JPS5945695A - Ｉｃメモリ - Google Patents

Ｉｃメモリ

Info

Publication number
JPS5945695A
JPS5945695A JP57157217A JP15721782A JPS5945695A JP S5945695 A JPS5945695 A JP S5945695A JP 57157217 A JP57157217 A JP 57157217A JP 15721782 A JP15721782 A JP 15721782A JP S5945695 A JPS5945695 A JP S5945695A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
control
data
storage means
frequency
memory
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57157217A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuichi Furukawa
祐一 古川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP57157217A priority Critical patent/JPS5945695A/ja
Publication of JPS5945695A publication Critical patent/JPS5945695A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Debugging And Monitoring (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ａ）　　発明の技術分野 本発明は電気消去可能の読出し専用記憶回路（ＥＥＰＲ
ＯＭ）＋こよるＩＣメモリの改良に関する。
（ｂ）　　技術の背分 従来より半導体技術の発達Ｇこ伴い多様のＩＣメモリが
提供されている。読出し専用記憶回路／素子（ＲＯＭ）
は一度記憶した内容を何回でも読出しが出来、月その間
にあって電源の供給を遮断しても記憶が失われない不揮
発性のメモリである。
ＲＯＭ１こも検数の移類が提供されており、例えば文字
のドノトデータのように一旦記憶すｎば書替える必要の
ない用途に適用するものやシステムにおける初期化動作
のプログラムのようζこ書替えの頻度は少いが長い時間
間隔であっても書替え機能が必要な用途に適用するもの
が存在する。こ＼では後者のためｌこ提供される通常の
メモリ（こおける書込み読出し動作においてはＲＯＭと
して作動し、異なる′［に気伯号の操作によって配憶内
容を消去し、新たにデータを書込むことが可能なＥＥＰ
ＲＯＭに関するものである。
（Ｃ）　　従来技術と問題点 従来よりＥ　Ｅ　Ｐ　ＲＯＭ　　は有限の１可えば１０
１〜１０１１回の１Ｎ込み寿命を有し、その限度Ｍｖ　
ｌ！ｉでメモリ動作が保ｉＦさｎている。従ってソステ
ムに組込んで利用するとき、該ＥＥＰＲＯＭの這込み寿
命（こ比較して、書込み頻度が極めて少く、１込み寿命
を意識する必要がないときには倍込み回砂は全く管理す
ること々く放置しても問題はない。しかじ省込み寿命（
こ比較して書込牟頻就が割合に多いとさは、Ｅ　ＥＰＲ
ＯＭを曽込み回＠管理するだめの回路を設けて計数し、
指足さＪｔだ限度に遅したときは以後に発生ずる確度が
高い除害を避いＪるためＥＥＰＲＯＭを交換する使用方
法が行われている。第１図に従来における書込回数管理
手段を備えたＥ　Ｅ　Ｉ）　ＲＯＭのブロック図を示す
。図において１は第１制御部、２は第２制御部、３は第
１記憶部、４は第２記憶部、５はカウンタおよび６は比
較部である。第１制窮１部ｌはバスを経由して受信する
第１記憶部３への汎用データＤＡＴＡＩについてアドレ
スデータＡＤＤ１、制＋１（１信号Ｃ０ＮＴｌおよびＷ
Ｅを与えて書込み動作寸たは第１記憶部３の読取り動作
を制御する他、第１記憶部の書込回数を管理するためア
ドレスデータＡＤＤ２、制御（ｉ￥号Ｃ０ＮＴ２を与え
て１込回数の計数データＤＡＴＡ２を第１記憶部３の一
部領域に書込／読出すための制御を行う。第２制狙１部
２は第１制Ｍ部１よりのライトイネーブル悟号ＷＥを受
信する都度カウンタ５の保持する旧計数データにＣＬ　
Ｋを送出してｌを加′ｌＦせしめて引数データＤＡＴＡ
　２を第１制御部１へ送出さゼる。
このよう（こ第１制イδＶ部１はＤＡＴＡＩおよびＤＡ
ＴＡ２１こついて第１記憶部３のそれぞｎ異なる領域−
＼書込み且読出し制御を行う、第１記憶部３はＥＥＰＲ
ＯＭによって構成畜れ第１制御部１の制御に従って畳込
み読出しを行う記憶部である。
第２Ｍｅ坊部４は書込回数の管理値を言ピ憶する例えば
マスク型の胱出し専用記憶回路（ＲＯＭ　）により構成
される。勿論外部において適轟なＡ込み手段により予め
書込み処理を施したヒユーズ型のＲＯＭｔたはＥＥＰＲ
ＯＭによって構成しても良い。
何ｆＬ＋こしても例えば書込回数管理値１０３回のとき
は１１１１１０１０００の１０ビツトテータ、１０’回
のときは１１００００１１０１０１０００００の１７ビ
ツトデータを固に的に保持する。
前述の第２制御［２が電源投入時における初期状態設足
動作ｔこおいて第１記干、意ｉ１３１こ記憶する旧計数
データをカウンタ５１こセットし、その後４１制御部ｌ
より受信するＷＥ信号毎（こカウンタ５をして１づつ加
算して得られる計数データＤＡＴＡ２をその都度第１制
御部ｌのＡＤＤ２、Ｃ０ＮＴ２およびＷＥによって第１
記憶部３へ記憶する都度該ＤＡＴＡ２は第１制御部１の
制御に従い比較部６へ送出される。一方第２制御部２の
制伊１信号Ｃ０ＮＴ３）こ従って比較部６は該］）　Ａ
　Ｔ　Ａ　２と第２記憶部４より受信する管理値と比較
して出力端子（ＯＵＴ）よりその判定結果例えはＤＡＴ
Ａ２（管理値のときは高レベルを送出して書込み可とし
ＤＡＴＡ２２管理値のときは低レベルを送出して書込み
不可としてＯを送出し該第１記憶部３が規定の書込回数
になったとして交換することを通報するよう番こしてい
た。このように従来は書込回数の計数データを管理値と
比較してＥＥＰＲＯＭｌこよる第１ＢＣ惰ｓ３を管理す
