JPS6030104B2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はリード線を改善した半導体装置に関する。

近年、ダイオード型およびトランジスタ型半導体装置は
それぞれ改良されつつあるが本発明は特にリード線に着
目してなされたもので、リード線の強度、延性、はんだ
付け性、樹脂との接合性を向上せしめた好ましい半導体
装置を提供する。

従来、半導体装置のリード線としては強度とくり返し曲
げ性の優れた純Ｎｉあるいは５０Ｎｉ−Ｆｅ合金でなる
ものが主に用いられていた。しかしながらこのリード線
ははんだ付け性が好ましくない為、最近は銅を主体とす
るりード線が用いられてきている。銅を主体とするりー
ド線は、はんだ付け性が良く、導電性も良好な為、好ま
しいものであるが、半導体素子を樹脂でモールドする半
導体装置に用いた場合には次のような難点があった。

すなわち一般の銅合金は熱伝導が大きい。

したがって樹脂でモールドした半導体装置を所定の個所
にはんだ付けする際、はんだ浴の熱がリード線を伝わり
易く、モールド部分の樹脂温度が過度に上昇する。その
為樹脂の接合力が弱くなるのと、リード線の膨張、収縮
とが相俊って、リード線に外力が加わった場合リード線
がぐらつき以後の工程の支障となる。したがって本発明
の目的は、銅を主体とするりード線の強度、くり返しま
げ性、はんだ付け性を損なうことなく、特に樹脂との接
合性を改善した優れた半導体装置を提供することである
。

本発明に係る半導体装置は、リード線を重量％でＡＩ
８〜１３％、好ましくは９〜１２％、Ｎｊ５〜１０％好
ましくは６〜９％残余を実質的に、Ｃｕでなる銅合金に
て形成したことを特徴とする。

以下各成分の限定理由を述べる。

Ｎは強度の向上に寄与するが上記の範囲より少ないとそ
の効果がなく、又余り多いとＣｕ２ＡＩによりもろくな
り加工性が悪いので上記範囲が良い。Ｎｉは共析反応の
速度を低下させる働きがあり材料に延性を与えるが少な
いとその効果がなく、また余り多く添加しても量の割に
効果がなく上記範囲が良い。以下本発明実施例について
説明する。表１に示す成分組成のィンゴットを溶製し、
７００〜８００ｏｏで熱間加工後冷間加工で、０．４５
５０の線材とし、５００〜７００ｏｏで焼鈍し試料とし
た。これらの試料のステイフネス、くり返しまげ性、及
び電気伝導度を表２に示す。また試料を樹脂に埋め込ん
だ後はんだ付けを行ない、はんだ付け性と、樹脂との接
合状態を調べた。その結果を表３に示す。くり返しまげ
性は、４５雌ｒの荷重をかけ０．駅で９００まげをくり
返し行なし、破断するまでの回数を示し、またはんだ付
性、樹脂との接合性は夫々１００本の試料の不良数で示
す。

・ 表２ 表３ ここではんだ付け性の良否は、得られたりード線試料を
約２３０ｏの４岬ｂ−Ｓｎはんだに約５秒間浸し、はん
だのはがれがみられるものを不良とした。

また樹脂との接合性の良否はェポキシ樹脂にリード線試
料の一端を約５肋埋め込み、他端を上記条件ではんだ付
けした後、リード線試料を角度約９０ｏに曲げ更に水平
に約９００回して、リード線試料が樹脂と離れ回転する
ものを不良とした。表３から明らかなように本発明装置
の特徴であるリード線は、はんだ付け性及び樹脂との接
合性において不良のものが全くなくこの点で従来のもの
と著しく異なり、極めて優れたものである。また表２に
よれば本発明に係るＩＪード線はステイフネスで示され
る強度、くり返しまげ回数で示される延性とも好ましい
ものであり、導電率も、５０Ｎｉ−Ｆｅ合金と同様で実
用上充分なものである。このようなりード線で形成され
た半導体装置を実際に各種用途に使用したところ、はん
だ付けで取付けた際も極めて堅牢で優れたものであった
。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 重量％でＡｌ８〜１３％、Ｎｉ５〜１０％残余を実
   質的にＣｕでなる銅合金にてリード部を形成したことを
   特徴とする半導体装置。 ２ Ａｌが９〜１２％である特許請求の範囲第１項に記
   載の半導体装置。 ３ Ｎｉが６〜９％である特許請求の範囲第１項乃至第
   ２項のいづれかに記載の半導体装置。