JPS5942696A - 信号伝送回路 - Google Patents
信号伝送回路Info
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- JPS5942696A JPS5942696A JP57151237A JP15123782A JPS5942696A JP S5942696 A JPS5942696 A JP S5942696A JP 57151237 A JP57151237 A JP 57151237A JP 15123782 A JP15123782 A JP 15123782A JP S5942696 A JPS5942696 A JP S5942696A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- source
- signal
- gate
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C27/00—Electric analogue stores, e.g. for storing instantaneous values
Landscapes
- Shift Register Type Memory (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はCCI)撮像素子、液晶ディスプレイ、メモリ
装置等を駆動するための走査回路に使用して好適な信号
伝送回路に関する。
装置等を駆動するための走査回路に使用して好適な信号
伝送回路に関する。
バ景技術とその問題点
このような信号伝送回路として、従来第1図にボすよう
な回1?δが用いられCいた。
な回1?δが用いられCいた。
図において、入力端子(1)がエンハンスメント型のM
o5t−ランジスタT1のケートに接続され、このトラ
ンジスタ′1゛1のソースが1妾地ライン(2)に接続
され、ドレインがディブレジョン型のMOSトランジノ
、り′I゛2のソースとゲートに接続され、このトラン
ジスタ′I゛2のトレインが電源ライン(3)に接続さ
れる。
o5t−ランジスタT1のケートに接続され、このトラ
ンジスタ′1゛1のソースが1妾地ライン(2)に接続
され、ドレインがディブレジョン型のMOSトランジノ
、り′I゛2のソースとゲートに接続され、このトラン
ジスタ′I゛2のトレインが電源ライン(3)に接続さ
れる。
ごの1−ランシスタTs 、T2のドレインソースの接
続点がトランスミッションゲートを構成するエンハンス
メント型のMo3t−ランシスタi゛11のソースドレ
インを通じてトランジスタi’+ 、 T2と同様に接
続されたトランジスタT” 41 、 T !if ニ
接続され、このトランジスタT 41 + T 61の
K IIJL 点がトランスミッションケ−1〜を構成
するエンハンスメント型のMo3t−ランシスタi’6
1のソース]・しインを通じ“ζトランジスタT1.’
l’2と同様に接続されたトランジスタTvz、 ”I
’s1に接続される。
続点がトランスミッションゲートを構成するエンハンス
メント型のMo3t−ランシスタi゛11のソースドレ
インを通じてトランジスタi’+ 、 T2と同様に接
続されたトランジスタT” 41 、 T !if ニ
接続され、このトランジスタT 41 + T 61の
K IIJL 点がトランスミッションケ−1〜を構成
するエンハンスメント型のMo3t−ランシスタi’6
1のソース]・しインを通じ“ζトランジスタT1.’
l’2と同様に接続されたトランジスタTvz、 ”I
’s1に接続される。
このトランジスタ′r31〜Ta1の回路が順次繰り返
し接続される。なお図中符号のサフィックスの上位を共
通、上位を順次変更してボす。
し接続される。なお図中符号のサフィックスの上位を共
通、上位を順次変更してボす。
さらに互いに位相の異なるクロック信号φ1゜φ2の供
給されるクロック端子(41、(5)がそれぞれトラン
ジスタ”I’31. T32・・・及び1−ランシスク
′rε1.TG2・・・のゲートに接続される。
給されるクロック端子(41、(5)がそれぞれトラン
ジスタ”I’31. T32・・・及び1−ランシスク
′rε1.TG2・・・のゲートに接続される。
この回路において、クロ・7り端子+41. +51に
は第2図へ、Bに示ず−ようなりロック信号φ1.φ2
が供給される。これに対し゛ζ入力端子(1)には例え
ば第2図Cに示ずような信号φ1Nが供給される。
は第2図へ、Bに示ず−ようなりロック信号φ1.φ2
が供給される。これに対し゛ζ入力端子(1)には例え
ば第2図Cに示ずような信号φ1Nが供給される。
