JPS5943485B2 - 加水分解されたグリシジル基を含有する高分子量エポキシ樹脂を製造する方法 - Google Patents
加水分解されたグリシジル基を含有する高分子量エポキシ樹脂を製造する方法Info
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- JPS5943485B2 JPS5943485B2 JP57500077A JP50007781A JPS5943485B2 JP S5943485 B2 JPS5943485 B2 JP S5943485B2 JP 57500077 A JP57500077 A JP 57500077A JP 50007781 A JP50007781 A JP 50007781A JP S5943485 B2 JPS5943485 B2 JP S5943485B2
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/02—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule
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-
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Description
【発明の詳細な説明】
明細書
本発明は加水分解されたエポキシ樹脂を製造する方法に
関する。
関する。
高分子量ポリエポキシド樹脂は、米国特許363283
6に記載されているように加水分解された又は部分的に
加水分解された低分子量又は(式中Aは1〜8の炭素原
子を有する二価の炭化水素、−S− 一S−S− ーS一 −S一又は−C−であり、各XおよびX牡独立に水素、
臭素、塩素又は1〜8の炭素原子を有する炭化水素基:
nはO又は1であり、n′は平均0.9以下である)に
よつて表わされた多価フエノ一ルのジグリシジルエーテ
ルであり成分(3)は(式中A.X.X?よびnは上記
に定義した通りである)によつて表わされ、そして成分
(4)および(B)はエポキシド対ヒドロキシル基が1
.5:1〜10:1であるような量使用されることを特
徴とする特許請求の範囲第3項に記載の方法。
6に記載されているように加水分解された又は部分的に
加水分解された低分子量又は(式中Aは1〜8の炭素原
子を有する二価の炭化水素、−S− 一S−S− ーS一 −S一又は−C−であり、各XおよびX牡独立に水素、
臭素、塩素又は1〜8の炭素原子を有する炭化水素基:
nはO又は1であり、n′は平均0.9以下である)に
よつて表わされた多価フエノ一ルのジグリシジルエーテ
ルであり成分(3)は(式中A.X.X?よびnは上記
に定義した通りである)によつて表わされ、そして成分
(4)および(B)はエポキシド対ヒドロキシル基が1
.5:1〜10:1であるような量使用されることを特
徴とする特許請求の範囲第3項に記載の方法。
5成分囚が一般式■(式中nは平均0.2以下の値を有
する)によつて表わされたエポキシ樹脂であり、そして
成分(B)は一般式CV)によつて表わされたヒドロキ
シル含有化合物であることを特徴とする特許請求の範囲
第4項に記載の方法。
する)によつて表わされたエポキシ樹脂であり、そして
成分(B)は一般式CV)によつて表わされたヒドロキ
シル含有化合物であることを特徴とする特許請求の範囲
第4項に記載の方法。
6 各XおよびXは独立に水素、塩素又は臭素であり、
各nは1でありそしてn′は平均0.001〜0.15
であることを特徴とする特許請求の範囲第5項に記載の
方法。
各nは1でありそしてn′は平均0.001〜0.15
であることを特徴とする特許請求の範囲第5項に記載の
方法。
7 成分囚はビス7エノ一ノイ〜のジグリシジルエーテ
ルであり:成分(B)はビスフエノ一ルAであり触媒(
ト)は蓚酸であり、そして触媒(1)はエチルトリフエ
ニルホスホニウムアセテート・酢酸錯体であることを特
徴とする特許請求の範囲第6項に記載の方法。
ルであり:成分(B)はビスフエノ一ルAであり触媒(
