JPS5945440A - 厚膜フアインパタ−ン - Google Patents
厚膜フアインパタ−ンInfo
- Publication number
- JPS5945440A JPS5945440A JP15589982A JP15589982A JPS5945440A JP S5945440 A JPS5945440 A JP S5945440A JP 15589982 A JP15589982 A JP 15589982A JP 15589982 A JP15589982 A JP 15589982A JP S5945440 A JPS5945440 A JP S5945440A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- thick film
- acid
- relief
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は小ノ1.リコイル、高密1隻コネクター、高密
度配線等の各tili T(−(、子部品に使用される
微細、高精度、高密黒ユの厚1換パターン処係り、史に
詳しくは高さが20 ti以上で、断面形状がはy矩J
[そをイ1し、巾が5〜200μ、隣接するパターンと
の間隔が10zt以1−―で、該Illと高さとの比が
1に以Fでああろことを/1.lr徴とした)+、5+
膜ファインパターンに関するものである。
度配線等の各tili T(−(、子部品に使用される
微細、高精度、高密黒ユの厚1換パターン処係り、史に
詳しくは高さが20 ti以上で、断面形状がはy矩J
[そをイ1し、巾が5〜200μ、隣接するパターンと
の間隔が10zt以1−―で、該Illと高さとの比が
1に以Fでああろことを/1.lr徴とした)+、5+
膜ファインパターンに関するものである。
従来のフォトレジストやスクリーン印刷技術を利用した
ファインパターンカ旧−「ではIf!l;3厚に限界が
あり、氾1図に示す如(基板11−に形成されたファイ
ンパターン2の高51+は1 [] /I以下であり、
又一部Vこは3(]〜5 [、I ftの)1,1膜レ
ジストもあろが、この場合υ′r、はパターン2の断面
=L法のIf] aと高さ11ノーの11;は1/1が
11灸小であり、ノ[(+常はパターン2σ月11 a
lし/シスト膜〕:1. <パターンの高さhに相当)
以下であった。史に凸版印刷用版相のしIJ −フパタ
ーン2′は第2図に示すμ口く、印刷時に力が加わった
時の変形を防ぐために富士型の断面形状を有しており、
このものは隣接するパターンとの間隔が底部に於て接近
していた。従ってこれ等の従来のパターンはレリーフ[
1〕に対してレリーフ高さの高いかつ断面形状が矩形状
を有した厚膜ファインパターンが得られない為に高性能
及び小型化を要〉1ζされる各抑型子部品等にを主便用
することが出来ない欠点があった。
ファインパターンカ旧−「ではIf!l;3厚に限界が
あり、氾1図に示す如(基板11−に形成されたファイ
ンパターン2の高51+は1 [] /I以下であり、
又一部Vこは3(]〜5 [、I ftの)1,1膜レ
ジストもあろが、この場合υ′r、はパターン2の断面
=L法のIf] aと高さ11ノーの11;は1/1が
11灸小であり、ノ[(+常はパターン2σ月11 a
lし/シスト膜〕:1. <パターンの高さhに相当)
以下であった。史に凸版印刷用版相のしIJ −フパタ
ーン2′は第2図に示すμ口く、印刷時に力が加わった
時の変形を防ぐために富士型の断面形状を有しており、
このものは隣接するパターンとの間隔が底部に於て接近
していた。従ってこれ等の従来のパターンはレリーフ[
1〕に対してレリーフ高さの高いかつ断面形状が矩形状
を有した厚膜ファインパターンが得られない為に高性能
及び小型化を要〉1ζされる各抑型子部品等にを主便用
することが出来ない欠点があった。
本発明は従来の之等の欠点に鑑み開発した全く新規な技
術であって、特にIIJに比較して旨さが商くかつKl
i而形面が&gl、r ′)、ti形をトJ1一つた厚
膜ファインパターンに関するものである。
術であって、特にIIJに比較して旨さが商くかつKl
i而形面が&gl、r ′)、ti形をトJ1一つた厚
膜ファインパターンに関するものである。
本発明は上述の厚膜ファインパターンを得る為に感)し
性樹脂組成物の中で、特に活性光線の照射により光車台
反応を起こし、光硬化し液状から固状となお)か又は各
神俗削に対イる溶解性が減少するI持性を持ったW;−
tlj合件絹成組成を使用1d二。この種の感光性樹脂
組成物の内でもフォトレジストとして良<用いられる)
“C二車量化組成′吻、ジアゾ糸組成物、光:11[溶
性組成物等は厚膜を硬化させることカカ11かしく、前
述の如き本発明のJV 膜ファインパターンを製、浩゛
171為に用いること目、困’)illである。
性樹脂組成物の中で、特に活性光線の照射により光車台
反応を起こし、光硬化し液状から固状となお)か又は各
神俗削に対イる溶解性が減少するI持性を持ったW;−
tlj合件絹成組成を使用1d二。この種の感光性樹脂
組成物の内でもフォトレジストとして良<用いられる)
“C二車量化組成′吻、ジアゾ糸組成物、光:11[溶
性組成物等は厚膜を硬化させることカカ11かしく、前
述の如き本発明のJV 膜ファインパターンを製、浩゛
171為に用いること目、困’)illである。
nノに本発明に於て(よ固状光硬化1’P l組成物を
用いず静状尤イ1す!化性組成物を1り団1した。こσ
月III山は固状)Y、硬化1′1躇11II!4物が
、(;C111町化1111分を除去するのに各種溶?
111で未硬化H’HjiをM I’+’i’除去する
ためにレリーフパターンが各種溶削で未イ1す!化11
b分を溶解除去するために1ノリーフパターンが溶削で
膨潤する欠点があるのに対し、本発明に使用される液状
光硬化性組JJy物はi4に純に未硬化物を洗い流した
り、場合によってはエアブロ−、シャワー等の41!械
的手段によっても除去することカ”=nJ能であり、か
つ鮮明l、C輪郭を持ったレリーフパターンを得ろこと
が出来る7t−1j徴を持っているからである。
用いず静状尤イ1す!化性組成物を1り団1した。こσ
月III山は固状)Y、硬化1′1躇11II!4物が
、(;C111町化1111分を除去するのに各種溶?