これによっ°ζまずトランジスタ’Y’s 、 T2
の接続点■には第2図りに示すような反転電圧v1が現
れる。
の接続点■には第2図りに示すような反転電圧v1が現
れる。
次に■1が信号φ1でサンプリングされ、トランジスタ
T41のゲート■にボールドされ、第2図Eに丞ずよう
な電圧■2が現れる。これによ1.、°ζζトランジス
タT14111’ 51の接続点(■には第2図Fにボ
ずような反転電圧V3が現れる。この電圧V3にて例え
ば第1の水平走査線が駆動される。
T41のゲート■にボールドされ、第2図Eに丞ずよう
な電圧■2が現れる。これによ1.、°ζζトランジス
タT14111’ 51の接続点(■には第2図Fにボ
ずような反転電圧V3が現れる。この電圧V3にて例え
ば第1の水平走査線が駆動される。
さらに■3が信号φ2でサンプリングされ、トランジス
タ′r71のケート■にボールドされ、第2図Gに示す
ような電圧■1が現れる。これによってトランジスタi
゛11 、 T ezの接続点■、トランジスタT 4
2 (Z)ケート■、トランジスタ’r 421 ′F
52の接続点■にはそれぞれ第2図H,I、Jに示すよ
うな電圧V5.V6.V?が現われ、この電圧v7に”
ζ第2の水平走査線が駆動される。以上」二連の動作が
順次行われる。
タ′r71のケート■にボールドされ、第2図Gに示す
ような電圧■1が現れる。これによってトランジスタi
゛11 、 T ezの接続点■、トランジスタT 4
2 (Z)ケート■、トランジスタ’r 421 ′F
52の接続点■にはそれぞれ第2図H,I、Jに示すよ
うな電圧V5.V6.V?が現われ、この電圧v7に”
ζ第2の水平走査線が駆動される。以上」二連の動作が
順次行われる。
ごごで、トランスミッションゲートを構成するトランジ
スタT 31 、 T sビ・・のしきい値をVLhと
しテV ((fis + (II> ) pI)l!
V+o+1−VLb(V DDは電線ライン(3)の電
圧)の条件が満たされれば、l・ランスミッションゲー
トを通し゛ζ信号が伝送される。
スタT 31 、 T sビ・・のしきい値をVLhと
しテV ((fis + (II> ) pI)l!
V+o+1−VLb(V DDは電線ライン(3)の電
圧)の条件が満たされれば、l・ランスミッションゲー
トを通し゛ζ信号が伝送される。
このようにして入力信号φINが順次伝送され、各水平
走査線が順次駆動される。
走査線が順次駆動される。
ところがこの回路におい”C,16号を伝送し次の信号
をi′−Iるまでの1段の構成にトランジスタを6素子
必要とする。このため回路規模が大きくなり、特にIC
化した場合にチップ面積が大きくなっ°ζ、ICのコス
トが上がるなどの問題があった。ずなわらl Mきの回
路においてl−ランジスタT’ 41 、 T 51及
びTvu、 T8tにζそれぞれ信号が反転され′(お
り、同相の信号を得るために2倍の素子が必要になっζ
いる。
をi′−Iるまでの1段の構成にトランジスタを6素子
必要とする。このため回路規模が大きくなり、特にIC
化した場合にチップ面積が大きくなっ°ζ、ICのコス
トが上がるなどの問題があった。ずなわらl Mきの回
路においてl−ランジスタT’ 41 、 T 51及
びTvu、 T8tにζそれぞれ信号が反転され′(お
り、同相の信号を得るために2倍の素子が必要になっζ
いる。
また上述の回路におい°(、出力側に客用性のb荷を接
続した場合に、第2図F、Jに承ず出力信号の波形が破
線で示すように鈍、っ°(しまう。この場合に隣接の出
力信号の間でオーバーランプが発生し、例えば撮像素子
に用いた場合には解像度が劣化したり、混色によって画
像が劣化してしま・)。
続した場合に、第2図F、Jに承ず出力信号の波形が破
線で示すように鈍、っ°(しまう。この場合に隣接の出
力信号の間でオーバーランプが発生し、例えば撮像素子
に用いた場合には解像度が劣化したり、混色によって画
像が劣化してしま・)。
さらに上述の回路の場合、トランジスタT2゜i’ 5
1+ ’I’ ex・・・は當にオン状態にあり、こ
のためトランジスタTr 、 T41. Tvl・・・
がオンになった状態で貫i1n 71i流が流れ、極め
て大きなrrs力が消費されてしまう。
1+ ’I’ ex・・・は當にオン状態にあり、こ
のためトランジスタTr 、 T41. Tvl・・・
がオンになった状態で貫i1n 71i流が流れ、極め
て大きなrrs力が消費されてしまう。
また各トランジスタが飽和領域で駆動されているので、
特に回路を+01連で駆動場る場合に大きな消費電力を
必要とする。
特に回路を+01連で駆動場る場合に大きな消費電力を
