JPS5945678A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS5945678A JPS5945678A JP57153919A JP15391982A JPS5945678A JP S5945678 A JPS5945678 A JP S5945678A JP 57153919 A JP57153919 A JP 57153919A JP 15391982 A JP15391982 A JP 15391982A JP S5945678 A JPS5945678 A JP S5945678A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic bubble
- magnetic
- bubble detector
- pattern
- type
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリ素子、！１ｋにバイアス磁界
転送マージンを向上させた磁気バブル検出器パターンの
構造に関するものである。
転送マージンを向上させた磁気バブル検出器パターンの
構造に関するものである。
一般に磁気バブル検出器は、磁気バブルメモリ素子の磁
気バブル検出構体の一部を構成しており、通常パーマロ
イを蒸着して形成した磁性ｊ閤パターンによって種々の
形状に形成され、磁気バブルを転送させるとともに、磁
気抵抗効果を利用しで磁気バブルの検出作用を行なって
いる。
気バブル検出構体の一部を構成しており、通常パーマロ
イを蒸着して形成した磁性ｊ閤パターンによって種々の
形状に形成され、磁気バブルを転送させるとともに、磁
気抵抗効果を利用しで磁気バブルの検出作用を行なって
いる。
第１図は従来の磁気バブルメモリ素子の磁気バブル検出
器の一例を示す要部拡大平面図である。
器の一例を示す要部拡大平面図である。
同図（ａ）において、１は同図（ｂ）に示すハーフショ
ートタイプの基本動索パターン２が多数組連結して形成
された磁気バブル検出器であり、この磁気バブル検出器
１は図示しない磁気バブル転送回路上に配置され、パー
マロイ等の軟強磁性体薄膜パターンによシ形成されてい
る。３は磁気バブルを転送させる回転磁界（ＨＲ）、Ｐ
は磁気バブル検出器１の長手方向にひも状に拡大された
磁気バブルの転送方向である。。
ートタイプの基本動索パターン２が多数組連結して形成
された磁気バブル検出器であり、この磁気バブル検出器
１は図示しない磁気バブル転送回路上に配置され、パー
マロイ等の軟強磁性体薄膜パターンによシ形成されてい
る。３は磁気バブルを転送させる回転磁界（ＨＲ）、Ｐ
は磁気バブル検出器１の長手方向にひも状に拡大された
磁気バブルの転送方向である。。
このように４１１成されたハーフショートタイプの磁気
バブル検出器は、優れた検出出力が得られるが、回転磁
界（Ｈａ） ３が小さくなると、この磁気バブル検出器
１のパターン面に垂直に加えられるバイアス磁界（Ｈｎ
）の転送マージンの上限値が低下するという欠点があっ
た。第２図は回転磁界（Ｈｎ）に対するバイアス磁界（
ＨＢ）の転送マージン特性を示したものであシ、同図１
において、前述したハ−７シヨートタイプの磁気バブル
検出器１は特性ＩＡで示すように回転磁界（ＨＲ）が小
さくなると、バイアス磁界（ＨＲ）の上限値が低下して
いることがわかる。なお、特性「は下限値である。
バブル検出器は、優れた検出出力が得られるが、回転磁
界（Ｈａ） ３が小さくなると、この磁気バブル検出器
１のパターン面に垂直に加えられるバイアス磁界（Ｈｎ
）の転送マージンの上限値が低下するという欠点があっ
た。第２図は回転磁界（Ｈｎ）に対するバイアス磁界（
ＨＢ）の転送マージン特性を示したものであシ、同図１
において、前述したハ−７シヨートタイプの磁気バブル
検出器１は特性ＩＡで示すように回転磁界（ＨＲ）が小
さくなると、バイアス磁界（ＨＲ）の上限値が低下して
いることがわかる。なお、特性「は下限値である。
第３南は近年実用的に用いられている逆ネルソン形磁気
バブル検出器の一例を示す要部拡大平面図である。同図
において、４は同Ｉを１（Ｉ））に示す逆ネルソンタイ
プの基本要素、パターン５が多数刊連ｈ１ｊして形成さ
れた逆ネルソン形磁気バブル検出器である。このように
構成された磁気バブル検出器４は、第１図で説明したハ
ーフショートタイプの磁気パズル検出器１に比べて第２