111で未硬化H’HjiをM I’+’i’除去する
ためにレリーフパターンが各種溶削で未イ1す!化11
b分を溶解除去するために1ノリーフパターンが溶削で
膨潤する欠点があるのに対し、本発明に使用される液状
光硬化性組JJy物はi4に純に未硬化物を洗い流した
り、場合によってはエアブロ−、シャワー等の41!械
的手段によっても除去することカ”=nJ能であり、か
つ鮮明l、C輪郭を持ったレリーフパターンを得ろこと
が出来る7t−1j徴を持っているからである。
)Yシ小合吐組阪物の具体例として(↑、次の通りであ
る。
る。
JJIJじ、本発明妊用いられる)′r;重合性川成組
成しては不f1181相基のyL屯合を利用したもの、
オギシラン」(;iの開環重合を利用するものなど各1
′Φのものが力、ろが、その代表としてはエチレン性不
fr:5相基を11するプレT1?リマーと必要により
エヂレン?’I 、(・飽和中111〜体、)Y二重合
開始ハ1[、it、%重合禁II−削とが1っブ、[イ
)舶1戊物℃ある。」二重ブレ7ビリマーとしては、不
fO相ポリエステル、不飽和IIソリウレタン、オリイ
エスデルアクリレート類、不飽和ポリアミIパ、不飽和
、lrリイミド、不飽和71?リエーテル、不飽和ポリ
(メタ)アクリレート及びこれらの各抽変性体、炭素−
炭素二重結合をイエする各イlハゴノ・化合物等を例示
することができる。これらのプレ++2リマー〇数平均
分子膝は、実質的に500以」−のものを用いるのが一
般的である。
成しては不f1181相基のyL屯合を利用したもの、
オギシラン」(;iの開環重合を利用するものなど各1
′Φのものが力、ろが、その代表としてはエチレン性不
fr:5相基を11するプレT1?リマーと必要により
エヂレン?’I 、(・飽和中111〜体、)Y二重合
開始ハ1[、it、%重合禁II−削とが1っブ、[イ
)舶1戊物℃ある。」二重ブレ7ビリマーとしては、不
fO相ポリエステル、不飽和IIソリウレタン、オリイ
エスデルアクリレート類、不飽和ポリアミIパ、不飽和
、lrリイミド、不飽和71?リエーテル、不飽和ポリ
(メタ)アクリレート及びこれらの各抽変性体、炭素−
炭素二重結合をイエする各イlハゴノ・化合物等を例示
することができる。これらのプレ++2リマー〇数平均
分子膝は、実質的に500以」−のものを用いるのが一
般的である。
さら妊、具体的1.6例を示すと、不飽和、l? IJ
ニスデル及びアルキッドどしては、例えばマレイン酸、
フマル酸、イタコン酸のような不飽和二塙基酔土Iこは
その酸無水物とエヂレングリコール、ノロピレングリコ
ール、ジエチレングリコール、トリエヂレングリコール
、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリ(
リット、末端水酸基を有I−るi、4y+?リゾタジエ
ン、水添または非水添1.2−ポリシタジエン−アクリ
ロニトリル共重合体などの多価アルコールとのポリエス
テル、前記酸成分の一部なコハク酸、アジピン酸、フタ
ル酸、イソフタル酸、無水フタル酸、トリメリットff
11.Cどの飽和多塩基酸にi値き換えたポリエステル
あるいは乾fig油脂肪酸または半乾性油脂肪酸で変性
したポリエステルなどが、不飽和ポリウレタンどしては
、すなわち2個以」−の末塙水酸基を・fjす4 +l
?lオリルと71?リイソシアネートカ・ら誘導された
ウレタン基を介して連結した化合物の末端インシアネー
ト基あるいは水酸基を利用してイで1加用合性不飽和基
を導入したもの、例えば前記した多重曲アルコール、7
1?リエスデルポリオール、ポリニーデルポリオールな
どの1+?リオール末端水酸基を有する1、4−ポリブ
タジェン、水添または非水添1.2−d?リプタジエン
、シタジエン−スチレン共l(合体、ブタジェン−アク
リロニトリル共重合体とトルイレンジイソシーアネート
、ジフェニルメタン−4,4′−ジインシアネート、へ
・1′ザメヂレンジイソシ゛アネートなどのポリイソシ
アネートとのボリウ1/タンの末端イソシアネートある
いは水酸基の反応I11゛を利用(2て不飽和基を導入
したもの、すl、cわ′し)、前記17た不飽和カルボ
ン酸又はソ1ねニスデルのつr〕水酸児、カルス1ツキ
シルJil、7ミノ#−7,Cどの活性水2くを有する
化合′吻とインシアネートとの反応に7Lり不飽和基を
導入したり、カルボーヤシル基を何するものと水酸基と
の反応によりイく胞(10t・を導入し1こ化合物また
は前記の不飽和・1?り工スブ゛ルをポリイソ7アネー
トで連結した化合物/、【どが、オリコ゛エステルアク
リレート類としては、すなわち多塩基酸と多価アルコー
ルのエステル反応系にアクリル酸またはメタクリル酸を
共存させて、共縮合さ〜1むそれぞれのモル比を調整し
て分子量200〜5000程1Wとしたもの、例えばア
ジピン酸、フタル酸、イソフタル酸または酸無水物など
とエチレングリコール、プロピ1/ングリコール、ジエ
チレングリコール、トリエチレングリコール、グリセリ
ン、トリメヂロールプロパン、ペンタエリトリットなど
の多価アルコールとのエステル反応系にアクリル酸また
はメタクリル酸を共存させて縮合させたもの、エポキシ
アクリレート類、例えば多価アルコール、多価フェノー
ルまたはポリフェノールとエピクロルヒドリンまたはア
ルキレンオキシビとの重縮合反応によりi()もれるエ
ポキシ基を有する化合物とアクリル酸またはメタクリル
酸とのエステル、側鎖に付加nf合性炭素−炭素二11
【結合を有する高分子化合物、例t ハフ1?リビニル
アルコール、セルロースのような水酸基をもつ高分子化
合物と不飽和カルボン酸また番まそのC1夕無水物とを
反応させて得られる化合物や、アクリル酸7トl、−は
メタクリル酸の重合体または共重合体のよう1.cカル
ボキシル基をもつ高分子化合物に不飽和アルコール、グ
リシジルアクリレートまたはメタクリレートをニスデル
結合させたもの、無1l(71/イン酸を含イ1する共
v]を合体とアリル゛アルコール、ヒドロキシアルキル
アクリレート寸f、Zk主メタクリ【/−トとの反応物
など、グリシジルアクリレートまた(′;I、メタクリ
レートを共重合成分として含イjする共ル合、体とアク
リル酸またはメタクリル酸との反応物などを挙げること
ができる。
ニスデル及びアルキッドどしては、例えばマレイン酸、
フマル酸、イタコン酸のような不飽和二塙基酔土Iこは
その酸無水物とエヂレングリコール、ノロピレングリコ
ール、ジエチレングリコール、トリエヂレングリコール
、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリ(
リット、末端水酸基を有I−るi、4y+?リゾタジエ
ン、水添または非水添1.2−ポリシタジエン−アクリ
ロニトリル共重合体などの多価アルコールとのポリエス
テル、前記酸成分の一部なコハク酸、アジピン酸、フタ