るために種々の外部付加回路を設ける場合余分なスペー
スを必要とする他、計数データＤＡＴＡ２の管理値への
近隣状況を把握するためには汎用データＤＡＴＡＩと共
ｔこＤＡＴＡ２を送出せしめて点検する必要があった。
また図示省略したが必要（こよって別途選択手段を設け
てＤＡＴＡＩとＤＡＴＡ２を分離する必要がある等の欠
点を有していた。
（ｄｌ　　発明の目的 本発明の目的（了、Ｖ込回数を処理するための回路と汎
用データを記憶するＥＥＰＲＯＭを同一基板上に設けて
無駄な実装スペースを削除すると共に複数の管理値をＦ
ｊ″′憶、且照合することｆこより最終管理値への近接
状況を把握し易くする他、汎用データと計数データとを
別回路ｌこ分離して両データが同一端子に出力されるよ
うな事なく容易な管理手段を有するＥＥＰＲＯＩＶＮこ
よるＩＣメモリを提供しようとするものである。
（ｅ）　　発明の構成 この目的（Ｊ同−基板十に、汎用データを記憶する第１
の記憶手段、該第１記憶手段の書込回数を計数する手段
、該書込回数計数（こおはる襟斂の管理値をＭＦ’憶す
る第２の記憶手段、訪計Ｖ手段による計数データを配憶
する第３のＭＦ′憶手段、該第３記憶手段の計数データ
を第２記憶手段ｔこおける複数の管理値を比較する手段
を備えてなり、第１、第３記憶手段を電１気消去可能の
読出し専用１ｅ憧回路、第２記憶手段を固定オたは電気
消去可能の読出し専用記憶回路により構成し、制御部は
第１記慎手段の吊込信号を受信する毎に計む手段をして
第３記憶手段における旧計数データｌこ１を加算して計
Ｖデータを更新せしめ、実に引数データを比較手段に送
出して管理値と比較濾ゼてその判定結果を送出せしめる
ことを特徴とするＩＣメモリを枦供することによって達
成することが出来る。
（ｆ）　　Ｐ、明の実施例 」Ｌノ、下水発明の一実施例について図面を参照しつ５
説明する。第２図は本発明の一実施例番こおける書込回
数管卯手段を備えたＥＥＰＲＯＭ　１こよるＩＣメモリ
のブロック図を示す。図ζこおいてＩａは第１制御部、
２ａげ第２制御部、３は第１記憶部、４ａは第２記憶部
、５はカウンタ、６ａは比較部および７は第２記１ｆ！
部である。尚ｌＯは本発明の一実施例における同一基板
領域を示す。第１図と共辿の符号を有する第１記憶部３
とカウンタ５は従来のそれと同等であり共通の機能を有
する。旬し第１記伊部３は第１制御部１ａより汎用デー
タＤＡＴＡ１の弓１゛倭励作制御のみを受け、計数デー
タＤＡＴＡ２のイ［１で！動作制御を受けないＥＥＰＲ
ＯＭＥＮ成−こよるＩ）　Ａ、Ｔ　Ａ　１専用メモリと
して作動する。その他の第１　ｉ１制御都１ａＳ第２制
御部２ａ。
第２贅ｉ１″俤部４ａおよび比較部６ａも基本動作とし
ては従来のサフィックスのないオ・１号を有する構成部
材の機能に類似の機能を備え部分的（こ異なる動作を行
う。
第１制御部１ａはバスより受信するデータに従いアドレ
スデータＡ　ＤＤ　Ｌ制御信号Ｃ０ＮＴｌおよびライト
イネーブルＷＥＩを第１記憶部３へ力え汎用データＤＡ
ＴＡＩを書込み寸たＡＤＤＩおよびＣ０ＮＴｌを与えて
Ｆｌ！川し動作を行う。
＠２制御部２ａは従来と同様知源投入に伴って初期状態
のｌ゛、゛定動作および計ＩＨｔ’ｉ制御り力作を行う
。
但し従来と異り旧計数データけＴＧ　ＥＩ）　ＲＯΔ・
１で構成する引数データ専用メモリ第３記倚部７より得
てカウンタ５にセットし、ＷＥＩを受信する毎ｔこフヮ
ックＣＬＫをカウンタ５に送出して１づつ加ｐ−計敬し
、計数データＤＡＴＡ２を第３記憶部７に送出させると
共に第２制りＩ音１；　？　ａ　Ｉばら１１徂Ｉ伯ぢＣ
０ＮＴ２およびライトイネーブルＷＥ２を第３記憶部７
に１ｙ“出してＤＡＴＡ２を丈干、賃させると共にＤＡ
ＴＡ２を比較部６ａに送出させる。こ＼て第３記憶都７
はＥＥＰＲＯＭで前厄されそのアドレスは記憶内容が従
来と同じく例えば１０ｓを示す１０ビツトとかＩＯ１′
を示す１７ビツトのようｌこ一連のビットデータであり
、特にアドレスデータを必要としない。第２百ピ憶都４
ａも従来と同様イこ管理値をｉ１惰するマスク型ＲＯＭ
１たけヒーーズ型ＲＯＭあるいはＥＥＦＲＯＭで構成す
る。伊し従来と異なり接舷の管理値を記憶させる。例え
ば書込回σ最終菅」」値を１０’回としてＩＪＩＩＩＯ
ｌｏｏｏと予報管３里値９ＸＩＱ”回としてｌ１１００
００１００を同一ビット数によりイ芳成且連ＡσＣ。
して記憶ざセでおく。そしてこの床２記慎部４ａｌこお
ける連Ｆ；１．するＵ越の管理値臂前述の比較６１１６
ａｔこ送出さ７’する管理値と同一ビットθからなるＤ
ＡＴＡ２と第２制御部２ａは制御部Ｍ　ＣＯ１’Ｊ　Ｔ
　３によっ゛こ抜信回たけ６＆ビット構成単位毎に繰返
して比較させ、ＤＡ’Ｉ’Ａ２＜各管理ｆ［のときは高
レベルｌを送出さ−ｂ：、ＤＡＴＡ２≧管理値のときは
低レベルを退出きゼるようにず扛ば、例えばＤＡＴＡ２
が枚数の管理値ｔ・“一対し倒れも下廻るときは比較部
（）ａｌま最終管理値に対して１、予報管理値ｌこ対し
てもｌを出力してＪｒ、、ＤＡＴＡ２が両管理値の中間
にあるときは出力】０、ＤＡＴＡ２が最終管理値に停し
くなるか土廻り１こときは出力００を出力端子ＯＵＴよ
り送出する。このように枚数の管理値を第２２１惹部４
ａに直列シ１．て設定して比較部６ａをしてＤＡＴＡ２
の１薄成ビツトを単位として直列に比較を繰返せばＤＡ
ＴＡ２がｆ６Ｆ：管理値と等しくなるか十廻るときは０
０律続して検出され、ＤＡＴＡ２が最終管理値未開のと
きは予報管理値の設定に従って１を頭とする表示を行い
ｆ４Ｐ終管理値への接近度を検出することが出来る。
（ｇ）　　発明の効果 」ソ上置明したようｔこ本発明によれば従来ＥＥＰＲＱ
Ｍの書込回数を管理する手段を外部回路によっていたの
に比較して同一基板上ｌこ１チツプとして構成したため
実装スペースを削除低減出来ると共ｌこ、計敬データ専
用の配俤部を設（・ツて従来の第１制御部はＥ　Ｅ　Ｐ
　ＲＣＩ　Ｍを単なるメモリ制御のみで書込１ｉｐｌ数
管理のための制御手段を全く考αすることなく簀易に使
用出来、且最Ｐ管■（値に対する掃近度も得られＥＥＰ
ＲＯＭＩこおけるゴ込回敬を容易に管理することが出来
るので有用である。
【図面の簡単な説明】
第１し１は従来の外部回路によって声込回数管理手役を
備またＥＥＰＲＯＭのブロック図、第２図は本発明の一
