JPS5945237B2 - ホトエツチング法による回路素子の形成方法 - Google Patents
ホトエツチング法による回路素子の形成方法Info
- Publication number
- JPS5945237B2 JPS5945237B2 JP51090446A JP9044676A JPS5945237B2 JP S5945237 B2 JPS5945237 B2 JP S5945237B2 JP 51090446 A JP51090446 A JP 51090446A JP 9044676 A JP9044676 A JP 9044676A JP S5945237 B2 JPS5945237 B2 JP S5945237B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- metal plate
- resin composition
- parts
- cured film
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金属板の面上に、紫外線を照射することによつ
て硬化しうる樹脂組成物を塗布し、紫外線を照射せしめ
所望形状の硬化被膜を形成した後、金属板の露出面にメ
ッキ処理を施して回路素子を形成し、かつ硬化被膜を取
除いた後この部分の金属板層をエッチング処理すること
を特徴とする回路素子の形成方法に関する。
て硬化しうる樹脂組成物を塗布し、紫外線を照射せしめ
所望形状の硬化被膜を形成した後、金属板の露出面にメ
ッキ処理を施して回路素子を形成し、かつ硬化被膜を取
除いた後この部分の金属板層をエッチング処理すること
を特徴とする回路素子の形成方法に関する。
本発明者らは、従来のホトエッチング法による回路素子
の形成方法において、紫外線により架橋硬化しうる樹脂
を適用する方法について検討中のところ、酸価が３０以
上の不飽和酸を含む樹脂組成物を用いた場合、その目的
を達成しうることを見出し本発明を完成した。
の形成方法において、紫外線により架橋硬化しうる樹脂
を適用する方法について検討中のところ、酸価が３０以
上の不飽和酸を含む樹脂組成物を用いた場合、その目的
を達成しうることを見出し本発明を完成した。
本発明の要旨とするところは、金属板の面上に分子量が
２００〜２０００で１分子中にアクリロイル基又はメタ
クリロイル基を１個以上有し、かつ酸価が３０〜３００
ＫＯＨ〜数／Ｖなる不飽和酸八５〜７５重量％と他の架
橋重合性不飽和化合物（Ｂ）９５〜２５重量％及び光増
感剤とよりなる樹脂組成物を塗布し、紫外線を照射せし
め所望形状の硬化被膜を形成せしめた後、金属板の露出
面にメッキ処理を施して回路素子を形成し、次いで硬化
被膜を取除いた後、この部分の金属板層をエッチング処
理することを特徴とする回路素子の形成方法にある。
２００〜２０００で１分子中にアクリロイル基又はメタ
クリロイル基を１個以上有し、かつ酸価が３０〜３００
ＫＯＨ〜数／Ｖなる不飽和酸八５〜７５重量％と他の架
橋重合性不飽和化合物（Ｂ）９５〜２５重量％及び光増
感剤とよりなる樹脂組成物を塗布し、紫外線を照射せし
め所望形状の硬化被膜を形成せしめた後、金属板の露出
面にメッキ処理を施して回路素子を形成し、次いで硬化
被膜を取除いた後、この部分の金属板層をエッチング処
理することを特徴とする回路素子の形成方法にある。
本発明を実施する際に用いる樹脂組成物の構成成分であ
る不飽和酸（２）は分子量が２００〜２０００なる範囲
であることが必要であり、分子量が２００よりも小さい
不飽和酸を含む樹脂を用い本発明と同様の方法によつて
形成される硬化被膜は金属板への密着性が不足し、メッ
キ処理時に硬化被膜が剥離したり、鮮明な像を有するメ
ッキによる回路素子の形成ができにくいなどの不都合が
生じ好ましくなく、一方分子量が２０００よりも大きい
不飽和酸を含む樹脂組成物は粘度が極端に高くなり作業
性に支障をきたすと共に所望形状の硬化被膜の形成が難
しく、またこのような樹脂組成物を用いて形成された硬
化被膜は回路素子形成に要するアルカリ溶液による硬化