ル酸、イソフタル酸、無水フタル酸、トリメリットff
11.Cどの飽和多塩基酸にi値き換えたポリエステル
あるいは乾fig油脂肪酸または半乾性油脂肪酸で変性
したポリエステルなどが、不飽和ポリウレタンどしては
、すなわち2個以」−の末塙水酸基を・fjす4 +l
?lオリルと71?リイソシアネートカ・ら誘導された
ウレタン基を介して連結した化合物の末端インシアネー
ト基あるいは水酸基を利用してイで1加用合性不飽和基
を導入したもの、例えば前記した多重曲アルコール、7
1?リエスデルポリオール、ポリニーデルポリオールな
どの1+?リオール末端水酸基を有する1、4−ポリブ
タジェン、水添または非水添1.2−d?リプタジエン
、シタジエン−スチレン共l(合体、ブタジェン−アク
リロニトリル共重合体とトルイレンジイソシーアネート
、ジフェニルメタン−4,4′−ジインシアネート、へ
・1′ザメヂレンジイソシ゛アネートなどのポリイソシ
アネートとのボリウ1/タンの末端イソシアネートある
いは水酸基の反応I11゛を利用(2て不飽和基を導入
したもの、すl、cわ′し)、前記17た不飽和カルボ
ン酸又はソ1ねニスデルのつr〕水酸児、カルス1ツキ
シルJil、7ミノ#−7,Cどの活性水2くを有する
化合′吻とインシアネートとの反応に7Lり不飽和基を
導入したり、カルボーヤシル基を何するものと水酸基と
の反応によりイく胞(10t・を導入し1こ化合物また
は前記の不飽和・1?り工スブ゛ルをポリイソ7アネー
トで連結した化合物/、【どが、オリコ゛エステルアク
リレート類としては、すなわち多塩基酸と多価アルコー
ルのエステル反応系にアクリル酸またはメタクリル酸を
共存させて、共縮合さ〜1むそれぞれのモル比を調整し
て分子量200〜5000程1Wとしたもの、例えばア
ジピン酸、フタル酸、イソフタル酸または酸無水物など
とエチレングリコール、プロピ1/ングリコール、ジエ
チレングリコール、トリエチレングリコール、グリセリ
ン、トリメヂロールプロパン、ペンタエリトリットなど
の多価アルコールとのエステル反応系にアクリル酸また
はメタクリル酸を共存させて縮合させたもの、エポキシ
アクリレート類、例えば多価アルコール、多価フェノー
ルまたはポリフェノールとエピクロルヒドリンまたはア
ルキレンオキシビとの重縮合反応によりi()もれるエ
ポキシ基を有する化合物とアクリル酸またはメタクリル
酸とのエステル、側鎖に付加nf合性炭素−炭素二11
【結合を有する高分子化合物、例t ハフ1?リビニル
アルコール、セルロースのような水酸基をもつ高分子化
合物と不飽和カルボン酸また番まそのC1夕無水物とを
反応させて得られる化合物や、アクリル酸7トl、−は
メタクリル酸の重合体または共重合体のよう1.cカル
ボキシル基をもつ高分子化合物に不飽和アルコール、グ
リシジルアクリレートまたはメタクリレートをニスデル
結合させたもの、無1l(71/イン酸を含イ1する共
v]を合体とアリル゛アルコール、ヒドロキシアルキル
アクリレート寸f、Zk主メタクリ【/−トとの反応物
など、グリシジルアクリレートまた(′;I、メタクリ
レートを共重合成分として含イjする共ル合、体とアク
リル酸またはメタクリル酸との反応物などを挙げること
ができる。
また、各種ゴノ・化合物としては、+I11,4ポリノ
タジエン、1.2−71?リゾタジエン、ブタジェン−
スチレン共fft合体、シタジエン−アクリロニトリル
共重合体、■弓P D M、+11.1 、、、l−間
中の水添化物、インブブレーイソブレン共取合体、エチ
レンプロピレン共重合体そ+2て(Ilに示される各種
ゴムJul上の化合物に公知の技術によりエチレン性不
飽和基を導入した不飽和変性イム等゛を例示できる。(
[1の化合物はそのままでも使用できるが、該不飽和基
を/、iy入寸ろには、末端官能基を有する各種イノ・
什。
タジエン、1.2−71?リゾタジエン、ブタジェン−
スチレン共fft合体、シタジエン−アクリロニトリル
共重合体、■弓P D M、+11.1 、、、l−間
中の水添化物、インブブレーイソブレン共取合体、エチ
レンプロピレン共重合体そ+2て(Ilに示される各種
ゴムJul上の化合物に公知の技術によりエチレン性不
飽和基を導入した不飽和変性イム等゛を例示できる。(
[1の化合物はそのままでも使用できるが、該不飽和基
を/、iy入寸ろには、末端官能基を有する各種イノ・
什。
合物を用いるのが便利である。また、1,2−ポリブタ
ジェンセグメントを41するゴム化合物の場合は該化合
物に無水マレイン酸珀を付加することにより、核不fイ
ヌ相基な容易に導入できろ。
ジェンセグメントを41するゴム化合物の場合は該化合
物に無水マレイン酸珀を付加することにより、核不fイ
ヌ相基な容易に導入できろ。
−I−記以外のプレポリマーとして、エヂレン性三車結
合の付加以外の機構により)Y;重合する該二重結合を
含有しない化合物例えば、水+iJ fg性ナナイロン
ポリビニルアルコール及びその誘へtf、体を用いても
一向にダ1J51一つがえない。
合の付加以外の機構により)Y;重合する該二重結合を
含有しない化合物例えば、水+iJ fg性ナナイロン
ポリビニルアルコール及びその誘へtf、体を用いても
一向にダ1J51一つがえない。
エブーレン+′1−不飽相単購休としては、公知の種々
の化合物を便用できろが、このような化合物の例として
は、′アクリレート、メタクリル酸のような不飽和カル
ボンl’i’? :):たはそのニスデル、例えばアル
キル−、シクロアルキル−、ハロゲン化アルへ−ル−、
アルコキシアルギルー、ヒト90キシアルキル−、アミ
ノアルキル−、クートジヒトゝロノル7リルー、アリル
−、グリシジル−、ベンジル−、フェノ■シーツ゛クリ
1ノー1・及びメタクリレート、アルキレングリコール
、ポリ、オキシアルキレングリコールの・“Eノfたけ
ジアクリレート及びメタクリレート、トリメヂロールプ
ロパントリアクリレート及びメタクリレート、ペンタエ
リトリットテトラアクリレート及びメタクリ1ノートな
ど、アクリルアミド゛、メタクリルアミドまたはその5
力導体、例えばアルキル、ヒドロキシアルギルでN
lie I9!! ”また&:L、 N、 N’−置換
したアクリルアミド及びメタクリルアミド8、ジアセト
ンアクリルアミ1ご及びメタクリルアミド9、N、N’
−アルキレンビスアクリルアミド8及びメタクリルアミ
ド1.(と、アリル化合′吻、例えばアリルアルコール
、アリルイソシアネート、ジアリルフタレート、トリ゛
アリルシアヌ【/−ト/、[と、マレイン酸、無/J’
C71メイン酸、フマル酸マた(土そのニスデル、例え
ばアルギル、ハロゲン化アルギル、アルコキシアルギル
のモノ!!:たはシマ1/エート及びフマレートフ、(
と、その他の不飽相化合物例エバスチレン、ビニルトル
エン、ジビニルベンゼン、N−ビニルカルバゾール、N
