JPS5943502B2 - ツイストネマチツク型液晶組成物 - Google Patents
ツイストネマチツク型液晶組成物Info
- Publication number
- JPS5943502B2 JPS5943502B2 JP8025776A JP8025776A JPS5943502B2 JP S5943502 B2 JPS5943502 B2 JP S5943502B2 JP 8025776 A JP8025776 A JP 8025776A JP 8025776 A JP8025776 A JP 8025776A JP S5943502 B2 JPS5943502 B2 JP S5943502B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- mol
- crystal composition
- ratio
- azoxybenzene
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、新規な液晶組成物に関するもので、さらに
詳しくはツイストネマチツク型の電界効果を利用した液
晶セルに用いる液晶組成物に関するものである。
詳しくはツイストネマチツク型の電界効果を利用した液
晶セルに用いる液晶組成物に関するものである。
ツイストネマチツク電界効果型（以下ＴＮと略記する）
の液晶表示セルは、対向する二電極間で液晶分子の配向
方向を無電界時にはねじれさせておき、これに電界を印
加したときには、液晶分子の長軸方向が両電極面と垂直
の方向になるように配向方向が変化し、このときの光学
的性質の変化を利用したものである。
の液晶表示セルは、対向する二電極間で液晶分子の配向
方向を無電界時にはねじれさせておき、これに電界を印
加したときには、液晶分子の長軸方向が両電極面と垂直
の方向になるように配向方向が変化し、このときの光学
的性質の変化を利用したものである。
この発明は、ＴＮ型液晶セルに用いる液晶組成物に関し
、特に低温で作動し、低電圧駆動の可能な、正の誘電異
方性を有する液晶組成物を提供するものである。
、特に低温で作動し、低電圧駆動の可能な、正の誘電異
方性を有する液晶組成物を提供するものである。
以下この発明の骨子を述べる。この発明で用いられる負
の誘電異方性を有するネマチツク液晶の構造式とネマチ
ツク相を示す温度範囲を次に示す。４−メトキシー ４
’一エチルアゾキシベンゼン・・・・・・（ＭＥＡＺ）
・・・・・・ＣＨ３Ｏ−゜雇＝Ｎ−０−Ｃ２Ｈ５ ・・・・・・ ２２〜７４℃ ４−メトキシー ４’−ｎ−ブチルアゾキシベンゼン・
・・・・・（ＭＢＡＺ）・・・・・・ＣＨ３Ｏ゜一Υ＝
Ｎ０−ｎＣ４Ｈ９ ・・・・・・１６〜７６℃ ４、４’−ビス（ｎ−ブチル）アゾキシベンゼン・・・
・・・（ＢＢＡＺ）・・・・・・ｎｃ４Ｈ９ｏ−雇：Ｎ
゜−ｎｃ４Ｈ９ ・・・・・・ ２２〜３２℃ ４、４’−ビス（ｎ−ペンチル）アゾキシベンゼン・・
・・・・（ＢＰＡＺ）・・・・・・・・・・・・２６〜
６７なＣ ４，４′−ビス（ｎ−ヘキシノ（ハ）アゾキシベンゼン
・・・・・・（ＢＨＸＡＺ）・・・・・・υ・・・・・
・２２〜５５ＡＣ ４，４７−ビス（ｎ−ヘブチル）アゾキシベンゼン・・
・・・・（ＢＨＰＡＺ）・・・・・・・・・・・・３４
〜７２ＡＣこの発明による負の誘電異方性を有するネマ
チツク液晶は、ＭＢＡＺ，ｈＶ，ＢＢＡＺ，ＢＰＡ．Ｚ
，ＢＨＸＡＺ．およびＢＨＰＡＺの６種類よ一り成つて
いる。
の誘電異方性を有するネマチツク液晶の構造式とネマチ
ツク相を示す温度範囲を次に示す。４−メトキシー ４
’一エチルアゾキシベンゼン・・・・・・（ＭＥＡＺ）
・・・・・・ＣＨ３Ｏ−゜雇＝Ｎ−０−Ｃ２Ｈ５ ・・・・・・ ２２〜７４℃ ４−メトキシー ４’−ｎ−ブチルアゾキシベンゼン・
・・・・・（ＭＢＡＺ）・・・・・・ＣＨ３Ｏ゜一Υ＝
Ｎ０−ｎＣ４Ｈ９ ・・・・・・１６〜７６℃ ４、４’−ビス（ｎ−ブチル）アゾキシベンゼン・・・
・・・（ＢＢＡＺ）・・・・・・ｎｃ４Ｈ９ｏ−雇：Ｎ
゜−ｎｃ４Ｈ９ ・・・・・・ ２２〜３２℃ ４、４’−ビス（ｎ−ペンチル）アゾキシベンゼン・・
・・・・（ＢＰＡＺ）・・・・・・・・・・・・２６〜