被膜の除膜性が低下して好ましくない。
る不飽和酸（２）は分子量が２００〜２０００なる範囲
であることが必要であり、分子量が２００よりも小さい
不飽和酸を含む樹脂を用い本発明と同様の方法によつて
形成される硬化被膜は金属板への密着性が不足し、メッ
キ処理時に硬化被膜が剥離したり、鮮明な像を有するメ
ッキによる回路素子の形成ができにくいなどの不都合が
生じ好ましくなく、一方分子量が２０００よりも大きい
不飽和酸を含む樹脂組成物は粘度が極端に高くなり作業
性に支障をきたすと共に所望形状の硬化被膜の形成が難
しく、またこのような樹脂組成物を用いて形成された硬
化被膜は回路素子形成に要するアルカリ溶液による硬化
被膜の除膜性が低下して好ましくない。
また不飽和酸の酸価は３０〜３００に０Ｈ〜数／ｆ７で
あることが必要であり、酸価が３０よりも小さな不飽和
酸を含む樹脂組成物を用いて形成された硬化被膜は金属
板への密着性ならびにアルカリ溶液による除膜性が低下
するので本発明においては使用することができず、一方
酸価が３００よりも大きい不飽和酸を含む樹脂組成物は
貯蔵安定性が不良であり好ましくない。
あることが必要であり、酸価が３０よりも小さな不飽和
酸を含む樹脂組成物を用いて形成された硬化被膜は金属
板への密着性ならびにアルカリ溶液による除膜性が低下
するので本発明においては使用することができず、一方
酸価が３００よりも大きい不飽和酸を含む樹脂組成物は
貯蔵安定性が不良であり好ましくない。
本発明で用いる不飽和酸中にはアクリロイル基又はメタ
クリロイル基を１個以上なる割合で含むことが必要であ
り、このような化合物でないと本発明の方法による回路
素子の形成において良好な像形成性を有する硬化被膜を
形成することができない。
クリロイル基を１個以上なる割合で含むことが必要であ
り、このような化合物でないと本発明の方法による回路
素子の形成において良好な像形成性を有する硬化被膜を
形成することができない。
本発明を実施するに際して用いる不飽和酸の具体例とし
ては一般式 〔式中Ｒ１はＨ又はＣＨ３、Ｒ２はＣ１〜１０のアルキ
レン基又は繰返し単位１０個以下のポリエチレングリコ
ール残基又はポリプロピレングリコール残基、Ｒ３は−
ＣＨ２ＣＨ２− −ＣＨ＝ＣＨ一〜′より選ばれた基を
示す。
ては一般式 〔式中Ｒ１はＨ又はＣＨ３、Ｒ２はＣ１〜１０のアルキ
レン基又は繰返し単位１０個以下のポリエチレングリコ
ール残基又はポリプロピレングリコール残基、Ｒ３は−
ＣＨ２ＣＨ２− −ＣＨ＝ＣＨ一〜′より選ばれた基を
示す。
〕で表わされる化合物類であり、これらの化合物はヒド
ロキシアルキルアクリレート又はメタクリレートとコ・
・ク酸、フマル酸、イタコン酸、マレイン酸、フタル酸
、テトラヒドロフタル酸、トリメリツト酸又はこれらの
無水物とを反応せしめることによつて製造できる。
ロキシアルキルアクリレート又はメタクリレートとコ・
・ク酸、フマル酸、イタコン酸、マレイン酸、フタル酸
、テトラヒドロフタル酸、トリメリツト酸又はこれらの
無水物とを反応せしめることによつて製造できる。
また他の型の不飽和酸（４）とはビスフエノールＡとエ
ピクロルヒドリンとの縮合物であるエポキシ化合物とア
クリル酸又はメタクリル酸とを付加反応せしめて得たジ
又はトリアクリロイル又はメタクリロイル化合物中に含
まれる水酸基１モルに対し、（Ｒ３は前記に同じ） で表わされる酸無水物を付加反応せしめることによつて
製造される化合物類、或いはヒドロキシアルキルアクリ
レート又はメタクリレートと無水リン酸、ポリリン酸と
の付加反応物であるアクリロイルオキシアルキルフオス
フエート又はメタクリロイルオキシアルキルフオスフエ
ートである。
ピクロルヒドリンとの縮合物であるエポキシ化合物とア
クリル酸又はメタクリル酸とを付加反応せしめて得たジ
又はトリアクリロイル又はメタクリロイル化合物中に含
まれる水酸基１モルに対し、（Ｒ３は前記に同じ） で表わされる酸無水物を付加反応せしめることによつて
製造される化合物類、或いはヒドロキシアルキルアクリ
レート又はメタクリレートと無水リン酸、ポリリン酸と