ト)は蓚酸であり、そして触媒(1)はエチルトリフエ
ニルホスホニウムアセテート・酢酸錯体であることを特
徴とする特許請求の範囲第6項に記載の方法。
明細書
本発明は加水分解されたエポキシ樹脂を製造する方法に
関する。
関する。
高分子量ポリエポキシド樹脂は、米国特許363283
6に記載されているように加水分解高分子量エポキシ樹
脂との混合によつてより反応性になつた。
6に記載されているように加水分解高分子量エポキシ樹
脂との混合によつてより反応性になつた。
加水分解されたそして部分的に加水分解されたエポキシ
樹脂は、不活性有機溶剤中に加水分解されるべきそのエ
ポキシ樹脂を溶解し、その得られた溶液と酸性触媒の稀
薄酸性水溶液と混合し、50℃〜374℃の温度まで加
熱し、洗浄してその酸触媒を除去しそしてその溶剤を蒸
留してその加水分解されたエポキシ樹脂生成物を回収す
る。
樹脂は、不活性有機溶剤中に加水分解されるべきそのエ
ポキシ樹脂を溶解し、その得られた溶液と酸性触媒の稀
薄酸性水溶液と混合し、50℃〜374℃の温度まで加
熱し、洗浄してその酸触媒を除去しそしてその溶剤を蒸
留してその加水分解されたエポキシ樹脂生成物を回収す
る。
このような方法はウオーカ一による米国特許第1340
5093:3632836および3787508に記載
されている。
5093:3632836および3787508に記載
されている。
特に粉末コーテイング、成形用粉末、被覆用エポキシエ
ステル樹脂、接着剤およびその類似物のような高分子量
のエポキシ樹脂を使用することが望ましい時このような
方法はそこから有機溶剤を除去しそして回収することを
必要とする。本発明は、有機溶剤の不存在において高分
子量エボキシ樹脂の製造中加水分解されたエポキシ基を
含む高分子量エポキシ樹脂組成物を製造する方法を提供
する。このような方法は環境の点から明らかに望ましい
。本発明は不活性有機溶剤および非イオン系分散剤の不
存在において(A11分子当り平均1を越えるグリシジ
ル基を有する少なくとも1種の低分子量エポキシ樹脂(
B)分子当り平均1を越えるヒドロキシル基を有する少
なくとも1種の化合物および(0加水分解されるべきグ
リシジル基の数に対し実質上化学量論量の水とを反応さ
せることからなり、前記反応ほ(D成分囚および(B)
間の反応をおこさせるための触媒量の触媒および(D任
意成分として成分(0とグリシジル基とを反応させるた
めに触媒量の触媒、しかし成分Eが使用されない時、使
用される水の量が成分囚および(B)間の反応から生ず
るエポキシ樹脂のすべてのエポキシ基全部を加水分解す
るために理論★的に必要な量より過剰であり、の存在に
おいて行なわれ、そして過剰量の水を除去する工程を加
えることからなる少なくとも1個の加水分解されたグリ
シジル基を含む高分子量エポキシ樹脂組成物を製造する
ための方法に関する。
ステル樹脂、接着剤およびその類似物のような高分子量
のエポキシ樹脂を使用することが望ましい時このような
方法はそこから有機溶剤を除去しそして回収することを
必要とする。本発明は、有機溶剤の不存在において高分
子量エボキシ樹脂の製造中加水分解されたエポキシ基を
含む高分子量エポキシ樹脂組成物を製造する方法を提供
する。このような方法は環境の点から明らかに望ましい
。本発明は不活性有機溶剤および非イオン系分散剤の不
存在において(A11分子当り平均1を越えるグリシジ
ル基を有する少なくとも1種の低分子量エポキシ樹脂(
B)分子当り平均1を越えるヒドロキシル基を有する少
なくとも1種の化合物および(0加水分解されるべきグ
リシジル基の数に対し実質上化学量論量の水とを反応さ
せることからなり、前記反応ほ(D成分囚および(B)
間の反応をおこさせるための触媒量の触媒および(D任
意成分として成分(0とグリシジル基とを反応させるた
めに触媒量の触媒、しかし成分Eが使用されない時、使
用される水の量が成分囚および(B)間の反応から生ず
るエポキシ樹脂のすべてのエポキシ基全部を加水分解す
るために理論★的に必要な量より過剰であり、の存在に
おいて行なわれ、そして過剰量の水を除去する工程を加
