JPS5942390A - セフアロスポリン化合物の製造法 - Google Patents

セフアロスポリン化合物の製造法

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JPS5942390A
JPS5942390A JP57153569A JP15356982A JPS5942390A JP S5942390 A JPS5942390 A JP S5942390A JP 57153569 A JP57153569 A JP 57153569A JP 15356982 A JP15356982 A JP 15356982A JP S5942390 A JPS5942390 A JP S5942390A
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滋 鳥居
Hideo Tanaka
秀雄 田中
Junzo Nogami
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Michio Sasaoka
笹岡 三千雄
Takashi Shiroi
城井 敬史
Norio Saito
斎藤 紀雄
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    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D501/00Heterocyclic compounds containing 5-thia-1-azabicyclo [4.2.0] octane ring systems, i.e. compounds containing a ring system of the formula:, e.g. cephalosporins; Such ring systems being further condensed, e.g. 2,3-condensed with an oxygen-, nitrogen- or sulfur-containing hetero ring
    • C07D501/02Preparation
    • C07D501/08Preparation by forming the ring or condensed ring systems

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  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
  • Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、セファロスポリン化合物の製造法に関する。
より詳しくは、本発明は、一般式〔式中、Rはアル+ル
基、アルケニル基、置換もしくは非置換のアリール基、
置換もしくは非置換のアリールメチル基又は置換もしく
は非置換のフェノ+ジメチル基を示し、Rはカルボ十シ
ル基又は保護されたカルボ十シル基を示し、Yは求核剤
残基を示す。〕 で表わされるしファDスポリン化合物の製造法に関する
一般式(■)で表わされるセファロスポリン化合物は、
抗菌作用を有し、抗菌剤として有用な化合物である。ま
た、該化合物は、7位ア三ド、基の脱アシル化及び再ア
シル化により、一般に広く使用されているセファ0スポ
リシ系抗生物質へと変換できる重要な合成中間体である
本発明の目的とする所は、上記一般式(Hのセファロス
ポリン化合物を安価で入手容易な原料化合物から簡便な
操作で、高純度且つ高収率にて製造し得る方法を提供す
ることにある。
上記一般式(V)において、Rで表わされるアル+ル基
としては、メチル、エチル、づ0じル、イソづ0じル、
ブチル、l−ブチル等の炭素数1−4の低級アル+ル基
を例示でき、アルケニル基トシて、アリル、ブテニル、
へ十寸ニル等の炭素数2−6の低級アルケニル基を例示
できる。またアリール基としては、フェニル、ナフチル
等を、置換アリール基としては、置換基として、低級ア
ル+ル基、ハロゲン原子、ニド0基、低級アル十ルオ十
シ基等を芳香族環状に有するフェニル基、例えばトリル
、十シリル、p−り00フエニル、戸−ニトロフェニル
、p−メト中ジフェニル等が例示できる。アリールメチ
ル基としては、ベンジル、ナフチルメチル等を、置換ア
リールメチル基としでは、置換基として低級アル十ル基
、ハロゲン原子、ニドO爪、低級アル+ルオ+シ基等を
フロフェニルメチル、p−メト+ジフェニルメチル等が
例示できる。置換もしくは非置換のフェノ+ジメチル基
としては、フェノ+ジメチル基、置換基として低級Pル
+ル基、ハロゲン原子、ニトロル、戸−り00フエノ+
シメチjし、p−二l−oフェノ+ジメチル、戸−メト
+ジフェニルメチル等を例示できる。
また、Rで表わされる保護されたカルボ+シル基として
は、一般式C0ORで表わされるエステ5し、一般式C
0HHR’  で表わされる酸アミド等を例示できる。
上記Rパとしては、メチル、2.2.2−トリクDOエ
チ1し、ジフェニルメチル、ヘンシル、戸−ニトロベン
ジル、イソブチル、l−ブチル等の通常のカルボン酸保
護基が例示できる。
また、Yで表わされる求核剤残基としては、一5Rで表
わされる基、水酸基、保護された水酸基、ニトロオ+シ
基(−QNO2)−4を例示できる。
上記Rとしては、ハロゲン原子を置換基として有するこ
とのある炭素数1−4の低級アル+ル基、例えばメチル
、エチル、づ口じル、イソづOじル、ブチル、l−づチ
ル又はフェニル基又はIf置換基して低級アル+ル基、
ハロゲン原子、ニドD基、低級アル+ルオ十シ基等を有
するフェニル基、例えばトリJし、戸−り00フエニル
、戸−二トOフェニル、戸−メト+ジフェニル等を例示
できる。
またR は、上記Rと同一か又は置換もしくは非置換の
芳香族複素PJ残基、例えば 上記において、Rとしては水酸基、カルボ+シル基若し
くはアミンの保護基、例えばメチル、エチル、プDヒル
尋の低級アル+ル基1等を例示できは前記に同じ。〕を
例示できる。
本発明によれば、上記一般式(V)のセファ0スポリン
化合物は、以下の如くして製造できる。
即ち、一般式 〔式中、R及びRは前記に同じ。〕 で表わされるチアソリノアセチジノン誘導体を、後述す
る方法により、求核剤と反応させて二重結合の位置を変
えることなく、求核剤残基を導入して、一般式 〔式中、R1、R2及びYは前記に同じ。〕で表わされ
るチアリリノアセチジノン誘導体金得る。
次いで、該化合物を含水溶媒中、一般式%式%() 〔式中、Zは置換もしくは非置換のアリール基又は置換
もしくは非置換の芳香族複素環残基を示し、Xはハロゲ
ン原子を示す。〕 で表わされる含硫黄化合物と反応させて、一般式〔式中
、R1、R2、Y及びZは前記に同じ。〕で表わされる
アでチジノン誘導体を得る。
次いで上記一般式(ff)の化合物に、有機溶媒中アン
モニアを作用させることにより前記一般式(V)の化合
物を得ることができる。
本発明において出発物質とする前記一般式(1)の化合
物は、例えば一般式 1 〔式中、R1及びR2は前記に同じ。〕で表わされる・
公知チアソリノアセチジノン誘導体から、既報の方法、
例えばTetraktdron  Letters。
22.3193(1981)に従い賽易に合成できる。
本発明において、中間体である一般式(11)の化合物
は、一般式(I)の出発原料化合物と求核剤との反応で
得られる。この反応では、一般式(1)の化合物のC=
C二重結合の位置を変えることなく、求核剤によシアリ
ル位の塩素原子を置換して、一般式(置)の化合物を得
ることが必須である。
従来、下記反応式で示される数工程反応による一般式(
1)の化合物(R=メチル、t−jチル、ているC1.