−ヒニルビロリドン/、(どを挙げ4)ことができ2)
。3)だこれらのj)4M体の1部イv・′γシト″糸
化合物例えば4..4’−ジアジlゝスヂルベン、])
−]フェニレンービスアジド4,4′−ジアジド゛ベン
ゾフェノン、4.4’−ジアジドゝフ、ゴーニルメタン
、4.4’ジアジドゝノJルコン、2,6−ジ(4′−
ジアジド9ベンザル)−シクロへ八−リノン、/1,4
’−ジアジドゝスチルベン−〔Y−/J n、−ホン、
47+ly 、4 、4 /−ジアジ1やジフエニノへ
4.4′−ジアジド゛スチルベン−2,2’−ジスルホ
ン酸ソーダなどにl+’1.きかえろことができる。
の化合物を便用できろが、このような化合物の例として
は、′アクリレート、メタクリル酸のような不飽和カル
ボンl’i’? :):たはそのニスデル、例えばアル
キル−、シクロアルキル−、ハロゲン化アルへ−ル−、
アルコキシアルギルー、ヒト90キシアルキル−、アミ
ノアルキル−、クートジヒトゝロノル7リルー、アリル
−、グリシジル−、ベンジル−、フェノ■シーツ゛クリ
1ノー1・及びメタクリレート、アルキレングリコール
、ポリ、オキシアルキレングリコールの・“Eノfたけ
ジアクリレート及びメタクリレート、トリメヂロールプ
ロパントリアクリレート及びメタクリレート、ペンタエ
リトリットテトラアクリレート及びメタクリ1ノートな
ど、アクリルアミド゛、メタクリルアミドまたはその5
力導体、例えばアルキル、ヒドロキシアルギルでN
lie I9!! ”また&:L、 N、 N’−置換
したアクリルアミド及びメタクリルアミド8、ジアセト
ンアクリルアミ1ご及びメタクリルアミド9、N、N’
−アルキレンビスアクリルアミド8及びメタクリルアミ
ド1.(と、アリル化合′吻、例えばアリルアルコール
、アリルイソシアネート、ジアリルフタレート、トリ゛
アリルシアヌ【/−ト/、[と、マレイン酸、無/J’
C71メイン酸、フマル酸マた(土そのニスデル、例え
ばアルギル、ハロゲン化アルギル、アルコキシアルギル
のモノ!!:たはシマ1/エート及びフマレートフ、(
と、その他の不飽相化合物例エバスチレン、ビニルトル
エン、ジビニルベンゼン、N−ビニルカルバゾール、N
−ヒニルビロリドン/、(どを挙げ4)ことができ2)
。3)だこれらのj)4M体の1部イv・′γシト″糸
化合物例えば4..4’−ジアジlゝスヂルベン、])
−]フェニレンービスアジド4,4′−ジアジド゛ベン
ゾフェノン、4.4’−ジアジドゝフ、ゴーニルメタン
、4.4’ジアジドゝノJルコン、2,6−ジ(4′−
ジアジド9ベンザル)−シクロへ八−リノン、/1,4
’−ジアジドゝスチルベン−〔Y−/J n、−ホン、
47+ly 、4 、4 /−ジアジ1やジフエニノへ
4.4′−ジアジド゛スチルベン−2,2’−ジスルホ
ン酸ソーダなどにl+’1.きかえろことができる。
こねらの+p、 l・1休はプレ11ソリマ一100爪
曜部に対し、〇−:’ OOiT!:;”+部σ2範囲
で添加ず泊丁よい。
曜部に対し、〇−:’ OOiT!:;”+部σ2範囲
で添加ず泊丁よい。
光市合開始炸jとし、では公知の種々の光増感剤を用い
ることができる。
ることができる。
IIンに灯ましい)L重合開始剤は励起波長域におけろ
)°C7吸収の11S較的小さいものh豫「fしく、こ
のよう/、c 爪76合開始削を用いた場合は、レリー
フパターンとしてIllに対して高さが数倍以上に及ぶ
ものも作JJyひきる。
)°C7吸収の11S較的小さいものh豫「fしく、こ
のよう/、c 爪76合開始削を用いた場合は、レリー
フパターンとしてIllに対して高さが数倍以上に及ぶ
ものも作JJyひきる。
このよ’J 7’:C)Y;重合開始剤のモル吸光係数
εは励起波tそ域に1・5いて1000以rが好ましく
、特に1〜700 /! / moe cmの範囲にあ
るものが5イス士しくゝ。
εは励起波tそ域に1・5いて1000以rが好ましく
、特に1〜700 /! / moe cmの範囲にあ
るものが5イス士しくゝ。
このような)Y、取合開始バ1jの例としては次式で示
されるものがある。
されるものがある。
■(1
It、 −C−C−R2
11
OR1
1t +フェニル基又はli?(換フェニル基、T?、
、:11−1+ 水酸系、アルコキシ基、ハロゲン、[N:(: 7K
(k’l J−1=、アルコキシ基ん 細工ばベンゾイル、ベンゾインメチルニーデル、ベンツ
インエチルエーテル、ベンゾインゾロビルエーテル、ベ
ンゾインイソゾロビルニーデル、ペンゾインブプリ1−
エーテル、ペンゾインイソプヂA/コニ−7−ル、7,
2−シヒl−’r+キシー2フェニルア士トフ1ノン、
2.2−ジメトキシ−2−フエニルア−にトフエノン、
2.2−ジェトキシ−2−フェニルアセト−フェノン、
1.に:どがあり、組成物に対して、D、 D C]
1〜10 IRI?t qbの範囲で使用することがC
ざる。
、:11−1+ 水酸系、アルコキシ基、ハロゲン、[N:(: 7K
(k’l J−1=、アルコキシ基ん 細工ばベンゾイル、ベンゾインメチルニーデル、ベンツ
インエチルエーテル、ベンゾインゾロビルエーテル、ベ
ンゾインイソゾロビルニーデル、ペンゾインブプリ1−
エーテル、ペンゾインイソプヂA/コニ−7−ル、7,
2−シヒl−’r+キシー2フェニルア士トフ1ノン、
2.2−ジメトキシ−2−フエニルア−にトフエノン、
2.2−ジェトキシ−2−フェニルアセト−フェノン、
1.に:どがあり、組成物に対して、D、 D C]
1〜10 IRI?t qbの範囲で使用することがC
ざる。
熱重合′!杏+l−/i’lとし′〔は、ハイドロギノ
ン、モノ2L玉)゛ブールハイド −ジフェニル−P−ペンゾギノン、ピクリン酸、シI)
−フルオロフェニル′1ミン、■)−メトキシノエノー
ル、2.6−ジ第三グチル−P−クレゾールフ7Cどを
あげろことができる。これらの熱ffT合禁」1削ば、
熱tit合反応(、 IIA反応)を防1トするもので
あることが望まL7い。したがって、熱珀合禁11−削
の添加1)1は、プ1./ +l” IJママ−架橋剤
との総[11に差1シ2、0.005〜51(口i噛の
翁1 litにルンろことがQ(ましい。
ン、モノ2L玉)゛ブールハイド −ジフェニル−P−ペンゾギノン、ピクリン酸、シI)
−フルオロフェニル′1ミン、■)−メトキシノエノー
ル、2.6−ジ第三グチル−P−クレゾールフ7Cどを
あげろことができる。これらの熱ffT合禁」1削ば、
熱tit合反応(、 IIA反応)を防1トするもので
あることが望まL7い。したがって、熱珀合禁11−削
の添加1)1は、プ1./ +l” IJママ−架橋剤
との総[11に差1シ2、0.005〜51(口i噛の
翁1 litにルンろことがQ(ましい。
’J’ PC 本Q明のII; l巨]−rインパター
ンの形状及び71法(上次の、曲りである。即り2J!