えることからなる少なくとも1個の加水分解されたグリ
シジル基を含む高分子量エポキシ樹脂組成物を製造する
ための方法に関する。
本発明の方法において、成分Dおよび(ニ)はその後添
加できる。このような方法は成分(4)、(B)および
(0を混合しそしてその反応混合物のエポキシ値の割合
が実質上一定になる時間水の沸点以下の温度および大気
圧で触媒量の成分Oの存在において反応させ、その後触
媒量の成分◎を加え、そしてその反応混合物のエポキシ
値の割合が実質土=定になる時間25〜300℃の温度
でその反応を続ける。本書の目的のため、低分子量およ
び高分子量とは相対的であり、その高分子量エポキシ樹
脂は低分子量エポキシ樹脂より大きな平均分子量を持つ
ことを意味している。
加できる。このような方法は成分(4)、(B)および
(0を混合しそしてその反応混合物のエポキシ値の割合
が実質上一定になる時間水の沸点以下の温度および大気
圧で触媒量の成分Oの存在において反応させ、その後触
媒量の成分◎を加え、そしてその反応混合物のエポキシ
値の割合が実質土=定になる時間25〜300℃の温度
でその反応を続ける。本書の目的のため、低分子量およ
び高分子量とは相対的であり、その高分子量エポキシ樹
脂は低分子量エポキシ樹脂より大きな平均分子量を持つ
ことを意味している。
加水分解されたグリシジル基とは一般式
によつて表わされた基を意味する。
適当な低分子量エポキシ樹脂は、例えば多価脂肪族、脂
環族および芳香族化合物のグリシジルエーテル類、ポリ
カルボン酸のグリシジルエステル類およびそれの混合物
を含む。
環族および芳香族化合物のグリシジルエーテル類、ポリ
カルボン酸のグリシジルエステル類およびそれの混合物
を含む。
フエノール類ビスフエノール類およびフエノールーアル
デヒド樹脂のような多価芳香族化合物のグリシジルエー
テル類が特に適する。
デヒド樹脂のような多価芳香族化合物のグリシジルエー
テル類が特に適する。
本発明において使用できる特にもつとも適する低分子量
エポキシ樹脂は一般式(式中Aは1〜8の炭素原子を有
する二価の炭化水素、−S 一S−S− 一S− −S一又は−C−であり、 各Xおよびrよ独立に 水素、臭素、塩素又は1〜8の炭素原子を有する炭化水
素基;nはO又は1であり、n′はO.9以下、好まし
くはO,2以下そしてもつとも好ましくは0.O01〜
0.15の平均値を有し、そしてwは00.001〜5
、好ましくはO.1〜2.5を有する)によつて表わさ
れた樹脂を含む。
エポキシ樹脂は一般式(式中Aは1〜8の炭素原子を有
する二価の炭化水素、−S 一S−S− 一S− −S一又は−C−であり、 各Xおよびrよ独立に 水素、臭素、塩素又は1〜8の炭素原子を有する炭化水
素基;nはO又は1であり、n′はO.9以下、好まし
くはO,2以下そしてもつとも好ましくは0.O01〜
0.15の平均値を有し、そしてwは00.001〜5
、好ましくはO.1〜2.5を有する)によつて表わさ
れた樹脂を含む。
±記一般式(]])で表わされた化合物とは一般にそ・
の化合物中の繰返し単位が存在しない化合物(n′=0
)、およびその繰返し単位が1個、2個、3個・・・・
・・・・・・・・・・・の化合物の混合物として存在す
る。
の化合物中の繰返し単位が存在しない化合物(n′=0
)、およびその繰返し単位が1個、2個、3個・・・・
・・・・・・・・・・・の化合物の混合物として存在す
る。
そのn′はその化合物中のその繰返し単位の平均である
。その低分子量エポキシ樹脂は ロロヒドリンとの反応によつて得られるが、使用される
触媒の種類および量並びに反応体の量を調節することに
よつて所望のn′の値を持つた低分子量エポキシ樹脂を
製造できる。
。その低分子量エポキシ樹脂は ロロヒドリンとの反応によつて得られるが、使用される
触媒の種類および量並びに反応体の量を調節することに
よつて所望のn′の値を持つた低分子量エポキシ樹脂を
製造できる。
同様に、一般式で表わされた化合物においても、その化
合物は繰返し単位が不存在の化合物(Rf′−0)とそ
の繰返し単位が1個、2個、3個・・・・・・・・・・
