JPS5945440A - 厚膜フアインパタ−ン - Google Patents

厚膜フアインパタ−ン

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JPS5945440A
JPS5945440A JP15589982A JP15589982A JPS5945440A JP S5945440 A JPS5945440 A JP S5945440A JP 15589982 A JP15589982 A JP 15589982A JP 15589982 A JP15589982 A JP 15589982A JP S5945440 A JPS5945440 A JP S5945440A
Authority
JP
Japan
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pattern
thick film
acid
relief
composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP15589982A
Other languages
English (en)
Inventor
Kunio Shimizu
邦夫 清水
Akiyoshi Mizuno
水野 晶好
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Kasei Corp
Asahi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Asahi Chemical Industry Co Ltd
Asahi Kasei Kogyo KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Chemical Industry Co Ltd, Asahi Kasei Kogyo KK filed Critical Asahi Chemical Industry Co Ltd
Priority to JP15589982A priority Critical patent/JPS5945440A/ja
Publication of JPS5945440A publication Critical patent/JPS5945440A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は小ノ1.リコイル、高密1隻コネクター、高密
度配線等の各tili T(−(、子部品に使用される
微細、高精度、高密黒ユの厚1換パターン処係り、史に
詳しくは高さが20 ti以上で、断面形状がはy矩J
[そをイ1し、巾が5〜200μ、隣接するパターンと
の間隔が10zt以1−―で、該Illと高さとの比が
1に以Fでああろことを/1.lr徴とした)+、5+
膜ファインパターンに関するものである。
従来のフォトレジストやスクリーン印刷技術を利用した
ファインパターンカ旧−「ではIf!l;3厚に限界が
あり、氾1図に示す如(基板11−に形成されたファイ
ンパターン2の高51+は1 [] /I以下であり、
又一部Vこは3(]〜5 [、I ftの)1,1膜レ
ジストもあろが、この場合υ′r、はパターン2の断面
=L法のIf] aと高さ11ノーの11;は1/1が
11灸小であり、ノ[(+常はパターン2σ月11 a
lし/シスト膜〕:1. <パターンの高さhに相当)
以下であった。史に凸版印刷用版相のしIJ −フパタ
ーン2′は第2図に示すμ口く、印刷時に力が加わった
時の変形を防ぐために富士型の断面形状を有しており、
このものは隣接するパターンとの間隔が底部に於て接近
していた。従ってこれ等の従来のパターンはレリーフ[
1〕に対してレリーフ高さの高いかつ断面形状が矩形状
を有した厚膜ファインパターンが得られない為に高性能
及び小型化を要〉1ζされる各抑型子部品等にを主便用
することが出来ない欠点があった。
本発明は従来の之等の欠点に鑑み開発した全く新規な技
術であって、特にIIJに比較して旨さが商くかつKl
i而形面が&gl、r ′)、ti形をトJ1一つた厚
膜ファインパターンに関するものである。
本発明は上述の厚膜ファインパターンを得る為に感)し
性樹脂組成物の中で、特に活性光線の照射により光車台
反応を起こし、光硬化し液状から固状となお)か又は各
神俗削に対イる溶解性が減少するI持性を持ったW;−
tlj合件絹成組成を使用1d二。この種の感光性樹脂
組成物の内でもフォトレジストとして良<用いられる)
“C二車量化組成′吻、ジアゾ糸組成物、光:11[溶
性組成物等は厚膜を硬化させることカカ11かしく、前
述の如き本発明のJV 膜ファインパターンを製、浩゛
171為に用いること目、困’)illである。
nノに本発明に於て(よ固状光硬化1’P l組成物を
用いず静状尤イ1す!化性組成物を1り団1した。こσ
月III山は固状)Y、硬化1′1躇11II!4物が
、(;C111町化1111分を除去するのに各種溶?
