瘉こ要する時間を短縮で
きるので、スループソ）が向上するという効果がある。
第１図は、従来の膜形成装置の縦断面図、第２図は、本
発明による膜形成装置の一実施例を示す縦断面図、第３
図は、接続手段の他の実施例を示す接続手段近傍の拡大
断面図、第４図は、接続手段の更に他の実施例を示す接
続手段近傍の拡大断イとの 面図、第５図は、加熱手段の実施例を示す膜形成△ 装置の縦断面図である。 １０・・・・・・真空室、１１・・・・・・ターゲット
電極、１２・・・・・試料台、１３．１３’・・・・・
・シャッター、加・・・・空間、（９）′・・・・・・
ヒータ、印ないし５２．５７・・・・・・端子、閏・・
・・・・ソケット、５６・・・・・・中空軸 ３１−１図 才２ｍ 才３図
発明による膜形成装置の一実施例を示す縦断面図、第３
図は、接続手段の他の実施例を示す接続手段近傍の拡大
断面図、第４図は、接続手段の更に他の実施例を示す接
続手段近傍の拡大断イとの 面図、第５図は、加熱手段の実施例を示す膜形成△ 装置の縦断面図である。 １０・・・・・・真空室、１１・・・・・・ターゲット
電極、１２・・・・・試料台、１３．１３’・・・・・
・シャッター、加・・・・空間、（９）′・・・・・・
ヒータ、印ないし５２．５７・・・・・・端子、閏・・
・・・・ソケット、５６・・・・・・中空軸 ３１−１図 才２ｍ 才３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 真空室に、ターゲット取付用のターゲット電極と、
基板載置用の試料台とが所定の空間を有し対向して内設
されると共に、前記空間暑こシャッターが移動可能に配
設された装置において、前記試料台と対向する前記シャ
ッター面に加熱手段を設けたことを特徴とする膜形成装
置。 ２、 前記加熱手段を、電源と接続手段を介し接続され
たヒータとした特許請求の範囲ｔＪ１項記載の膜形成装
置。 ３、前記加熱手段を、電源と接続手段を介し接続された
ヒータと、均熱板とで構成した特許請求の範囲第１項記
載の膜形成装置。 ４、 前記接続手段を、前記電源と一端が接続されて前
記真空室矛こ気密に設けられた端子と、真空室内に突出
して端子の他端に設けられたソケットと、該ソケットに
抜脱可能な位置で前記シャッターｉこ設けられるととも
に、前記ヒータと接続された端子とで構成した特許請求
の範囲第２項又は第３項記載の膜形成装置。 ５、 前記接続手段を、前記真空室内に回動可能に突設
されるとともに、前記シャッターが設けられた中空軸と
、前記電源並びに前記ヒータと接続されて中空軸に気密
に設けられた端子とで構成した特許請求の範囲第２項又
は第３項記載の膜形成装置。 ６、前記シャッター面を鏡面とした特許請求の範囲第１
項記載の膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14932682A JPS5941469A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14932682A JPS5941469A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5941469A true JPS5941469A (ja) | 1984-03-07 |
Family
ID=15472662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14932682A Pending JPS5941469A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5941469A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002129326A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-09 | Anelva Corp | 基板加熱機構付シャッタを有する成膜装置及び成膜方法 |
| CN109457225A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-03-12 | 深圳市致远动力科技有限公司 | 电池材料镀膜设备 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5524132U (ja) * | 1978-08-03 | 1980-02-16 |
-
1982
- 1982-08-30 JP JP14932682A patent/JPS5941469A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5524132U (ja) * | 1978-08-03 | 1980-02-16 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002129326A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-09 | Anelva Corp | 基板加熱機構付シャッタを有する成膜装置及び成膜方法 |
| CN109457225A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-03-12 | 深圳市致远动力科技有限公司 | 电池材料镀膜设备 |
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