必要とする。
サラにエンハンスメント型とディブレジョン型の異なる
素子を用いるので、例えばIC化した場合に製造のプC
lセスが多く必要となってしまう。
素子を用いるので、例えばIC化した場合に製造のプC
lセスが多く必要となってしまう。
また」−述の回路において出力点■、■・・・の波形の
ローレヘルはトランジスタT 411 ]” 51、T
” 42 + 1’ 52・・・のオンJJIi抗の比
で決定され’i+r2 化し、rlはトランジスタT411 ”I゛42 ・
・・のオンJlk抗値 r2はトランジスタ’I”61. ’I”52 ・・・
のオン低抗値 Vr、sは接地ライン(2)の電圧 となる残)イ171I圧V′が発生している。ごごでV
′の値を小さくするには、rl、r2の比を大きくすれ
ばよいが、これはトランジスタ’T’ 411 T−1
2・・のチップ面積を]−ランシスタ’I’ 51+
T 52・・・よりかなり大きくするごとになり、望ま
しいことではない。−刃出力信号でMOSI−ランジス
クを駆動する場合には、上述のように残留電圧V′があ
ると、しきい値等の問題で制約か多く加わることになる
。さらに信号のグイナミソクレンジが残留電圧V′分少
なくなるなどの問題があった。
ローレヘルはトランジスタT 411 ]” 51、T
” 42 + 1’ 52・・・のオンJJIi抗の比
で決定され’i+r2 化し、rlはトランジスタT411 ”I゛42 ・
・・のオンJlk抗値 r2はトランジスタ’I”61. ’I”52 ・・・
のオン低抗値 Vr、sは接地ライン(2)の電圧 となる残)イ171I圧V′が発生している。ごごでV
′の値を小さくするには、rl、r2の比を大きくすれ
ばよいが、これはトランジスタ’T’ 411 T−1
2・・のチップ面積を]−ランシスタ’I’ 51+
T 52・・・よりかなり大きくするごとになり、望ま
しいことではない。−刃出力信号でMOSI−ランジス
クを駆動する場合には、上述のように残留電圧V′があ
ると、しきい値等の問題で制約か多く加わることになる
。さらに信号のグイナミソクレンジが残留電圧V′分少
なくなるなどの問題があった。
発明の目的
本発明はこのような点にがんかめ、簡単な構成で従来の
欠点を−・掃でき、特に出力ラインの出力パルス以外の
不要な電位変動を除去できるようにしたものである。
欠点を−・掃でき、特に出力ラインの出力パルス以外の
不要な電位変動を除去できるようにしたものである。
発明の概要
本発明は、人力信号がソースホロアに供給され、このソ
ースボロアのゲートソース間にブートストラップ用の容
量成分が持たせられ、−ト記ソースポロアからの信号が
、第1のトランスミソションゲ−1−を通じ゛ζ次段に
供給され、1記ソースホロア及び第1のトランスミッシ
ョンゲート 路が順次接続され、上記ソースボロア及び第1のトラン
スミッションケートが各段ごとに交υ,に異なる位相で
駆動されるごとにより、上記入力信号が各段ごとに順次
伝送されると共に、上記ソースボロアと共通にゲートの
接続された第2のトランスミソションゲ−1−が設kJ
られ、上記ソースボロアからのイ自号・をごの第2のト
ランスミッションケー]・を通じて取り出すようにした
信号伝送回路であっC、出力ラインに不要な電位変動が
生しないものである。
ースボロアのゲートソース間にブートストラップ用の容
量成分が持たせられ、−ト記ソースポロアからの信号が
、第1のトランスミソションゲ−1−を通じ゛ζ次段に
供給され、1記ソースホロア及び第1のトランスミッシ
ョンゲート 路が順次接続され、上記ソースボロア及び第1のトラン
スミッションケートが各段ごとに交υ,に異なる位相で
駆動されるごとにより、上記入力信号が各段ごとに順次
伝送されると共に、上記ソースボロアと共通にゲートの
接続された第2のトランスミソションゲ−1−が設kJ
られ、上記ソースボロアからのイ自号・をごの第2のト
ランスミッションケー]・を通じて取り出すようにした
信号伝送回路であっC、出力ラインに不要な電位変動が
生しないものである。
実施例
第3図に才iいて、入力端子(1)がl・ランスミ・ノ
ションゲートを構成するエンハンスメント型のMOSト
ランジスタM1を通じ゛ζソースホロア構成にされたエ
ンハンスメント型のMOS)ランジスタM21のゲート
に接続される。
ションゲートを構成するエンハンスメント型のMOSト
ランジスタM1を通じ゛ζソースホロア構成にされたエ
ンハンスメント型のMOS)ランジスタM21のゲート
に接続される。
ここでMOSt−ランジスタは次のように構成される。
第4図においζ、P形の−り゛ブストレート(11)の
上に、N+のソースtt1@(12)及びドレイン領域