111で未硬化H’HjiをM I’+’i’除去する
ためにレリーフパターンが各種溶削で未イ1す!化11
b分を溶解除去するために1ノリーフパターンが溶削で
膨潤する欠点があるのに対し、本発明に使用される液状
光硬化性組JJy物はi4に純に未硬化物を洗い流した
り、場合によってはエアブロ−、シャワー等の41!械
的手段によっても除去することカ”=nJ能であり、か
つ鮮明l、C輪郭を持ったレリーフパターンを得ろこと
が出来る7t−1j徴を持っているからである。
)Yシ小合吐組阪物の具体例として(↑、次の通りであ
る。
JJIJじ、本発明妊用いられる)′r;重合性川成組
成しては不f1181相基のyL屯合を利用したもの、
オギシラン」(;iの開環重合を利用するものなど各1
′Φのものが力、ろが、その代表としてはエチレン性不
fr:5相基を11するプレT1?リマーと必要により
エヂレン?’I 、(・飽和中111〜体、)Y二重合
開始ハ1[、it、%重合禁II−削とが1っブ、[イ
)舶1戊物℃ある。」二重ブレ7ビリマーとしては、不
fO相ポリエステル、不飽和IIソリウレタン、オリイ
エスデルアクリレート類、不飽和ポリアミIパ、不飽和
、lrリイミド、不飽和71?リエーテル、不飽和ポリ
(メタ)アクリレート及びこれらの各抽変性体、炭素−
炭素二重結合をイエする各イlハゴノ・化合物等を例示
することができる。これらのプレ++2リマー〇数平均
分子膝は、実質的に500以」−のものを用いるのが一
般的である。
さら妊、具体的1.6例を示すと、不飽和、l? IJ
ニスデル及びアルキッドどしては、例えばマレイン酸、
フマル酸、イタコン酸のような不飽和二塙基酔土Iこは
その酸無水物とエヂレングリコール、ノロピレングリコ
ール、ジエチレングリコール、トリエヂレングリコール
、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリ(
リット、末端水酸基を有I−るi、4y+?リゾタジエ
ン、水添または非水添1.2−ポリシタジエン−アクリ
ロニトリル共重合体などの多価アルコールとのポリエス
テル、前記酸成分の一部なコハク酸、アジピン酸、フタ
ル酸、イソフタル酸、無水フタル酸、トリメリットff
11.Cどの飽和多塩基酸にi値き換えたポリエステル
あるいは乾fig油脂肪酸または半乾性油脂肪酸で変性
したポリエステルなどが、不飽和ポリウレタンどしては
、すなわち2個以」−の末塙水酸基を・fjす4 +l
?lオリルと71?リイソシアネートカ・ら誘導された
ウレタン基を介して連結した化合物の末端インシアネー
ト基あるいは水酸基を利用してイで1加用合性不飽和基
を導入したもの、例えば前記した多重曲アルコール、7
1?リエスデルポリオール、ポリニーデルポリオールな
どの1+?リオール末端水酸基を有する1、4−ポリブ
タジェン、水添または非水添1.2−d?リプタジエン
、シタジエン−スチレン共l(合体、ブタジェン−アク
リロニトリル共重合体とトルイレンジイソシーアネート
、ジフェニルメタン−4,4′−ジインシアネート、へ
・1′ザメヂレンジイソシ゛アネートなどのポリイソシ
アネートとのボリウ1/タンの末端イソシアネートある
いは水酸基の反応I11゛を利用(2て不飽和基を導入
したもの、すl、cわ′し)、前記17た不飽和カルボ
ン酸又はソ1ねニスデルのつr〕水酸児、カルス1ツキ
シルJil、7ミノ#−7,Cどの活性水2くを有する
化合′吻とインシアネートとの反応に7Lり不飽和基を
導入したり、カルボーヤシル基を何するものと水酸基と
の反応によりイく胞(10t・を導入し1こ化合物また
は前記の不飽和・1?り工スブ゛ルをポリイソ7アネー