実施例ｔこおける畳込〔＋１数管理手段を備えたＥ＆：
ＰＲ，ＯＭによるＩＣメモリのブロック図である。 図にあ・いて１．ｌａは’ＩＣ１ｈＪ　ＸＩ　ｔｔ：ｉ
、２．２ａｔＪ第２制御部、３は第１Ｂピ憶部、４．４
ａは第２記１意音阻　５ｃまカウンタ、６．６ａ番Ｊ比
１１ｔ７二囚ｉおよび７は第３七ｔ４憶部である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 同一ノ九叛上に、汎用データをＲ＋１体する帛ｌの記憶
    １音手段、該第１記憶手段の書込１ｊＪｌ数を泪Ｖする
    手段、該ｉＱ、込回数削数における初数σ戸１１理値を
    記憶、はする第２の記憶手段、該計数手段（こよる引数
    データを記憶する第３の記１１９手段、該第：３記（、
    ｆｆ　’４・段の言１ｎテータを第２記憶手段における
    沙数の管理値々比較する手段を備えてなり、・２１、第
    ３　’ｆｃ　＋、Ｗ手段をｉｔｓ、気消去可能の読出し
    専用記憶回路、第２ＷＣ憶手段を固足または電気消去可
    能の読出し専用記＋ｉ′？Ｉ’ｉｊ回路により構成し、
    制御部は〆Ｉ３１記憶手段の一吉込信号を・−〇−信す
    る毎に引数手段をして第３記１，１１手段におＣ“）る
    旧訓斂データに１を加ｐして計Ｖデータを更新せしめ、
    更ｌこ言１数データを片軸手段ｌこｙ、η出して管理値
    と比較させてその１′１１屋結果を送出せしめることを
    特徴とするＩＣメモリ。
JP57157217A 1982-09-07 1982-09-07 Ｉｃメモリ Pending JPS5945695A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57157217A JPS5945695A (ja) 1982-09-07 1982-09-07 Ｉｃメモリ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57157217A JPS5945695A (ja) 1982-09-07 1982-09-07 Ｉｃメモリ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5945695A true JPS5945695A (ja) 1984-03-14

Family

ID=15644773

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57157217A Pending JPS5945695A (ja) 1982-09-07 1982-09-07 Ｉｃメモリ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5945695A (ja)

Cited By (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5268870A (en) * 1988-06-08 1993-12-07 Eliyahou Harari Flash EEPROM system and intelligent programming and erasing methods therefor
WO1994023369A1 (en) * 1993-03-26 1994-10-13 Cirrus Logic, Inc. Flash memory mass storage architecture
US5388083A (en) * 1993-03-26 1995-02-07 Cirrus Logic, Inc. Flash memory mass storage architecture
US5602987A (en) * 1989-04-13 1997-02-11 Sandisk Corporation Flash EEprom system
US5838614A (en) * 1995-07-31 1998-11-17 Lexar Microsystems, Inc. Identification and verification of a sector within a block of mass storage flash memory
US5907856A (en) * 1995-07-31 1999-05-25 Lexar Media, Inc. Moving sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture
US5928370A (en) * 1997-02-05 1999-07-27 Lexar Media, Inc. Method and apparatus for verifying erasure of memory blocks within a non-volatile memory structure
US5930815A (en) * 1995-07-31 1999-07-27 Lexar Media, Inc. Moving sequential sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture
US5963480A (en) * 1988-06-08 1999-10-05 Harari; Eliyahou Highly compact EPROM and flash EEPROM devices
US6034897A (en) * 1999-04-01 2000-03-07 Lexar Media, Inc. Space management for managing high capacity nonvolatile memory
US6040997A (en) * 1998-03-25 2000-03-21 Lexar Media, Inc. Flash memory leveling architecture having no external latch
US6076137A (en) * 1997-12-11 2000-06-13 Lexar Media, Inc. Method and apparatus for storing location identification information within non-volatile memory devices