の付加反応物であるアクリロイルオキシアルキルフオス
フエート又はメタクリロイルオキシアルキルフオスフエ
ートである。
本発明を実施する際に不飽和酸（４）と共に用いる他の
架橋重合性不飽和化合物とは、紫外線の照射により架橋
硬化した乾燥被膜を形成しめる化合物類であり、とくに
分子中に少なくとも１個のアクリロイル基又はメタクリ
ロイル基を有する化合物類であり、その具体例としては
次の如きものを挙げることができる。（１）ポリエポキ
シ化合物の（メタ）アクリル酸付加反応物（１０多官能
ポリエステルアクリレート類（４）多官能モノマー類及
びモノアクリレート類例えばポリエチレングリコールジ
（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（
メタ）アクリレート、１・４−ブタンジオールジ（メタ
）アクリレート、１・６−ヘキサンジオールジ（メタ）
アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）ア
クリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレ
ート、カルビトール（メタ）アクリレート、テトラヒド
ロフルフリル（メタ）アクリレート等である。
架橋重合性不飽和化合物とは、紫外線の照射により架橋
硬化した乾燥被膜を形成しめる化合物類であり、とくに
分子中に少なくとも１個のアクリロイル基又はメタクリ
ロイル基を有する化合物類であり、その具体例としては
次の如きものを挙げることができる。（１）ポリエポキ
シ化合物の（メタ）アクリル酸付加反応物（１０多官能
ポリエステルアクリレート類（４）多官能モノマー類及
びモノアクリレート類例えばポリエチレングリコールジ
（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（
メタ）アクリレート、１・４−ブタンジオールジ（メタ
）アクリレート、１・６−ヘキサンジオールジ（メタ）
アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）ア
クリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレ
ート、カルビトール（メタ）アクリレート、テトラヒド
ロフルフリル（メタ）アクリレート等である。
本発明を実施するに際しては前記不飽和酸（Ａ）５〜７
５重量％と前記架橋重合性不飽和化合物（８）９５〜２
５重量％の割合で配合された樹脂組成物が用いられ、不
飽和酸を５重量％以下含む樹脂組成物を用いて形成され
る硬化被膜は金属板への密着性が不足し、メツキ処理特
性が低下し好ましくなく、またアルカリ溶液による除膜
が容易にできず好ましくない。
５重量％と前記架橋重合性不飽和化合物（８）９５〜２
５重量％の割合で配合された樹脂組成物が用いられ、不
飽和酸を５重量％以下含む樹脂組成物を用いて形成され
る硬化被膜は金属板への密着性が不足し、メツキ処理特
性が低下し好ましくなく、またアルカリ溶液による除膜
が容易にできず好ましくない。
本発明を実施するに際しては前記樹脂組成物にベンゾイ
ン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾィンエチルエー
テル、ベンゾフエノン、ミヒラ一ズケトン、ジエトキシ
アセトフエン等の光増感剤を１〜１０重量％の範囲で添
加して波長２００〜８００ｎｍ好ましくは２５０〜４５
０ｎｍの近紫外線を照射せしめればよい。
ン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾィンエチルエー
テル、ベンゾフエノン、ミヒラ一ズケトン、ジエトキシ
アセトフエン等の光増感剤を１〜１０重量％の範囲で添
加して波長２００〜８００ｎｍ好ましくは２５０〜４５
０ｎｍの近紫外線を照射せしめればよい。
また本発明の樹脂組成物はそのままでも使用できるが、
必要に応じて顔料、染料などその他の適宜の添加物を添