3図に示−す如く、基板31−に形成された木Muのフ
ァインパターン4(J、1j1さ11が2 0 t
t 、1’〕土−(ICましく(土35zIJソー1−
)、Ill aが5〜200μ(好ましくは10〜lO
Ozl)、III aと+1−らさhとの比a / h
が1 / 1. 5以下(好ましくは%以下)、かつパ
ターン4の断面形状がはr lj−1形をf1シ、イ則
曲とノ.(板6どのな−す角度θが90°゛±10”(
8[丁′・〜100°)、史に1しI?.1片パターン
4の相t7間隔1)は10μ以)−である。
ンの形状及び71法(上次の、曲りである。即り2J!
3図に示−す如く、基板31−に形成された木Muのフ
ァインパターン4(J、1j1さ11が2 0 t
t 、1’〕土−(ICましく(土35zIJソー1−
)、Ill aが5〜200μ(好ましくは10〜lO
Ozl)、III aと+1−らさhとの比a / h
が1 / 1. 5以下(好ましくは%以下)、かつパ
ターン4の断面形状がはr lj−1形をf1シ、イ則
曲とノ.(板6どのな−す角度θが90°゛±10”(
8[丁′・〜100°)、史に1しI?.1片パターン
4の相t7間隔1)は10μ以)−である。
又nfl if己点支持基板6I〜てはフイルノ、又は
シート状のものが用いt゛)れ、その4’)I’141
としては各4IIfのプラスブックスフイルノ、、シー
ト、]1゛i層版、金属ンi又は金属、)↓ハ (共、
イ「1帛、ヒラミック板、【lい、1,それ宿の複合体
の111八(+f″c PI: fl、、At/, ;
、、薯゛1体斗′A″4等も用いイ〕ことが出家る。1
3tl 11j;σ)くν属薄板と17でにLス−y−
ル、ステン17・、ス、神4、゛Iルミニウム、6易、
lllj IJイ1、マグオン゛・ウノ、イーの仙の合
金板等が用いられるが、導出4’1 、1占)1反θノ
lPi″人.1. l,−こ゛■.ソー1ーングによる
場合Q′1アルミニウム、てl;!!+ + ’l11
.6ii舌ガ〒灯嫡である。これど(ITの材才1、素
44は・1〆・号に応じて各種の表面処J11例えば(
A−、汀1、エツアーング、イσ[磨、21;1ζ1α
処理等の他に塗装、蒸清などを施して使用することも”
l能である。
シート状のものが用いt゛)れ、その4’)I’141
としては各4IIfのプラスブックスフイルノ、、シー
ト、]1゛i層版、金属ンi又は金属、)↓ハ (共、
イ「1帛、ヒラミック板、【lい、1,それ宿の複合体
の111八(+f″c PI: fl、、At/, ;
、、薯゛1体斗′A″4等も用いイ〕ことが出家る。1
3tl 11j;σ)くν属薄板と17でにLス−y−
ル、ステン17・、ス、神4、゛Iルミニウム、6易、
lllj IJイ1、マグオン゛・ウノ、イーの仙の合
金板等が用いられるが、導出4’1 、1占)1反θノ
lPi″人.1. l,−こ゛■.ソー1ーングによる
場合Q′1アルミニウム、てl;!!+ + ’l11
.6ii舌ガ〒灯嫡である。これど(ITの材才1、素
44は・1〆・号に応じて各種の表面処J11例えば(
A−、汀1、エツアーング、イσ[磨、21;1ζ1α
処理等の他に塗装、蒸清などを施して使用することも”
l能である。
続い゛C本発明のノIノ膜ファインパターンの作成方法
を図により工程1]e1に説明すると次の;rηりであ
る。
を図により工程1]e1に説明すると次の;rηりであ
る。
即し)、本発明の厚膜ファインパターンを輿造するに当
っては、grt 4図(711,1乃至(El或は(A
)′乃至(Illに示」如く、ト述の如き支持基板5と
光jrE合件川成組成5と所四のパターンを持つマスク
となる透明画像411体6どをごの順序に招層したイk
、この41」体6側より活性)Y;腺7を照射して1.
・f、丸し、′ついで担体6と光JR重合性組成物の非
露光部を現j束’l(f、 8を吹きイ;1けて除去ず
ろことKよって011述のθ11<支持基板6の表面に
厚膜ファインパターン4をr/ff成することが出来る
。図中9はJ(−、重合性組成物5ど][1体6との間
に介在された透明プラスヂツクスフイルムである。
っては、grt 4図(711,1乃至(El或は(A
)′乃至(Illに示」如く、ト述の如き支持基板5と
光jrE合件川成組成5と所四のパターンを持つマスク
となる透明画像411体6どをごの順序に招層したイk
、この41」体6側より活性)Y;腺7を照射して1.
