JPS5941474A - スパツタリング方法 - Google Patents
スパツタリング方法Info
- Publication number
- JPS5941474A JPS5941474A JP15225482A JP15225482A JPS5941474A JP S5941474 A JPS5941474 A JP S5941474A JP 15225482 A JP15225482 A JP 15225482A JP 15225482 A JP15225482 A JP 15225482A JP S5941474 A JPS5941474 A JP S5941474A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- heat insulating
- insulating material
- pattern
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はスパッタリング方法に関するものである。
従来、ウェーハ上にＭ配線を形成するためのＡｒ雰囲気
中におけるんスパッタリング（Ａｒ雰囲気；１×ｌＯｔ
Ｏｒｒ、ＤＣ電源；１ｋＷ）におイテ、ウェーハ上にＮ
′薄膜を形成する際１．第１図に示すように、Ｍイオン
１によりＭターゲット２からたたき出されたＭ粒子３が
ウェーハ４に付着するときに生じる運動エネルギーのた
めに、ウェーハ４の温度が上昇して付着用が白濁してし
まうという欠点が生じていた。
中におけるんスパッタリング（Ａｒ雰囲気；１×ｌＯｔ
Ｏｒｒ、ＤＣ電源；１ｋＷ）におイテ、ウェーハ上にＮ
′薄膜を形成する際１．第１図に示すように、Ｍイオン
１によりＭターゲット２からたたき出されたＭ粒子３が
ウェーハ４に付着するときに生じる運動エネルギーのた
めに、ウェーハ４の温度が上昇して付着用が白濁してし
まうという欠点が生じていた。
この発明は、このような事情に鑑みなされたもので、ウ
ェーハをアノード側にし、金執をカソード側にしてスパ
ッタリングすることによりウェーハの板面にカソード金
属を付着させるスパッタリング方法であって、ウェーハ
として、板面が断熱材によって所望のパターンを形成し
た状態でマスキングされているものを用いることをその
特徴とするものである。
ェーハをアノード側にし、金執をカソード側にしてスパ
ッタリングすることによりウェーハの板面にカソード金
属を付着させるスパッタリング方法であって、ウェーハ
として、板面が断熱材によって所望のパターンを形成し
た状態でマスキングされているものを用いることをその
特徴とするものである。
すなわち、この発明によれば、断熱材によるマスキング
によって、Ｍ粒子がマスキングされていないウェーハの
部分だけに衝突し、これまでのように、ウェーハの全面
に衝突しなくなるため、ウェーハの温度上昇を防ぐこと
ができ、それによつ 。
によって、Ｍ粒子がマスキングされていないウェーハの
部分だけに衝突し、これまでのように、ウェーハの全面
に衝突しなくなるため、ウェーハの温度上昇を防ぐこと
ができ、それによつ 。
てＡｔの白濁を防止しうるのである。
つぎに、この発明を実施例にもとづいて詳しく説明する
。
。
第２図はこの発明の一実施例の構成図である、。
図において、５はカンード側のＮターゲット、６はアノ
ード側のウェーハでその表面に断熱材７によシ所望のパ
ターンが形成されている。
ード側のウェーハでその表面に断熱材７によシ所望のパ
ターンが形成されている。
この構成において、Ｎターゲット５がらＮ粒子がアノー
ド側のウェーハ６に向かって投射される。
ド側のウェーハ６に向かって投射される。
この投射Ａ１粒子は、パターン部８からのみウェー・ハ
ロの表面に到達し、それ以外の部分では断熱材７によっ
て遮断される。すなわち、断熱材７によりウェーハ６へ
のＮ粒子の衝突量が規制され、それによってウェーハ６
の温度上昇が防止されるのである。なお、付着Ａ１粒子
によりウェーハ６上にん配線が形成される。
ロの表面に到達し、それ以外の部分では断熱材７によっ
て遮断される。すなわち、断熱材７によりウェーハ６へ
のＮ粒子の衝突量が規制され、それによってウェーハ６
の温度上昇が防止されるのである。なお、付着Ａ１粒子
によりウェーハ６上にん配線が形成される。
このように、この実施例では、パターン付断熱材７を利
用してスパッタリングを行うため、Ｎ粒子の衝突量が規
制されてウェーハ６の温度上昇が防がれ付着Ａ１の白濁
が防止されるようになるとともに、スパッタリングによ
ってん配線を同時に形成しうるという効果が得られるよ
うになる。
用してスパッタリングを行うため、Ｎ粒子の衝突量が規
制されてウェーハ６の温度上昇が防がれ付着Ａ１の白濁
が防止されるようになるとともに、スパッタリングによ
ってん配線を同時に形成しうるという効果が得られるよ
うになる。
以上のように、この発明は、ウェーハをアノード側にし
、金属をカンード側にしてスパッタリングすることによ
りウェーハの板面にカンード金属を付着させるヌパッタ
リング方法であって、ウェーハとして、板面が断熱材に
よって所望のパターンを形成した状態でマスキングされ
ているものを用いるため、金属粒子のウェーハへの衝突
量を低減してウェーハの温度上昇を防止し、付着金属の
白濁等を防止しうるようになる。また、金鶏スパッタリ
ングの段階での金属パターンニングも可能となるのであ
る。
、金属をカンード側にしてスパッタリングすることによ
りウェーハの板面にカンード金属を付着させるヌパッタ
リング方法であって、ウェーハとして、板面が断熱材に
よって所望のパターンを形成した状態でマスキングされ
ているものを用いるため、金属粒子のウェーハへの衝突
量を低減してウェーハの温度上昇を防止し、付着金属の
白濁等を防止しうるようになる。また、金鶏スパッタリ
ングの段階での金属パターンニングも可能となるのであ
る。
第１図は従来例の説明図、第２図はこの発明の一実施例
の構成図である。 ５・・・ＡＩメタ−ット ６・・・ウェーハ ７・・・
断熱材８・・・パターン部 特許出願人 松下電工株式会社 代理人 弁理士 松 本 武 彦
の構成図である。 ５・・・ＡＩメタ−ット ６・・・ウェーハ ７・・・
断熱材８・・・パターン部 特許出願人 松下電工株式会社 代理人 弁理士 松 本 武 彦
Claims (2)
- （１） ウェーハをアノード１１１１にし、金属をカ
ソード側にしてスパッタリングすることによりウェーハ
の板面にカソード金属を付着させるスパッタリング方法
であって、ウェーハとして、板面が断熱材によってＰ）
ｒ望のパターンを形成した状態でマスキングされている
ものを用いることを特徴とするスパッタリング方法。 - （２）金属がＡＩである特許請求の範囲第１項記載のス
パッタリング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15225482A JPS5941474A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | スパツタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15225482A JPS5941474A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | スパツタリング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5941474A true JPS5941474A (ja) | 1984-03-07 |
Family
ID=15536455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15225482A Pending JPS5941474A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | スパツタリング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5941474A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4816019B1 (ja) * | 1969-10-29 | 1973-05-18 | ||
| JPS501708A (ja) * | 1973-05-04 | 1975-01-09 |
-
1982
- 1982-08-31 JP JP15225482A patent/JPS5941474A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4816019B1 (ja) * | 1969-10-29 | 1973-05-18 | ||
| JPS501708A (ja) * | 1973-05-04 | 1975-01-09 |
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