・・・・・の化合物との混合物として存在する。
合物は繰返し単位が不存在の化合物(Rf′−0)とそ
の繰返し単位が1個、2個、3個・・・・・・・・・・
・・・・・の化合物との混合物として存在する。
イはその化合物中のその繰返し単位の平均である。所望
のwを持つた化合物は、一般式(11)の化合物と同様
に公知の方法で製造できる。本発明において適当に使用
できる分子当り平均1を越えるヒドロキシル基を有する
適当な化合物は例えば多数のヒドロキシル基を有する脂
肪族、脂環族および芳香族化合物を含む。適当な脂肪族
ヒドロキシル含有化合物は例えばエチレングリコール、
プロピレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロ
ピレングリコール、ポリオキシプロピレングリコール類
、グリセリン、ペンタエリスリトール、ネオペンチルグ
リコールおよびジブロモネオペンチルグリコール類を含
む。
のwを持つた化合物は、一般式(11)の化合物と同様
に公知の方法で製造できる。本発明において適当に使用
できる分子当り平均1を越えるヒドロキシル基を有する
適当な化合物は例えば多数のヒドロキシル基を有する脂
肪族、脂環族および芳香族化合物を含む。適当な脂肪族
ヒドロキシル含有化合物は例えばエチレングリコール、
プロピレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロ
ピレングリコール、ポリオキシプロピレングリコール類
、グリセリン、ペンタエリスリトール、ネオペンチルグ
リコールおよびジブロモネオペンチルグリコール類を含
む。
本発明において使用できる特に適する二価フエノール類
は一般式(式中A.X.X.nおよびイは上記定義通り
である)成分(B)が芳香族ヒドロキシル含有化合物で
ある時、本発明の方法において成分(Pとして使用でき
る適当な触媒は近接するエポキシ基とフエノール性ヒド
ロキシ基との間の反応を触媒化する触媒を含む。
は一般式(式中A.X.X.nおよびイは上記定義通り
である)成分(B)が芳香族ヒドロキシル含有化合物で
ある時、本発明の方法において成分(Pとして使用でき
る適当な触媒は近接するエポキシ基とフエノール性ヒド
ロキシ基との間の反応を触媒化する触媒を含む。
このような触媒は例えば、米国特許第3306872:
3341580;3379684;3477990:3
547881;3637590:3843605:39
48855゜3956237:4048141゜409
3650“4131633:4132706;4171
420;および4177216に記載されている触媒を
含む。
3341580;3379684;3477990:3
547881;3637590:3843605:39
48855゜3956237:4048141゜409
3650“4131633:4132706;4171
420;および4177216に記載されている触媒を
含む。
特に好ましい触媒は、エチルトリフエニルホスホニウム
クロライド、エチルトリフエニルホスホニウムブロマイ
ド、エチルトリフエニルホニウムアイオダイド、エチル
トリフエニルホスホニウムアセテート、エチルトリフエ
ニルホスホニウムジアセテート(エチルトリフエニルホ
スホニウムアセテート・酢酸錯体)、テトラブチルホス
ホニウムクロライド、テトラブチルホスホニウムブロマ
イド、テトラブチルホスホニウムアイオダイド、テトラ
ブチルホスホニウムアセテート、゛テトラブチルホスホ
ニウムジアセテート(テトラブチルホスホニウムアセテ
ート・酢酸錯体)、ブチルトリフエニルホスホニウムテ
トラプロモビスフエネート、ブチルトリフエニルホスホ
ニウムビスフエネート、ブチルトリフエニルホスホニウ
ムビカーボネート、エチルトリフエニルホスホニウムビ
フエネート、ベンジルトリメチルアンモニウムクロライ
ドおよびラトラメチルアンモニウムヒドロキシドのよう
な第四級ホスホニウムおよびアンモニウム化合物である
。成分Bが脂肪族又は脂環族含有ヒドロキシル化合物で
ある時成分(Pとして使用できる適当な触媒は、例えば
三フツ化ホウ素、塩化第二スズ、塩化アルミニウム、塩
