JPS5946100B2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はリード線を改善した半導体装置に関する。

近年、ダイオード型およびトランジスタ型半導体装置は
それぞれ改良されつつあるが本発明は特にリード線に着
目してなされたもので、リード線の強度、延性、はんだ
付け性、樹脂との接合性を向上せしめた好ましい半導体
装置を提供する。

従来、半導体装置のリード線としては強度とくク返し曲
げ性の優れた純Ｎｉあるいは５０Ｎｉ−Ｆｅ合金でなる
ものが主に用いられていた。しかしながらこのリード線
ははんだ付け性が好ましくない為、最近は銅を主体とす
るリード線が用いられてきている。銅を主体とするリー
ド線は、はんだ付け性が良く、導電性に良好な為、好ま
しいのであるが、半導体素子を樹脂でモールドする半導
体装置に用いた場合には次のような難、勧（あつた。

すなわち一般の銅合金は熱伝導が大きい。

したがつて樹脂でモールドした半導体装置を所定の個所
にはんだ付けする際、はんだ浴の熱がリード線を伝わり
易く、モールド部分の樹脂温度が過度に上昇する。その
為樹脂の接合力が弱くなるのと、リード線の膨張、収縮
とが相俟つてリード線に外カカ功口わつた場合リード線
がぐらつき以後の工程の支障となる。したがつて本発明
の目的は、銅を主体とするリード線の強度、くわ返しま
げ性、はんだ付け性を損なうことなく、特に樹脂との接
合性を改善した優れた半導体装置を提供することである
。

本発明に係る半導体装置は、リード線を重量％でＮｉ５
〜２０％、好ましくは８〜１５％、Ｆｅ５〜３０％、好
ましくは１５〜２０％残余を実質的にＣｕでなる合金で
形成したことを特徴とする。

各成分の限定理由を述べると、Ｎｉ及びＦｅは、強度を
向上させるものであるが、多量に含有すると、・・シダ
付性を劣化させ、また少ないと、熱伝導度が大きくなる
ため、上記範囲が望ましい。以下本発明実施例について
説明する。表１に示す成分組成のインゴットを溶製レ
９００〜１０００℃にて熱間加工後、冷間加工で０．４
５５−φの線材とし、５００〜７００℃で焼鈍し、試料
とした。これらの試料のステイフネス、くＤ返しまげ性
及び電気伝導度を表２に示す。また試料を樹脂に埋め込
んだ後はんだ付けを行ない、はんだ付け性と、樹脂との
接合状態を調べた。その結果を表３に示す。くり返しま
げ性は、４５０ｇｒ荷重をかけ０．５Ｒで９『まげをく
り返し行ない破断するまでの回数を示し、またはんだ付
性、樹脂との接合性は夫々１００本の試料の不良数で示
す。

ここではんだ付け性の良否は、得られたリード線試料を
約２３０℃の４０Ｐｂ−Ｓｎはんだに約５秒間浸し、は
んだのはがれがみられるものを不良とした。

また樹脂との接合性の良否はエポキシ樹脂にリード線試
料の一端を約５朋埋め込み、他端を上記条件ではんだ付
けした後、リード線試料を角度約９０に曲げ更に水平に
約９０゜回して、りード線試料が樹脂と離れ回転するも
のを不良とした。表３から明らかなように本発明装置の
特徴であるリード線は、はんだ付け性及び樹脂との接合
性に卦いて不良のものが全くなくこの点で従来のものと
著しく異なシ、極めて優れたものである。また表２によ
れば本発明に係るリード線はステイフネスで示される強
度、くり返しまげ回数で示される延性とも好ましいもの
であり１導電率も、５０Ｎｉ−Ｆｅ合金と同等で実用上
充分なものである。このようなリード線で形成されたト
ランジスタ型半導体装置を実際に各種用途に使用したと
ころ、はんだ付けで取付けた際も極めて堅牢で優れたも
のであつた。更に本発明装置に係るリード線は磁性体な
のではんだ付け工程に｝いて作業性がよく好ましいもの
であつた。

以上述べたように本発明半導体装置は改良されたリード
線で形成された優れたものであり工業上の価値は高い。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 重量％でＮｉ５〜２０％、Ｆｅ５〜３０％、残余を
   実質的にＣｕでなる合金にてリード部を形成したことを
   特徴とする半導体装置。 ２ Ｎｉが８〜１５％である特許請求の範囲第１項に記
   載の半導体装置。 ３ Ｆｅが１５〜２０％である特許請求の範囲第１項に
   記載の半導体装置。