JPS5945679A - イオン注入バブルデバイス - Google Patents
イオン注入バブルデバイスInfo
- Publication number
- JPS5945679A JPS5945679A JP57154497A JP15449782A JPS5945679A JP S5945679 A JPS5945679 A JP S5945679A JP 57154497 A JP57154497 A JP 57154497A JP 15449782 A JP15449782 A JP 15449782A JP S5945679 A JPS5945679 A JP S5945679A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- bubble
- directions
- stop
- loop
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１） 発明の技術分野
本発明はイオン注入バブルデバイスに関シ、特にそのス
タートスドッグ方向及びホールド磁界に関するものであ
る。
タートスドッグ方向及びホールド磁界に関するものであ
る。
（２）技術の待避
磁気バブル全利用して情報の蓄積、論理演算等を行なう
磁気バブル利用装置は、不揮発性、高記憶密度、低消費
電力、小型軽量、機械的要素を全く含才ない固体素子で
ある等種々の！特徴をもっている。
磁気バブル利用装置は、不揮発性、高記憶密度、低消費
電力、小型軽量、機械的要素を全く含才ない固体素子で
ある等種々の！特徴をもっている。
この磁気パズルメモリデバイスは、第１図に示す如く、
基板の上に形成した１軸異方性を有する（み性薄膜の上
に磁気パズル発生器、バブル転送路、パズル検出器等を
形成した磁気バブルメモリ素子１と、該素子に発生せし
めたバブルを安定に保つ／こめのバイアス磁界発生用磁
石２．：３と、バブルを転送路に沿って移動せしめる回
転磁界発生用のコイル４，５等を具備して構成てれてい
る。そして磁気パズルの転送時のストツノ動作及びその
後のスタート動作を保証するため素子に対して面内方向
の磁界（これ全ホールド磁界という。）全印加している
。
基板の上に形成した１軸異方性を有する（み性薄膜の上
に磁気パズル発生器、バブル転送路、パズル検出器等を
形成した磁気バブルメモリ素子１と、該素子に発生せし
めたバブルを安定に保つ／こめのバイアス磁界発生用磁
石２．：３と、バブルを転送路に沿って移動せしめる回
転磁界発生用のコイル４，５等を具備して構成てれてい
る。そして磁気パズルの転送時のストツノ動作及びその
後のスタート動作を保証するため素子に対して面内方向
の磁界（これ全ホールド磁界という。）全印加している
。
（３）従来技術と問題点
上記の如き磁気バブルメモリデバイスにおいて、従来は
（−のバブル転送路を）Ｐ−マロイ薄膜よりホトツノグ
ラフィの手法によって形成しＣＶＩＬ。ところが最近、
記憶密度の冒匣化要求により・９−マロイパターンの形
成がホトリノグクノイの精度τ越えるようになった１こ
め、イオン注入法によめパズル転送路の形成方法が開発
されている。このイオン圧入バブルデバイスは前ｉピの
スターｉ・ストップ方向及びホールド磁界につい又の技
術が木だ確立していない。
（−のバブル転送路を）Ｐ−マロイ薄膜よりホトツノグ
ラフィの手法によって形成しＣＶＩＬ。ところが最近、
記憶密度の冒匣化要求により・９−マロイパターンの形
成がホトリノグクノイの精度τ越えるようになった１こ
め、イオン注入法によめパズル転送路の形成方法が開発
されている。このイオン圧入バブルデバイスは前ｉピの
スターｉ・ストップ方向及びホールド磁界につい又の技
術が木だ確立していない。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の問題点に鑑み、スタートストッフ０
