JPS5942650A - 半導体レ−ザの駆動装置 - Google Patents
半導体レ−ザの駆動装置Info
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- JPS5942650A JPS5942650A JP57152321A JP15232182A JPS5942650A JP S5942650 A JPS5942650 A JP S5942650A JP 57152321 A JP57152321 A JP 57152321A JP 15232182 A JP15232182 A JP 15232182A JP S5942650 A JPS5942650 A JP S5942650A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 9
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 9
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体レーザから出力されるレーザ光を反射
鏡によって感光体上に走査して記録を行なうための半導
体レーザの駆動装置に関する。
鏡によって感光体上に走査して記録を行なうための半導
体レーザの駆動装置に関する。
半導体レーザの駆動電流と発光出力との特・姓は、温度
に依存して変化する。先行技術では、半導体レーザとし
てのレーザダイオードからのレーザ光を光検出器として
のホトダイオードで受光し、レーザダイオードの発光時
の光量が一定となるように、光量の増減変化に応じてレ
ーザダイオードの駆動電流を負帰還制御している。この
ような先行技術では、レーザダイオードの応答速度が(
)Hzのオーダで高速度であるにもかかわらず、ホトダ
イオードの応答速度は低く、シたがってホトダイオード
は、レーザダイオードから出力されるレーザ光の平均値
を表わす信号を導出する結果となる。
に依存して変化する。先行技術では、半導体レーザとし
てのレーザダイオードからのレーザ光を光検出器として
のホトダイオードで受光し、レーザダイオードの発光時
の光量が一定となるように、光量の増減変化に応じてレ
ーザダイオードの駆動電流を負帰還制御している。この
ような先行技術では、レーザダイオードの応答速度が(
)Hzのオーダで高速度であるにもかかわらず、ホトダ
イオードの応答速度は低く、シたがってホトダイオード
は、レーザダイオードから出力されるレーザ光の平均値
を表わす信号を導出する結果となる。
したがって、正画像を用いる場合、レーザ光の発生時間
が短い粗画像を記録する際にはレーザ光の光量が大きく
なってしまい、これとは逆に発生されるレーザ光の期間
が長い密画像を記録する際には光量が小さくなるという
問題がある。
が短い粗画像を記録する際にはレーザ光の光量が大きく
なってしまい、これとは逆に発生されるレーザ光の期間
が長い密画像を記録する際には光量が小さくなるという
問題がある。
本発明の目的は、半導体レーザの動作が′l#報に対応
して正確に行なわれ、その発光時の光量が予め定めた値
となるように制御されるようにした半導体レーザの駆動
装置を提供することである。
して正確に行なわれ、その発光時の光量が予め定めた値
となるように制御されるようにした半導体レーザの駆動
装置を提供することである。
第1図は、本発明の一実施例のレーザ光の経路を示す。
レーザダイオードなどの半導体レーザ1からのレーザ光
2は、ビームエクスパンダ5によってビーム径が拡大さ
れ平行光とされた後、反射鏡3,4によって反射され、
回転多面鏡6によって反射され、結像レンズ7によって
ドラム状の感光体8上に結像される。回転多面@6が回
転することによって、感光体8上のビーム光はその感光
体8の軸線に沿って走査される。感光体8の側方にはホ
トダイオードなどによって構成される光検出器9,10
が配置される。これらの光検出器910は、走査の1ラ
イン毎のブランキング期間中のレーザ光を受光する。
2は、ビームエクスパンダ5によってビーム径が拡大さ
れ平行光とされた後、反射鏡3,4によって反射され、
回転多面鏡6によって反射され、結像レンズ7によって
ドラム状の感光体8上に結像される。回転多面@6が回
転することによって、感光体8上のビーム光はその感光
体8の軸線に沿って走査される。感光体8の側方にはホ
トダイオードなどによって構成される光検出器9,10
が配置される。これらの光検出器910は、走査の1ラ
イン毎のブランキング期間中のレーザ光を受光する。
第2図は、半導体レーザ1を駆動するための駆動装置の
回路図である。半導体レーザ1には、インピーダンスが
変化するトランジスタ11が直列に接続される。半導体
レーザ1とトランジスタ11との間の接続点12には、
画像メモリ13からの2値情報である画像信号が与えら
れる。同期信号発生回路14は、光検出器10からの信
号に応答して、第3図(1)で示されるように1ライン
毎のブランキング期間W1の終了直前において同11J
J信号を発生する。画像メモリ13は、同期信号発生回
路14からの同期信号と、クロック信号発生回路15か
らのクロック信号とに応答し、lラインの記録期間W2
(第3図(1)#照)中に画像信号を導出する。
回路図である。半導体レーザ1には、インピーダンスが
変化するトランジスタ11が直列に接続される。半導体
レーザ1とトランジスタ11との間の接続点12には、
画像メモリ13からの2値情報である画像信号が与えら