加して用いることもできるが、本発明の目的を更に効率
よくとくに回路形成を効率よくスクリーン印刷法にて実
施するには顔料として体質顔料例えばバライト粉、沈降
性硫酸バリウム、炭酸バリウム、クレー、シリカ粉、微
粒ケイ酸、タルクなどを樹脂組成物中に７０重量％以下
なる割合で加えることが好ましい。
必要に応じて顔料、染料などその他の適宜の添加物を添
加して用いることもできるが、本発明の目的を更に効率
よくとくに回路形成を効率よくスクリーン印刷法にて実
施するには顔料として体質顔料例えばバライト粉、沈降
性硫酸バリウム、炭酸バリウム、クレー、シリカ粉、微
粒ケイ酸、タルクなどを樹脂組成物中に７０重量％以下
なる割合で加えることが好ましい。
本発明の回路素子の形成は、金属板として例えば銅、銅
合金、コバール、パーマロイなどの金属薄膜を絶縁基板
上に設けてなる金属積層板の金属板面上に前記樹脂組成
物をスクリーン印刷機あるいはグラビア印刷機により印
刷し、紫外線を照射せしめ硬化被膜をネガテブに即ち回
路を形成すべきでない部分に形成して、その部分に対す
るメツキの塗着防止処理を施こしてから、金属板の露出
部分にメッキ処理を施こしてポジテブに即ち回路を形成
すべき部分に例えば銅、金、銀、ニツケル、錫などの金
属メッキ層を形成し、その後不要となつた硬化被膜部を
ＰＨ９以上のアルカリ溶液たとえばＮａＯＨ．ＫＯＨ、
アンモニア、第１〜第３級アミン類の水または水溶性有
機溶媒溶液で溶解除去したのち、不要部の金属板層をエ
ツチング液として、例えば硝酸、塩酸、塩化第２鉄など
の酸溶液を用いてエツチング処理を行なうことによつて
回路素子を得ることができる。
合金、コバール、パーマロイなどの金属薄膜を絶縁基板
上に設けてなる金属積層板の金属板面上に前記樹脂組成
物をスクリーン印刷機あるいはグラビア印刷機により印
刷し、紫外線を照射せしめ硬化被膜をネガテブに即ち回
路を形成すべきでない部分に形成して、その部分に対す
るメツキの塗着防止処理を施こしてから、金属板の露出
部分にメッキ処理を施こしてポジテブに即ち回路を形成
すべき部分に例えば銅、金、銀、ニツケル、錫などの金
属メッキ層を形成し、その後不要となつた硬化被膜部を
ＰＨ９以上のアルカリ溶液たとえばＮａＯＨ．ＫＯＨ、
アンモニア、第１〜第３級アミン類の水または水溶性有
機溶媒溶液で溶解除去したのち、不要部の金属板層をエ
ツチング液として、例えば硝酸、塩酸、塩化第２鉄など
の酸溶液を用いてエツチング処理を行なうことによつて
回路素子を得ることができる。
本発明で用いる樹脂組成物は無溶剤型であるため、硬化
被膜を形成する過程において、大気汚染の懸念がなく、
また紫外線照射法であるので基板の熱変形もなく、迅速
に乾燥硬化でき、形成された硬化被膜は金属板との密着
性が良好で、メツキ処理時に剥離するなどの現象が生じ
ることなく、良好なメッキ特性を有し、しかもメツキ処
理後不要となる硬化被膜部の除膜が容易であり、このよ
うな硬化被膜を形成することができその工業的価値は極
めて大である。
被膜を形成する過程において、大気汚染の懸念がなく、
また紫外線照射法であるので基板の熱変形もなく、迅速
に乾燥硬化でき、形成された硬化被膜は金属板との密着
性が良好で、メツキ処理時に剥離するなどの現象が生じ
ることなく、良好なメッキ特性を有し、しかもメツキ処
理後不要となる硬化被膜部の除膜が容易であり、このよ
うな硬化被膜を形成することができその工業的価値は極
めて大である。
以下本発明を実施例を用いてさらに詳しく説明する。
尚実施例中部とあるのは重量部の意である。
実施例 １アクリル酸２−ヒドロキシエチルに無水コハ
ク酸を付加して得た不飽和酸（酸価２６０Ｋ０Ｈη数／
ｔ）３０部、アクリロイルオキシエチルフオスフエート
（酸価２６５Ｋ０Ｈη数／７）１０部、エポキシ樹脂（
シヨウダイン５０８、昭和電工社製）のアクリル酸付加
物４０部、アクリル酸カルビトール２０部からなる樹脂
組成物１００部に対しベンゾインメチルエーテル５部、
タルク３０部、フタロシアニンブルー２部を混練するこ
とによつて印刷インキ（１）を得た。