図に’ＦＪｆ性ＩＢ に示すように転送特性が優れて
いるが、磁気バブル検出出力が低下するという欠点があ
った。
バブル検出器の一例を示す要部拡大平面図である。同図
において、４は同Ｉを１（Ｉ））に示す逆ネルソンタイ
プの基本要素、パターン５が多数刊連ｈ１ｊして形成さ
れた逆ネルソン形磁気バブル検出器である。このように
構成された磁気バブル検出器４は、第１図で説明したハ
ーフショートタイプの磁気パズル検出器１に比べて第２
図に’ＦＪｆ性ＩＢ に示すように転送特性が優れて
いるが、磁気バブル検出出力が低下するという欠点があ
った。
したがって本発明は、前述した従来の問題に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、ハーフショ
ートタイプの磁砺／（プル検出器において発生する磁気
パズル転送特性の欠点を除去し、転送特性の優れたハー
フショートタイプの磁気バブル検出器を備えた磁気バブ
ルメモリ素子を提供することにある。
れたものであり、その目的とするところは、ハーフショ
ートタイプの磁砺／（プル検出器において発生する磁気
パズル転送特性の欠点を除去し、転送特性の優れたハー
フショートタイプの磁気バブル検出器を備えた磁気バブ
ルメモリ素子を提供することにある。
このような目的を達成するために本発明に係わる磁気バ
ブル検出器は、検出器の両端部分を除い〆こ部位が少な
くとも一種類のハーフショートタイプの基本要素パター
ンを含む複数の基本要素パターンを周期的に配列して形
成したものである。以下図面を用いて本発明の実施例を
詳細に説明する。
ブル検出器は、検出器の両端部分を除い〆こ部位が少な
くとも一種類のハーフショートタイプの基本要素パター
ンを含む複数の基本要素パターンを周期的に配列して形
成したものである。以下図面を用いて本発明の実施例を
詳細に説明する。
第４図は本発明による磁気パズルメモリ電子に係わる磁
気パズル検出器の一例を示す要部拡大平面図である。同
ＩＭｉ（ＩＬ）において、６はパーマロイ等の軟強磁性
（４＝薄々パターンからなる。磁気バブル検出器であり
１この磁気バブル検出器６は、その両端部分がハーフシ
ョートタイプの基本要素パターン２から形成されかつこ
の両端部分を除く部位には同図（ｂ）に示ずハ・−フシ
ヨードタイプの基本要素パターン２と逆ネルソンタイプ
の基本要素パターン５とを−ｆ４−構成してなる基本要
素パターン１が多数（７ｍ連結して４な成されている。
気パズル検出器の一例を示す要部拡大平面図である。同
ＩＭｉ（ＩＬ）において、６はパーマロイ等の軟強磁性
（４＝薄々パターンからなる。磁気バブル検出器であり
１この磁気バブル検出器６は、その両端部分がハーフシ
ョートタイプの基本要素パターン２から形成されかつこ
の両端部分を除く部位には同図（ｂ）に示ずハ・−フシ
ヨードタイプの基本要素パターン２と逆ネルソンタイプ
の基本要素パターン５とを−ｆ４−構成してなる基本要
素パターン１が多数（７ｍ連結して４な成されている。
すなわち、同図（ｂ）に示す基本要素パターン７の周期
λの繰シ返しで形成され、かつその両端部にはハーフシ
ョートタイプの基本要素パターン２が連結されて逆ネル
ソンタイプの基本要素パターン５を含む変形ハーフショ
ートタイプの磁気バブル検出器６が構成されている。
λの繰シ返しで形成され、かつその両端部にはハーフシ
ョートタイプの基本要素パターン２が連結されて逆ネル
ソンタイプの基本要素パターン５を含む変形ハーフショ
ートタイプの磁気バブル検出器６が構成されている。
このように構成された変形ハーフショートタイプの磁気
バブル検出器６によれば、ハーフショートクイズの基本
要素パターン２のみで構成した第１図のハーフショート
タイプ磁気バブル検出器１に比べ、第２図に特性Ｉｃで
示すように転送特性が大幅に向上させることができると
ともに、ハーフショートタイプの磁気バブル検出器１と
はＩ！同程度の検出出力を得ることができた。
バブル検出器６によれば、ハーフショートクイズの基本
要素パターン２のみで構成した第１図のハーフショート
タイプ磁気バブル検出器１に比べ、第２図に特性Ｉｃで
示すように転送特性が大幅に向上させることができると
ともに、ハーフショートタイプの磁気バブル検出器１と
はＩ！同程度の検出出力を得ることができた。
なお、前述した実施例において、ハーフショートタイプ
の基本要素パターン２を含むハーフショートタイプ磁気
