JPS6338575A - スパツタ用マスク板 - Google Patents
スパツタ用マスク板Info
- Publication number
- JPS6338575A JPS6338575A JP61182190A JP18219086A JPS6338575A JP S6338575 A JPS6338575 A JP S6338575A JP 61182190 A JP61182190 A JP 61182190A JP 18219086 A JP18219086 A JP 18219086A JP S6338575 A JPS6338575 A JP S6338575A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- sic
- mask plate
- sheet
- mask sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はＳｉＣ薄膜を形成する時に用いるスパッタ用マ
スク板に関するものである。
スク板に関するものである。
従来の技術
以下図面を参照にしながら従来のスパッタ用マスク板に
ついて説明を行う。
ついて説明を行う。
従来のスパッタ用マスク板は第４図に示す様に０．２
ｍｍ −ｏ、ｓ ｍｍの金属またはセラミック製の薄板
１に、被スパツタ物である絶縁基板のＳｉＣ薄膜を形成
させる所に合わせてマスク穴２を設は絶縁基板に密着さ
せて使用する構造であった。
ｍｍ −ｏ、ｓ ｍｍの金属またはセラミック製の薄板
１に、被スパツタ物である絶縁基板のＳｉＣ薄膜を形成
させる所に合わせてマスク穴２を設は絶縁基板に密着さ
せて使用する構造であった。
発明が解決しようとする問題点
ところがこの様な従来の構造では、スパッタ用マスク板
はヒータでの加熱、スパッタエネルギーによる発熱、お
よびスパッタ用マ虫り板とスパッタ用マスク板に付着す
るＳｉＣとの熱膨張系数の相異により、スパッタ中にス
パッタ用マスク板が反ることにより、スパッタ用マスク
板と被スパツタ物である絶縁基板の間に間隙が生じ、絶
縁基板上のＳｉＣが形成されるべき所の周囲にもＳｉＣ
かにじんだ様に形成され、スパッタ用マスク板としての
機能を十分果さなかった。この現象は第６図Ａに示すよ
うにマスク板が薄い程顕著に見られる。従って、スパッ
タ用マスク板を厚くすることにより、反りを小さくする
事はできるが、第５図已に示すように逆にスパッタ用マ
スク板の影となって絶縁基板に規定のＳｉＣの膜厚を得
るためのスパッタ時間が長くなり、実用；Ｃ供せなかっ
た。
はヒータでの加熱、スパッタエネルギーによる発熱、お
よびスパッタ用マ虫り板とスパッタ用マスク板に付着す
るＳｉＣとの熱膨張系数の相異により、スパッタ中にス
パッタ用マスク板が反ることにより、スパッタ用マスク
板と被スパツタ物である絶縁基板の間に間隙が生じ、絶
縁基板上のＳｉＣが形成されるべき所の周囲にもＳｉＣ
かにじんだ様に形成され、スパッタ用マスク板としての
機能を十分果さなかった。この現象は第６図Ａに示すよ
うにマスク板が薄い程顕著に見られる。従って、スパッ
タ用マスク板を厚くすることにより、反りを小さくする
事はできるが、第５図已に示すように逆にスパッタ用マ
スク板の影となって絶縁基板に規定のＳｉＣの膜厚を得
るためのスパッタ時間が長くなり、実用；Ｃ供せなかっ
た。
本発明はこの髄な問題点を解決するもので、反りにくく
かつ短時間で被スパツタ物である絶縁基板に規定のＳｉ
Ｃ膜厚の得られる、スパッタ用マスク板を提供すること
を目的とするものである。
かつ短時間で被スパツタ物である絶縁基板に規定のＳｉ
Ｃ膜厚の得られる、スパッタ用マスク板を提供すること
を目的とするものである。
問題点を解決するだめの手段
この問題点を解決するために本発明のスパッタ用マスク
板は、被スパツタ物である絶縁基板のＳｉＣが形成され
るべき所に合わせて設けた穴に、ＳｉＣが飛来する方向
に開いたテーパーを設けたものである。
板は、被スパツタ物である絶縁基板のＳｉＣが形成され
るべき所に合わせて設けた穴に、ＳｉＣが飛来する方向
に開いたテーパーを設けたものである。
作用
この構成により、スパッタ用マスク板の厚さをスパッタ
中の反りを無視できるくらい厚くして（マスク穴にＳｉ
Ｃが飛来する方向に開いたテーパーを設けているため、
被ス・バッタ物である絶縁基板が、スパッタ用マスク板
の影にほとんどならずに、規定のＳｌＣ膜厚を得るため
のスパッタ時間も従来のスパッタ用マスクを用いた時と
ほとんど変わらない。よって反りに〈＜、かつ短時間で
絶縁基板に規定のＳｉＣ膜厚が得られることとなる。
中の反りを無視できるくらい厚くして（マスク穴にＳｉ
Ｃが飛来する方向に開いたテーパーを設けているため、
被ス・バッタ物である絶縁基板が、スパッタ用マスク板
の影にほとんどならずに、規定のＳｌＣ膜厚を得るため
のスパッタ時間も従来のスパッタ用マスクを用いた時と
ほとんど変わらない。よって反りに〈＜、かつ短時間で
絶縁基板に規定のＳｉＣ膜厚が得られることとなる。
実施例
以下、本発明の一実施例のスパッタ用マスク板を図面を
参照に説明する。
参照に説明する。
第１図に示すように、金属またはセラミック芙の薄板１
に、被スパツタ物である絶縁基板のＳｉＣが形成される
べき所に合わせて設けたマスク穴２にＳＩＧが飛来する
方向に開いたテーパー３を設けた構造である。
に、被スパツタ物である絶縁基板のＳｉＣが形成される
べき所に合わせて設けたマスク穴２にＳＩＧが飛来する
方向に開いたテーパー３を設けた構造である。
以上の様に構成されたスパッタ用マスク板について、実
施例の説明を行う。まず、薄板１の厚さは、スパッタ中
に生じる反りを少なくでき、かつ加工の容易な厚さ、ｏ
、ｓ ｍｍから３ｍｍを有する。
施例の説明を行う。まず、薄板１の厚さは、スパッタ中
に生じる反りを少なくでき、かつ加工の容易な厚さ、ｏ
、ｓ ｍｍから３ｍｍを有する。
次にテーパーの角度は、効率よく、つまり第２図に示す
ように、短時間で規定のＳｉＣ膜厚を得ることができ、
隣接するマスク穴に影響を与えず、かつ薄板１の平均厚
みが、薄板１の反りに影響するくらいに薄くならない、
薄板１の板面を基準に３０度から６０度の角度を有する
ようにする。