化第二鉄、臭化アルミニウム、塩化亜鉛、四塩化珪素、
塩化チタンおよびそれらの混合物のようなルイス酸を含
む。
クロライド、エチルトリフエニルホスホニウムブロマイ
ド、エチルトリフエニルホニウムアイオダイド、エチル
トリフエニルホスホニウムアセテート、エチルトリフエ
ニルホスホニウムジアセテート(エチルトリフエニルホ
スホニウムアセテート・酢酸錯体)、テトラブチルホス
ホニウムクロライド、テトラブチルホスホニウムブロマ
イド、テトラブチルホスホニウムアイオダイド、テトラ
ブチルホスホニウムアセテート、゛テトラブチルホスホ
ニウムジアセテート(テトラブチルホスホニウムアセテ
ート・酢酸錯体)、ブチルトリフエニルホスホニウムテ
トラプロモビスフエネート、ブチルトリフエニルホスホ
ニウムビスフエネート、ブチルトリフエニルホスホニウ
ムビカーボネート、エチルトリフエニルホスホニウムビ
フエネート、ベンジルトリメチルアンモニウムクロライ
ドおよびラトラメチルアンモニウムヒドロキシドのよう
な第四級ホスホニウムおよびアンモニウム化合物である
。成分Bが脂肪族又は脂環族含有ヒドロキシル化合物で
ある時成分(Pとして使用できる適当な触媒は、例えば
三フツ化ホウ素、塩化第二スズ、塩化アルミニウム、塩
化第二鉄、臭化アルミニウム、塩化亜鉛、四塩化珪素、
塩化チタンおよびそれらの混合物のようなルイス酸を含
む。
使用されるエポキシ樹脂およびヒドロキシル含有化合物
の量は所望の分子量を得るために必要な量であり、そし
て通常40:1〜1.2:1、好ましくは10:1〜1
.5:1のエポキシド対総フエノール性ヒドロキシル割
合を提供する量使用される。
の量は所望の分子量を得るために必要な量であり、そし
て通常40:1〜1.2:1、好ましくは10:1〜1
.5:1のエポキシド対総フエノール性ヒドロキシル割
合を提供する量使用される。
使用される成分Dの量は利用される反応体および触媒に
依存しそして通常エポキシド反応体当量当り0.1〜1
0ミリモル、好ましくは0.2〜6ミリモルの範囲内で
ある。
依存しそして通常エポキシド反応体当量当り0.1〜1
0ミリモル、好ましくは0.2〜6ミリモルの範囲内で
ある。
高分子量生成物が製造される場合には多量の触媒が望ま
しい。その反応が実施される温度は使用される反応体お
よび触媒に依存するが、しかし通常25〜300℃、好
ましくは90〜250℃である。
しい。その反応が実施される温度は使用される反応体お
よび触媒に依存するが、しかし通常25〜300℃、好
ましくは90〜250℃である。
その温度が高くなりそして触媒濃度が高くなる程、その
反応が特定な程度にまで達するために必要な時間は少な
くなる。過剰の水がその方法において使用される時、反
応しない水は適当な手段、例えば真空蒸留、モレキユラ
ーシーブ、又は不活性ガスパージによつて高温で除去で
きる。
反応が特定な程度にまで達するために必要な時間は少な
くなる。過剰の水がその方法において使用される時、反
応しない水は適当な手段、例えば真空蒸留、モレキユラ
ーシーブ、又は不活性ガスパージによつて高温で除去で
きる。
しかしながら真空蒸留によつて過剰の水を除去すること
が好ましい。加水分解触媒が使用されない時、加水分解
の程度は、反応条件および水の量に依存する。
が好ましい。加水分解触媒が使用されない時、加水分解
の程度は、反応条件および水の量に依存する。
しかしながら一定の反応条件のもとで、過剰量の水が多
くなる程加水分解の程度は多くなる。水とグリシジル基
との反応のため適当な加水分解触媒は、適当な酸又は塩
基触媒を含む。
くなる程加水分解の程度は多くなる。水とグリシジル基
との反応のため適当な加水分解触媒は、適当な酸又は塩
基触媒を含む。
米国特許第3405093において開示された酸が特に
適する。加水分解反応用触媒はその反応を触媒化する量
使用さ飄そしてその量は低分子量エポキシ樹脂の量に基
づいて0.01〜20wt%、好ましくは0.1〜0.
7wt%である。
適する。加水分解反応用触媒はその反応を触媒化する量
使用さ飄そしてその量は低分子量エポキシ樹脂の量に基
づいて0.01〜20wt%、好ましくは0.1〜0.