US6081447A (en) * 1991-09-13 2000-06-27 Western Digital Corporation Wear leveling techniques for flash EEPROM systems
US6081878A (en) * 1997-03-31 2000-06-27 Lexar Media, Inc. Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices
US6115785A (en) * 1995-07-31 2000-09-05 Lexar Media, Inc. Direct logical block addressing flash memory mass storage architecture
US6122195A (en) * 1997-03-31 2000-09-19 Lexar Media, Inc. Method and apparatus for decreasing block write operation times performed on nonvolatile memory
US6125435A (en) * 1995-09-13 2000-09-26 Lexar Media, Inc. Alignment of cluster address to block addresses within a semiconductor non-volatile mass storage memory
US6141249A (en) * 1999-04-01 2000-10-31 Lexar Media, Inc. Organization of blocks within a nonvolatile memory unit to effectively decrease sector write operation time
US6262918B1 (en) 1999-04-01 2001-07-17 Lexar Media, Inc. Space management for managing high capacity nonvolatile memory
US6426893B1 (en) 2000-02-17 2002-07-30 Sandisk Corporation Flash eeprom system with simultaneous multiple data sector programming and storage of physical block characteristics in other designated blocks
US6567307B1 (en) 2000-07-21 2003-05-20 Lexar Media, Inc. Block management for mass storage
US6813678B1 (en) 1998-01-22 2004-11-02 Lexar Media, Inc. Flash memory system
US6898662B2 (en) 2001-09-28 2005-05-24 Lexar Media, Inc. Memory system sectors
US6950918B1 (en) 2002-01-18 2005-09-27 Lexar Media, Inc. File management of one-time-programmable nonvolatile memory devices
US6957295B1 (en) 2002-01-18 2005-10-18 Lexar Media, Inc. File management of one-time-programmable nonvolatile memory devices
US7000064B2 (en) 2001-09-28 2006-02-14 Lexar Media, Inc. Data handling system
US7102671B1 (en) 2000-02-08 2006-09-05 Lexar Media, Inc. Enhanced compact flash memory card
US7111140B2 (en) 1995-07-31 2006-09-19 Lexar Media, Inc. Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices
US7120729B2 (en) 2002-10-28 2006-10-10 Sandisk Corporation Automated wear leveling in non-volatile storage systems
US7167944B1 (en) 2000-07-21 2007-01-23 Lexar Media, Inc. Block management for mass storage
US7185208B2 (en) 2001-09-28 2007-02-27 Lexar Media, Inc. Data processing
US7215580B2 (en) 2001-09-28 2007-05-08 Lexar Media, Inc. Non-volatile memory control
US7231643B1 (en) 2002-02-22 2007-06-12 Lexar Media, Inc. Image rescue system including direct communication between an application program and a device driver
US7254724B2 (en) 2001-09-28 2007-08-07 Lexar Media, Inc. Power management system
US7441090B2 (en) 1995-07-31 2008-10-21 Lexar Media, Inc. System and method for updating data sectors in a non-volatile memory using logical block addressing