ク酸を付加して得た不飽和酸（酸価２６０Ｋ０Ｈη数／
ｔ）３０部、アクリロイルオキシエチルフオスフエート
（酸価２６５Ｋ０Ｈη数／７）１０部、エポキシ樹脂（
シヨウダイン５０８、昭和電工社製）のアクリル酸付加
物４０部、アクリル酸カルビトール２０部からなる樹脂
組成物１００部に対しベンゾインメチルエーテル５部、
タルク３０部、フタロシアニンブルー２部を混練するこ
とによつて印刷インキ（１）を得た。
該印刷インキ（１）を２５０メッシユのスクリーン印刷
機を用い銅箔積層板に印刷し、次いで８０Ｗ／礪の高圧
水銀ランプを用い紫外線を８秒間照射して硬化被膜を回
路を形成すべきでない部分に形成した。
機を用い銅箔積層板に印刷し、次いで８０Ｗ／礪の高圧
水銀ランプを用い紫外線を８秒間照射して硬化被膜を回
路を形成すべきでない部分に形成した。
その後銅板の露出部に銀メツキ処理を施して、回路を形
成する部分に銀メッキ層を形成し、次いで硬化被膜をＰ
Ｈ９．５のＮａＯＨ溶液で溶解除去し、この部分の銅板
を塩化第２鉄を用いてエツチング処理を施し、回路素子
を形成した。
成する部分に銀メッキ層を形成し、次いで硬化被膜をＰ
Ｈ９．５のＮａＯＨ溶液で溶解除去し、この部分の銅板
を塩化第２鉄を用いてエツチング処理を施し、回路素子
を形成した。
尚上記手法によつて得た印刷インキ（１）を用いて形成
された硬化被膜特性を付表−１に示した。
された硬化被膜特性を付表−１に示した。
比較例 １実施例１の樹脂組成物の構成成分のうちアク
リル酸２−ヒドロキシエチルの無水コ・・ク酸付加物と
アクリロイルオキシエチルフオスフエートを用いないで
、エポキシ樹脂（シヨウダイン５０８、昭和電工社製）
のアクリル酸付加物を７０部、アクリル酸カルビトール
３０部を用いる他は全く実施例１と同様にして印刷イン
キ（）を得た。
リル酸２−ヒドロキシエチルの無水コ・・ク酸付加物と
アクリロイルオキシエチルフオスフエートを用いないで
、エポキシ樹脂（シヨウダイン５０８、昭和電工社製）
のアクリル酸付加物を７０部、アクリル酸カルビトール
３０部を用いる他は全く実施例１と同様にして印刷イン
キ（）を得た。
該印刷インキＩ［）を実施例１と同様に印刷し、紫外線
を照射して硬化被膜を回路を形成すべきでない部分に形
成した。その後も実施例１と同様に、銅板の露出部に銀
メッキ層を形成し、次いで硬化被膜を除去し、この部分
の銅板を塩化第２鉄を用いてエツチング処理を施し、回
路素子を形成した。
を照射して硬化被膜を回路を形成すべきでない部分に形
成した。その後も実施例１と同様に、銅板の露出部に銀
メッキ層を形成し、次いで硬化被膜を除去し、この部分
の銅板を塩化第２鉄を用いてエツチング処理を施し、回
路素子を形成した。
尚上記手法によつて得た印刷インキ（１１）を用いて形
成された硬化被膜特性を付表−１に示した。
成された硬化被膜特性を付表−１に示した。
実施例 ２エポキシ樹脂（シヨウダイン７２９、昭和電
工社製）のアクリル酸付加物６８０部に無水コ・・ク酸
１００部を付加して得られる不飽和酸５０部、アクリロ
イルオキシプロピルフオスフエート１０部、テトラヒド
ロフルフリルアクリレート２０部、カルビトールアクリ
レート２０部からなる樹脂組成物１００部に対し、ベン
ゾインエチルエーテル６部、タルク４０部を添加し樹脂
組成物を得た。
工社製）のアクリル酸付加物６８０部に無水コ・・ク酸
１００部を付加して得られる不飽和酸５０部、アクリロ
イルオキシプロピルフオスフエート１０部、テトラヒド
ロフルフリルアクリレート２０部、カルビトールアクリ
レート２０部からなる樹脂組成物１００部に対し、ベン
ゾインエチルエーテル６部、タルク４０部を添加し樹脂
組成物を得た。
該樹脂組成物を無電解銅メツキ積層板の銅メツキ層に２
５０メツシユのスクリーン印刷機を用いて回路を形成す
べきでない部分に所望模様を施こし、紫外線を１０秒間
照射して硬化被膜を形成した。次いで無電解銅メッキの
露出部に電気銅メッキ処理を施こし、さらに電気銀メツ
キ処理を施こしてポジテブに即ち回路を形成すべき部分
に銀メツキ層を形成し、次いで硬化被膜をＰＨ９．５の