(13)が形成される。そしてソース領域(12)とト
ルイン領域(13)の間の素子の表面にSi02層が設
けられ、その上にデーl−電極(15)が被着形成され
る。
上に、N+のソースtt1@(12)及びドレイン領域
(13)が形成される。そしてソース領域(12)とト
ルイン領域(13)の間の素子の表面にSi02層が設
けられ、その上にデーl−電極(15)が被着形成され
る。
従ってこのようなMOSI−ランジスタにおい”ζ、リ
ーート電極(15)とソース領域(12)とが対向する
部分(16)におい′ζコンデンサが形成され、容量を
持つ。またゲート電位が高くなるとソース領域(12)
とドレイン領域(13)との間にチャンネル(17)
が形成され、このときデー1−電極(15)とチャンネ
ル(I7)との間においてもコンデンサが形成される。
ーート電極(15)とソース領域(12)とが対向する
部分(16)におい′ζコンデンサが形成され、容量を
持つ。またゲート電位が高くなるとソース領域(12)
とドレイン領域(13)との間にチャンネル(17)
が形成され、このときデー1−電極(15)とチャンネ
ル(I7)との間においてもコンデンサが形成される。
そしてこのコンデンサによー,で、第3図の回路におい
′ζトランジスタM21のゲートソース間にブー;・ス
トラップ用の容量成分が構成される。
′ζトランジスタM21のゲートソース間にブー;・ス
トラップ用の容量成分が構成される。
さらに第3図におい°ζ、トランジスタM 21 (2
) 1し・インがトランスミッションケ−1・を構成す
るエンハンスメント型のMOS)ランジスタM41のケ
ートに接続される。さらにトランジスタM21のソース
がトランジスタM41のドレインソース間を通じ゛Cエ
ンハンスメント型のMOSI−ランジスタM51のゲー
トに接続される。このl−ランジスタM filのゲー
トソース間にシートス]・う・ノブ用の容5成分が構成
される。またトランジスタM5sのI′し・インが1、
ランスミ、、ジョンゲートを構成するコーンハンスメン
ト型のMOS l−ランジスタMvtのケートに接糸光
される。ざらにトランジスタM51のソースがトランジ
スタMv五のドレインソース間を通して次段の回路に接
続される。
) 1し・インがトランスミッションケ−1・を構成す
るエンハンスメント型のMOS)ランジスタM41のケ
ートに接続される。さらにトランジスタM21のソース
がトランジスタM41のドレインソース間を通じ゛Cエ
ンハンスメント型のMOSI−ランジスタM51のゲー
トに接続される。このl−ランジスタM filのゲー
トソース間にシートス]・う・ノブ用の容5成分が構成
される。またトランジスタM5sのI′し・インが1、
ランスミ、、ジョンゲートを構成するコーンハンスメン
ト型のMOS l−ランジスタMvtのケートに接糸光
される。ざらにトランジスタM51のソースがトランジ
スタMv五のドレインソース間を通して次段の回路に接
続される。
さらにトランジスタM211 M51とゲートが共通に
接続された1−ランスミソションケ−1−を構成するエ
ンハンスメント型のMOSI−ランジスタM31。
接続された1−ランスミソションケ−1−を構成するエ
ンハンスメント型のMOSI−ランジスタM31。
MGIが設りられ、このトランジスタM31, MGI
がトランジスタMzt+ MGLのソースに接続され、
このトランジスタM3LI MGLを通じて出力信号が
取り出される。
がトランジスタMzt+ MGLのソースに接続され、
このトランジスタM3LI MGLを通じて出力信号が
取り出される。
ごのトランジスタM21へ・Mtiの回路が順次繰りi
反し千n続される。
反し千n続される。
さらにり−ニトソク(+i子(4)がトランジスタMt
のゲート及びトランジスタM!1., MB2,・・・
のILノ・インに接続され、り1」・7り端子(5)が
トランジスタM2t, M22・ ・ ・のドレイン
に接続される。
のゲート及びトランジスタM!1., MB2,・・・
のILノ・インに接続され、り1」・7り端子(5)が
トランジスタM2t, M22・ ・ ・のドレイン
に接続される。
この回路において、トランジスタM21. Mst・・
・のゲートの電位がしきい値■tlはり低い場合と、t
jIい場合とでこの点に付随する容量が異なる。
・のゲートの電位がしきい値■tlはり低い場合と、t
jIい場合とでこの点に付随する容量が異なる。
すなわち例えばトランジスタM 21 ” M 41の
回路の容量は、電位がVLhより低い場合には、第5図
Aのようになり、高い場合にはBのようになる。ここで
Co、Co’はケートドレイン、チー1−ソース間容量