れる。同期信号発生回路14は、光検出器10からの信
号に応答して、第3図(1)で示されるように1ライン
毎のブランキング期間W1の終了直前において同11J
J信号を発生する。画像メモリ13は、同期信号発生回
路14からの同期信号と、クロック信号発生回路15か
らのクロック信号とに応答し、lラインの記録期間W2
(第3図(1)#照)中に画像信号を導出する。
同期信号発生回路14からの同期信号はまた、ライン1
6を介して保持回路17に入力される。
6を介して保持回路17に入力される。
この保持回路17にはまた、光検出器9からの出力が増
幅回路18によって増幅されて与えられる。
幅回路18によって増幅されて与えられる。
保持回路17は、演算増幅器30と、保持用コンデンサ
19と、スイッチング素子としての電界効果トランジス
タ20と、反転回路21.22などとを含み、ライン1
6における同期信号がローレベルであるときにおける増
幅回路18からの出力電圧を、ライン16がハイレベル
になった後においても保持してライン23に導出する。
19と、スイッチング素子としての電界効果トランジス
タ20と、反転回路21.22などとを含み、ライン1
6における同期信号がローレベルであるときにおける増
幅回路18からの出力電圧を、ライン16がハイレベル
になった後においても保持してライン23に導出する。
ライン23を介する保持回路17からの出力は、比較回
路24の一方の入力26に与えられる。比較回路24の
他方の入力27には、基準電圧設定回路25からの基準
電圧が与えられる。比較回路24は、面入力26.27
に与えられる電圧の差に対応する電圧を、ライン28に
導出してトランジスタ11のベースに与え、これによっ
てトランジスタ11のインピーダンスが変化される。画
像メモリ13は、ブランキング期間W1において半導体
レーザ1からレーザ光を発生させたままにする。
路24の一方の入力26に与えられる。比較回路24の
他方の入力27には、基準電圧設定回路25からの基準
電圧が与えられる。比較回路24は、面入力26.27
に与えられる電圧の差に対応する電圧を、ライン28に
導出してトランジスタ11のベースに与え、これによっ
てトランジスタ11のインピーダンスが変化される。画
像メモリ13は、ブランキング期間W1において半導体
レーザ1からレーザ光を発生させたままにする。
1ライン毎のブランキング期間W1において半導体レー
ザ1からのレーザ光は光検出器9によって受光される。
ザ1からのレーザ光は光検出器9によって受光される。
第3図(1)に示されるようにブランキング期間W1の
終了直前の時刻t1において同期信号が発生されると、
保持回路17は増幅回路18からの時刻t1における出
力電圧を保持してライン23に導出したままにする。こ
のようにしてブランキング期間W1の直後における記録
期間W2中においては、増幅回路18からの出力電圧が
ライン23に導出されたままになる。たとえば時刻t1
において半導体レーザ1がらのレーザ光の光量が小さい
ときには、光検出器9のインピーダンスは大きい。した
がって増幅回路18から保持回路17に入力され、時刻
t1〜t2においてライン23に導出されている電圧は
低く、そのため比較回路24において面入力26.27
間の1[圧は高い。これによってライン28に導出され
る電圧は高い。そのためトランジスタ11のインピーダ
ンスは小さい。したがって画像メモリ13からの画像信
号のうち、論理「1」に対応して半導体レーザ1に与え
られる駆動電流は第3図(2)に示されるように大きく
なる。そのため発生されるレーザ光の光Mは大きくされ
る。これとは逆に、半導体レーザ1からのレーザ光の光
量が大きく、シたがって光検出器9の受光量が大きいと
きには、たとえば時刻t2〜t3において保持回路17
からライン23に導出される電圧は高い。そのため比較
回路24の面入力26.27間の電圧は低く、応じてラ
イン28に導出される電圧は低い。そのためトランジス
タ11のインピーダンスは大きい。
終了直前の時刻t1において同期信号が発生されると、
保持回路17は増幅回路18からの時刻t1における出
力電圧を保持してライン23に導出したままにする。こ
のようにしてブランキング期間W1の直後における記録
期間W2中においては、増幅回路18からの出力電圧が
ライン23に導出されたままになる。たとえば時刻t1
において半導体レーザ1がらのレーザ光の光量が小さい
ときには、光検出器9のインピーダンスは大きい。した
がって増幅回路18から保持回路17に入力され、時刻
t1〜t2においてライン23に導出されている電圧は
低く、そのため比較回路24において面入力26.27
間の1[圧は高い。これによってライン28に導出され
る電圧は高い。そのためトランジスタ11のインピーダ
ンスは小さい。したがって画像メモリ13からの画像信
号のうち、論理「1」に対応して半導体レーザ1に与え
られる駆動電流は第3図(2)に示されるように大きく
なる。そのため発生されるレーザ光の光Mは大きくされ
る。これとは逆に、半導体レーザ1からのレーザ光の光
量が大きく、シたがって光検出器9の受光量が大きいと
きには、たとえば時刻t2〜t3において保持回路17
からライン23に導出される電圧は高い。そのため比較
回路24の面入力26.27間の電圧は低く、応じてラ
イン28に導出される電圧は低い。そのためトランジス
タ11のインピーダンスは大きい。
したがって画像メモリ13から論理「1」に対応した信
号が溶出されたとき、半導体レーザ1の駆動電流は小さ