トで連結した化合物/、【どが、オリコ゛エステルアク
リレート類としては、すなわち多塩基酸と多価アルコー
ルのエステル反応系にアクリル酸またはメタクリル酸を
共存させて、共縮合さ〜1むそれぞれのモル比を調整し
て分子量200〜5000程1Wとしたもの、例えばア
ジピン酸、フタル酸、イソフタル酸または酸無水物など
とエチレングリコール、プロピ1/ングリコール、ジエ
チレングリコール、トリエチレングリコール、グリセリ
ン、トリメヂロールプロパン、ペンタエリトリットなど
の多価アルコールとのエステル反応系にアクリル酸また
はメタクリル酸を共存させて縮合させたもの、エポキシ
アクリレート類、例えば多価アルコール、多価フェノー
ルまたはポリフェノールとエピクロルヒドリンまたはア
ルキレンオキシビとの重縮合反応によりi()もれるエ
ポキシ基を有する化合物とアクリル酸またはメタクリル
酸とのエステル、側鎖に付加nf合性炭素−炭素二11
【結合を有する高分子化合物、例t ハフ1?リビニル
アルコール、セルロースのような水酸基をもつ高分子化
合物と不飽和カルボン酸また番まそのC1夕無水物とを
反応させて得られる化合物や、アクリル酸7トl、−は
メタクリル酸の重合体または共重合体のよう1.cカル
ボキシル基をもつ高分子化合物に不飽和アルコール、グ
リシジルアクリレートまたはメタクリレートをニスデル
結合させたもの、無1l(71/イン酸を含イ1する共
v]を合体とアリル゛アルコール、ヒドロキシアルキル
アクリレート寸f、Zk主メタクリ【/−トとの反応物
など、グリシジルアクリレートまた(′;I、メタクリ
レートを共重合成分として含イjする共ル合、体とアク
リル酸またはメタクリル酸との反応物などを挙げること
ができる。
また、各種ゴノ・化合物としては、+I11,4ポリノ
タジエン、1.2−71?リゾタジエン、ブタジェン−
スチレン共fft合体、シタジエン−アクリロニトリル
共重合体、■弓P D M、+11.1 、、、l−間
中の水添化物、インブブレーイソブレン共取合体、エチ
レンプロピレン共重合体そ+2て(Ilに示される各種
ゴムJul上の化合物に公知の技術によりエチレン性不
飽和基を導入した不飽和変性イム等゛を例示できる。(
[1の化合物はそのままでも使用できるが、該不飽和基
を/、iy入寸ろには、末端官能基を有する各種イノ・
什。
合物を用いるのが便利である。また、1,2−ポリブタ
ジェンセグメントを41するゴム化合物の場合は該化合
物に無水マレイン酸珀を付加することにより、核不fイ
ヌ相基な容易に導入できろ。
−I−記以外のプレポリマーとして、エヂレン性三車結
合の付加以外の機構により)Y;重合する該二重結合を
含有しない化合物例えば、水+iJ fg性ナナイロン
ポリビニルアルコール及びその誘へtf、体を用いても
一向にダ1J51一つがえない。
エブーレン+′1−不飽相単購休としては、公知の種々
の化合物を便用できろが、このような化合物の例として
は、′アクリレート、メタクリル酸のような不飽和カル
ボンl’i’? :):たはそのニスデル、例えばアル
キル−、シクロアルキル−、ハロゲン化アルへ−ル−、
アルコキシアルギルー、ヒト90キシアルキル−、アミ
ノアルキル−、クートジヒトゝロノル7リルー、アリル
−、グリシジル−、ベンジル−、フェノ■シーツ゛クリ
1ノー1・及びメタクリレート、アルキレングリコール
、ポリ、オキシアルキレングリコールの・“Eノfたけ
ジアクリレート及びメタクリレート、トリメヂロールプ
ロパントリアクリレート及びメタクリレート、ペンタエ
リトリットテトラアクリレート及びメタクリ1ノートな
ど、アクリルアミド゛、メタクリルアミドまたはその5
力導体、例えばアルキル、ヒドロキシアルギルでN  