方向及びホールド磁界ヶ最適に決定した・ｒオン注入バ
ブルデバイスを提供することを目的とするものである。
方向及びホールド磁界ヶ最適に決定した・ｒオン注入バ
ブルデバイスを提供することを目的とするものである。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、磁気バブル用結晶基
板に対して複数のディスク・ぐターン領域を除く該結晶
基板の全面Ｑこイオノ注入層を形成して該連接ブ′イス
クパターン領域をパズル転送路とし、該転送路により構
成されるメノヤールーノを結晶基板の（１０１２方向に
、マイナールーｆを＜Ｘ１２＞方向にそれぞれ形成した
イオン注入バブルデバイスにおいて、パズルのスタート
ストップ力向を範晶のく１１２ン方向にズ」してＯｏと
し、ホールド磁界を１５０ｅ以ドとすゐことを特徴とす
るイオン注入バブルデバイスを提供することによって達
成される。
板に対して複数のディスク・ぐターン領域を除く該結晶
基板の全面Ｑこイオノ注入層を形成して該連接ブ′イス
クパターン領域をパズル転送路とし、該転送路により構
成されるメノヤールーノを結晶基板の（１０１２方向に
、マイナールーｆを＜Ｘ１２＞方向にそれぞれ形成した
イオン注入バブルデバイスにおいて、パズルのスタート
ストップ力向を範晶のく１１２ン方向にズ」してＯｏと
し、ホールド磁界を１５０ｅ以ドとすゐことを特徴とす
るイオン注入バブルデバイスを提供することによって達
成される。
（６ン 発明の実施例
以下不発＋ｙ」実施例を図面によって詳述する。
第２（２）は本発明によるイオン注入バグルデバ・１ス
のメモリ素子を説明するための図であり、（ａ）図は結
晶軸方向、（ｈ）図はパターン構成音それぞれ示す。同
図において６にバブル記憶用のマイナールーツ’、７ｖ
］：図ボせぬバブル発生器より発生したバブル１１會マ
イナールーツ６の対応位置に転送するための貰込用メノ
ヤールーノ、８はメノヤールーｆ７刀）らマイナールー
ズ６・＼バブルを転送するためのトランスファインダー
ト用コンダクタノリ−ン、９は図示せぬバブル検出器へ
バグｚｕ１２を転送するための読出し用メノヤールーノ
、ＩＯはそのマイナールーツ６からメノヤーループ９ヘ
パプルを転送マーるためのトランスファアウトケゞ−ト
用コンダクタパターン、Ｉ（Ｄは回転１隼動峰界をそれ
ぞれ示す。
のメモリ素子を説明するための図であり、（ａ）図は結
晶軸方向、（ｈ）図はパターン構成音それぞれ示す。同
図において６にバブル記憶用のマイナールーツ’、７ｖ
］：図ボせぬバブル発生器より発生したバブル１１會マ
イナールーツ６の対応位置に転送するための貰込用メノ
ヤールーノ、８はメノヤールーｆ７刀）らマイナールー
ズ６・＼バブルを転送するためのトランスファインダー
ト用コンダクタノリ−ン、９は図示せぬバブル検出器へ
バグｚｕ１２を転送するための読出し用メノヤールーノ
、ＩＯはそのマイナールーツ６からメノヤーループ９ヘ
パプルを転送マーるためのトランスファアウトケゞ−ト
用コンダクタパターン、Ｉ（Ｄは回転１隼動峰界をそれ
ぞれ示す。
書き込み及び読出し用のメノヤールーグ７及び９は基板
結晶の（ｘｏｉン方向に、マイナールーズ６は＜１１２
＞方向に構成づれている。このようにメノヤルーグ及び
マイナーループが形成された場合、本発明においてはス
タート、ストップ方間２０ｏとし、ホールド磁界を・Ｌ
５０ｅ以下とした。
結晶の（ｘｏｉン方向に、マイナールーズ６は＜１１２
＞方向に構成づれている。このようにメノヤルーグ及び
マイナーループが形成された場合、本発明においてはス
タート、ストップ方間２０ｏとし、ホールド磁界を・Ｌ
５０ｅ以下とした。
上記の榮注にすることによりバブルがマイナールーズの
カスプにスｌ−ソゲするため、マイナールーズでのスタ