ＫＯＨ溶液で溶解除去し、不要部の無電解銅メッキ層を
塩化第２鉄の飽和水を用いてエツチング処理を行ない回
路素子を形成した。
５０メツシユのスクリーン印刷機を用いて回路を形成す
べきでない部分に所望模様を施こし、紫外線を１０秒間
照射して硬化被膜を形成した。次いで無電解銅メッキの
露出部に電気銅メッキ処理を施こし、さらに電気銀メツ
キ処理を施こしてポジテブに即ち回路を形成すべき部分
に銀メツキ層を形成し、次いで硬化被膜をＰＨ９．５の
ＫＯＨ溶液で溶解除去し、不要部の無電解銅メッキ層を
塩化第２鉄の飽和水を用いてエツチング処理を行ない回
路素子を形成した。
尚上記手法によつて樹脂組成物（ホ）を用いて形成され
た硬化被膜は銅メツキ層への密着性あるいはアルカリ液
除膜性などの硬化被膜特性が良好であり、すぐれた回路
素子を形成することができた。
た硬化被膜は銅メツキ層への密着性あるいはアルカリ液
除膜性などの硬化被膜特性が良好であり、すぐれた回路
素子を形成することができた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 金属板の面上に、分子量が２００〜２０００で１分
子中にアクリロイル基又はメタクリロイル基を１個以上
有し、かつ酸価が３０〜３００ＫＯＨｍｇ数／ｇなる不
飽和酸（Ａ）５〜７５重量％と他の架橋重合性不飽和化
合物（Ｂ）９５〜２５重量％及び光増感剤とよりなる樹
脂組成物を塗布し、紫外線を照射せしめ所望形状の硬化
被膜を形成せしめた後、金属板の露出面にメッキ処理を
施して回路素子を形成し、次いで硬化被膜を取除いた後
、この部分の金属板層をエッチング処理することを特徴
とする回路素子の形成方法。 ２ 樹脂組成物として体質顔料を含むものを用いること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の回路素子の形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51090446A JPS5945237B2 (ja) | 1976-07-29 | 1976-07-29 | ホトエツチング法による回路素子の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51090446A JPS5945237B2 (ja) | 1976-07-29 | 1976-07-29 | ホトエツチング法による回路素子の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5316576A JPS5316576A (en) | 1978-02-15 |
| JPS5945237B2 true JPS5945237B2 (ja) | 1984-11-05 |
Family
ID=13998835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51090446A Expired JPS5945237B2 (ja) | 1976-07-29 | 1976-07-29 | ホトエツチング法による回路素子の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5945237B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61252546A (ja) * | 1985-05-01 | 1986-11-10 | Ueno Kagaku Kogyo Kk | 感光性レジストインク，それを用いたｐｓ板の製造方法およびそのｐｓ板の蝕刻方法 |
-
1976
- 1976-07-29 JP JP51090446A patent/JPS5945237B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5316576A (en) | 1978-02-15 |
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