lie I9!! ”また&:L、 N、 N’−置換
したアクリルアミド及びメタクリルアミド8、ジアセト
ンアクリルアミ1ご及びメタクリルアミド9、N、N’
−アルキレンビスアクリルアミド8及びメタクリルアミ
ド1.(と、アリル化合′吻、例えばアリルアルコール
、アリルイソシアネート、ジアリルフタレート、トリ゛
アリルシアヌ【/−ト/、[と、マレイン酸、無/J’
C71メイン酸、フマル酸マた(土そのニスデル、例え
ばアルギル、ハロゲン化アルギル、アルコキシアルギル
のモノ!!:たはシマ1/エート及びフマレートフ、(
と、その他の不飽相化合物例エバスチレン、ビニルトル
エン、ジビニルベンゼン、N−ビニルカルバゾール、N
−ヒニルビロリドン/、(どを挙げ4)ことができ2)
。3)だこれらのj)4M体の1部イv・′γシト″糸
化合物例えば4..4’−ジアジlゝスヂルベン、])
−]フェニレンービスアジド4,4′−ジアジド゛ベン
ゾフェノン、4.4’−ジアジドゝフ、ゴーニルメタン
、4.4’ジアジドゝノJルコン、2,6−ジ(4′−
ジアジド9ベンザル)−シクロへ八−リノン、/1,4
’−ジアジドゝスチルベン−〔Y−/J n、−ホン、
47+ly 、4 、4 /−ジアジ1やジフエニノへ
4.4′−ジアジド゛スチルベン−2,2’−ジスルホ
ン酸ソーダなどにl+’1.きかえろことができる。
こねらの+p、 l・1休はプレ11ソリマ一100爪
曜部に対し、〇−:’ OOiT!:;”+部σ2範囲
で添加ず泊丁よい。
光市合開始炸jとし、では公知の種々の光増感剤を用い
ることができる。
IIンに灯ましい)L重合開始剤は励起波長域におけろ
)°C7吸収の11S較的小さいものh豫「fしく、こ
のよう/、c 爪76合開始削を用いた場合は、レリー
フパターンとしてIllに対して高さが数倍以上に及ぶ
ものも作JJyひきる。
このよ’J 7’:C)Y;重合開始剤のモル吸光係数
εは励起波tそ域に1・5いて1000以rが好ましく
、特に1〜700 /! / moe cmの範囲にあ
るものが5イス士しくゝ。
このような)Y、取合開始バ1jの例としては次式で示
されるものがある。
■(1 It、 −C−C−R2 11 OR1 1t +フェニル基又はli?(換フェニル基、T?、
、:11−1+ 水酸系、アルコキシ基、ハロゲン、[N:(: 7K 
(k’l J−1=、アルコキシ基ん 細工ばベンゾイル、ベンゾインメチルニーデル、ベンツ
インエチルエーテル、ベンゾインゾロビルエーテル、ベ
ンゾインイソゾロビルニーデル、ペンゾインブプリ1−
エーテル、ペンゾインイソプヂA/コニ−7−ル、7,
2−シヒl−’r+キシー2フェニルア士トフ1ノン、
2.2−ジメトキシ−2−フエニルア−にトフエノン、
2.2−ジェトキシ−2−フェニルアセト−フェノン、
1.に:どがあり、組成物に対して、D、 D C] 
1〜10 IRI?t qbの範囲で使用することがC
ざる。
熱重合′!杏+l−/i’lとし′〔は、ハイドロギノ
ン、モノ2L玉)゛ブールハイド −ジフェニル−P−ペンゾギノン、ピクリン酸、シI)
−フルオロフェニル′1ミン、■)−メトキシノエノー
ル、2.6−ジ第三グチル−P−クレゾールフ7Cどを
あげろことができる。これらの熱ffT合禁」1削ば、
熱tit合反応(、 IIA反応)を防1トするもので
あることが望まL7い。したがって、熱珀合禁11−削
の添加1)1は、プ1./ +l” IJママ−架橋剤
との総[11に差1シ2、0.005〜51(口i噛の
翁1 litにルンろことがQ(ましい。
’J’ PC 本Q明のII; l巨]−rインパター
ンの形状及び71法(上次の、曲りである。即り2J!