、CgはMO3I−ランジスクの酸化膜容量、にS1
+ C32は配線等のストレー容@、C,は負荷容量で
ある。そして電位がvthより高い場合には、1−ラン
ジスタM 21 、 M 31は充分にオンし、トラン
ジスタM21のゲートソース間には、4(Co4−iC
g)のブートストラップ用の容量成分が構成される。
回路の容量は、電位がVLhより低い場合には、第5図
Aのようになり、高い場合にはBのようになる。ここで
Co、Co’はケートドレイン、チー1−ソース間容量
、CgはMO3I−ランジスクの酸化膜容量、にS1
+ C32は配線等のストレー容@、C,は負荷容量で
ある。そして電位がvthより高い場合には、1−ラン
ジスタM 21 、 M 31は充分にオンし、トラン
ジスタM21のゲートソース間には、4(Co4−iC
g)のブートストラップ用の容量成分が構成される。
さらに以1・にタイムチャー1・を乃くず。クロック端
子+4)、 +5)、入力端子(11にはそれぞれ第6
図へ。
子+4)、 +5)、入力端子(11にはそれぞれ第6
図へ。
B、Cにポずような信号φ1.φ2.φIIJが供給さ
れる。ごこで信号φ1.φ2.φINのハイレベルを■
H、ローレベルをVLとする。また信号φ1.φ2のパ
ルスを図示のよ・)に(11) 、 (12)・・・
、 (21J 、 (22) ・・・とする。ま
たMOSトランジスタのしきい値を全てVLI+とする
。
れる。ごこで信号φ1.φ2.φINのハイレベルを■
H、ローレベルをVLとする。また信号φ1.φ2のパ
ルスを図示のよ・)に(11) 、 (12)・・・
、 (21J 、 (22) ・・・とする。ま
たMOSトランジスタのしきい値を全てVLI+とする
。
これによっζまず信号φINは信号φ1のパルス〔12
〕にてトランジスタMiを伝送され、トランジスタM2
1のゲート■の電圧V+ (第6図D)は、■□−v
、、 −v th ・・・・・・(
1)になる。
〕にてトランジスタMiを伝送され、トランジスタM2
1のゲート■の電圧V+ (第6図D)は、■□−v
、、 −v th ・・・・・・(
1)になる。
次にトランジスタM21のソース■の電圧■2(第61
ジシl L’、 )は、初め Vl −−−V2 = V HV L >V tb
−・=(21であるから、トランジスタM21はオン
しV 2− V L ・・・・
・・(3)となる。そして信呼φ2のパルス〔22〕が
来ると電圧■1はトランジスタM21の容量成分による
ブートストランプ 但し、cRはブートストラップ CsはトランジスタM21のゲート のストレー容量 となり、このとき V IV tl+≧■H ・・・・・・
(5)ならば v2=v,、 ・・・・・・(6
)トナリ、トランジスタM21のソース■にパルス〔2
2〕が1友き出される。
ジシl L’、 )は、初め Vl −−−V2 = V HV L >V tb
−・=(21であるから、トランジスタM21はオン
しV 2− V L ・・・・
・・(3)となる。そして信呼φ2のパルス〔22〕が
来ると電圧■1はトランジスタM21の容量成分による
ブートストランプ 但し、cRはブートストラップ CsはトランジスタM21のゲート のストレー容量 となり、このとき V IV tl+≧■H ・・・・・・
(5)ならば v2=v,、 ・・・・・・(6
)トナリ、トランジスタM21のソース■にパルス〔2
2〕が1友き出される。
そしてこのときトランジスタM31は電圧V1によって
オンされており、出力点(勢の電圧V3 (第6図F
)は、 V3−−−V□ − ・・・・・・
(7)になり、上述のパルスが出力される。
オンされており、出力点(勢の電圧V3 (第6図F
)は、 V3−−−V□ − ・・・・・・
(7)になり、上述のパルスが出力される。
さらに信号φ2に同期してトランジスタM41がオくと
なり、電圧■2がトランジスタM51のゲート■にも蓄
積される。そしてこのケート■の電圧V4 (第6図
G)が V4 = V H V th ・・
・・・・(5()になるごとによってトランジスタM6
1がオンし、トランジスタM21と同様の動作でトラン
ジスタM 51のソース■にパルス〔13〕が抜き出さ
れ(第6図1()、同時にトランジスタM6tがオンし
て出力点■にパルスが出力される(第6図I)。
なり、電圧■2がトランジスタM51のゲート■にも蓄
積される。そしてこのケート■の電圧V4 (第6図
G)が V4 = V H V th ・・
・・・・(5()になるごとによってトランジスタM6
1がオンし、トランジスタM21と同様の動作でトラン
ジスタM 51のソース■にパルス〔13〕が抜き出さ
れ(第6図1()、同時にトランジスタM6tがオンし