ように、短時間で規定のＳｉＣ膜厚を得ることができ、
隣接するマスク穴に影響を与えず、かつ薄板１の平均厚
みが、薄板１の反りに影響するくらいに薄くならない、
薄板１の板面を基準に３０度から６０度の角度を有する
ようにする。
尚、第３図はテーパー角度を４６°とした場合の結果で
あり、第５図の場合と比較してスパッタ時間の改善がな
されていることがわかる。又、第２図、第３図において
、人はスパッタ用マスク板の反り、Ｂは１０μｍのＳｉ
Ｃ膜厚を得るためのスパッタ時間を示す。
あり、第５図の場合と比較してスパッタ時間の改善がな
されていることがわかる。又、第２図、第３図において
、人はスパッタ用マスク板の反り、Ｂは１０μｍのＳｉ
Ｃ膜厚を得るためのスパッタ時間を示す。
発明の効果
以上のように本実施例によれば、スパッタ用マスク板の
被スパツタ物である絶縁基板のＳｉＣが形成されるべき
所に合わせて設けたマスク穴に、ＳｉＣが飛来する方向
に開けたテーパーを設けることにより、反りにくく、か
つ短時間で規定のＳｉＣ膜厚を得られるスパッタ用マス
ク板を得ることができる。
被スパツタ物である絶縁基板のＳｉＣが形成されるべき
所に合わせて設けたマスク穴に、ＳｉＣが飛来する方向
に開けたテーパーを設けることにより、反りにくく、か
つ短時間で規定のＳｉＣ膜厚を得られるスパッタ用マス
ク板を得ることができる。
第１図は本発明における一実施例を示し、第１図＆はス
パッタ用マスク・板の正面図、第１図すは第１図ａのム
ーＡ′断面図、第２図、第３図はマスク板に設けたテー
パーの影響を示す特性図、第４図は従来例を示し、第４
図ａはスパッタ用マスク板の正面図、第４図すは第７図
ａのＢ −Ｂ’断面ス、第５図はマスク板厚みとその反
り、スパッタ時間を示す特性図でちる。 １・・・・・・薄板、２・・・・・・マスク穴、３・・
・・・・テーパー。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 （α） テーパー煎−スハ〜り吟「ｉ テーパー角及イ及） ニ（）％つζシｎ７マ°；（つＬ１２ξ２ｊ−ろ（−二
ζ〕も、グ屓覆−２つ乙（受り及りスパー７グ用マスク
リみ（ｍ広） 第４図 （ｂ）＝コロロロロ二象／
パッタ用マスク・板の正面図、第１図すは第１図ａのム
ーＡ′断面図、第２図、第３図はマスク板に設けたテー
パーの影響を示す特性図、第４図は従来例を示し、第４
図ａはスパッタ用マスク板の正面図、第４図すは第７図
ａのＢ −Ｂ’断面ス、第５図はマスク板厚みとその反
り、スパッタ時間を示す特性図でちる。 １・・・・・・薄板、２・・・・・・マスク穴、３・・
・・・・テーパー。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 （α） テーパー煎−スハ〜り吟「ｉ テーパー角及イ及） ニ（）％つζシｎ７マ°；（つＬ１２ξ２ｊ−ろ（−二
ζ〕も、グ屓覆−２つ乙（受り及りスパー７グ用マスク
リみ（ｍ広） 第４図 （ｂ）＝コロロロロ二象／
Claims (2)
- （１）絶縁基板のＳｉＣが形成されるべき所に合わせて
設けた穴に、ＳｉＣが飛来する方向に開いたテーパーを
設けたスパッタ用マスク板。 - （２）テーパーの角度を、スパッタ用マスク板の板面を
基準として３０度から６０度、板厚を０．５ｍｍから３
ｍｍとした特許請求の範囲第１項記載のスパッタ用マス
ク板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61182190A JPS6338575A (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | スパツタ用マスク板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61182190A JPS6338575A (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | スパツタ用マスク板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6338575A true JPS6338575A (ja) | 1988-02-19 |
Family
ID=16113909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61182190A Pending JPS6338575A (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | スパツタ用マスク板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6338575A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030008719A (ko) * | 2001-07-19 | 2003-01-29 | 오리온전기 주식회사 | 유기이엘(ｅｌ) 소자용 마스크 형성 방법 |
| US12604683B2 (en) * | 2021-08-30 | 2026-04-14 | Feng Chia University | Semiconductor processing equipment part and method for making the same |
-
1986
- 1986-08-01 JP JP61182190A patent/JPS6338575A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030008719A (ko) * | 2001-07-19 | 2003-01-29 | 오리온전기 주식회사 | 유기이엘(ｅｌ) 소자용 마스크 형성 방법 |
| US12604683B2 (en) * | 2021-08-30 | 2026-04-14 | Feng Chia University | Semiconductor processing equipment part and method for making the same |
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