3図に示−す如く、基板31−に形成された木Muのフ
ァインパターン4(J、1j1さ11が2  0  t
t 、1’〕土−(ICましく(土35zIJソー1−
)、Ill aが5〜200μ(好ましくは10〜lO
Ozl)、III aと+1−らさhとの比a / h
が1 / 1. 5以下(好ましくは%以下)、かつパ
ターン4の断面形状がはr lj−1形をf1シ、イ則
曲とノ.(板6どのな−す角度θが90°゛±10”(
8[丁′・〜100°)、史に1しI?.1片パターン
4の相t7間隔1)は10μ以)−である。
又nfl if己点支持基板6I〜てはフイルノ、又は
シート状のものが用いt゛)れ、その4’)I’141
としては各4IIfのプラスブックスフイルノ、、シー
ト、]1゛i層版、金属ンi又は金属、)↓ハ (共、
イ「1帛、ヒラミック板、【lい、1,それ宿の複合体
の111八(+f″c PI: fl、、At/, ;
、、薯゛1体斗′A″4等も用いイ〕ことが出家る。1
3tl 11j;σ)くν属薄板と17でにLス−y−
ル、ステン17・、ス、神4、゛Iルミニウム、6易、
lllj IJイ1、マグオン゛・ウノ、イーの仙の合
金板等が用いられるが、導出4’1 、1占)1反θノ
lPi″人.1. l,−こ゛■.ソー1ーングによる
場合Q′1アルミニウム、てl;!!+ + ’l11
.6ii舌ガ〒灯嫡である。これど(ITの材才1、素
44は・1〆・号に応じて各種の表面処J11例えば(
A−、汀1、エツアーング、イσ[磨、21;1ζ1α
処理等の他に塗装、蒸清などを施して使用することも”
l能である。
続い゛C本発明のノIノ膜ファインパターンの作成方法
を図により工程1]e1に説明すると次の;rηりであ
る。
即し)、本発明の厚膜ファインパターンを輿造するに当
っては、grt 4図(711,1乃至(El或は(A
)′乃至(Illに示」如く、ト述の如き支持基板5と
光jrE合件川成組成5と所四のパターンを持つマスク
となる透明画像411体6どをごの順序に招層したイk
、この41」体6側より活性)Y;腺7を照射して1.
・f、丸し、′ついで担体6と光JR重合性組成物の非
露光部を現j束’l(f、 8を吹きイ;1けて除去ず
ろことKよって011述のθ11<支持基板6の表面に
厚膜ファインパターン4をr/ff成することが出来る
。図中9はJ(−、重合性組成物5ど][1体6との間
に介在された透明プラスヂツクスフイルムである。
1)11述の支」イ基板、)Y戸II1合性絹IJZ物
(以下単に組成′吻というン及び透明画1!3:413
体を扉’、 briニーJる方法としテハ支持即i)r
M −I:、 !’C1,n /J兄り勿をノ9みが2
0〜2.[JO()μに塗布又は該組成物よりなる塗j
j1λ層を転写した後、t〜明画像イ11体例えば銀j
λL(ψによるマスクやクロムマスク、活1′ト)”C
線に対して実質的に+4明であるプラスチックへイルノ
、ま/、二はシート1.ガ明ガラスシート、セロファン
等に所甥のパターンヲ印刷1りに」、り設はプ、−ヘ)