Am、Chtm、Sot、、 99 、 248(19
77))。
しかし、この方法には、■−プOモスクシンイミド(#
BS)専の高価な反応剤を使用する必要があり、2重結
合の移動を伴うため数工程の反応工程を必要とし、全工
程をm しての収率が低い等の難点があり、実用的方法
とは到底言えなかった。
これに対し、本発明においては簡便な方法で、二重結合
の移動を伴うことなく、高収率で一般式(1)の化合物
を得ることができる3゜本発明の一般式(1)の化合物
から一般式(1)の化合物への変換は、f記反応式(A
) −(C)の方法にて夫々行える。
反応式(A) 1 2 (1) 1 2 (1) 反応式CB) 1 2 (1)       R1 (1) 11 (1)」二記反応式(A)の方法は、Yが一5COR3
(式中Rは前記に同じ、、〕である一般式(II)の化
合物の製造に特に有利である。即ち、一般式(1)の化
合物?、有機溶媒中で、一般式+1         
  (1) MSCOR’ 〔式中、A)はアルカリ金属を示し、Rは前記に同じ。
〕 で表わされる求核剤と反応させると、二重結合の位置を
変えることなく、一般式(I)の化合物1 であってYが−5COR3であるものが、1%収率でF
’4られる。上記求核剤(1)は、公知化合物であり特
にナトリウム塩又はカリウム塩の形態のものが好ましい
。上巳有機溶媒としては、一般式(1)の化合物を上記
求核剤(1)を溶11Hするものであれば特に制限なく
使用できるが、好ましくはアセトン、6酸エチル、ジメ
チルスルホ十シト、ジメチルホルムアミド等の非プロト
ン性極性溶媒を用いるのがよい。これら有機溶媒の使用
量は、反応剤を溶解する量であれば持に1lfl限はな
いが、通常一般式(I)の化合物に対し約5−100重
j倍とすればよい、、一般式(1)の原料化合物と求核
剤(1)との使用割合も広い範四内で適宜選択できるが
、一般に前者に対し後者を等七ルー10倍℃ル程度用い
るのがよい。該反応は、通常−10−40°C程度、好
ましくは室温付近にて行なわれ、一般に0.5−2時間
で完結する。
は−SR” C式中、Rは前記に同じ3.〕である一般
式(It)の化合物の製造に特に有利である。
即ち、まず一般式(I)の原料化合物とヨウ化アルカリ
、特に好ましくはヨウ化ナトリウム又はヨウ化カリウム
とを有機溶媒中で反応させると、二重結合の位置を変え
ることなく、一般式〔式中、R及びR2は前記に同じ。
〕 で表わされる化合物が得られる。次いで該化合物を有機
溶媒中、一般式 %式%(2) 〔式中、Mはアルカリ金属、Yは −5COR3は前記
に同じ。〕 で表わされる求核剤と反応させると、二重結合の位置を
変えることなく一般式(If)の化合物が高収率で得ら
れる。
上記一般式(I)の原料化合物とヨウ化アルカリとの反
応において、有機溶媒としては、両者を溶解するもので
あれば広範囲のものが使用できるが、特に非づ0トン性
極性溶媒、例えばア七トン、ジメチルスルホ千シト、ジ
メチルホルムアミド等を用いるのがよい。これらのうち
でも、特にア七トンが好ましい。これら有機溶媒の使用
量は、通常一般式(I)の原料化合物に対し、約5−1
00重量倍でよい。一般式(1)の原料化合物と3つ化
アルカリとの使用割合も広範囲から適宜選択できるが、
一般に前者に対し後者を等tルー10倍七ル程度、好ま
しくは等七ルー2倍七ル程度用いればよい。該反応は通
常0−60°C程度、好ましくは40−55°C程度に
て行なわれ、一般に0.5−4時間で終了する。
また、一般式(Vl)の化合物と求核剤(2)との反応
において、有機溶媒としては、両者を溶解するものでめ
れば広範囲のものが使用できるが、特に非プロトン性極
性溶媒、例えばアセトシ、ジメチルスルホ十シト、ジメ
チルホルムア三F等が好ましく、特にアセトシが好まし
い。これら有機溶媒は、通常一般式(Vl)の化合物に
対し約5−100重量倍程度用いられる。一般式(VI
)の化合物と求核剤(2)との使用割合は、広い範囲内
で適宜選択できるが、通常前者に対し後者を等七ルー3
倍tル程度、好−ましくけ等tルー1.5倍七ル程度用
いるのがよい。該反応は、通常−10−40℃程度、好
ましくは室温付近で行なわれ、通常0.5−4時間程度
で終rする。
(3)Yが一〇■02である一般式(1)の化合物もま
た前記反応式CB>の方法で得られる。即ち、前記(2
)で示した如き方法で得られる一般式(Vl)の沃素化
合物を、有機溶媒中でアルカリ金属硝酸塩、好ましくは
NaNO3又はKWO、と反応させると、二重結合の位
置を変えることなく、一般式(II)の化合物であって
YがニドOオ十シ基であるもの全品収率で収得できる。
上記有機溶媒としては、特にジメチルスルホ十シトが好
ましい。これら有機溶媒は、一般に一般式(■)の化合
物に対し、0゜5−10重量倍程度使用される。一般式
(Vl)の化合物とアルカリ金属硝酸塩との使用割合は
、広い範囲で適宜選択できるが、通常前者に対し後者を
等七ルー10倍七ル程度、好ましくは等七ルー5倍七ル
程度とすればよい。該反応は、通常0−100°C稗度
、好ましくは40−60°C程度にて行なわれる。まだ
副生するヨウ化アルカリを反応系外に除くため、該反応
をメタンスルホン酸メチル又はトルエンスルホン酸メチ
ルの存在下、反応系を3030−8O11り程度の減圧
下で行なうことができる。該反応は、反応条件にもよる
が、一般に0.5−6時間程度で終了する。
(4)Yが′水酸基又は体膜された水酸基である一般式
(K)の化合物は、特に前記CC)の反応式に従い有利
に製造できる。即ち、前記(3)の方法で得られるYが