US7464306B1 (en) 2004-08-27 2008-12-09 Lexar Media, Inc. Status of overall health of nonvolatile memory
US7492660B2 (en) 1989-04-13 2009-02-17 Sandisk Corporation Flash EEprom system
US7594063B1 (en) 2004-08-27 2009-09-22 Lexar Media, Inc. Storage capacity status
US9576154B2 (en) 2004-04-30 2017-02-21 Micron Technology, Inc. Methods of operating storage systems including using a key to determine whether a password can be changed

Cited By (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5835415A (en) * 1988-06-08 1998-11-10 Harari; Eliyahou Flash EEPROM memory systems and methods of using them
US5909390A (en) * 1988-06-08 1999-06-01 Harari; Eliyahou Techniques of programming and erasing an array of multi-state flash EEPROM cells including comparing the states of the cells to desired values
US5963480A (en) * 1988-06-08 1999-10-05 Harari; Eliyahou Highly compact EPROM and flash EEPROM devices
US5434825A (en) * 1988-06-08 1995-07-18 Harari; Eliyahou Flash EEPROM system cell array with more than two storage states per memory cell
US5268870A (en) * 1988-06-08 1993-12-07 Eliyahou Harari Flash EEPROM system and intelligent programming and erasing methods therefor
US5544118A (en) * 1988-06-08 1996-08-06 Harari; Eliyahou Flash EEPROM system cell array with defect management including an error correction scheme
US5568439A (en) * 1988-06-08 1996-10-22 Harari; Eliyahou Flash EEPROM system which maintains individual memory block cycle counts
US5583812A (en) * 1988-06-08 1996-12-10 Harari; Eliyahou Flash EEPROM system cell array with more than two storage states per memory cell
US5862081A (en) * 1988-06-08 1999-01-19 Harari; Eliyahou Multi-state flash EEPROM system with defect management including an error correction scheme
US5642312A (en) * 1988-06-08 1997-06-24 Harari; Eliyahou Flash EEPROM system cell array with more than two storage states per memory cell
US5712819A (en) * 1988-06-08 1998-01-27 Harari; Eliyahou Flash EEPROM system with storage of sector characteristic information within the sector
US5936971A (en) * 1989-04-13 1999-08-10 Sandisk Corporation Multi-state flash EEprom system with cache memory
US5602987A (en) * 1989-04-13 1997-02-11 Sandisk Corporation Flash EEprom system
US6373747B1 (en) 1989-04-13 2002-04-16 Sandisk Corporation Flash EEprom system
US8040727B1 (en) 1989-04-13 2011-10-18 Sandisk Corporation Flash EEprom system with overhead data stored in user data sectors
US7492660B2 (en) 1989-04-13 2009-02-17 Sandisk Corporation Flash EEprom system
US5719808A (en) * 1989-04-13 1998-02-17 Sandisk Corporation Flash EEPROM system
US5999446A (en) * 1989-04-13 1999-12-07 Sandisk Corporation Multi-state flash EEprom system with selective multi-sector erase