のなどを組成′吻J−二に]1部イ層する。
・または、これとは、lJ!Lで、透明画像相体に組成
物層をTP41ノlj i7 Aj lニー(1’) 
t−、f持基板をm 着装置f!i L テモよく、さ
らにを゛よ、ソI!?基板と透明画f′!川休用体み規
制用スヘーリーを用い゛C一定間隙を設け“C配置し、
この間隙に15.状組成物を注入してもよい。活性光線
例えばアーク灯、水銀灯、ギセノンランプ、紫外線用螢
光灯、太陽光、白熱灯、レーザー光、LEr)ノ、(ど
の光線の照射に際しては、組成物と透明画像jfj体と
を画像再現性の点がら密着配置するごとが好ま(−いが
、該組成物が液状のl:1力合には、透明画像坦体と該
組成物との間に透明プラスチックフイルノ\、剣先ば1
12リプロピレンフイルム、ポリカーホネートフィルA
、zlYリエヂレンテレノタレートフイルノ1、アセチ
ル14ルロースフイル人、ポリビニルアルコールフイル
ノ3、セロファン等の中間層IX−設けることは透明画
像坦体の保護や照射後透明画像旧体と該組成物層との接
着を防止する効果をT]゛するのでイ1効で′+)る。
 :Yブ、:、 面百象形成關うC;[2プ、−のち該
組成物の非露光部を取除く方法とし′Cは、公知の方法
、例えば、像形成露光を終rし透明画像坦体を取除いた
ものを)℃重合性組成物面を外(tillにしてl’シ
ラノまたは子板に1+Vり付け、現像液をスプレーによ
つ゛C該版面に吹きつけて非露光二部を洗い出す方法よ
1.二は現像液中にブラシを浸し、このブラシで非露J
(1部を除去する方法により行れる。
レリーフパターンの断面の形状は活性光線の照射時間を
調整すイ)ことにより達成される。この用合活+’lt
 )Y;腺1j蛤:L 1iil記]7にもののうち平
行丸線に01(・ものが92中し7いが必ずしも限定さ
れない。露光[(:1間の整調は同一のパターンIll
を持つテストマスクによる試験1.1′HすY4に、し
シ)Jj法が11・)ともイj(+:実である。
す/、Cわ?、レリーツバターンが台1にであれば露光
時間減じ、11′/!f〒形もl7.<はivT王角形
Cあれば増加さ)t−イ)。
トν1くのり11(1彫青じた本発明のJψ)閘ファイ
ンパターンと用品としても1次の通りであ7.、)。即
ち、レリーフパターン部以外iyr謂しリーフパターン
相LL間の間隙に銅、′し東金、ニッケル、錫等の導電
体を電jilTメッキ等の手段によって形成したノ?2
ハ鉋導電体パターンは例えば小型コイル、品密度コネク
ター、j1’!i Wi l!J配P、−として使用す
ることが出来ろ。又前述の例と異/、cす、レリーフパ
ターン相互間の間隙にメッキ、ペースト等の埋設によっ
て抵抗体を1ヒ成辻しめた場合にはファインパターン抵
抗体とし゛Cパターン発熱体と(7で使用することが出
来る。
本発明の実施例を具体的に説、明すると次の涌りである
′)ζ流側1 プロピレンクリコール、ジエヂレンクリコール、゛アジ
ピン酸、フマル酸をモル比0.15/ 0.3510.
3510.15の割で縮合させてイ1)だ不飽和、r?