一〇■02  基である一般式(1)の化合物を、酢酸
の存在下で亜鉛と反応させると、一般式 〔式中、R1及びR2は前記に同じ。〕で表わされる化
合物が得られる。この反応において、酢酸はそれ自体反
応溶媒として用いてもよいし、また他の有機溶媒と混合
して用いてもよい。かかる有機溶媒としては、酢酸、亜
鉛及び一般式(1)の化合物(Y=Of’JO2)  
に不活性なものであれば広い範囲のものが使用でき、例
えば#酸エチ)+v1酢酸メチル、プロじオシ酸メチル
等の低級カルボン酸の低級アル+ルエステル類、ジエチ
ルエーテル、テトラしドロフラン、ジオキサン等のエー
テル類、塩化メチレジ、ジクDルエタυ、クロロホルム
等のハロゲン化炭化水素類、ベンセン、トルエン、十シ
レン等の芳香族炭化水素類等を例示できる。これら不活
性有機溶媒は、酢酸との混合物中、約90芥量%まで、
好ましくは20−70容量%となるよう使用するのがよ
い。酢酸の使用址は、単独使用する場合、他の有機溶媒
と混合使用する場合を問わず、一般式(1)の化合物(
Y−ON02)に対し、通常10−200倍tル程度と
なるような遺とすればよい。一般式(I)の化合物(Y
−O■02)と徂鉛との使用割合は広い範囲で適宜選択
できるが、通常前者に対し後者を約3−10倍11: 
Ilz程度、好ましくは3−5倍℃ル程度とするのがよ
い。反応は通常−30−50℃程度、好ましくは−10
−30°C程度で行なわれ、一般に0.5−3時間程度
で完了する。
更にこうして得られる一般式(IX)の化合物の水酸基
を保護することによシ、Yが保護された水酸基である一
般式(II)の化合物を高収率で得ることができる。こ
の水酸基の保護は、一般式(N)の化合物と相当する保
護基導入剤、例えば前記と同じであり、Aは塩素、臭素
又はヨウ素原子を示す。〕等とを反応させることによシ
行なわれる。該反応は、通常有機溶媒中、酸捕捉剤の存
在下に行なう。好ましい酸捕捉剤としては、ごリジン、
ポリマーサポーテイソドじリジン、分子ふるい、イミダ
ソール等が挙げられる。
反応温度は、比較的低温度が望ましく、一般に一5o−
io°C程度が好適である。一般式(IX)の化合物と
酸捕捉剤との使用割合としては広い範囲から適宜選択で
き、通常前者に対し後者を等℃ルー30倍tル程度、好
ましくは等七ルー10倍モル程度とすればよい。一般式
([)の化合物と保護基導入剤との使用割合は、保護基
導入剤の種類、その他の反応条件等によっても変化する
が、通常前者に対し後者を等七ルー30倍七ル程度、好
ましくは等tルー10倍七ル程度とすればよい。上記有
機溶媒としては、前記反応条件下に不活性な溶媒を広く
使用でき、例えばジエチルエーテル、テトラしドロフラ
ン、ジオ十サン等のエーテル類、塩化メチレン、ジグ0
ルエタン、り00ホルム等のハロゲン化炭化水素類、ベ
ンゼン、トルエン、+シレン等の芳香族炭化水素類を挙
げることができる。これら有機溶媒の使用量は、一般に
一般式(IX)の化合物の約1−20iffi倍とすれ
ばよい。該反応は、通常0.5−12時間を要する。
以上(1) −(4)の方法により得られる一般式(1
)の化合物は、次いで一般式 %式%() 〔式中、Zは置換もしくは非置換のアリール基又は置換
もしくは非置換の芳香族複素環残基を示し、Xはハロゲ
ン原子を示す。〕 で表わされる含硫黄化合物と反応させて、一般式(1v
)の化合物を得る。
ここで、Zで表わされる置換もしくは非置換のアリール
基としては、フェニル基、置換基としてハロゲン原子、
ニド0基等を有するフェニル基、例えば戸−二ト0フェ
ニル、ペンタクOOフェニル、トリゲ00フェニル等が
例示される。また置換もしくは非置換の芳香族複素jJ
l残基としては、2−じリジル、2−ペンリチアリジル
、L3,4−チアシア9−ルー2−イル、5−メチル−
1,3,4−チアシア9−ルー2−イル等が例示できる
。また、Xで示されるハロゲン原子としては、塩素、臭
素、沃累等の各原子が例示でき、特に塩素原子が好まし
い。
上記一般式(1)の化合物と一般式(IN)の含硫黄化
合物との反応は、含水有機溶媒中で行なわれる。
有機溶媒としては、ジメチルスルホ千シト、ジオ十tシ
、テトラしドロフラジ等が使用でき、これらは通常一般
式(I)の化合物に対し5−50重量倍程度用いるのが
好ましい。含水有機溶媒中に占める水の量としては広い
範囲から適宜選択できるが、通常一般式(1)の化合物
に対し約1−500七ル倍、好ましくは約10−100
七ル倍とすればよい。一般式(1)の化合物と一般式(
1)の化合物との使用割合も広い範囲から適宜選択でき
るが。
通常前者に対し後者を等七ルー10倍七ル程度、好まし
くは等七ルー4倍七ル程度用いるのがよい。
該反応は、通常−10−60℃程度、好ましくは室温付
近で行なわれ、一般に0.1−2時間程で終了する。尚
、この反応においては、無機酸又は有機酸を存在させる
ことによυ収率が向上することがある。無機酸としては
硫酸、塩酸等が好゛ましく有機酸としてはトリフルオロ
酢酸、戸−トルエンスルホン酸等が好ましい。これら酸
の使用量は、一般式(目)の化合物に対し1−10倍七
ル程度とすればよい。
尚、上記一般式(I)の含硫黄化合物は、不活性溶媒、
例えば四塩化炭素、クロロホルム、塩化メチレジ、ジオ
十サン、テトラしドロフラン等の溶媒に、相当するジス
ルフィド又はチオールを溶解し、当七ル電の分子状ハ0
ゲシを反応させることにより製造できる。こうして得ら
れる一般式(III)の化合物は、反応混合物から単離
して反応に供してもよいし、反応混合物をそのまま反応
(供してもよい。
以上の一般式(1)の化合物と一般式(1)の化合物と