7wt%である。
エポキシドの理論割合は以下に式によつて計算される。
EqER=そのエポキシ樹脂からのエポキシ当量EqO
H=ヒドロキシ含有化合物からのヒドロキシル当量Wt
ER4.用されたエポキシ樹脂の重量WtOH4用した
ヒドロキシル含有化合物の重量理論E]Vは下記式によ
つて計算される。
H=ヒドロキシ含有化合物からのヒドロキシル当量Wt
ER4.用されたエポキシ樹脂の重量WtOH4用した
ヒドロキシル含有化合物の重量理論E]Vは下記式によ
つて計算される。
理論的な100%加水分解は(4)と(Bとの反応から
生ずる樹脂の残つているエポキシド含有分を理論的に加
水分解するに必要な水の量を決定することによつて計算
される。
生ずる樹脂の残つているエポキシド含有分を理論的に加
水分解するに必要な水の量を決定することによつて計算
される。
すなわちEqH2O(H2O当量)=EqER−EqO
H(理論的に100%加水分解のため)。
H(理論的に100%加水分解のため)。
上記の式を使用して実施例1では100%加水分解のた
めの理論的な水の量は次のように計算される。
めの理論的な水の量は次のように計算される。
その加水分解割合は次のように計算される式中
TPEAおよびB=AとBとの反応の後理論的エポキシ
ド%TPEA..BおよびD=A,.BおよびDの反応
の後の理論的エポキシ%下記の実施例は本発明の説明用
であつて本発明の範囲を限定しない。
ド%TPEA..BおよびD=A,.BおよびDの反応
の後の理論的エポキシ%下記の実施例は本発明の説明用
であつて本発明の範囲を限定しない。
実施例 1−5
一連の高分子量エポキシ樹脂はパール(Parr)オー
トクレーブ反応器に表に示された量の184のエポキウ
トゞ当帯舌帯(餌賞『ル右寸ムビスフェノールAのジグ
リシジルエーテル、ビスフエノールAおよび水およびエ
ボキシ樹脂およびビスフエノールA間の反応用の触媒と
してエチルトリフエらルホスホニウムアセテート・酢酸
錯体(メタノール中の70%溶液として)を加えた。
トクレーブ反応器に表に示された量の184のエポキウ
トゞ当帯舌帯(餌賞『ル右寸ムビスフェノールAのジグ
リシジルエーテル、ビスフエノールAおよび水およびエ
ボキシ樹脂およびビスフエノールA間の反応用の触媒と
してエチルトリフエらルホスホニウムアセテート・酢酸
錯体(メタノール中の70%溶液として)を加えた。
その反応は自動発生圧で120℃で2時間行なつた。そ
の後未反応の水を190℃で30分間真空ストリツピン
グによつて除去した。各例における触媒の量は70%溶
液0.5yであつた。反応体の量および5結果は以下の
表1に示される。実施例 6−9 一連の高分子量エポキシ樹脂はパール(Parr)オー
トクレープ反応器に表に示された量の184のエポキシ
ド当量重量(EDV)を有するビスフエノールAのジグ
リシジルエーテル、ビスフエノールAおよび水およびエ
ポキシ樹脂およびビスフエノールA間の反応用の触媒と
してエチルトリフエニルホスホニウムアセテート・酢酸
錯体(メタノール中の70%溶液として)および加水分
解用の触媒として蓚酸二水和物を加えた。
の後未反応の水を190℃で30分間真空ストリツピン
グによつて除去した。各例における触媒の量は70%溶
液0.5yであつた。反応体の量および5結果は以下の
表1に示される。実施例 6−9 一連の高分子量エポキシ樹脂はパール(Parr)オー
トクレープ反応器に表に示された量の184のエポキシ
ド当量重量(EDV)を有するビスフエノールAのジグ
リシジルエーテル、ビスフエノールAおよび水およびエ
ポキシ樹脂およびビスフエノールA間の反応用の触媒と
してエチルトリフエニルホスホニウムアセテート・酢酸
錯体(メタノール中の70%溶液として)および加水分
解用の触媒として蓚酸二水和物を加えた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 不活性有機溶剤および非イオン系分散剤の不存在に
おいて(A)1分子当り平均1を越えるグリシジル基を
有する少なくとも1種の低分子量エポキシ樹脂;(B)
分子当り平均1を越えるヒドロキシル基を有する少なく
とも1種の化合物および(C)加水分解されるべきグリ
シジル基の数に対し実質上化学量論量の水とを反応させ
ることからなり、前記反応は(Y)成分(A)および(
B)間の反応をおこさせるための触媒量の触媒および(
E)任意成分として成分(C)とグリシジル基とを反応
させるための触媒量の触媒、しかし成分(E)が使用さ
れない時、使用される水の量が成分(A)および(B)
間の反応から生ずるエポキシ樹脂のすべてのエポキシ基
全部を加水分解するために理論的に必要な量より過剰で
あり、の存在において行なわれ、そして過剰量の水を除
去する工程を加えることからなる少なくとも1個の加水
分解されたグリシジル基を含む高分子量エポキシ樹脂組
成物を製造する方法。 2 成分(A)、(B)および(C)を混合しそしてそ
の反応混合物のエポキシ値の割合が実質上一定になる時
間水の沸点以下の温度および大気圧で触媒量の成分(E
)の存在において反応させ、その後触媒量の成分(D)
を加え、そしてその反応混合物のエポキシ値の割合が実
質上一定になる時間25〜300℃の温度でその反応を
続けることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の
方法。 3 成分(A)が芳香族ヒドロキシル含有化合物のグリ
シジルエーテルであり、成分(B)は芳香族ヒドロキシ
ル含有化合物であり、成分(D)はホスホニウム化合物
でありそして成分(A)および(B)は1.2:1〜4
0:1のエポキシ:ヒドロキシル比を提供する量存在す
ることを特徴とする特許請求の範囲第1又は2項に記載
