JPS6034267B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6034267B2 JPS6034267B2 JP8904176A JP8904176A JPS6034267B2 JP S6034267 B2 JPS6034267 B2 JP S6034267B2 JP 8904176 A JP8904176 A JP 8904176A JP 8904176 A JP8904176 A JP 8904176A JP S6034267 B2 JPS6034267 B2 JP S6034267B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- solderability
- bondability
- lead wire
- strength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＩＪ−ド線を改善した半導体装置に関する。
近年、ダイオード型およびトランジスタ型半導体装置は
それぞれ改良されつつあるが本発明は特にリード線に着
目してなされたもので、リード線の強度、延性、はんだ
付け性、樹脂との接合性を向上せしめた好ましい半導体
装置を提供する。
それぞれ改良されつつあるが本発明は特にリード線に着
目してなされたもので、リード線の強度、延性、はんだ
付け性、樹脂との接合性を向上せしめた好ましい半導体
装置を提供する。
従来、半導体装置のリード線としては強度とくり返し曲
げ性の優れた純Ｎｉあるいは５皿ｊ−Ｆｅ合金でなるも
のが主に用いられていた。しかしながらこのリード線は
はんだ付け性が好ましくない為、最近は銅を主体とする
りード線が用いられてきている。銅を主体とするりード
線は、はんだ付け性が良く、導電性も良好な為、好まし
いのであるが、半導体素子を樹脂でモールドする半導体
装置に用いた場合には次のような難点があった。
げ性の優れた純Ｎｉあるいは５皿ｊ−Ｆｅ合金でなるも
のが主に用いられていた。しかしながらこのリード線は
はんだ付け性が好ましくない為、最近は銅を主体とする
りード線が用いられてきている。銅を主体とするりード
線は、はんだ付け性が良く、導電性も良好な為、好まし
いのであるが、半導体素子を樹脂でモールドする半導体
装置に用いた場合には次のような難点があった。
すなわち一般の縮合金は熱伝導が大きい。
したがって樹脂でモールドした半導体装置を所定の個所
にはんだ付けする際、はんだ俗の熱がリード線を伝わり
易く、モールド部分の樹脂温度が過度に上昇する。その
為樹脂の接合力か弱くなるのと、リード線の膨張、収縮
とが相挨つて、リード線に外力が加わった場合リード線
がぐらつき以後の工程の支障となる。したがって本発明
は銅合金を主体とし、リード線としての強度とくり返し
まげ性が高く、特にはんだ付け性と樹脂との接合性を改
善した優れた半導体装置を提供するものである。本発明
に係る半導体装置は、リード線を重量％でＮｊ３〜１５
％，Ｓｉ，蛇，Ｂを単独又は複合で０．００５〜０．１
％、残余実質的にＣｕでなる合金、あるいはこの合金の
Ｃｕの一部をＳｎ３％以下で置換した合金（但し、Ｎｊ
＋Ｓｎ４〜１５％）で形成したことを特徴とする。各成
分の限定理由を述べるとＮｉは強度を向上させるもので
あるが、多量に含有するとはんだ付性を劣化させ、また
少ないと効果がないので上誌範囲が望ましい。
にはんだ付けする際、はんだ俗の熱がリード線を伝わり
易く、モールド部分の樹脂温度が過度に上昇する。その
為樹脂の接合力か弱くなるのと、リード線の膨張、収縮
とが相挨つて、リード線に外力が加わった場合リード線
がぐらつき以後の工程の支障となる。したがって本発明
は銅合金を主体とし、リード線としての強度とくり返し
まげ性が高く、特にはんだ付け性と樹脂との接合性を改
善した優れた半導体装置を提供するものである。本発明
に係る半導体装置は、リード線を重量％でＮｊ３〜１５
％，Ｓｉ，蛇，Ｂを単独又は複合で０．００５〜０．１
％、残余実質的にＣｕでなる合金、あるいはこの合金の
Ｃｕの一部をＳｎ３％以下で置換した合金（但し、Ｎｊ
＋Ｓｎ４〜１５％）で形成したことを特徴とする。各成
分の限定理由を述べるとＮｉは強度を向上させるもので
あるが、多量に含有するとはんだ付性を劣化させ、また
少ないと効果がないので上誌範囲が望ましい。
Ｓｊ，Ｑ，Ｂは少量でその効果が表われ強度の向上と同
時に、結晶粒の租大化を抑制し、加工時の肌荒れを阻止
するが多量に含有しても、その割に効果がないので、上
記範囲が望ましい。Ｓｎは強度の向上と共に熱伝導を低
下させ、又はんだ付性を改良するが多量に含有すると、
加工性を劣化させ、また偏析しやすくなるので上記範囲
が望ましい。なおＮｉ＋Ｓｎの量は、少ないと熱伝導度
が高くなり樹脂との接合性を悪くし、また余り多すぎる
とくり返し曲げを悪くするので上記範囲がよい。′以下
本発明の実施例について述べる。
時に、結晶粒の租大化を抑制し、加工時の肌荒れを阻止
するが多量に含有しても、その割に効果がないので、上
記範囲が望ましい。Ｓｎは強度の向上と共に熱伝導を低
下させ、又はんだ付性を改良するが多量に含有すると、
加工性を劣化させ、また偏析しやすくなるので上記範囲
が望ましい。なおＮｉ＋Ｓｎの量は、少ないと熱伝導度
が高くなり樹脂との接合性を悪くし、また余り多すぎる
とくり返し曲げを悪くするので上記範囲がよい。′以下
本発明の実施例について述べる。
表１に示す成分組成のインゴットを溶製し、９００〜１
０００℃にて熱間加工後、直径７肌の線材とし、これを
冷間伸線加工で直径２柳とし、６０〜７００００で加熱
急冷しさらに袷間仲線加工で直径０．４５５帆とした。
タこれを４００〜５００００で焼鈍し、試料とした。表
１これらの試料のステイフネス、くり返しまげ性、電
気伝導度を比較して調べた。
０００℃にて熱間加工後、直径７肌の線材とし、これを
冷間伸線加工で直径２柳とし、６０〜７００００で加熱
急冷しさらに袷間仲線加工で直径０．４５５帆とした。
タこれを４００〜５００００で焼鈍し、試料とした。表