て出力点■にパルスが出力される(第6図I)。
以十同様にしてトランジスタM32, Mg2 、”の
出力点■,qユ・・・に信号φ□,φ2の各パルス(2
3) 、 (14) ・・・が出力される(第6図
り。
出力点■,qユ・・・に信号φ□,φ2の各パルス(2
3) 、 (14) ・・・が出力される(第6図
り。
0・・・)。
従っCごの回1?δにおいて、人力信1号φ1Nがトl
ロ次伝送され、トランジスタM21. M51, M2
,、 Mr.2・・・のソースにh]〔1次パルスが取
り出され、このパルスがトランジスタM31. M61
1 M32, Mg2・・・を通じ゛C出力される。そ
しCごのパルスにて例えば水平走査線を順次駆動するこ
とができる。
ロ次伝送され、トランジスタM21. M51, M2
,、 Mr.2・・・のソースにh]〔1次パルスが取
り出され、このパルスがトランジスタM31. M61
1 M32, Mg2・・・を通じ゛C出力される。そ
しCごのパルスにて例えば水平走査線を順次駆動するこ
とができる。
さらに第6図に,Ijいて、電圧V+ 、V4 、Vv
・・・の電圧の」二WVAは、トランジスタM21。
・・・の電圧の」二WVAは、トランジスタM21。
M51・・・の容量成分によるフートストラソゾ9)ノ
果によるものであり、 である。まノ、;電1.EV2,V5 + Ve
・・・の電圧の隆下■8及び電圧V3 、V6,Vs
・・・の電圧の降−) V C &;I,重圧V1,
V4,V? ・・・がV HV triから■Lに変
化するときに、この電(;:fがトランジスタM211
M31.1 M5+・M 61+ M 22・M32
・・・の容晴成分をij’oIして現れるものであり、
それぞれ となるが、ここで負荷としてCCD撮像素イあるいは液
晶ディスプレイ等の容量性の負荷を用いた場合には (、L)co ””・・02)
であるので、−上述のVcはほとんど無視でき/、)値
となる。
果によるものであり、 である。まノ、;電1.EV2,V5 + Ve
・・・の電圧の隆下■8及び電圧V3 、V6,Vs
・・・の電圧の降−) V C &;I,重圧V1,
V4,V? ・・・がV HV triから■Lに変
化するときに、この電(;:fがトランジスタM211
M31.1 M5+・M 61+ M 22・M32
・・・の容晴成分をij’oIして現れるものであり、
それぞれ となるが、ここで負荷としてCCD撮像素イあるいは液
晶ディスプレイ等の容量性の負荷を用いた場合には (、L)co ””・・02)
であるので、−上述のVcはほとんど無視でき/、)値
となる。
さらに電圧V2 + V4 + Vs 、VT 、
Vρ ・・・の電圧の1−昇VI、は、信号φ1.φ2
がトランジスタM1.M41.M?1・・・の容重成分
をi)[L;て混入されるものである。
Vρ ・・・の電圧の1−昇VI、は、信号φ1.φ2
がトランジスタM1.M41.M?1・・・の容重成分
をi)[L;て混入されるものである。
そし”ζこの回路におい°C11−ランジスタM31゜
Met・・・ば出力パルスの期間はオンされ、他の期間
はオフされるので、」−述の債吋φ1.φ2の混入によ
る電圧V l)が出力点■、■・・・に現れるのを防止
すると共に、1−ランジスクM51. M22・・・の
ケート■、■・・・に蓄積された電i’+’+fが、ト
ランジスタM、目、M?1・・・がオンのとき出力点■
、■・・・に流出するのを抑圧する。
Met・・・ば出力パルスの期間はオンされ、他の期間
はオフされるので、」−述の債吋φ1.φ2の混入によ
る電圧V l)が出力点■、■・・・に現れるのを防止
すると共に、1−ランジスクM51. M22・・・の
ケート■、■・・・に蓄積された電i’+’+fが、ト
ランジスタM、目、M?1・・・がオンのとき出力点■
、■・・・に流出するのを抑圧する。
こうして入力信号φINの伝送が1Jわれるわりである
が、この回路によれば上述した従来の欠点を−(吊する
、二と力くできる。
が、この回路によれば上述した従来の欠点を−(吊する
、二と力くできる。
ずなわら、上述の回路において、信号を伝送し次の信号
をIMるまでの1段の構成が例えばl・ランジスクM2
1. M31. Mn2. Metの4素子のめである
。従っこ回II′8規模が小さく、tC化した場合のチ
ップ而fすJも小さくなる。
をIMるまでの1段の構成が例えばl・ランジスクM2
1. M31. Mn2. Metの4素子のめである
。従っこ回II′8規模が小さく、tC化した場合のチ
ップ而fすJも小さくなる。
また出力信号がりし1ツク信呼φ]、φ2のパルスを抽
出する形で形成されるので、上述のよ・)にクロック(