の反応により得られる一般式(N)の化合物は有!s溶
媒中で、アン七ニアを作用させることにより一般式(’
fi)の最終化合物へと変換される。上記有機溶媒とし
ては、不活性な非づ0トン性極性溶媒、例えばジメチル
ホルムアミド、ジメチルアセドア三ド等が好ましく、特
にジメチルホルムアミドがよシ好ましい。一般式(W)
の化合物とアン七ニアとの使用割合としては広い範囲か
ら適宜選択できるが、通常前者に対し後者を等tルー1
0倍七ル程度、好ましくは等℃ルー3倍七ル程度とすれ
ばよい。該反応は通常−78−20℃程度、好ましくは
−40−5°C程度にて行なわれ、一般に0.1−2時
間程度で完結する。
以上により、前記一般式 〔式中、R1、R2及びYは前記に同じ。〕で表わされ
る化合物が得られる。
尚、上記一般式(v)においてYが一0N02基である
化合物(以下1−化合物(X)」という)は、更に酢酸
の存在下、亜鉛と反応させることにより一般式 〔式中、R1及びR2は前記に同じ。〕で表わされる化
合物へと訪導できる。
−゛般式(XI)で表わされるセファ0スポリン化であ
る。また一般式(n)で表わされるセファ0スポリン化 法により種々のエーテル基又はカルボン酸エステルもし
くは無機酸エステルの櫨々のエステル基に変えることに
よジ、又7位アミド基の脱アシル化及び再アシル化によ
り、一般に広く使用されている七ファDスポリン系抗生
物質に変換できる重要な合成中間体である。
化合物(X)に酢酸の存在下に亜鉛を作用させて化合物
(XI)を得る反応において酢酸の使用量としては特に
制限がなく広範囲から適宜選択され得るが、通常酢酸を
反応溶媒として用いるか、特に好ましくは他の有Ja溶
媒と酢酸との混合溶媒として用いる。有411#媒は、
混合溶媒中約90容量%まで、好ましくは約20−70
谷量%程度使用するのがよい。酢酸の使用量は、単独使
用する場合、他の有機溶媒と混合使用する場合を問わず
、化合物(1)に対し、約10−200倍七ル程度とす
ればよい。化合物(X)と亜鉛との使用割合としては特
に限定されず広い範囲で適宜選択できるが、通常化合物
(X)に対して3借上ルー10倍tル、好ましくは3借
上ルー5倍七ル用いるのがよい。反応温度としては通常
−30−50°C1好1しくは−10−30°Cで行な
われる。混合溶媒として用いる他の有機溶媒としては、
該反応条件下、酢酸及び亜鉛に不活性な溶媒を広く使用
でき、例えば酢酸エチル、酢酸メチル、プOヒオン酸メ
チル等のエステル類、ジエチルエーテル、テトラじドロ
フラジ、ジオ十サン等のエーテル類、塩化メチレン、ジ
グ0ルエタン、り00ホルΔ等のハロゲン化炭化水素類
、ベンゼン、トルエン、十シレン等の芳香族炭化水素類
等を挙げることができる。該反応は通常0.2−3時間
程度で完結する。
尚、以上の各反応において得られる一般式(Vl)、(
1)及び(ff)の化合物は、夫々単離して後引続く反
応に供してもよいし、反応混合物のまま引続く反応に供
してもよい。また、最終的に得られる一般式(■)の化
合物は、常法に従A溶媒抽出、カラムク0マドクラフイ
ー、再結晶法等を用いて精製することができる。
以下、本発明の製造法をより詳しく説明すべ〈実施例を
掲げる。尚、実施例中phはフェニル基を示す。
実施例 1 2−(3−フェノ十ジメチルー7−オ十ソー4−チアー
2,6−ジアザじシフo (3,2tOJヘプト−2−
エン−6−イル)−3−りDOメチル−3一つテン酸ベ
ンジル37.2Wにア七トシl mlを加1 え均一溶液とする。これにNa5COC2/1535 
、2哩を加え、室温下70分間かきまぜる。次に5 m
lの酢酸エチルを加えて希釈し、これを飽和食塩水で洗
浄し、■a2SO4で乾燥したのち濃縮する。得られた
無色油状残渣をシリカゲルカラム上でベンゼン続いてベ
シt!シー酢酸エチル(30:1)を用いてり0マドク
ラフイーを行ない2−(3−フェノ十ジメチルー7−オ
中ソー4−チア−2,6−ジアザじシフo (3,2+
0 )ヘプト−2エン−6−イル)−エト+ジチオカル
ボニルチオメチル−3−づテン酸ベンジルを得る( 3
4.’1li1.79%)。
NMR(δ、 CDCl5) 1.35(113H17H1)、3.80(S。
2ti)、4.60Cq、2M+7Hz)、4.90(
S 、2)/) 、 5.06 (s 、2H) 、 
 5.16(S91//)、5.37 (s、1//)
、5.86及び6.00 (ABti l 2Hl 4
HE )、6.7−7.4(m、5H)、7−32 (
K 、5// )実施例 2 2−(3−ベンジル−7−オ十ソー4−チア−2.6−
ジアザピシクo (3+2+O)ヘプト−2−エン−6
−イル)−3−りOOメチル−3−ブテン酸メチル21
.411gにアセトンl ygtを加え均一溶液I とする。これにNa5COC2H525,4wgを加え
、室温下60分間かきまぜる。次に5 mlのジメチル
エーテルを加えて希釈し、これを飽和食塩水で洗浄し、
Na25O4で乾燥したのち濃縮する。潜られた淡黄色
油状残渣をシリカゲルカラム上でベシセンー酢酸エチル
(10:1)を用いてり0マドクラフイーを行ない、2
−(3−ベンジル−7−オ十ソー4−チア−2,6−ジ
アザじシフo (3+2,0 )へづトー2−ニジ−6
−イル)−3−エト+ジチオカルボニルチオメチル−3
−ブテン酸メチルを得る( 22.8幇、86%)。
NMR(δ、 CDCl5) 1.39 (1,3H、7Hl )、3.70 (s。
5H)、3.87 (5,2H)、4.63(q。
27/ 、 71hr )、5.00 (s、L#)、
5.07(S、l//)、5.34(s、LH)、5.