く、レーザ光の光量は小さく抑えられる。このようにし
て画像メモリ13からの画像信号のうち論理「1」に対
応して半導体レーザ1から発生されるレーザ光の光量は
、基準電圧設定回路25において設定された基準電圧に
対応した値に負帰還制御されて保たれる。このようにし
て、半導体レーザ1の駆動電流は、記録期間W2におい
てその直前のブランキング期間W1におけるレーザ光の
光量に基づいて制御されることになる。
号が溶出されたとき、半導体レーザ1の駆動電流は小さ
く、レーザ光の光量は小さく抑えられる。このようにし
て画像メモリ13からの画像信号のうち論理「1」に対
応して半導体レーザ1から発生されるレーザ光の光量は
、基準電圧設定回路25において設定された基準電圧に
対応した値に負帰還制御されて保たれる。このようにし
て、半導体レーザ1の駆動電流は、記録期間W2におい
てその直前のブランキング期間W1におけるレーザ光の
光量に基づいて制御されることになる。
そのため光検出器9の応答速度が低くても、前述の先行
技術に関連して述べたように、1#報によって変d1!
されたレーザ光の光量の平均値に基づいて半導体レーザ
1の駆動電流が変化されることは、この実施例では生ぜ
ず、論理「1」に対応したレーザ光の光量が一定値に保
たれることになる。なお画像メモリ13からの画像信号
のうち、論理「0」に対応して半導体レーザ1は発光を
停止する。
技術に関連して述べたように、1#報によって変d1!
されたレーザ光の光量の平均値に基づいて半導体レーザ
1の駆動電流が変化されることは、この実施例では生ぜ
ず、論理「1」に対応したレーザ光の光量が一定値に保
たれることになる。なお画像メモリ13からの画像信号
のうち、論理「0」に対応して半導体レーザ1は発光を
停止する。
上述の実施例では画像メモリ13からの画像信号は2値
情報であったけれども、本発明の他の実施例として3値
以上の多値情報であってもよく、このときには基準電圧
設定回路25の働きによって、多値情報に個別的に対応
した光量値のうち最大光量値が設定され、この最大光量
値が一定となるように制御される。
情報であったけれども、本発明の他の実施例として3値
以上の多値情報であってもよく、このときには基準電圧
設定回路25の働きによって、多値情報に個別的に対応
した光量値のうち最大光量値が設定され、この最大光量
値が一定となるように制御される。
上述の実施例では、保持回路17は各ブランキング期間
W1毎に保持電圧を改めて、その直後の1ラインの記録
期間W2にわたって保持状態を維持したけれども、本発
明の他の実施例として、1フイ一ルド分の画像信号が出
力される最初のラインのブランキング期間において、光
検出器9によって検出された出力を保持回路17によっ
てその直後の1フイ一ルド分の画像が記録されている期
間中保持するようにしてもよい。この時ライン16には
、1フイ一ルド分の走査期間ハイレベルの信号を導出し
、1フイ一ルド分の走査が終わるとローレベルの信号を
導出する。
W1毎に保持電圧を改めて、その直後の1ラインの記録
期間W2にわたって保持状態を維持したけれども、本発
明の他の実施例として、1フイ一ルド分の画像信号が出
力される最初のラインのブランキング期間において、光
検出器9によって検出された出力を保持回路17によっ
てその直後の1フイ一ルド分の画像が記録されている期
間中保持するようにしてもよい。この時ライン16には
、1フイ一ルド分の走査期間ハイレベルの信号を導出し
、1フイ一ルド分の走査が終わるとローレベルの信号を
導出する。
前述の実施例では、回転多面鏡6が回転することによっ
てレーザ光が感光体8上を走査するように構成されたけ
れども、本発明の他の実施例として回転多面鏡に代えて
、往復角変位を行なう反射鏡を用いてレーザ光を感光体
8上で走査するようにしてもよい。
てレーザ光が感光体8上を走査するように構成されたけ
れども、本発明の他の実施例として回転多面鏡に代えて
、往復角変位を行なう反射鏡を用いてレーザ光を感光体
8上で走査するようにしてもよい。
以上のように本発明によれば、半導体レーザは1ライン
毎のブランキング期間中にはレーザ光を発生したままで
あり、光検出器は1ラインまたは1フイールド毎にブラ
ンキング期間中のレーザ光の光量を検出し、そのブラン
キング期間の直後の1ラインまたは1フイールドの記録
期間中保持回路によって光検出器からの出力を保持し、
その記録期間中、保持回路からの出力に基づいて半導体
レーザの駆動電流を情報に対応している光量値の最大光
量値が予め定めた値となるように制御するようにしたの
で、光検出器の応答速度が低くても前述の先行技術のよ
うにレーザ光の平均値に基づいてレーザ光の光量が制御
されることは、本発明では勲くなり、粗画像または密画
像に依存することなく鮮明な画像を記録することができ
る。
毎のブランキング期間中にはレーザ光を発生したままで
あり、光検出器は1ラインまたは1フイールド毎にブラ
ンキング期間中のレーザ光の光量を検出し、そのブラン
キング期間の直後の1ラインまたは1フイールドの記録
期間中保持回路によって光検出器からの出力を保持し、
その記録期間中、保持回路からの出力に基づいて半導体
レーザの駆動電流を情報に対応している光量値の最大光
量値が予め定めた値となるように制御するようにしたの
で、光検出器の応答速度が低くても前述の先行技術のよ
うにレーザ光の平均値に基づいてレーザ光の光量が制御
されることは、本発明では勲くなり、粗画像または密画
像に依存することなく鮮明な画像を記録することができ