ートストップ動作において良好な動作マーノンが得られ
る。
カスプにスｌ−ソゲするため、マイナールーズでのスタ
ートストップ動作において良好な動作マーノンが得られ
る。
第：３図はホールド磁界１（ｈとバイアス磁界ＨＢとの
関係を示す図で、木兄り」者らの実験の結果得られたも
のである。同図は横軸にホールド磁界Ｈｌ。
関係を示す図で、木兄り」者らの実験の結果得られたも
のである。同図は横軸にホールド磁界Ｈｌ。
を、縦軸にバイアス磁界Ｈｓｋとり、曲線ＡによりＯ０
方回、曲線ＢとＢ′により１８０°方向（７）スター
トストップ特性を示した。この実験ｔ１．℃第２図の如
きイオン注入パズルメモリ素子に対し回転駆動磁界ＨＤ
を７５０８印加してバブルを駆動した場合（素子同曲温
度ｔ／よ約３５℃９のスタートストップ特性で、ホール
ド磁界Ｈｈは１８ｏ０方向に９．５０ｅ。
方回、曲線ＢとＢ′により１８０°方向（７）スター
トストップ特性を示した。この実験ｔ１．℃第２図の如
きイオン注入パズルメモリ素子に対し回転駆動磁界ＨＤ
を７５０８印加してバブルを駆動した場合（素子同曲温
度ｔ／よ約３５℃９のスタートストップ特性で、ホール
ド磁界Ｈｈは１８ｏ０方向に９．５０ｅ。
６．５０ｅ、３．２０ｅ ％ ”ｆたＨＩｔ ＝ ０
、およびｏ０方向に１．３０ｅ 、 ３．３０ｅ 、
４０ｅ ％ ６．５０ｓの８種類についてバイアス磁界
ＨＢとの関係を調べた。図ｅこおいて１８０°にスター
トストップした場合はボールド磁界Ｈｈの如何にかかわ
らず動作マージン（上限値曲線Ｂと下限値曲線３７間の
バブルが安定にスタートストップする領域）は一定であ
る。しかしこの場合Ｏ０方向のホールド磁界は妨害する
磁界であり好ましくない。これに対しく）０にスタート
ストップした場合は０°方回へホールド磁界を印加した
時動作マージン（曲線Ａ内のパズルが安定にスタートス
トツノする領域）が得られる。
、およびｏ０方向に１．３０ｅ 、 ３．３０ｅ 、
４０ｅ ％ ６．５０ｓの８種類についてバイアス磁界
ＨＢとの関係を調べた。図ｅこおいて１８０°にスター
トストップした場合はボールド磁界Ｈｈの如何にかかわ
らず動作マージン（上限値曲線Ｂと下限値曲線３７間の
バブルが安定にスタートストップする領域）は一定であ
る。しかしこの場合Ｏ０方向のホールド磁界は妨害する
磁界であり好ましくない。これに対しく）０にスタート
ストップした場合は０°方回へホールド磁界を印加した
時動作マージン（曲線Ａ内のパズルが安定にスタートス
トツノする領域）が得られる。
第４図はホールド磁界と最小駆動磁界の関係を示す図で
、これも本発明者らの実験の結果得られたものである。
、これも本発明者らの実験の結果得られたものである。
同図は横軸にボールド磁界１（ｂ ｆｅ、縦軸に最小駆
動磁界ＨＤをと９、曲線Ｃにより０゜方回、曲縁りによ
、り１８０’力向のスタート、、Ｋ ＋・７ノの場合を
示した・尚、ホールド磁界ｔｔｈ（は上記の８４由類の
夕１４ｃＯ’方同′＼８０ｅと’ｌ、 ００Ｑ印加（７
た場合の最小−ル４１助（眼界ＨＤの関係も調へ之。こ
の実験結果は図のｙｌ」＜、ホールド磁界を００方同Ｑ
こすあとスタートス］・ツノ方向が０°、１８０°共最
小駆動ｉ１ｄ昇は小さくなる。ホールド磁界力・（）０
方回でスタートストツノ方向が１８００の場合ではｒｈ
、 −ノｂ １’磁界Ｑよ妨害すりような磁界となる。
動磁界ＨＤをと９、曲線Ｃにより０゜方回、曲縁りによ
、り１８０’力向のスタート、、Ｋ ＋・７ノの場合を
示した・尚、ホールド磁界ｔｔｈ（は上記の８４由類の
夕１４ｃＯ’方同′＼８０ｅと’ｌ、 ００Ｑ印加（７
た場合の最小−ル４１助（眼界ＨＤの関係も調へ之。こ
の実験結果は図のｙｌ」＜、ホールド磁界を００方同Ｑ
こすあとスタートス］・ツノ方向が０°、１８０°共最
小駆動ｉ１ｄ昇は小さくなる。ホールド磁界力・（）０