リー12スプル47・l 出’r (I’+’¥イ由α
0 ) 10 [コ部にジェヂレンIす:1−ル、゛ツ
ククリ1.− ト12↑X1(、テトう上チレングリ−
1−〕I」ジメタアクリ+、、−−−1・、ろ[)ン′
;μ、fγ−ヒト゛r:1ギシrプルメタクリレ−1・
18部、ベンゾ・fンイソノ″丁ルーT−ラ胃し2 r
’11t、4−te百プf−ルカデゴール+1. (]
 5翻を加えて作成しまた>Y; il’i介t′1゛
鼾I成11勿を月1い次のこ゛ど< Ji、ll1l°
Sノアイン侭ターンイ・−角UJ父しプこ。
i%;Ql(1ql(50/1. 、、−4にU?明1
ll(7[1t’ピッチの宙1気回路パターンの図柄’
74「−4−るネガフィルムをガラス4t、J、 、 
It Iiこ1ン亡き1、その1−をIIJlさ9 I
l、の71ゼリゾロビレンノイルム苓・)・灯A”(プ
1バーイーイ)。、−の−にに、トd己感光−1′l゛
川成物tX:/+if’、 l、こみ、次いでこの一ヒ
にI’−ノさ50μの八l’= S’l+″1をjマ3
さ70/(0アXペーザーを介して、■鳳ね介わ−lζ
1.二のら、ネガフィルム41111より3KWの7に
冷式超高圧水銀灯にて120秒間露光する。露光後ホ′
リゾUビレンフイルノ、をはがして液温45“′Cのポ
ウ酸ソーダ1%水溶液にて非露光未硬化部を洗い流して
All上上II 30μ、高さ70μ、間に% 70μ
ピツチの電気回路状のレリーフをもつ厚膜ファインパタ
ーンを作成し、次いで、バーショウ材用社製ビロリン1
lf12銅メッキ液を用いて、Al箔を陰極とし、陰極
′aC流密度5A/dm’の条件でf同をレリーフパタ
ー、ンの間隙に形成せしめた。その後、デュポン社製ポ
リイミ+−”フィルム「カシトン」(膜厚25μm )
上にボスチック社製フェノール樹脂−二トリルゴム系接
着剤rXA564−4」を乾燥後膜IC?、が5 tt
 mになるように塗布した絶縁性基板上に、土8〔2電
’j’!Fメツキを行ったものをアルミニウム箔を七に
して150℃で60分間熱J(−一着し、て貼りイく1
け、次いで5取凧噛の水ilp化ナトナトリウム水溶液
l箔をエッヂング除去して、配純密18: 1 [1本
/ nun 、 導体)’G’70 tt、 ITE 
70 Il、うn体間隔301t r/) Jl/l電
膜回路をイζ)た。
実施例2 実施例1のL 、TIk合件用件組成物ンゾインイソブ
チルエーテルに代工て、2,2−ジメトキシ−2−フエ
J−ルーアセトンフェノンを用いl:= ’)’に重合
flH絹IJy、’吻を用い゛〔、同4・ηlx、)す
4111^′石気回路を作成1.た。
実か11例ろ ′工ζ流側1のネガフィルムの代、すに透明部のrl+
20μ、不透明部のIIJ 80μの渦巻状パターンを
有するネガフィルムに代えて2、)Y; FD合(’目
11成物の厚さを6 D /(にして実施例1ど同様な
操作により、導体1180μ、導体間隔20μ、導体膜
19.60μの渦巻状パターンを有するファインコイル
を作成しfこ。
実施例4 実施例1において70 ttのスベーーリ”−に代えて
、150μのスベーザーな用いて、光T[<合併組成物
の層のJ9さを150 trとし、水19式高川用銀灯
によるh光時間を540秒間とする他は同様な操作によ
り、アルミ箔上にIll 30μ、高さ150 tr、
間隙70μピツチの′電気回路状のレリーフを1′J「
つ厚膜パターンを作成した。(この時の側面と支持基板
のなす角度は92′であった。)このパターンを用いて
、レリーフの間隙内に実施例1と同様1.c条件に」、
り銅を′重着さt7この弓、アルミニウム箔をエツチン
グ除去して、厚膜電回路を作成した。
υζζ何例 51セリエヂ17ンアジベート(ジオール、分子142
.00 C) ) 2fl rJ部にトリレンジイソシ
アネートろ5 RIX、ジグヂルスズラウレー)0.5
部を加工て、70 ”Cで2時間反応さ・1ム、ついで
これにエブーレン刈ヤシl−’、プロピレンオキシド共
重合体(エヂレン」キント゛ろ5 wt ’l’+ 介
干j、グロックJl; ’+TIf本ジメール、分子)
rt 2.0 []O) I D 0部を加えて反応せ
しめ、両末端にインシアネート基を有〜(イ)ブロック
共重合体をi’J l、−1,この)E合体600)2
1〜にα−ヒl−”17キシ、I:1−ルメタクリレ−
I−25部、ハイド50ギノン(]11分え、70 ”
Cで2時間反応せしめてポリマーを作成しブ、二。
このポリマー30〔月′W1(に、(χ−ヒト20キシ
ゾロビルメタアクリt/−トZs部、α−エチルヘキシ
ルアクリレート151ffX、  7L−ブチルアクリ
レート30 jNl+、ベンゾインエチルニーデル6部
を加え、混合して九重合性組成物を作成(7た。この組
成物(上水あめ状の組成物である。
この′#、重合性組成物をノ1?さ100μのアルミニ