る。
第1図は本発明の一実施例のレーザ光の経路を示す4乳
酪図、第2図は本発明の一実施例の回路図、第3図は第
2図に示された実施例の動作を説明するための波形図で
ある。 1・・・半導体レーザ、2・・・レーザ光、6・・・回
転多面鏡、8・・・感光体、9.10・・・光検出器、
11・・・トランジスタ、13・・・画像メモリ、14
・・・同時信号発生回路、15・・・クロック信号発生
回路、17・・・保持回路、18・・・増幅回路、24
・・・比較回路、25・・・基準電圧設定回路 代理人 弁理士 西教圭一部
酪図、第2図は本発明の一実施例の回路図、第3図は第
2図に示された実施例の動作を説明するための波形図で
ある。 1・・・半導体レーザ、2・・・レーザ光、6・・・回
転多面鏡、8・・・感光体、9.10・・・光検出器、
11・・・トランジスタ、13・・・画像メモリ、14
・・・同時信号発生回路、15・・・クロック信号発生
回路、17・・・保持回路、18・・・増幅回路、24
・・・比較回路、25・・・基準電圧設定回路 代理人 弁理士 西教圭一部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 情報によってレーザ光を出力し、かつ、1ライン毎のブ
ランキング期間中には、レーザ光を発生したままとする
半導体レーザと、 レーザ光を感光体上に走査する反射鏡と、1ライン毎ま
たは1フイールド毎にブランキング期間中のレーザ光の
光量を検出する光検出器と、光量が検出されたブランキ
ング期間の直後の1ラインまたは1フイールドの記録期
間中、光検出器からの出力を保持する回路と、 前記記録期間中、保持回路からの出力に基づいて、半導
体レーザの駆動電流を、情報に対応している光量値のう
ちの最大光量値が予め定めた値となるように制御する回
路とを含むことを特徴とする半導体レーザの駆動装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57152321A JPS5942650A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | 半導体レ−ザの駆動装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57152321A JPS5942650A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | 半導体レ−ザの駆動装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5942650A true JPS5942650A (ja) | 1984-03-09 |
Family
ID=15537967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57152321A Pending JPS5942650A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | 半導体レ−ザの駆動装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5942650A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0441362A1 (en) * | 1990-02-07 | 1991-08-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical disk recording/reproducing apparatus and a photoelectric conversion amplifier therefor |
| JP2005063999A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Fuji Xerox Co Ltd | 発光素子駆動装置及び画像形成装置 |
| JP2005064000A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Fuji Xerox Co Ltd | 発光素子駆動装置 |
-
1982
- 1982-08-31 JP JP57152321A patent/JPS5942650A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0441362A1 (en) * | 1990-02-07 | 1991-08-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical disk recording/reproducing apparatus and a photoelectric conversion amplifier therefor |
| JP2005063999A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Fuji Xerox Co Ltd | 発光素子駆動装置及び画像形成装置 |
| JP2005064000A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Fuji Xerox Co Ltd | 発光素子駆動装置 |
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