６７なＣ ４，４′−ビス（ｎ−ヘキシノ（ハ）アゾキシベンゼン
・・・・・・（ＢＨＸＡＺ）・・・・・・υ・・・・・
・２２〜５５ＡＣ ４，４７−ビス（ｎ−ヘブチル）アゾキシベンゼン・・
・・・・（ＢＨＰＡＺ）・・・・・・・・・・・・３４
〜７２ＡＣこの発明による負の誘電異方性を有するネマ
チツク液晶は、ＭＢＡＺ，ｈＶ，ＢＢＡＺ，ＢＰＡ．Ｚ
，ＢＨＸＡＺ．およびＢＨＰＡＺの６種類よ一り成つて
いる。
これら６種類の液晶より成る液晶混合物において、ＭＢ
ＡＺとＭＥＡＺの比率は、ＭＢＡＺｌモルに対してＭＥ
ＡＺＯ．２〜１．０モルの範囲であることが望ましい。
ＭＥＡＺの比率が０．２モル未満になると、固体からネ
マチツク液晶相への転移温度ＴＣＮが高くなつて好まし
くない。また粘度がかなり上昇し、この点からも好まし
くない。一方ＭＥＡＺの比率が１．０モルを越えると、
やはりＴＣＮが高くなつて好ましくない。ＢＢＡＺ，Ｂ
ＰＡＺ，ＢＨＸＡＺ、およびＢＨＰＡＺの混合比率につ
いて望ましい割合は、前記６種類より成る液晶混合物全
体に対して、ＢＢＡＺは５〜１０モル％，ＢＰＡＺは５
〜３０モル％，ＢＨＸＡＺは５〜２５モル（Ｆｂ，ＢＨ
ＰＡＺは５〜３０モル％の範囲である。
ＡＺとＭＥＡＺの比率は、ＭＢＡＺｌモルに対してＭＥ
ＡＺＯ．２〜１．０モルの範囲であることが望ましい。
ＭＥＡＺの比率が０．２モル未満になると、固体からネ
マチツク液晶相への転移温度ＴＣＮが高くなつて好まし
くない。また粘度がかなり上昇し、この点からも好まし
くない。一方ＭＥＡＺの比率が１．０モルを越えると、
やはりＴＣＮが高くなつて好ましくない。ＢＢＡＺ，Ｂ
ＰＡＺ，ＢＨＸＡＺ、およびＢＨＰＡＺの混合比率につ
いて望ましい割合は、前記６種類より成る液晶混合物全
体に対して、ＢＢＡＺは５〜１０モル％，ＢＰＡＺは５
〜３０モル％，ＢＨＸＡＺは５〜２５モル（Ｆｂ，ＢＨ
ＰＡＺは５〜３０モル％の範囲である。
ＢＢＡＺの比率が５モル％未満になると、ＴＣＮが高く
なり好ましくない。一方ＢＢＡ．Ｚの比率が１０モル％
を越えると、ネマチツク液晶相から等方性液体への転移
温度ＴＮｌが低くなり好ましくない。ＢＰＡＺの比率が
５モル％未満になると、ＴＣＮが高くなり好ましくない
。一方ＢＰＡＺの比率が３０モル％％を越えると、やは
りＴＣＮが高くなり好ましくない。ＢＨＸＡＺの比率が
５モル％未満になると、ＴＣＮが高くなり好ましくない
。一方ＢＨＸＡＺの比率が２５モル％を越えると、やは
りＴＣＮ力塙くなり好ましくない３、またＴＮｌが低く
なり、この点でも好ましくない。ＢＨＰＡＺの比率が５
モル％未満になると、ＴＣＮが高くなつて好ましくない
。一方ＢｌＩＰＡＺの比率が３０モル％を越えると、Ｔ
ＣＮが相当高くなり好ましくない。ＭＢＡＺ、およびＭ
ＥＡＺの合計量が、前記６種類より成る液晶混合物全体
に対して占める割合について望ましい混合比率は、４０
〜６０モル％の範囲である。この比率が４０モル％未満
になると、全体の粘度が相当高くなり好ましくない。ま
たＴＣＮが高くなり、この点でも好ましくない。一方そ
の比率が６０モル％を越えると、やはりＴＣＮが高くな
り好ましくない。つぎにこの発明で用いられる正の誘電
異方性を有するネマチツク液晶の構造式とネマチツク相
を示す温度範囲を次に示す。
なり好ましくない。一方ＢＢＡ．Ｚの比率が１０モル％
を越えると、ネマチツク液晶相から等方性液体への転移
温度ＴＮｌが低くなり好ましくない。ＢＰＡＺの比率が
５モル％未満になると、ＴＣＮが高くなり好ましくない
。一方ＢＰＡＺの比率が３０モル％％を越えると、やは
りＴＣＮが高くなり好ましくない。ＢＨＸＡＺの比率が
５モル％未満になると、ＴＣＮが高くなり好ましくない
。一方ＢＨＸＡＺの比率が２５モル％を越えると、やは
りＴＣＮ力塙くなり好ましくない３、またＴＮｌが低く
なり、この点でも好ましくない。ＢＨＰＡＺの比率が５
モル％未満になると、ＴＣＮが高くなつて好ましくない
。一方ＢｌＩＰＡＺの比率が３０モル％を越えると、Ｔ
ＣＮが相当高くなり好ましくない。ＭＢＡＺ、およびＭ
ＥＡＺの合計量が、前記６種類より成る液晶混合物全体
に対して占める割合について望ましい混合比率は、４０
〜６０モル％の範囲である。この比率が４０モル％未満