I′lT号φ1.φ2のパルスを短くするごとにより容
易に出力信号のオーパーラ・ノブを(11% <、すこ
とができる。
出する形で形成されるので、上述のよ・)にクロック(
I′lT号φ1.φ2のパルスを短くするごとにより容
易に出力信号のオーパーラ・ノブを(11% <、すこ
とができる。
さらに従来の回路のように貫通電流が流れることがない
のご、消費電力が極め°(小さくなる。
のご、消費電力が極め°(小さくなる。
市た各トランジスタが直線領域で駆動されているので、
容易に+lJi速y(駆動を行・)ごとができ、それに
よって消費電力が大きくなるごともない。
容易に+lJi速y(駆動を行・)ごとができ、それに
よって消費電力が大きくなるごともない。
さらにり1」ツク信号φl、φ2のそれぞれによって出
力信号が得られるので、り11ツク信号の周波数を従来
の%にすることができ、これに、LっCも消費電力が小
さくなる。
力信号が得られるので、り11ツク信号の周波数を従来
の%にすることができ、これに、LっCも消費電力が小
さくなる。
また例えはエンハンスメント型の素イのめで回路を形成
できるので、IC化した場合にブしIセスが少なくてず
の、容易かつ安価に回路を形成できる。
できるので、IC化した場合にブしIセスが少なくてず
の、容易かつ安価に回路を形成できる。
さらにこの回路において残留電圧VBは、極めて小さく
略零になる。従ってしきい値等の制約かなくなり、タイ
ナミソクレンジ4)J(s人限利用′4るごとができる
。
略零になる。従ってしきい値等の制約かなくなり、タイ
ナミソクレンジ4)J(s人限利用′4るごとができる
。
そしてさらに、トランジスタM 3+ 、 M 61・
・・が設けられたことにより、信号φ【、φ2の混入に
よる影響が遮Itliされると共に、次段の電(i■の
帰還による前段出力ラインへの漏洩が抑圧され、出力ラ
インの不要な電位変動が除去される。
・・が設けられたことにより、信号φ【、φ2の混入に
よる影響が遮Itliされると共に、次段の電(i■の
帰還による前段出力ラインへの漏洩が抑圧され、出力ラ
インの不要な電位変動が除去される。
また!fSV図は本発明の他の例を示す。し1において
トランジスタM22. M52のソースがエンハンスメ
ント型のMO3I−ランジスクMe++ Metのゲー
トに接続される。このトランジスタM 81 、 M
g五のソースドレインがそれぞれ2つ前のトランジスタ
M31. M4Xs Msl、 MttO)l妾続中
Jj人と接地ライン(2)との間に接続される。ごの回
WRにおいてトランジスタM811 M91が次1没の
出力によってオンされることにより、ブートスl−ラッ
プのボッ1エンドにf!4I*、された電荷がトランジ
スタM al 、 M 9s・・を涌じて接地ライン(
2)に吸収される。
トランジスタM22. M52のソースがエンハンスメ
ント型のMO3I−ランジスクMe++ Metのゲー
トに接続される。このトランジスタM 81 、 M
g五のソースドレインがそれぞれ2つ前のトランジスタ
M31. M4Xs Msl、 MttO)l妾続中
Jj人と接地ライン(2)との間に接続される。ごの回
WRにおいてトランジスタM811 M91が次1没の
出力によってオンされることにより、ブートスl−ラッ
プのボッ1エンドにf!4I*、された電荷がトランジ
スタM al 、 M 9s・・を涌じて接地ライン(
2)に吸収される。
従ってこの回路において、ボッ1エンドの電f!:1が
略0にされ、この電荷によっζ4トじる第〔5図の電圧
■cが■))0にされる。これによって出力ラインの電
位はさらに安定する。
略0にされ、この電荷によっζ4トじる第〔5図の電圧
■cが■))0にされる。これによって出力ラインの電
位はさらに安定する。
さらにMos+・ランジスタだげごはブー1スI・ラッ
プ用の容f′n成分が足りない場合に、トランジスタの
ソースケ−I・間にコンデンサを設り゛(もよい。なお
その場合のmlタンンサは、第81;J、Iにボすよう
にMo5t−ランジスタMa、Mb・・・のゲートとソ
ース1ルインとの間の容贋を用いて1)よい。またこの
場合のMo3t・ランジスタM a 。
プ用の容f′n成分が足りない場合に、トランジスタの
ソースケ−I・間にコンデンサを設り゛(もよい。なお
その場合のmlタンンサは、第81;J、Iにボすよう
にMo5t−ランジスタMa、Mb・・・のゲートとソ
ース1ルインとの間の容贋を用いて1)よい。またこの
場合のMo3t・ランジスタM a 。
Mb・・・はエンハンスメント型でもディプし・ソショ
ン型でもよい。
ン型でもよい。
発明の効果
本発明によれは、出力ラインの出力パルス以り1の不要