87(bS、2H)、7.25(5,5//)実施例 
3 2−(3−ベンジル−7−オ十ソー4−チア−2,6−
ジアザじシフo (3,2,0)ヘプト−2−エン−6
−イル)−3−りopメチル−3−づテン酸ベンジル9
4.6HlにアセトンL2*tを加え均一溶液とする。
こ扛に”ll64.3&ii/を加え、55°Cに加熱
しながら1.5時間かきまぜる。次に室温まで冷却した
のち5 mlの酢酸エチルを加え希釈し、これを■a2
S203水溶液で洗浄、次いで飽和食塩水で洗浄し、N
a 2 SO4で乾燥したのち濃縮すると2−(3−ベ
ンジル−7−オ+ソー4−チア−2,6−ジアザじシク
ロ(3,2,0)ヘプト−2−エン−6−イル)−3−
ヨードメチル−31テン酸ベンジルを無色油状物質とし
て得る(113.Oq、99%)。
NMR(δ、 CDC13) 3.63(5,2H)、3.83 (S、 2H)、4
.95 (1、1#)、5.17 (1,2H)、5.
23 (E 、2H)、5.38 (S、1// )、
5.87 Chi 、 2H)、7.26 (S、5H
)、7.33 (S、5//) 実施例 4 2−(3−ベンジル−7−オ十ソー4−チア−2,6−
、;アザじシフo (3,2,0)ヘプト−2−工、7
−6−イル)−3−りOoメチル−3−づテン酸メチル
376岬にアセトン10m1を加え均一溶液とする。こ
れにNal 230 #を加え、55°Cに加熱しなが
ら3時間かきまぜる。
次に室温まで冷却したのち酢酸エチルを加えて希釈し、
これをNa2S2O3水溶液で洗浄、次いで飽和食塩水
で洗浄し、Na25o4 で乾燥したのち濃縮する。得
られた淡黄色油状@渣をシリカゲルカラム上で、へ+サ
ンー酢酸エチル(4:1)を用いてり0マドクラフイー
を行ない、2−(3−ベシジルー7−オ十ソー4−チア
−2,6−ジアザじシフo (3,2,0)ヘプト−2
−エン−6−イル)−3−ヨードメチル−3−ラテン酸
メチルを得る(425q、90%)、。
NMR(δ、CD(43) 3.62 (bs 12H)、3.74 (1、311
)、3.87 (bl 、2H)、5.04 (111
11)、5.21 (1、1//)、5.91 (bs
 + 2H)、’1.27 (5,5H) 実施例 5 0     : C00CR2Pk O− COOCH2Ph 2−(3−フェノ+ジメチルー7−オfソー4テン酸ベ
シジル374qにアゼトン10−を加え均一溶液とする
。これにMal 154 mgを加え、55℃に加熱し
ながら3時間かきまぜる。次に室/Mまで冷却したのち
酢酸エチルを加えて希釈し、これを■a2S203水溶
液で洗浄し、次いで飽和食塩水で洗浄し、■a2SO4
で乾燥したのち濃縮する。
得られた淡黄色油状残渣をシリカゲルカラム上でベンゼ
シー酢酸エチル(30: 1 )を用いてり0マドクラ
フイーを行ない、2−(3−フェノ+ジメチルー7−オ
十ソー4−チア−2,6−ジアザじシフa (3,2,
0〕へづトー2−エン−6−イル)−3−ヨードメチル
−3−づテン酸ベンジルを得る(359ダ、80%)。
IR(neat )  1796.1736 cIII
−1tVMR(J 、 CDCtt3) 3.73   Cbl、2H) 、 4.90(bs1
2 )f)、s、oo < s 、iH)、5.20 
(X j 311 )、5.45(S、1//)、5.
85及び6.01(Aaq 、2N 、4Hz )、6
.7−7.4 (m。
5H)、7.34C5,5M> 実施例 6 coocl12ph 2−(3−ベンジル−7−オ十ソー4−チア−2,6−
ジアザじシフo (3,2,0)ヘプト−2−エン−6
−イル)−3−りonメチル−3−ラテン酸ベシジル2
6.8Qにア七トン0.5−を加え均一溶液と′する。
これに■a118.2岬を加え、53℃に加熱しながら
1.5時間かきまぜる。次に室温ま室温下20分間かき
まぜる。これに酢酸エチル3mlを加えて希釈し、これ
金#a25203水溶液で洗浄、次いで飽和食塩水で洗
浄し、wa a sOa で乾燥したのぢ#縮する。潜
られた淡黄色油状残渣をシリカゲルカラム上で、べyセ
シー酢酸エチル(8:l)を用いてりDマドシラフィー
を行ない、2−(3−ベンジル−7−オ千ソー4−チア
−2,6−ジアザじシフo (3,2,0、]]ヘプト
ー2−エン−6−イル−3−(1−メチル−1,2,3
,4−テトラリール−5−イ、ルーチオメチル)−3−
ラテン酸ベンジルを得る(23.8#、75%)。
JR(neat)  1770.1740aIt−1#
MR(δ、CDC13) 3.47及び3.93 (ABq 、 2H、14,5
Hz )、3.71(S、3//)、3.85(1,2
H)、4.91(S、17/)、5.09(5,2H)
、5.17(S、1#)、5.29(S、IH)、5.
85及び5−93 (ABq 、2 H+ 4HS)、
7.25(1,5H)、7.34(S、5’/)実施例
 7 実施例6と同様の方法で次の化合物を製造する。
1 実施例 8 COOCR2Ph A COOCR2Ph 2−(3−ベンジル−7−オ+ソー4−チア−2,6−
ジアザじシフo (3,2,0)ヘプト−2−■シー6
−イル)−3−ヨードメチル−3−プテシ酸ベンジル1
03.5qにジメチルスルホ↑シト0.9ゴを加え均一
溶液とする。これにNaN0y、 80り、メタンスル
ホン、酸メチル40tqを加え溶解させる。水流ポンプ
を用いて反応系を45−50・rt#fyの減圧状態に
保ちながら48°Cに加熱して4時間反応させる。次い
で室温まで放冷したのち、/va2S203水溶液を加
えてはげしくかきまぜる。これを1酢酸エチルで抽出し
、有機層を飽和食塩水で洗浄し、Na 25O4で乾燥
したのち濃縮する。得らnた黄色油状残渣をシリカゲル
カラム上でベンセン−酢酸エチル(15:1)を用いて
りDマドクラフィーを行ない2−(3−べ、7ジルー7
−オ十ソー4−チア−2,6−ジアザじシフo (3,
2,0)ヘプト−2−ニジ−6−イル)−3−二トo+
ジメチルー3−ラテン酸ベシジルを得る(68.5q。
76%)。
1Rcnlt’lt)   1780,1740.16
40.12753−1 NMR(δ、CD(43) 3.85(5,2H)、4.74(s、2//)、5.