・f、丸し、′ついで担体6と光JR重合性組成物の非
露光部を現j束’l(f、 8を吹きイ;1けて除去ず
ろことKよって011述のθ11<支持基板6の表面に
厚膜ファインパターン4をr/ff成することが出来る
。図中9はJ(−、重合性組成物5ど][1体6との間
に介在された透明プラスヂツクスフイルムである。
1)11述の支」イ基板、)Y戸II1合性絹IJZ物
(以下単に組成′吻というン及び透明画1!3:413
体を扉’、 briニーJる方法としテハ支持即i)r
M −I:、 !’C1,n /J兄り勿をノ9みが2
0〜2.[JO()μに塗布又は該組成物よりなる塗j
j1λ層を転写した後、t〜明画像イ11体例えば銀j
λL(ψによるマスクやクロムマスク、活1′ト)”C
線に対して実質的に+4明であるプラスチックへイルノ
、ま/、二はシート1.ガ明ガラスシート、セロファン
等に所甥のパターンヲ印刷1りに」、り設はプ、−ヘ)
のなどを組成′吻J−二に]1部イ層する。
(以下単に組成′吻というン及び透明画1!3:413
体を扉’、 briニーJる方法としテハ支持即i)r
M −I:、 !’C1,n /J兄り勿をノ9みが2
0〜2.[JO()μに塗布又は該組成物よりなる塗j
j1λ層を転写した後、t〜明画像イ11体例えば銀j
λL(ψによるマスクやクロムマスク、活1′ト)”C
線に対して実質的に+4明であるプラスチックへイルノ
、ま/、二はシート1.ガ明ガラスシート、セロファン
等に所甥のパターンヲ印刷1りに」、り設はプ、−ヘ)
のなどを組成′吻J−二に]1部イ層する。
・または、これとは、lJ!Lで、透明画像相体に組成
物層をTP41ノlj i7 Aj lニー(1’)
t−、f持基板をm 着装置f!i L テモよく、さ
らにを゛よ、ソI!?基板と透明画f′!川休用体み規
制用スヘーリーを用い゛C一定間隙を設け“C配置し、
この間隙に15.状組成物を注入してもよい。活性光線
例えばアーク灯、水銀灯、ギセノンランプ、紫外線用螢
光灯、太陽光、白熱灯、レーザー光、LEr)ノ、(ど
の光線の照射に際しては、組成物と透明画像jfj体と
を画像再現性の点がら密着配置するごとが好ま(−いが
、該組成物が液状のl:1力合には、透明画像坦体と該
組成物との間に透明プラスチックフイルノ\、剣先ば1
12リプロピレンフイルム、ポリカーホネートフィルA
、zlYリエヂレンテレノタレートフイルノ1、アセチ
ル14ルロースフイル人、ポリビニルアルコールフイル
ノ3、セロファン等の中間層IX−設けることは透明画
像坦体の保護や照射後透明画像旧体と該組成物層との接
着を防止する効果をT]゛するのでイ1効で′+)る。
物層をTP41ノlj i7 Aj lニー(1’)
t−、f持基板をm 着装置f!i L テモよく、さ
らにを゛よ、ソI!?基板と透明画f′!川休用体み規
制用スヘーリーを用い゛C一定間隙を設け“C配置し、
この間隙に15.状組成物を注入してもよい。活性光線
例えばアーク灯、水銀灯、ギセノンランプ、紫外線用螢
光灯、太陽光、白熱灯、レーザー光、LEr)ノ、(ど
の光線の照射に際しては、組成物と透明画像jfj体と
を画像再現性の点がら密着配置するごとが好ま(−いが
、該組成物が液状のl:1力合には、透明画像坦体と該
組成物との間に透明プラスチックフイルノ\、剣先ば1
12リプロピレンフイルム、ポリカーホネートフィルA
、zlYリエヂレンテレノタレートフイルノ1、アセチ
ル14ルロースフイル人、ポリビニルアルコールフイル
ノ3、セロファン等の中間層IX−設けることは透明画
像坦体の保護や照射後透明画像旧体と該組成物層との接
着を防止する効果をT]゛するのでイ1効で′+)る。
:Yブ、:、 面百象形成關うC;[2プ、−のち該
組成物の非露光部を取除く方法とし′Cは、公知の方法
、例えば、像形成露光を終rし透明画像坦体を取除いた
ものを)℃重合性組成物面を外(tillにしてl’シ
ラノまたは子板に1+Vり付け、現像液をスプレーによ
つ゛C該版面に吹きつけて非露光二部を洗い出す方法よ
1.二は現像液中にブラシを浸し、このブラシで非露J
(1部を除去する方法により行れる。
組成物の非露光部を取除く方法とし′Cは、公知の方法
、例えば、像形成露光を終rし透明画像坦体を取除いた
ものを)℃重合性組成物面を外(tillにしてl’シ
ラノまたは子板に1+Vり付け、現像液をスプレーによ
つ゛C該版面に吹きつけて非露光二部を洗い出す方法よ
1.二は現像液中にブラシを浸し、このブラシで非露J
(1部を除去する方法により行れる。
レリーフパターンの断面の形状は活性光線の照射時間を
調整すイ)ことにより達成される。この用合活+’lt
)Y;腺1j蛤:L 1iil記]7にもののうち平
行丸線に01(・ものが92中し7いが必ずしも限定さ
れない。露光[(:1間の整調は同一のパターンIll
を持つテストマスクによる試験1.1′HすY4に、し
シ)Jj法が11・)ともイj(+:実である。
調整すイ)ことにより達成される。この用合活+’lt
)Y;腺1j蛤:L 1iil記]7にもののうち平
行丸線に01(・ものが92中し7いが必ずしも限定さ
れない。露光[(:1間の整調は同一のパターンIll
を持つテストマスクによる試験1.1′HすY4に、し
シ)Jj法が11・)ともイj(+:実である。
す/、Cわ?、レリーツバターンが台1にであれば露光
時間減じ、11′/!f〒形もl7.<はivT王角形
Cあれば増加さ)t−イ)。
時間減じ、11′/!f〒形もl7.<はivT王角形
Cあれば増加さ)t−イ)。
トν1くのり11(1彫青じた本発明のJψ)閘ファイ
ンパターンと用品としても1次の通りであ7.、)。即
ち、レリーフパターン部以外iyr謂しリーフパターン
相LL間の間隙に銅、′し東金、ニッケル、錫等の導電
体を電jilTメッキ等の手段によって形成したノ?2
ハ鉋導電体パターンは例えば小型コイル、品密度コネク
ター、j1’!i Wi l!J配P、−として使用す
ることが出来ろ。又前述の例と異/、cす、レリーフパ
ターン相互間の間隙にメッキ、ペースト等の埋設によっ
て抵抗体を1ヒ成辻しめた場合にはファインパターン抵
抗体とし゛Cパターン発熱体と(7で使用することが出
来る。
ンパターンと用品としても1次の通りであ7.、)。即
ち、レリーフパターン部以外iyr謂しリーフパターン
相LL間の間隙に銅、′し東金、ニッケル、錫等の導電
体を電jilTメッキ等の手段によって形成したノ?2
ハ鉋導電体パターンは例えば小型コイル、品密度コネク
ター、j1’!i Wi l!J配P、−として使用す
ることが出来ろ。又前述の例と異/、cす、レリーフパ
ターン相互間の間隙にメッキ、ペースト等の埋設によっ
て抵抗体を1ヒ成辻しめた場合にはファインパターン抵
抗体とし゛Cパターン発熱体と(7で使用することが出
来る。
本発明の実施例を具体的に説、明すると次の涌りである
。
。
′)ζ流側1
プロピレンクリコール、ジエヂレンクリコール、゛アジ
ピン酸、フマル酸をモル比0.15/ 0.3510.
3510.15の割で縮合させてイ1)だ不飽和、r?
リー12スプル47・l 出’r (I’+’¥イ由α
0 ) 10 [コ部にジェヂレンIす:1−ル、゛ツ
ククリ1.− ト12↑X1(、テトう上チレングリ−
1−〕I」ジメタアクリ+、、−−−1・、ろ[)ン′
;μ、fγ−ヒト゛r:1ギシrプルメタクリレ−1・
18部、ベンゾ・fンイソノ″丁ルーT−ラ胃し2 r
’11t、4−te百プf−ルカデゴール+1. (]
5翻を加えて作成しまた>Y; il’i介t′1゛
鼾I成11勿を月1い次のこ゛ど< Ji、ll1l°
Sノアイン侭ターンイ・−角UJ父しプこ。
ピン酸、フマル酸をモル比0.15/ 0.3510.
3510.15の割で縮合させてイ1)だ不飽和、r?