方回でスタートストツノ方向が１８００の場合ではｒｈ
、 −ノｂ １’磁界Ｑよ妨害すりような磁界となる。
従ってスターＩ・ストノブ方向？１：ｏ’方間にし、ホ
ールトイ社界金１ｏｎｅ以［好ましくは２〜８０ｅにす
ることによりバイアスマーノン、最小駆動磁界共に良好
にすることができる。０°方向へのホールド磁界は実検
ではＬ Ｉ） Ｏｅが上限でＪＱったが、１０００程度
−までＱよそれｎど最小駆動磁界が上昇せず十分使用可
能と思われな。
ールトイ社界金１ｏｎｅ以［好ましくは２〜８０ｅにす
ることによりバイアスマーノン、最小駆動磁界共に良好
にすることができる。０°方向へのホールド磁界は実検
ではＬ Ｉ） Ｏｅが上限でＪＱったが、１０００程度
−までＱよそれｎど最小駆動磁界が上昇せず十分使用可
能と思われな。
第５図は第４図のａ点及び１１点における動作マーノン
ｒ示した図でｈ ’） 、 （：Ｍ？’１ｌｌＩＩにＱ
：［４，％ Ｂｌ＜ｌｒ ｉ界１ｈ）ｋ、縦軸ＶＣはバ
イアス磁界ＩＩＢ金とり、曲線Ｅによりスタートストツ
ノ方向Ｏ０、ホールド磁界６．５０ｅの場合（第４図の
ａ点）を示し、曲縁Ｆによりスタートストツノ方向１８
０°、ホールド磁界９．５０ｅの場合（第４図のｂ点〕
の動作マージンを示した。図よｐスター１ヌ であることがわかる。
ｒ示した図でｈ ’） 、 （：Ｍ？’１ｌｌＩＩにＱ
：［４，％ Ｂｌ＜ｌｒ ｉ界１ｈ）ｋ、縦軸ＶＣはバ
イアス磁界ＩＩＢ金とり、曲線Ｅによりスタートストツ
ノ方向Ｏ０、ホールド磁界６．５０ｅの場合（第４図の
ａ点）を示し、曲縁Ｆによりスタートストツノ方向１８
０°、ホールド磁界９．５０ｅの場合（第４図のｂ点〕
の動作マージンを示した。図よｐスター１ヌ であることがわかる。
（７）発明の効果
以上、詳細に説明したように本発明のイオン注入バブル
デバイスはそのスタートストツノ方向及びホールド磁界
の条件を規定することにょシスタートスドッグ動作にお
ける良好な動作マーノンを得ることｉ ｏｒ ｔＴｅと
したものであシ、その信頼性向上に寄与するといった効
果大なるものである。
デバイスはそのスタートストツノ方向及びホールド磁界
の条件を規定することにょシスタートスドッグ動作にお
ける良好な動作マーノンを得ることｉ ｏｒ ｔＴｅと
したものであシ、その信頼性向上に寄与するといった効
果大なるものである。
第１図は従来の磁気バブルメモリデバイスの構造を説明
するための図、第２図（ａ）（ｂ）は本発明によるイオ
ン注入バブルデバイスを説明するだめの図、第３図はホ
ールド磁界とバイアス磁界の関係を示す図、第４図はホ
ールド磁界と最小駆動磁界の関係を示す図、第５図は動
作マージンを示す図である。 図面において、６はマイナールーグ、７は曹キ込み用メ
ノヤールーグ、８はトラフ 、（ ；／ 、、 −１
、／ ｆ４−ト用コンダクタパターン、９は読出シ用メ
ノヤールーズ、ｌＯはトランスフアノ′ウトヶ゛ート用
コンダクタパターン金それぞれ示−ノー。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 ｋ 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之 ４０１ 毫３図 ホールド磁界１１ｈ（Ｏｃ） 第４図 ホールド磁界１１１．（Ｏｔ・） 第５１！！ 駆動磁界１１ｏ （Ｏｃ ）
するための図、第２図（ａ）（ｂ）は本発明によるイオ
ン注入バブルデバイスを説明するだめの図、第３図はホ
ールド磁界とバイアス磁界の関係を示す図、第４図はホ
ールド磁界と最小駆動磁界の関係を示す図、第５図は動
作マージンを示す図である。 図面において、６はマイナールーグ、７は曹キ込み用メ
ノヤールーグ、８はトラフ 、（ ；／ 、、 −１
、／ ｆ４−ト用コンダクタパターン、９は読出シ用メ
ノヤールーズ、ｌＯはトランスフアノ′ウトヶ゛ート用