01  (S  、’1//)  、  5.18  
(s 、2 )f) 、5.22(S 、l//)、5
.43 (s、1//)、5.89及び5−93 (A
Bq  、2” + 4Hj)、7.28 (S、5H
)、7.34C5,5H)実施例 9 COOCH2P tr 2− <、3−ベンジル−7−オ十ソー4−チア−2,
6−、;アザじシフo (3,2,0)ヘプト−2−ニ
ジ−6−イル)−3−二トロ+ジメチル−3−プテン酸
ベンジル31.2”lFに塩化メチレン0.25ゴを加
え均一溶液とする。これに亜鉛粉末15櫂を加え0−5
°Cに冷却する。これに酢酸0.25M/を加え130
分間かきまぜながら反応させる。次いで3耐の酢酸エチ
ルを加えて希釈し、飽和#aH(−03水溶液で洗浄、
続いて飽和食塩水で洗浄して、Na2SO4で乾燥した
のち減圧上濃縮する。得られた淡黄色油状残渣をシリカ
ゲルカラム上でベンヒンー酢酸エチル(3:l)を用い
てりDマドシラフィーを行ない、2−(3−ベンジル−
7一オ士ソー4−チアー2,6−ジアザヒシク(3,2
,0)へラド−2−■シー6−イル)−3−ヒト0+ジ
メチル−3−ラテン酸ベンジルを得る(22.6ダ、8
0%)。
IR<ntllt)   3380.1770.174
0.1150α−1 AIM’R(δ、cncl) 2.12 (bs 、 LH)、3.85(S、2H)
、3.97 (5,2H)、5.00(1,1H)、5
.08(S、1#)、5.20Cs、2H)、5.29
(S、l//)、5.91 < 5.2H)、7.32
(s、5H)、7.3VC5,5H)実施例 10 Pk COOCR2Ph 2−(3−べyジル−7−オ十ソー4−チア−2,6−
ジアザごシフo C3,2rO〕へづトトコ2−ン−6
−イル)−3−しドD十ジメチルー3−プテシ酸ベンジ
ル23.84に塩化メチレン0.3vrlを加え均一溶
液とする。これを0−5”Cに冷却し、無水酢酸22μ
eを加え、続いてじリジン12μεを加えて12時間反
応させる。次いで真空ポンプを用いて減圧「溶媒等を留
去する。得られた淡黄色油状残渣をシリカゲルカラム上
でベンぜシー酢酸エチル(10:1)を用いてクロマト
クラフィーを行ない、2−(3−ベンジル−7−オ十ソ
ー4−チア−2,6−ジアザじシフO(3,2,0)へ
づトー2−エン−6−イル)−3−アセト+ジメチルー
3−′:5テン酸ベシジルを得る(24.7q。
94%)。
J R(nttxt)   1775.1745.17
40(SA)、123(11−1 NMR(a 、 CDCl5) 2.00(5,3H)、3.84(5,2H)、4.4
9(112//L 5.05(5,2H)、5.15(
j、2H)、5.29(S、1//)、5.88(bs
 l2H)、7.24(j、5//)、7.32(S、
5//) 実施例 11 COOCR2Ph Co CHPk   2 2−(3−ベンジル−7−オ十ソー4−チア−2,6−
ジアザじシフ0 (3,2,0)ヘプト−2−エン−6
−イル)−3−しドロ+ジメチル−3−″jテン酸ベン
ジル28.3mgに塩化メチレy0.3txt’e加え
均一溶液とする。これを0−5°Cに冷却し、1 CICOCH2CCI314.4μlを加え、続いてじ
リジン15.6μlを加えて2.5時間反応させる。次
いで5%塩酸を加えて、これを酢酸エチルで抽出する。
。 得られた酢酸エチル溶液を飽和食塩水で洗浄し、Na2
SO4で乾燥したのち減圧上溶媒を留去する。
得られた無色油状残渣をシリカゲルカラム上でベニ、、
ぜ、−酢酸エチル(20:1)を用いてりDマドタラフ
ィーを行ない、2−(3−ベンジル−7−オ十ソー4−
チア−2,6−ジアザじシフD〔3゜2.0〕ヘプト−
2−エン−6−イル)−3−(2゜2.2−)リフ00
エト+シ力ルポニルオ十ジメチル)−3−ブテン酸ベン
ジルを得る(30イ、75%)。
JR(neat)   1770.1745 (’す、
1730(Sす、12350g−1 #MR(δ、CD(43) 3.85(s、、2H)、4.10(s、2H)、4.
23(s、2H)、5.04(s、1//)、5.16
(5,3N)、5.37(s、1//)、5.84及び
5.91(ABq、2H94〃l)、7.25(1,5
H)、7.34(s、5//)実施例 12 0   : C00CH2Pit 2−(3−ベンジル−7−オ+ソー4−チア−2,6−
ジアザじシフo (3m2=0.3ヘプト−2−ニジ−
6−イル)−3−(1−メチル−L2,3.4−テトラ
リール−5−イル チオメチル)−3−ブテン酸ベンジ
ル29.7りにジオ十サン0.6m/を加えて均一溶液
とし、続いて5%塩酸60μlを加えて室温下15分間
反応させる。
上記操作とは別に2−ベンリチアシリルジスルフィド3
7.9wgにジオ↑サン2ゴを加え、湯浴で加熱しなが
ら均一溶液とし、これに塩素の0.59M四塩化炭素溶
液0.14m1を加えて15分間反応させる。これを上
記ジオ十fj:J溶液に加えて、室温で5分間かきまぜ
ながら反応させる。次いでこの反応混合物を酢酸エチル
を用いて短いシリカゲルカラムに通し、溶出液を減圧濃
縮する。得られた残渣をベンyンに溶解し、再びベンゼ
ンを減圧でベンゼン、続いてベンセンー酢酸エチル(4
:1)を用いてり0マドタラフイーを行ない、2−〔3
−フェニルアセトアミド−4−(2−ベンリチアシリル
ジチオ)−2−アセチジノシー1−イル)−3−(1−
メチル−1,2,3,4−テトラソール−5−イル チ
オメチル)−3−ブテン酸ベンジルを得る(35.7q
、89%)。
JR(neat)   3280.1780.1740
.1670 [−1 NMR(δ、CDCl ) 3.69C5,2N)、3.74(S、3//)、4.
19(S、2K)、5.10(5,3H)、5.23(
dd、1//14.57/j t 8//J )、5.