US7353325B2 (en) 1991-09-13 2008-04-01 Sandisk Corporation Wear leveling techniques for flash EEPROM systems
US6850443B2 (en) 1991-09-13 2005-02-01 Sandisk Corporation Wear leveling techniques for flash EEPROM systems
US6594183B1 (en) 1991-09-13 2003-07-15 Sandisk Corporation Wear leveling techniques for flash EEPROM systems
US6230233B1 (en) 1991-09-13 2001-05-08 Sandisk Corporation Wear leveling techniques for flash EEPROM systems
US6081447A (en) * 1991-09-13 2000-06-27 Western Digital Corporation Wear leveling techniques for flash EEPROM systems
WO1994023369A1 (en) * 1993-03-26 1994-10-13 Cirrus Logic, Inc. Flash memory mass storage architecture
US5479638A (en) * 1993-03-26 1995-12-26 Cirrus Logic, Inc. Flash memory mass storage architecture incorporation wear leveling technique
US5388083A (en) * 1993-03-26 1995-02-07 Cirrus Logic, Inc. Flash memory mass storage architecture
US6223308B1 (en) 1995-07-31 2001-04-24 Lexar Media, Inc. Identification and verification of a sector within a block of mass STO rage flash memory
US7441090B2 (en) 1995-07-31 2008-10-21 Lexar Media, Inc. System and method for updating data sectors in a non-volatile memory using logical block addressing
US6912618B2 (en) 1995-07-31 2005-06-28 Lexar Media, Inc. Direct logical block addressing flash memory mass storage architecture
US7111140B2 (en) 1995-07-31 2006-09-19 Lexar Media, Inc. Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices
US6128695A (en) * 1995-07-31 2000-10-03 Lexar Media, Inc. Identification and verification of a sector within a block of mass storage flash memory
US5838614A (en) * 1995-07-31 1998-11-17 Lexar Microsystems, Inc. Identification and verification of a sector within a block of mass storage flash memory
US7549013B2 (en) 1995-07-31 2009-06-16 Lexar Media, Inc. Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices
US6145051A (en) * 1995-07-31 2000-11-07 Lexar Media, Inc. Moving sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture
US6172906B1 (en) 1995-07-31 2001-01-09 Lexar Media, Inc. Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices
US7424593B2 (en) 1995-07-31 2008-09-09 Micron Technology, Inc. Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices
US7523249B1 (en) 1995-07-31 2009-04-21 Lexar Media, Inc. Direct logical block addressing flash memory mass storage architecture
US5907856A (en) * 1995-07-31 1999-05-25 Lexar Media, Inc. Moving sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture
US6115785A (en) * 1995-07-31 2000-09-05 Lexar Media, Inc. Direct logical block addressing flash memory mass storage architecture
US5930815A (en) * 1995-07-31 1999-07-27 Lexar Media, Inc. Moving sequential sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture
US6393513B2 (en) 1995-07-31 2002-05-21 Lexar Media, Inc. Identification and verification of a sector within a block of mass storage flash memory
US6125435A (en) * 1995-09-13 2000-09-26 Lexar Media, Inc. Alignment of cluster address to block addresses within a semiconductor non-volatile mass storage memory
US5928370A (en) * 1997-02-05 1999-07-27 Lexar Media, Inc. Method and apparatus for verifying erasure of memory blocks within a non-volatile memory structure
US6081878A (en) * 1997-03-31 2000-06-27 Lexar Media, Inc. Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices
US6122195A (en) * 1997-03-31 2000-09-19 Lexar Media, Inc. Method and apparatus for decreasing block write operation times performed on nonvolatile memory
US6327639B1 (en) 1997-12-11 2001-12-04 Lexar Media, Inc. Method and apparatus for storing location identification information within non-volatile memory devices
US6076137A (en) * 1997-12-11 2000-06-13 Lexar Media, Inc. Method and apparatus for storing location identification information within non-volatile memory devices
US6813678B1 (en) 1998-01-22 2004-11-02 Lexar Media, Inc. Flash memory system
US6040997A (en) * 1998-03-25 2000-03-21 Lexar Media, Inc. Flash memory leveling architecture having no external latch
US6134151A (en) * 1999-04-01 2000-10-17 Lexar Media, Inc. Space management for managing high capacity nonvolatile memory
US6034897A (en) * 1999-04-01 2000-03-07 Lexar Media, Inc. Space management for managing high capacity nonvolatile memory
US6141249A (en) * 1999-04-01 2000-10-31 Lexar Media, Inc. Organization of blocks within a nonvolatile memory unit to effectively decrease sector write operation time
US6262918B1 (en) 1999-04-01 2001-07-17 Lexar Media, Inc. Space management for managing high capacity nonvolatile memory
US7102671B1 (en) 2000-02-08 2006-09-05 Lexar Media, Inc. Enhanced compact flash memory card
US6996008B2 (en) 2000-02-17 2006-02-07 Sandisk Corporation Flash EEPROM system with simultaneous multiple data sector programming and storage of physical block characteristics in other designated blocks
US6580638B2 (en) 2000-02-17 2003-06-17 Sandisk Corporation Flash EEPROM system with simultaneous multiple data sector programming and storage of physical block characteristics in other designated blocks
US6760255B2 (en) 2000-02-17 2004-07-06 Sandisk Corporation Flash EEPROM system with simultaneous multiple data sector programming and storage of physical block characteristics in other designated blocks
US6426893B1 (en) 2000-02-17 2002-07-30 Sandisk Corporation Flash eeprom system with simultaneous multiple data sector programming and storage of physical block characteristics in other designated blocks