になると、全体の粘度が相当高くなり好ましくない。ま
たＴＣＮが高くなり、この点でも好ましくない。一方そ
の比率が６０モル％を越えると、やはりＴＣＮが高くな
り好ましくない。つぎにこの発明で用いられる正の誘電
異方性を有するネマチツク液晶の構造式とネマチツク相
を示す温度範囲を次に示す。
４−ｎ−ベンチル一４！−シアノビフエニル（ＰＣＢＰ
）・・・・・・３５ＣＣ ４−ｎ−ヘキシル−４′−シアノビフエニル（ＨＸＣＢ
Ｐ）・・・・・２９℃ ４−ｎ−ヘプチル−４′−シアノビフエニル（ＨＰＣＢ
Ｐ）・・・・・・４３℃ この発明において、負の誘電異方性をもつ液晶と、正の
誘電異方性をもつ液晶の混合比率に関して望ましい割合
は、負の誘電異方性をもつ液晶７５〜９７モル％、正の
誘電異方性をもつ液晶３〜２５モル％である。
）・・・・・・３５ＣＣ ４−ｎ−ヘキシル−４′−シアノビフエニル（ＨＸＣＢ
Ｐ）・・・・・２９℃ ４−ｎ−ヘプチル−４′−シアノビフエニル（ＨＰＣＢ
Ｐ）・・・・・・４３℃ この発明において、負の誘電異方性をもつ液晶と、正の
誘電異方性をもつ液晶の混合比率に関して望ましい割合
は、負の誘電異方性をもつ液晶７５〜９７モル％、正の
誘電異方性をもつ液晶３〜２５モル％である。
後者の比率が３モル％未満になると、△εａ＝％「ε±
（ε４１は液晶分子の長軸方向の誘電率、εュは液晶分
子の短軸方向の誘電率）で表わされる誘電異方性の値が
小さくなり、閾値電圧が高くなり、低電圧駆動が困難に
なるので好ましくない。一方後者の比率が２５モル％を
越えるとＴＣＮが高くなり好ましくない。また粘度が相
当高くなるので応答時間が長くなり、この点からも好ま
しくない。またこれらの４−ｎ−アルキル−４′−シア
ノビフエニルは、一般に耐加水分解性がよくないので、
その添加量は必要最小限度に止めるべきであり、この点
からも２５％を越えるのは好ましくない。コレステリツ
ク液晶は、液晶組成物のツイスト方向を一定して、コン
トラストのムラをなくすために添加するが、この目的に
使用するコレステリツク液晶は、ラセン方向が右回りの
ものでも、左回りのものでも差支えないが、右回りのも
のと左回りのものを併用することはできない。
（ε４１は液晶分子の長軸方向の誘電率、εュは液晶分
子の短軸方向の誘電率）で表わされる誘電異方性の値が
小さくなり、閾値電圧が高くなり、低電圧駆動が困難に
なるので好ましくない。一方後者の比率が２５モル％を
越えるとＴＣＮが高くなり好ましくない。また粘度が相
当高くなるので応答時間が長くなり、この点からも好ま
しくない。またこれらの４−ｎ−アルキル−４′−シア
ノビフエニルは、一般に耐加水分解性がよくないので、
その添加量は必要最小限度に止めるべきであり、この点
からも２５％を越えるのは好ましくない。コレステリツ
ク液晶は、液晶組成物のツイスト方向を一定して、コン
トラストのムラをなくすために添加するが、この目的に
使用するコレステリツク液晶は、ラセン方向が右回りの
ものでも、左回りのものでも差支えないが、右回りのも
のと左回りのものを併用することはできない。
コレステリツク液晶には、ラセン方向が右回りのものに
、コレステリルクロライド、コレステリルブロマイドな
どがあり、一方左回りのものには、コレステリルノナノ
エート、コレステリルミリステート、コレステリルパル
ミテート、コレステリルデカノエート、コレステリルリ
ノレエート、コレステリルプロピオネート、コレステリ
ルオレエートなどがあるが、ラセン方向が同じであれば
、二種類以上のコレステリツク液晶を併用することがで
きる。以下この発明を実施例をあげて詳細に説明する。
これらにおいて、部数は全てモル比で表わしたものであ
る。ただしコレステリツク液晶は、ネマチツク液晶全体
に対する重量パーセントで表わしている。実施例 １ ＭＢＡＺ３３部、ＭＥＡＺ７部、ＢＢＡＺ５部、ＢＰＡ
Ｚ２Ｏ部、ＢＨＸＡＺｌ，Ｏ部、ＢＨＰＡＺ２５部、Ｈ
ＰＣＢＰ２５部、コレステリルノナノエート０．０３％
、コレステリルミリステート０，０２％から成る液晶組
成物を用いたＴＮ型液晶セルをつくつた。
、コレステリルクロライド、コレステリルブロマイドな
どがあり、一方左回りのものには、コレステリルノナノ
エート、コレステリルミリステート、コレステリルパル