ラl、薄板トにjTノさ150 itに塗布し2、この
トな9tt /’ノさの・)?リプロビl/ンフィルノ
、で范いを]〜て、透明部50μ、非違明部100μピ
ップ−の雷、気パターンの図柄を有ずろネガフィル人へ
・重ネf (1)l−にガラス板を置いて、実施例1で
用いた光;11<%で240秒間露光する。hlに尤後
ポリプロピレンフィルムヲ剥カして、液温40 ”Cの
′アルキルベンゼンスルフォン酸ンーダ1%水溶液にて
非霧う“C;未硬化部を洗い′/)tr、して、アルミ
ニウム薄板−ヒK Ill 50μ、11i1隔100
μビツヂで茜さ100 ttのレリーフヲもつパターン
を作成しfこ。このパターンのレリーフ部分Pノ外kr
 実Mf+ 1′/ll 1 と同相sにしCe’fn
lを″市ノア)f I−、1,:のレノ、アルミニウム
)、J、i−9・ひきはかり1ノ框い(1,気国0洛を
f’、) 7;T。
【図面の簡単な説明】
記1図及び第21゛イl ll’、 ?+’l?来のパ
ターンを示ず説、四回、印、 3 +:<+ +よA\
゛)′^明の・ぐターンを示す浦、四回、第4図は木イ
へ明のパターンを、!I(u +/冒る一■ニイ′−を
示す説明図C訊る。 1、月よδ斗1基イJl!、、  2.2’、、4はパ
ターン、5り1. yC:重合1′1:組成′吻、  
6心、を相体、  7は丸線、8(,1月メ、 tr4
 ’8’j、、  9Q1−〕〕゛ラー: −Y−ツク
7、7 ’イfiv J−−C鴎)る。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 支1・〜基板」二に光重合性組成物の光硬化物よりl、
    Cろ高すが20 ft以−七のI/リーフパターンを形
    成させり厚膜ファインパターンに於て、該レリーフパタ
    ーンの断面形状かはy/)4J形でありかつそのパター
    ンの111が5〜200 tt、隣接するレリーフパタ
    ーンとの間隔が10 tt以七で史に前記+1’lと篩
    さと・1 のIしか、1−掠以FであることをlI’4r徴とした
    1ワ膜フアインパターン。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01193730A (ja) * 1988-01-29 1989-08-03 Sumitomo Bakelite Co Ltd ポリイミド樹脂の厚膜加工方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55139250A (en) * 1979-04-18 1980-10-30 Copal Co Ltd Plate for preventing reflection
JPS5651898A (en) * 1979-10-04 1981-05-09 Tokyo Shibaura Electric Co Method of forming pattern
JPS5694973A (en) * 1979-12-27 1981-07-31 Mitsubishi Electric Corp Inverter device
JPS5791590A (en) * 1980-11-28 1982-06-07 Asahi Chemical Ind Method of producing thick film fine pattern conductor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55139250A (en) * 1979-04-18 1980-10-30 Copal Co Ltd Plate for preventing reflection
JPS5651898A (en) * 1979-10-04 1981-05-09 Tokyo Shibaura Electric Co Method of forming pattern
JPS5694973A (en) * 1979-12-27 1981-07-31 Mitsubishi Electric Corp Inverter device
JPS5791590A (en) * 1980-11-28 1982-06-07 Asahi Chemical Ind Method of producing thick film fine pattern conductor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01193730A (ja) * 1988-01-29 1989-08-03 Sumitomo Bakelite Co Ltd ポリイミド樹脂の厚膜加工方法

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