36 (1、1#) 、 5.48 (1t 1/7)
、5.57 (d 、 1// 、 4.5H1)、6
.79(d、1H98H1)、7.1−7.6 (−。
12H)、7.6−8.0 (Wl、2H)実施例 1
3 実施例12と同様の方法で次の化合物を製造する。
1 2 2 実施例 14 ρム C00CII2P h 2−(3−フェノ十ジメチルー7−オ十ソー4〜チア−
2,6−ジアザピシクo C3,2,0)ヘプト−2−
エン−6−イル)−3−エト+ジチオカルボニルチオメ
チル−3−ラテン酸ベンジル32.0ダにジオ十サン0
.5mlを加え均−M液とし、続いて10%塩酸0.0
9m+/を加えて室温で15分間反応させる。
上記操作とは別にペンタクDI′]ペンセンチオール6
6.6#にジオ+サシ1.9耐を加え、湯浴で加熱しな
がら均一溶液とし、これに塩素の1M四塩化炭素溶液0
.24yxlを加えて15分間反応させる。
これを上記ジオ十サン溶液に加え、室温で30分かきま
ぜながら反応させる。次いでこの反応混合物を酢酸エチ
ルを用いて短いシリカゲルカラムに通し、溶出液を減圧
濃縮する。得られた残渣をベンヒンに溶解し、再びベン
ゼンを減圧下、留去する。このようにして得られた無色
固体及び淡黄色油状物の混合の残渣をシリカゲル上でベ
ンゼン、続いてベンゼン−酢酸エチル(40: 1 )
を用いてりOマドタラフィーを行ない、2−(3−フェ
ノ+シアセトア三ドー4−ペンタク00フェニルジチオ
−2−アセチジノン−1−イル)−3−工1・+ジチオ
カルボニルチオメチルー3−ブテン酸ベンジルを得る(
17.1#、34%)。得られた化合物の分析値は実施
例13の値と一致する。。
実施例 15 ρム 0OCH3 2−(3−ベシジルー7−オ十ソー4−チア−2,6−
ジアザじシフo (3,2,0)ヘプト−2−ニジ−6
−イル)−3−エト十ジカルボニルチオメチル−3−ラ
テン酸メチル25.1 qにジオ十サン0.25m1を
加え均一溶液とし、続いて50μlの水を加える。
上記操作とは別に2−メルカプトベンツチアソー IL
、 9.44と沃素14.2#gをジtf”ff:yl
ll/に溶解する。これを上記ジオ十サシ溶液に加えて
、室温で90分間反応させる。次いてジエチルエーテル
5 mlを加えて希釈し、これを■a2S203水溶液
、飽和食塩水で洗浄し、#J、So4で乾燥したのち減
圧ド濃縮する。得られた黄色油状残渣をシリカゲルカラ
ム上でベシセンー酢酸エチル(8:1)を用いてり0マ
ドタラフイーを行ない、2−(3−フェニルアセドアミ
ド−4−(2−ペンリチアソリルジチオ)−2−アゼチ
ジノン−1−イル)−3−エト+ジチオカルボニルチオ
メチル−3−ラテン酸メチルを得る(18.2#、52
%)。得られた化合物の分析値は実施例13の値と一致
する。
実施例 16 2−〔3−フェニルアセドアミド−4−(2−ペンリチ
アシリルジチオ)−2−アセチジノう−1−イル)−3
−(1−メチル−1,2,3,4−テトラリール−5−
イル チオメチル)−3−ブテン酸ベシジル35.71
11にジメチルホルムアミド0.7mlを加え均一溶液
とする。これを−30−35℃に冷却し、アン上ニアガ
スをジメチルホルムアミドに溶かして調整した溶液(約
3.3M>23μlを加えて15分間かきまぜながら反
応させる。これを−30℃に保ったまま、真空ポンプを
用い−C減圧下過剰のアシ七ニアを留去する。次いで徐
々に温度を室温までもどしながら溶媒を留去する。
得られた淡黄色油状残渣をシリカゲルカラム上でベシゼ
ン、続いてペンt!シー酢酸エチル(4: 1)を用い
てり0マドクラフイーを行ない、7−フェニルアセドア
三ド−3−(1−メチル−1,,2,3,4−テトラリ
ール−5−イル チオメチル)−3−セフェム−4−カ
ルボン酸ベンジルを得る( 24.6岬、90%)。
WMR(a 、 CDCう) 3.61 (S 12//) 、3.66(1,2H)
、3.84 (S、 3H) 、 4.25及び4.4
5(ABq s 2 H913Hl)、4.90Cd。
l H、5//J )、5’、27 (S 、 211
 )、5.79 (dd t IH15H117,5M
g )、6.35(d 、 IH,7,5HI  )、
7.30(f、5#)、7.47(j、5#) 実施例 17 実施例16と同様の方法で次の化合物を製造する。
2 2 実施例 18 COOCH2P k 1 2−〔3−フェニルア七ドアミド−4−(2−ベン9チ
アシリルジチオ)−2−アセチジノツー1−イルクー3
−アセト十ジメチル−3−ブテン酸ベンジル43.OW
にジメチルホルムアミドo、55m1 f IMえ均一
溶液とする。これを−25°Cに冷却し、28%アンt
ニア水14μlを加えて1時間かきまぜながら反応させ
る。次に5%塩酸5滴を加えて、かきまぜながら温度を
室温までもどす。
これに3 mlの酢酸エチルを加えて希釈し、飽和食塩
水で洗浄してのちwa 2sOaで乾燥し、減圧上溶媒
を留去する。得られた淡黄色残渣をシリカゲルカラム上
でベンゼン−酢酸エチル(10:l)を用いてりDマド
タラフィーを行ない、7−フエニルア七ドア三ドー3−
アセト+ジメチル−3−セフェム−4−カルポジ酸ベシ
ジルを得る( 22.9q、72%)。得られた化合物
の分析値は実施例17の値と一致する。
実施例 19 1 COOCH2P A 7−フェニルアセドアミド−3−二t−o+ジメチル−
3−セフェム−4−カルボン酸ベンジル12.9wIg
に塩化メチレン0 、15 dを加え均一溶液とする。
これに亜鉛粉末5.2qを加えて0−5°Cに冷却する
。これに酢酸0.15m1を加え135分間かきまぜな
がら反応させる。次いで酢酸エチル3ゴを加えて希釈し
、飽和Na HCO3水溶液で洗浄続いて飽和食塩水で
洗浄して、Na25o4で乾燥したのち減圧Fa縮する
と7−フェニルアセドア三F−3−しドロ↑ジメチルー
3−セフェム−4−カルボン酸ベンジルを得る(10.