ミテート、コレステリルデカノエート、コレステリルリ
ノレエート、コレステリルプロピオネート、コレステリ
ルオレエートなどがあるが、ラセン方向が同じであれば
、二種類以上のコレステリツク液晶を併用することがで
きる。以下この発明を実施例をあげて詳細に説明する。
これらにおいて、部数は全てモル比で表わしたものであ
る。ただしコレステリツク液晶は、ネマチツク液晶全体
に対する重量パーセントで表わしている。実施例 １ ＭＢＡＺ３３部、ＭＥＡＺ７部、ＢＢＡＺ５部、ＢＰＡ
Ｚ２Ｏ部、ＢＨＸＡＺｌ，Ｏ部、ＢＨＰＡＺ２５部、Ｈ
ＰＣＢＰ２５部、コレステリルノナノエート０．０３％
、コレステリルミリステート０，０２％から成る液晶組
成物を用いたＴＮ型液晶セルをつくつた。
この液晶セル内の液晶のツイスト方向は一定で、正の誘
電異方性を有し、駆動時にコントラストのムラがなく、
−１３〜５５動Ｃの範囲で、駆動電圧４．５Ｖ、デユー
テイ比１／３で多桁，駆動が可能であつた。実施例２〜
１２を次の表に示す。
電異方性を有し、駆動時にコントラストのムラがなく、
−１３〜５５動Ｃの範囲で、駆動電圧４．５Ｖ、デユー
テイ比１／３で多桁，駆動が可能であつた。実施例２〜
１２を次の表に示す。
表に示した色々な組成の液晶組成物を用いたＴＮ型液晶
セルをつくつた。
セルをつくつた。
Claims (1)
- １ ４−メトキシ−４′−ｎ−ブチルアゾキシベンゼン
、４−メトキシ−４′−エチルアゾキシベンゼン、４，
４′−ビス（ｎ−ブチル）アゾキシベンゼン、４，４′
−ビス（ｎ−ペンチル）アゾキシベンゼン、４，４′−
ビス（ｎ−ヘキシル）アゾキシベンゼンおよび４，４′
−ビス（ｎ−ヘプチル）アゾキシベンゼンと、４−ｎ−
ペンチル−４′−シアノビフェニル、４−ｎ−ヘキシル
−４′−シアノビフェニルおよび４−ｎ−ヘプチル−４
′−シアノビフェニルのうちより選定せる１種類または
２種類以上と、右回りまたは左まわりのいずれか一方の
ラセン構造をもつ１種類または２種類以上のコレステリ
ツク液晶とを混合してなる正の誘電異方性を有するツイ
ストネマチツク型液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8025776A JPS5943502B2 (ja) | 1976-07-05 | 1976-07-05 | ツイストネマチツク型液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8025776A JPS5943502B2 (ja) | 1976-07-05 | 1976-07-05 | ツイストネマチツク型液晶組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS535086A JPS535086A (en) | 1978-01-18 |
| JPS5943502B2 true JPS5943502B2 (ja) | 1984-10-22 |
Family
ID=13713252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8025776A Expired JPS5943502B2 (ja) | 1976-07-05 | 1976-07-05 | ツイストネマチツク型液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5943502B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59126492A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-21 | Fujitsu Ltd | 液晶組成物 |
-
1976
- 1976-07-05 JP JP8025776A patent/JPS5943502B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS535086A (en) | 1978-01-18 |
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