リー12スプル47・l 出’r (I’+’¥イ由α
0 ) 10 [コ部にジェヂレンIす:1−ル、゛ツ
ククリ1.− ト12↑X1(、テトう上チレングリ−
1−〕I」ジメタアクリ+、、−−−1・、ろ[)ン′
;μ、fγ−ヒト゛r:1ギシrプルメタクリレ−1・
18部、ベンゾ・fンイソノ″丁ルーT−ラ胃し2 r
’11t、4−te百プf−ルカデゴール+1. (]
5翻を加えて作成しまた>Y; il’i介t′1゛
鼾I成11勿を月1い次のこ゛ど< Ji、ll1l°
Sノアイン侭ターンイ・−角UJ父しプこ。
i%;Ql(1ql(50/1. 、、−4にU?明1
ll(7[1t’ピッチの宙1気回路パターンの図柄’
74「−4−るネガフィルムをガラス4t、J、 、
It Iiこ1ン亡き1、その1−をIIJlさ9 I
l、の71ゼリゾロビレンノイルム苓・)・灯A”(プ
1バーイーイ)。、−の−にに、トd己感光−1′l゛
川成物tX:/+if’、 l、こみ、次いでこの一ヒ
にI’−ノさ50μの八l’= S’l+″1をjマ3
さ70/(0アXペーザーを介して、■鳳ね介わ−lζ
1.二のら、ネガフィルム41111より3KWの7に
冷式超高圧水銀灯にて120秒間露光する。露光後ホ′
リゾUビレンフイルノ、をはがして液温45“′Cのポ
ウ酸ソーダ1%水溶液にて非露光未硬化部を洗い流して
All上上II 30μ、高さ70μ、間に% 70μ
ピツチの電気回路状のレリーフをもつ厚膜ファインパタ
ーンを作成し、次いで、バーショウ材用社製ビロリン1
lf12銅メッキ液を用いて、Al箔を陰極とし、陰極
′aC流密度5A/dm’の条件でf同をレリーフパタ
ー、ンの間隙に形成せしめた。その後、デュポン社製ポ
リイミ+−”フィルム「カシトン」(膜厚25μm )
上にボスチック社製フェノール樹脂−二トリルゴム系接
着剤rXA564−4」を乾燥後膜IC?、が5 tt
mになるように塗布した絶縁性基板上に、土8〔2電
’j’!Fメツキを行ったものをアルミニウム箔を七に
して150℃で60分間熱J(−一着し、て貼りイく1
け、次いで5取凧噛の水ilp化ナトナトリウム水溶液
l箔をエッヂング除去して、配純密18: 1 [1本
/ nun 、 導体)’G’70 tt、 ITE
70 Il、うn体間隔301t r/) Jl/l電
膜回路をイζ)た。
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74「−4−るネガフィルムをガラス4t、J、 、
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l、の71ゼリゾロビレンノイルム苓・)・灯A”(プ
1バーイーイ)。、−の−にに、トd己感光−1′l゛
川成物tX:/+if’、 l、こみ、次いでこの一ヒ
にI’−ノさ50μの八l’= S’l+″1をjマ3
さ70/(0アXペーザーを介して、■鳳ね介わ−lζ
1.二のら、ネガフィルム41111より3KWの7に
冷式超高圧水銀灯にて120秒間露光する。露光後ホ′
リゾUビレンフイルノ、をはがして液温45“′Cのポ
ウ酸ソーダ1%水溶液にて非露光未硬化部を洗い流して
All上上II 30μ、高さ70μ、間に% 70μ
ピツチの電気回路状のレリーフをもつ厚膜ファインパタ
ーンを作成し、次いで、バーショウ材用社製ビロリン1
lf12銅メッキ液を用いて、Al箔を陰極とし、陰極
′aC流密度5A/dm’の条件でf同をレリーフパタ
ー、ンの間隙に形成せしめた。その後、デュポン社製ポ
リイミ+−”フィルム「カシトン」(膜厚25μm )
上にボスチック社製フェノール樹脂−二トリルゴム系接
着剤rXA564−4」を乾燥後膜IC?、が5 tt
mになるように塗布した絶縁性基板上に、土8〔2電
’j’!Fメツキを行ったものをアルミニウム箔を七に
して150℃で60分間熱J(−一着し、て貼りイく1
け、次いで5取凧噛の水ilp化ナトナトリウム水溶液
l箔をエッヂング除去して、配純密18: 1 [1本
/ nun 、 導体)’G’70 tt、 ITE
70 Il、うn体間隔301t r/) Jl/l電
膜回路をイζ)た。
実施例2
実施例1のL 、TIk合件用件組成物ンゾインイソブ
チルエーテルに代工て、2,2−ジメトキシ−2−フエ
J−ルーアセトンフェノンを用いl:= ’)’に重合
flH絹IJy、’吻を用い゛〔、同4・ηlx、)す
4111^′石気回路を作成1.た。
チルエーテルに代工て、2,2−ジメトキシ−2−フエ
J−ルーアセトンフェノンを用いl:= ’)’に重合
flH絹IJy、’吻を用い゛〔、同4・ηlx、)す
4111^′石気回路を作成1.た。
実か11例ろ
′工ζ流側1のネガフィルムの代、すに透明部のrl+
20μ、不透明部のIIJ 80μの渦巻状パターンを
有するネガフィルムに代えて2、)Y; FD合(’目
11成物の厚さを6 D /(にして実施例1ど同様な
操作により、導体1180μ、導体間隔20μ、導体膜
19.60μの渦巻状パターンを有するファインコイル
を作成しfこ。
20μ、不透明部のIIJ 80μの渦巻状パターンを
有するネガフィルムに代えて2、)Y; FD合(’目
11成物の厚さを6 D /(にして実施例1ど同様な
操作により、導体1180μ、導体間隔20μ、導体膜
19.60μの渦巻状パターンを有するファインコイル
を作成しfこ。
実施例4
実施例1において70 ttのスベーーリ”−に代えて
、150μのスベーザーな用いて、光T[<合併組成物
の層のJ9さを150 trとし、水19式高川用銀灯
によるh光時間を540秒間とする他は同様な操作によ
り、アルミ箔上にIll 30μ、高さ150 tr、
間隙70μピツチの′電気回路状のレリーフを1′J「
つ厚膜パターンを作成した。(この時の側面と支持基板
のなす角度は92′であった。)このパターンを用いて
、レリーフの間隙内に実施例1と同様1.c条件に」、
り銅を′重着さt7この弓、アルミニウム箔をエツチン
グ除去して、厚膜電回路を作成した。
、150μのスベーザーな用いて、光T[<合併組成物
の層のJ9さを150 trとし、水19式高川用銀灯
によるh光時間を540秒間とする他は同様な操作によ
り、アルミ箔上にIll 30μ、高さ150 tr、
間隙70μピツチの′電気回路状のレリーフを1′J「
つ厚膜パターンを作成した。(この時の側面と支持基板
のなす角度は92′であった。)このパターンを用いて
、レリーフの間隙内に実施例1と同様1.c条件に」、
り銅を′重着さt7この弓、アルミニウム箔をエツチン
グ除去して、厚膜電回路を作成した。
υζζ何例
51セリエヂ17ンアジベート(ジオール、分子142
.00 C) ) 2fl rJ部にトリレンジイソシ
アネートろ5 RIX、ジグヂルスズラウレー)0.5
部を加工て、70 ”Cで2時間反応さ・1ム、ついで
これにエブーレン刈ヤシl−’、プロピレンオキシド共
重合体(エヂレン」キント゛ろ5 wt ’l’+ 介
干j、グロックJl; ’+TIf本ジメール、分子)
rt 2.0 []O) I D 0部を加えて反応せ
しめ、両末端にインシアネート基を有〜(イ)ブロック
共重合体をi’J l、−1,この)E合体600)2
1〜にα−ヒl−”17キシ、I:1−ルメタクリレ−
I−25部、ハイド50ギノン(]11分え、70 ”
Cで2時間反応せしめてポリマーを作成しブ、二。
.00 C) ) 2fl rJ部にトリレンジイソシ
アネートろ5 RIX、ジグヂルスズラウレー)0.5
部を加工て、70 ”Cで2時間反応さ・1ム、ついで
これにエブーレン刈ヤシl−’、プロピレンオキシド共
重合体(エヂレン」キント゛ろ5 wt ’l’+ 介
干j、グロックJl; ’+TIf本ジメール、分子)
rt 2.0 []O) I D 0部を加えて反応せ
しめ、両末端にインシアネート基を有〜(イ)ブロック
共重合体をi’J l、−1,この)E合体600)2
1〜にα−ヒl−”17キシ、I:1−ルメタクリレ−
I−25部、ハイド50ギノン(]11分え、70 ”
Cで2時間反応せしめてポリマーを作成しブ、二。
このポリマー30〔月′W1(に、(χ−ヒト20キシ
ゾロビルメタアクリt/−トZs部、α−エチルヘキシ
ルアクリレート151ffX、 7L−ブチルアクリ
レート30 jNl+、ベンゾインエチルニーデル6部
を加え、混合して九重合性組成物を作成(7た。この組
成物(上水あめ状の組成物である。