の方法。 4 成分(A)は一般式 ( I )▲数式、化学式、表等があります▼又は(II)
▲数式、化学式、表等があります▼(式中Aは1〜8の
炭素原子を有する二価の炭化水素、−O−、−S−、−
S−S−、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式
、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式、表等
があります▼であり、各XおよびX′は独立に水素、臭
素、塩素又は1〜8の炭素原子を有する炭化水素基;n
は0又は1であり、n′は平均0.9以下である)によ
つて表わされた多価フェノールのジグリシジルエーテル
であり成分(B)は(IV)▲数式、化学式、表等があり
ます▼又は(V)▲数式、化学式、表等があります▼(
式中A、X、X′およびnは上記に定義した通りである
)によつて表わされ、そして成分(A)および(B)は
エポキシド対ヒドロキシル基が1.5:1〜10:1で
あるような量使用されることを特徴とする特許請求の範
囲第3項に記載の方法。 5 成分(A)が一般式II(式中nは平均0.2以下の
値を有する)によつて表わされたエポキシ樹脂であり、
そして成分(B)は一般式(V)によつて表わされたヒ
ドロキシル含有化合物であることを特徴とする特許請求
の範囲第4項に記載の方法。 6 各XおよびX′は独立に水素、塩素又は臭素であり
、各nは1でありそしてn′は平均0.001〜0.1
5であることを特徴とする特許請求の範囲第5項に記載
の方法。 7 成分(A)はビスフエノール(A)のジグリシジル
エーテルであり:成分(B)はビスフェノールAであり
触媒(E)は蓚酸であり、そして触媒(D)はエチルト
リフェニルホスホニウムアセテート・酢酸錯体であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第6項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/210,472 US4358577A (en) | 1980-11-26 | 1980-11-26 | Method for preparing high molecular weight epoxy resins containing hydrolyzed epoxy groups |
| US06/210,475 US4340713A (en) | 1980-11-26 | 1980-11-26 | Method for preparing high molecular weight epoxy resins containing hydrolyzed epoxy groups |
| US000000210472 | 1980-11-26 | ||
| US000000210475 | 1980-11-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57501785A JPS57501785A (ja) | 1982-10-07 |
| JPS5943485B2 true JPS5943485B2 (ja) | 1984-10-22 |
Family
ID=26905194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57500077A Expired JPS5943485B2 (ja) | 1980-11-26 | 1981-11-25 | 加水分解されたグリシジル基を含有する高分子量エポキシ樹脂を製造する方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JPS5943485B2 (ja) |
| BR (1) | BR8108885A (ja) |
| WO (1) | WO1982001878A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH04270721A (ja) * | 1991-02-26 | 1992-09-28 | Yuka Shell Epoxy Kk | 高反応性高分子量エポキシ樹脂の製造方法 |
| JP6512392B2 (ja) * | 2013-05-29 | 2019-05-15 | ナガセケムテックス株式会社 | エポキシ化合物、エポキシ組成物及び接着剤 |
| CN119019647A (zh) * | 2023-05-25 | 2024-11-26 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种含量可控高活性羟基改性固体环氧树脂及其制备方法 |
| CN120209285A (zh) * | 2023-12-27 | 2025-06-27 | 上纬创新育成股份有限公司 | 可固化的碳酸酯组合物、其制备方法与碳酸酯固化物 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3405093A (en) * | 1966-12-05 | 1968-10-08 | Dow Chemical Co | Process for hydrolyzing polyepoxide resins |
| US3632836A (en) * | 1968-10-25 | 1972-01-04 | Dow Chemical Co | Solid curable polyepoxides modified with hydrolyzed liquid polyepoxides |
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