な電位変動を除去することができた。
な電位変動を除去することができた。
第1図は従来の回1/3の接続図、第2図はその説明の
ための波形図、第3図は本発明の一例の接続図、第4図
〜第6図はその説明のだめの図、第7図、第8図はそれ
ぞれ他の例の接続図である。 (1)ば入力端子、(2)は接地ライン、(41,(5
1はり1」ツク端子、MはMOSトランジスタである。 パ−゛、:入 、、、、:、、、c;) 第1図 第4図 第2図 Bψ2 “ ニー v4 【1
ための波形図、第3図は本発明の一例の接続図、第4図
〜第6図はその説明のだめの図、第7図、第8図はそれ
ぞれ他の例の接続図である。 (1)ば入力端子、(2)は接地ライン、(41,(5
1はり1」ツク端子、MはMOSトランジスタである。 パ−゛、:入 、、、、:、、、c;) 第1図 第4図 第2図 Bψ2 “ ニー v4 【1
Claims (1)
- 人力信号がソースポロアに供給され、このソースボロア
のゲートソース間にブートストラップ川の容9成匁が1
、−た・Uられ、[−記ソースボ1.lアからのイd号
が、第1のトランスミッションゲートを通じて次段に供
給され、」二記ソースボロア及び第1のトランスミソシ
コンゲートからなる回路が順次接続され、上記ソースホ
ロア及O・第1のトランスミッションゲートが各段ごと
に交互に異なる位相で駆動されることにより、上記人力
信号が各段ごとに順次伝送されると共に、上記ソースボ
ロアと共通にケートの接続された第2の1−ランスミッ
ションゲートが設りられ、上記ソースポロアからの信号
をこの第2のトランスミソシコンケートを通じて取り出
すようにした信号伝送回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57151237A JPS5942696A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | 信号伝送回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57151237A JPS5942696A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | 信号伝送回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5942696A true JPS5942696A (ja) | 1984-03-09 |
Family
ID=15514242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57151237A Pending JPS5942696A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | 信号伝送回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5942696A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0615250A1 (de) * | 1993-03-08 | 1994-09-14 | Lüder, Ernst, Prof. Dr.-Ing. habil. | Schaltungsanordnung zur Ansteuerung von ketten- oder matrixförmig angeordneten Schaltelementen |
-
1982
- 1982-08-31 JP JP57151237A patent/JPS5942696A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0615250A1 (de) * | 1993-03-08 | 1994-09-14 | Lüder, Ernst, Prof. Dr.-Ing. habil. | Schaltungsanordnung zur Ansteuerung von ketten- oder matrixförmig angeordneten Schaltelementen |
| US5517543A (en) * | 1993-03-08 | 1996-05-14 | Ernst Lueder | Circuit device for controlling circuit components connected in series or in a matrix-like network |
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