ゾロビルメタアクリt/−トZs部、α−エチルヘキシ
ルアクリレート151ffX、 7L−ブチルアクリ
レート30 jNl+、ベンゾインエチルニーデル6部
を加え、混合して九重合性組成物を作成(7た。この組
成物(上水あめ状の組成物である。
この′#、重合性組成物をノ1?さ100μのアルミニ
ラl、薄板トにjTノさ150 itに塗布し2、この
トな9tt /’ノさの・)?リプロビl/ンフィルノ
、で范いを]〜て、透明部50μ、非違明部100μピ
ップ−の雷、気パターンの図柄を有ずろネガフィル人へ
・重ネf (1)l−にガラス板を置いて、実施例1で
用いた光;11<%で240秒間露光する。hlに尤後
ポリプロピレンフィルムヲ剥カして、液温40 ”Cの
′アルキルベンゼンスルフォン酸ンーダ1%水溶液にて
非霧う“C;未硬化部を洗い′/)tr、して、アルミ
ニウム薄板−ヒK Ill 50μ、11i1隔100
μビツヂで茜さ100 ttのレリーフヲもつパターン
を作成しfこ。このパターンのレリーフ部分Pノ外kr
実Mf+ 1′/ll 1 と同相sにしCe’fn
lを″市ノア)f I−、1,:のレノ、アルミニウム
)、J、i−9・ひきはかり1ノ框い(1,気国0洛を
f’、) 7;T。
ラl、薄板トにjTノさ150 itに塗布し2、この
トな9tt /’ノさの・)?リプロビl/ンフィルノ
、で范いを]〜て、透明部50μ、非違明部100μピ
ップ−の雷、気パターンの図柄を有ずろネガフィル人へ
・重ネf (1)l−にガラス板を置いて、実施例1で
用いた光;11<%で240秒間露光する。hlに尤後
ポリプロピレンフィルムヲ剥カして、液温40 ”Cの
′アルキルベンゼンスルフォン酸ンーダ1%水溶液にて
非霧う“C;未硬化部を洗い′/)tr、して、アルミ
ニウム薄板−ヒK Ill 50μ、11i1隔100
μビツヂで茜さ100 ttのレリーフヲもつパターン
を作成しfこ。このパターンのレリーフ部分Pノ外kr
実Mf+ 1′/ll 1 と同相sにしCe’fn
lを″市ノア)f I−、1,:のレノ、アルミニウム
)、J、i−9・ひきはかり1ノ框い(1,気国0洛を
f’、) 7;T。
記1図及び第21゛イl ll’、 ?+’l?来のパ
ターンを示ず説、四回、印、 3 +:<+ +よA\
゛)′^明の・ぐターンを示す浦、四回、第4図は木イ
へ明のパターンを、!I(u +/冒る一■ニイ′−を
示す説明図C訊る。 1、月よδ斗1基イJl!、、 2.2’、、4はパ
ターン、5り1. yC:重合1′1:組成′吻、
6心、を相体、 7は丸線、8(,1月メ、 tr4
’8’j、、 9Q1−〕〕゛ラー: −Y−ツク
7、7 ’イfiv J−−C鴎)る。
ターンを示ず説、四回、印、 3 +:<+ +よA\
゛)′^明の・ぐターンを示す浦、四回、第4図は木イ
へ明のパターンを、!I(u +/冒る一■ニイ′−を
示す説明図C訊る。 1、月よδ斗1基イJl!、、 2.2’、、4はパ
ターン、5り1. yC:重合1′1:組成′吻、
6心、を相体、 7は丸線、8(,1月メ、 tr4
’8’j、、 9Q1−〕〕゛ラー: −Y−ツク
7、7 ’イfiv J−−C鴎)る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 支1・〜基板」二に光重合性組成物の光硬化物よりl、
Cろ高すが20 ft以−七のI/リーフパターンを形
成させり厚膜ファインパターンに於て、該レリーフパタ
ーンの断面形状かはy/)4J形でありかつそのパター
ンの111が5〜200 tt、隣接するレリーフパタ
ーンとの間隔が10 tt以七で史に前記+1’lと篩
さと・1 のIしか、1−掠以FであることをlI’4r徴とした
1ワ膜フアインパターン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15589982A JPS5945440A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | 厚膜フアインパタ−ン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15589982A JPS5945440A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | 厚膜フアインパタ−ン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5945440A true JPS5945440A (ja) | 1984-03-14 |
Family
ID=15615939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15589982A Pending JPS5945440A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | 厚膜フアインパタ−ン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5945440A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01193730A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-03 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポリイミド樹脂の厚膜加工方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55139250A (en) * | 1979-04-18 | 1980-10-30 | Copal Co Ltd | Plate for preventing reflection |
| JPS5651898A (en) * | 1979-10-04 | 1981-05-09 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of forming pattern |
| JPS5694973A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | Inverter device |
| JPS5791590A (en) * | 1980-11-28 | 1982-06-07 | Asahi Chemical Ind | Method of producing thick film fine pattern conductor |
-
1982
- 1982-09-09 JP JP15589982A patent/JPS5945440A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55139250A (en) * | 1979-04-18 | 1980-10-30 | Copal Co Ltd | Plate for preventing reflection |
| JPS5651898A (en) * | 1979-10-04 | 1981-05-09 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of forming pattern |
| JPS5694973A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | Inverter device |
| JPS5791590A (en) * | 1980-11-28 | 1982-06-07 | Asahi Chemical Ind | Method of producing thick film fine pattern conductor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01193730A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-03 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポリイミド樹脂の厚膜加工方法 |
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