01#、85%)。
NMR(δ、 CDCら) 2.60 (b 1 、 l//)、3.52 (5,
2H)、3.61(s 、2H)、4.02及び4.4
8CABq  、2H,13,5//g  )、4.9
0(d。
l H、41ft )、5.25 (S、2’H)、5
.81(dd +IH+4Hz +9”)、6.51(
d。
IJI、9Hz )、7.28(S、5//)、7.3
7(S、51I) (以 上) 95− 1149−

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ■ 一般式 〔式中、Rはアル+ル基、アルケニル基、置換もしくは
    非置換のアリール基、置換もしくは非置換のアリールメ
    チル基又は置換もしくは非置換のフェノ+ジメチル基を
    示す。R2は、カルボキシル基又は保護されたカルボキ
    シル基を示す。〕 で表わされるチア9リノアセチジノン誘導体と、求核剤
    とを有機溶媒中で反応させて、一般式〔式中、R1及び
    R2は上記に同じ。Yは、求核剤残基を示す。〕 で表わされるチア9リノアセチジノン誘導体を得、これ
    を含水有機溶媒中、一般式 %式%() 〔式中、Zは置換もしくは非置換のアリール基又は置換
    もしくは非置換の芳香族複素根残基を示す。Xは、へ〇
    ゲン原子を示す。〕で表わされる含硫黄化合物と反応さ
    せて、一般式 〔式中、R1、R2、Y及びZは前記に同じ。〕で表わ
    されるアぜチジノン誘導体を得、これに有機溶媒中、ア
    ンモニアを作用させて閉環させることを特徴とする一般
    式 〔式中、R1、R2及びYは前記に同じ1.〕で表わさ
    れるセファ0スポリン誘導体の製造法。 ■ 求核剤が、一般式 〔式中、Mはアルカリ金属を示し、Rはハロゲン原子を
    置換基として有することのある低級アル+ル基又は置換
    もしくは非置換のフェニル基を示す。〕 で表わされる化合物である特許請求の範囲第1項に記載
    の製造法。 ■ 一般式 〔式中、Rはアル+ル基、アルケニル基、置換もしくは
    非置換のアリール基、置換もしくは非置換のアリールメ
    チル基又は置換もしくは非置換のフェノキジメチル基を
    示す。R2は、カルボ+シル基又は保護されたカルボ+
    4− シル基を示す。〕 で表わされるチアソリノアゼチジノシ誘導体と、アルカ
    リ金属ヨウ化物とを有機溶媒中で、反応させて、一般式 〔式中、R及びR2は前記に同じ。〕 で表わされるチアリリノアセチジノン誘導体を得、これ
    を有機溶媒中で求核剤と反応させて、一般式 〔式中、R1及びR2は前記に同じであり、Yは求核剤
    残基を示す。〕 で表わされるチアリリノアセチジノン誘導体を得、次い
    で該化合物を含水溶媒中、一般式%式%(1) 〔式中、Zは置換もしくは非置換のアリール基又は置換
    もしくは非置換の芳香族複素、!Jt残基を示す。Xは
    ハロゲン原子を示す。〕で表わされる含硫黄化合物と反
    応させて、一般式 〔式中、R1、R2、Y及びZは前記に同じ。〕で表わ
    されるアセチジノン誘導体を得、これに有機溶媒中、ア
    ンモニアを作用させて閉環させることを特徴とする一般
    式 〔式中、R1、R2及びYは前記に同じ。〕で表わされ
    るセファロスポリン誘導体の製造法。 ■ 求核剤が、一般式 %式%() 〔式中、Mはアルカリ金属を示し、Yは基Rはハロゲン
    原子を置換基として有することのある低級アル+ル基又
    は置換もしくは非置換のフェニル基を示し、Rは置換も
    しくは非置換の芳香族複素環残基を示すか又はR3と同
    一の意味を有する。〕 7− で表わされる化合物である特許請求の範囲第3項記載の
    製造法。 ■ 求核剤が、/%’aNO3又はKNO3である特許
    請求の範囲第3項記載の製造法。 ■ 一般式 〔式中、Rはアル十ル基、アルケニル基、置換もしくは
    非置換のアリール基、置換もしくは非置換のアリールメ
    チル基又は置換もしくは非置換のフェノ+ジメチル基を
    示す。R2は、カルボ十シル基又は保護されたカルボ十
    シル基を示す。〕 で表わされるチア9リノアセチジノン誘導体を8− 酢酸の存在下、亜鉛と反応させて、一般式〔式中、R及
    びR2は前記に同じ。〕 で表わされるチア9リノアセチジノン誘導体を得、次い
    で該化合物の水酸基を保護することによシ、一般式 〔式中、R及びR2は前記に同じ。Yは保−された水酸
    基を示す。〕 で表わされるチア9リノアセチジノン誘導体を得、次い
    で該化合物を含水有機溶媒中、一般式%式%() 〔式中、Zは置換もしくは非置換のアリール基又は置換
    もしくは非置換の芳香族複素環残基を示す。Xはハ0ゲ
    シ原子を示す。〕で表わされる含硫黄化合物とを反応さ
    せて、一般式 〔式中、R1、R2、Y及びZは前記に同じ。〕で表わ
    されるアセチジノン誘導体を得、これに有機溶媒中、ア
    シ上ニアを作用させて閉環させることを特徴とする特許 〔式中、R1、R2及びYは前記に同じ。〕で表わされ
    る七ファOスポリン誘導体の製造法。 1 又は−0COR3であシ、R3がハロゲン原子を置換基
    として有することのある低級アル+ル基又は置換もしく
    は非置換のフェニル基である特許請求の範囲第6項記載
    の製造法。 ■ 一般式 〔式中、Rはアル十ル基、アルケニル基、置換もしくは
    非置換のアリール基、置換もしくは非置換のアリールメ
    チル基又は置換もしくは非置換のフェノ+ジメチル基を
    示し、R2はカルボ十シル基、又は保護されたカルボ十
    シル基を示す。〕 で表わされるセファロスポリン化合物を、酢酸の存在下
    、亜鉛と反応させることを特徴とする一般式 〔式中、R及びR2は前記に同じ。〕 で表わされるセファ0スポリシ化合物の製造法・
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