US6567307B1 (en) 2000-07-21 2003-05-20 Lexar Media, Inc. Block management for mass storage
US7167944B1 (en) 2000-07-21 2007-01-23 Lexar Media, Inc. Block management for mass storage
US7000064B2 (en) 2001-09-28 2006-02-14 Lexar Media, Inc. Data handling system
US7254724B2 (en) 2001-09-28 2007-08-07 Lexar Media, Inc. Power management system
US6898662B2 (en) 2001-09-28 2005-05-24 Lexar Media, Inc. Memory system sectors
US7215580B2 (en) 2001-09-28 2007-05-08 Lexar Media, Inc. Non-volatile memory control
US7185208B2 (en) 2001-09-28 2007-02-27 Lexar Media, Inc. Data processing
US6957295B1 (en) 2002-01-18 2005-10-18 Lexar Media, Inc. File management of one-time-programmable nonvolatile memory devices
US6950918B1 (en) 2002-01-18 2005-09-27 Lexar Media, Inc. File management of one-time-programmable nonvolatile memory devices
US7231643B1 (en) 2002-02-22 2007-06-12 Lexar Media, Inc. Image rescue system including direct communication between an application program and a device driver
US7120729B2 (en) 2002-10-28 2006-10-10 Sandisk Corporation Automated wear leveling in non-volatile storage systems
US7552272B2 (en) 2002-10-28 2009-06-23 Sandisk Corporation Automated wear leveling in non-volatile storage systems
US9576154B2 (en) 2004-04-30 2017-02-21 Micron Technology, Inc. Methods of operating storage systems including using a key to determine whether a password can be changed
US10049207B2 (en) 2004-04-30 2018-08-14 Micron Technology, Inc. Methods of operating storage systems including encrypting a key salt
US7464306B1 (en) 2004-08-27 2008-12-09 Lexar Media, Inc. Status of overall health of nonvolatile memory
US7594063B1 (en) 2004-08-27 2009-09-22 Lexar Media, Inc. Storage capacity status

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5945695A (ja) Ｉｃメモリ
US5794033A (en) Method and system for in-site and on-line reprogramming of hardware logics with remote loading in a network device
TWI470429B (zh) 記憶體裝置及記憶體存取方法
US20160266831A1 (en) Method and apparatus for memory management
KR970072488A (ko) 기억 시스템
JPH0823080A (ja) メモリ装置の製造方法およびメモリセル
JPH05233464A (ja) Ｅｅｐｒｏｍのデータ書換方法およびｅｅｐｒｏｍカード
KR940022578A (ko) 비휘발성 반도체 메모리 장치를 소거하고 검증하기 위한 방법 및 장치
EP0438050B1 (en) Nonvolatile semiconductor memory system
JP4824366B2 (ja) 寄生キャパシタンスの影響を減らした電圧分配回路及びそれを含んだワードライン電圧発生回路
JP3578175B2 (ja) メモリワードの管理回路
JP5258244B2 (ja) 半導体集積回路
JP5200470B2 (ja) メモリ制御回路及び半導体装置
CN119828436B (zh) 一种基于flash芯片的计时方法、设备及存储介质
JP4599707B2 (ja) ダウンロード・データの版数管理方式
US6845040B2 (en) Nonvolatile memory
JPS61115297A (ja) 記憶回路
JPH0554158B2 (ja)
CN108399934A (zh) 半导体存储装置及数据设定方法
JPS6017390A (ja) 電子時計
JPH06236681A (ja) 半導体記憶装置
JP5541379B2 (ja) メモリ制御回路及び半導体装置
JP2000348491A (ja) 不揮発性メモリー及びマイコン
JP2006178528A (ja) 記憶手段の使用方法及びこれを用いた演算装置、制御プログラム
JPH11120800A (ja) フラッシュメモリ内蔵情報処理システム