バブル検出器６は、逆ネルソンタイプの基本要素パター
ン５を組合せて構成した、つまシニ椋類の基本要素パタ
ーンを組合せて構成した場合について説明したが、本発
明はこれに１）反定されるものではなく、例えばネルソ
ンタイプなどタイプの異なる複数種類の基本要素パター
ンを組合せても前述とほぼ同等の効果が得られる。
の基本要素パターン２を含むハーフショートタイプ磁気
バブル検出器６は、逆ネルソンタイプの基本要素パター
ン５を組合せて構成した、つまシニ椋類の基本要素パタ
ーンを組合せて構成した場合について説明したが、本発
明はこれに１）反定されるものではなく、例えばネルソ
ンタイプなどタイプの異なる複数種類の基本要素パター
ンを組合せても前述とほぼ同等の効果が得られる。
以上説明したように本発明によれば、回転磁界の低減に
対してバイアス磁界（ＨＢ）の転送マージンの上限値を
向上させかつ検出出力を増大させることができるので、
信頼性、性能の高い磁気バブルメモリ素子が得られると
いう極めて優れた効果を有する。
対してバイアス磁界（ＨＢ）の転送マージンの上限値を
向上させかつ検出出力を増大させることができるので、
信頼性、性能の高い磁気バブルメモリ素子が得られると
いう極めて優れた効果を有する。
第１図はハーフショートタイプの磁気バブル検出器の一
例を示す要部拡大平面図、第２図は従来および本発明に
よる磁気バブル検出器の回転磁界（ＨＲ）に対するバイ
アス磁界（Ｈｎ ）の転送マージン特性を示す図、第３
図は逆ネルソンタイプの磁気バブル検出器の一例を示す
袋部拡大平面図、第４図は本発明による磁気バブル検出
器の一例を示す要部拡大平面図である。 １・−・・ハーフショートタイプの磁気バブル検出器、
２−・・・ハーフショートタイプの基本要素パターン、
３・・―・回転磁界、４・・慟・逆ネルソンタイプの磁
気バブル検出器、５・−・・逆ネルソンタイプの基本要
素パターン、６・・・・磁気バブル検出器、７・・・・
基本要素パターン。 代理人 弁理士 薄 ＨＪ 利′幸 ε）−１、。 Ｉ −２，−−・
例を示す要部拡大平面図、第２図は従来および本発明に
よる磁気バブル検出器の回転磁界（ＨＲ）に対するバイ
アス磁界（Ｈｎ ）の転送マージン特性を示す図、第３
図は逆ネルソンタイプの磁気バブル検出器の一例を示す
袋部拡大平面図、第４図は本発明による磁気バブル検出
器の一例を示す要部拡大平面図である。 １・−・・ハーフショートタイプの磁気バブル検出器、
２−・・・ハーフショートタイプの基本要素パターン、
３・・―・回転磁界、４・・慟・逆ネルソンタイプの磁
気バブル検出器、５・−・・逆ネルソンタイプの基本要
素パターン、６・・・・磁気バブル検出器、７・・・・
基本要素パターン。 代理人 弁理士 薄 ＨＪ 利′幸 ε）−１、。 Ｉ −２，−−・
Claims (1)
- 軟強磁性体からなりかつイＩＲ気バブル転送回路上の磁
気バブルを検出する磁気バブル検出器を少なくとも備え
だ磁気バブルメモリ素子においで、前記磁気バブル検出
器は両端部を除く部位が少なくトモ一種類のハーフショ
ートタ・イブの基本要素パターンを含む複数の基本要素
パターンを周期的に配列して構成したことを特徴とする
磁気バブルメモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57153919A JPS5945678A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57153919A JPS5945678A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5945678A true JPS5945678A (ja) | 1984-03-14 |
Family
ID=15572959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57153919A Pending JPS5945678A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5945678A (ja) |
-
1982
- 1982-09-06 JP JP57153919A patent/JPS5945678A/ja active Pending
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