コンダクタパターン金それぞれ示−ノー。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 ｋ 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之 ４０１ 毫３図 ホールド磁界１１ｈ（Ｏｃ） 第４図 ホールド磁界１１１．（Ｏｔ・） 第５１！！ 駆動磁界１１ｏ （Ｏｃ ）
Claims (1)
- １ 磁気パズル用結晶基板に×・まして複数のｒ（スフ
パターン頭載を除く該結晶基板の全開にイオン注入層を
形成して該連接ガイスフ・４′ターン領域ケバプル転送
路とし、該転送路により構成烙れるメノヤールーｆを結
晶基板の＜−Ｉ ＬＪ ｉ ）方向（こ、マイｆ−＃−
７’ ′Ｊｆ：（１１２）方向にそれぞれ形成したイオ
ン注入パズルデバイスに２いて、バブルのスタートスト
、プ方向を結晶の＜ｒ ｒ ２ 、＞方向に対してＯｏ
とし、ホールド磁界ｆ ］、 ５０ｅ以Ｆとすることを
特徴とするイオン注入パズルデバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57154497A JPS5945679A (ja) | 1982-09-07 | 1982-09-07 | イオン注入バブルデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57154497A JPS5945679A (ja) | 1982-09-07 | 1982-09-07 | イオン注入バブルデバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5945679A true JPS5945679A (ja) | 1984-03-14 |
| JPS6329358B2 JPS6329358B2 (ja) | 1988-06-13 |
Family
ID=15585533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57154497A Granted JPS5945679A (ja) | 1982-09-07 | 1982-09-07 | イオン注入バブルデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5945679A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5494842A (en) * | 1977-12-30 | 1979-07-26 | Ibm | Magnetic bubble domain unit |
| JPS5567991A (en) * | 1978-11-13 | 1980-05-22 | Ibm | Magnetic bubbleedemainntip |
-
1982
- 1982-09-07 JP JP57154497A patent/JPS5945679A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5494842A (en) * | 1977-12-30 | 1979-07-26 | Ibm | Magnetic bubble domain unit |
| JPS5567991A (en) * | 1978-11-13 | 1980-05-22 | Ibm | Magnetic bubbleedemainntip |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6329358B2 (ja) | 1988-06-13 |
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