１これらの試料のステイフネス、くり返しまげ性、電
気伝導度を比較して調べた。
その結果を表２に示す。くり返しまげ性については、４
５雌ｒの荷重をかけ、９００ まげを０．球にてくり返
しおこない被断するまでの回数で示す。表 ２ また表３に、はんだ付性と、樹脂との接合性を示す。
５雌ｒの荷重をかけ、９００ まげを０．球にてくり返
しおこない被断するまでの回数で示す。表 ２ また表３に、はんだ付性と、樹脂との接合性を示す。
はんだ付性の良否は、得られたりード線試料を２３０ｑ
ｏの４岬ｂ−Ｓｎはんだに約５秒間浸し、はんだのはが
れが見られるものを不良とした。こらに、１５０ｑｏで
２餌時間、加熱し、はんだのはがれのあるものを不良と
した。樹脂の接合性の良否は、ェポキシ樹脂にリード線
試料の一端を約５側埋め込み、他端を上記条件ではんだ
付けした後、リード線試料を角度約９００に曲げ、更に
水平に９００回転させ、リード線試料が樹脂と離れ回転
するものを不良とした。表 ３ 表２、表３から明らかなように本発明装置を構成するり
ード線（試料番号１〜６）は、ステイネス、くり返し曲
げ、導電率がバランスよく好ましい結果を示している。
ｏの４岬ｂ−Ｓｎはんだに約５秒間浸し、はんだのはが
れが見られるものを不良とした。こらに、１５０ｑｏで
２餌時間、加熱し、はんだのはがれのあるものを不良と
した。樹脂の接合性の良否は、ェポキシ樹脂にリード線
試料の一端を約５側埋め込み、他端を上記条件ではんだ
付けした後、リード線試料を角度約９００に曲げ、更に
水平に９００回転させ、リード線試料が樹脂と離れ回転
するものを不良とした。表 ３ 表２、表３から明らかなように本発明装置を構成するり
ード線（試料番号１〜６）は、ステイネス、くり返し曲
げ、導電率がバランスよく好ましい結果を示している。
なかでもＳｎを添加したものは強度、くり返し曲げがよ
り好ましい。また半導体装置として重要なはんだ付け性
、樹脂との接合性は比較例としたＣｕ，５０Ｎｉ−Ｆｅ
では、両者を満足し得ないのに対し、本発明に係るもの
ははんだ付け性、樹脂との接合性とも優れてており実用
上極めて好ましい。以上のように、本発明装置を構成す
るりード線は、強度、くり返しまげ性に殴れ、またはん
だ付け性、樹脂との接合性も良く従来のリード線に対し
極めて、優れたものである。
り好ましい。また半導体装置として重要なはんだ付け性
、樹脂との接合性は比較例としたＣｕ，５０Ｎｉ−Ｆｅ
では、両者を満足し得ないのに対し、本発明に係るもの
ははんだ付け性、樹脂との接合性とも優れてており実用
上極めて好ましい。以上のように、本発明装置を構成す
るりード線は、強度、くり返しまげ性に殴れ、またはん
だ付け性、樹脂との接合性も良く従来のリード線に対し
極めて、優れたものである。
このようなりード線で形成された、半導体装置を実際に
各種用途に使用したところ、はんだ付けで取り付けた際
も極めて堅牢で優れたものであった。
各種用途に使用したところ、はんだ付けで取り付けた際
も極めて堅牢で優れたものであった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 重量％でＮｉ３〜１５％、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂを単独又
は複合で０．００５〜０．１％、残余実質的にＣｕでな
る合金にて、リード部を形成したことを特徴とする半導
体装置。 ２ 重量％でＮｉ３〜１５％、Ｓｎ３％以下但しＮｉ＋
Ｓｎ４〜１５％、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂを単独又は複合で０．
００５〜０．１％、残余実質的にＣｕでなる合金にてリ
ード部を形成したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8904176A JPS6034267B2 (ja) | 1976-07-28 | 1976-07-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8904176A JPS6034267B2 (ja) | 1976-07-28 | 1976-07-28 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5315070A JPS5315070A (en) | 1978-02-10 |
| JPS6034267B2 true JPS6034267B2 (ja) | 1985-08-07 |
Family
ID=13959797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8904176A Expired JPS6034267B2 (ja) | 1976-07-28 | 1976-07-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6034267B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57109357A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-07 | Nippon Mining Co Ltd | Copper alloy for semiconductor device lead |
| JPS6058783B2 (ja) * | 1982-01-20 | 1985-12-21 | 日本鉱業株式会社 | 半導体機器のリ−ド材用銅合金の製造方法 |
-
1976
- 1976-07-28 JP JP8904176A patent/JPS6034267B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5315070A (en) | 1978-02-10 |
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