JPS5946701A

JPS5946701A - 絶縁性セラミツクペ−スト用無機組成物

Info

Publication number: JPS5946701A
Application number: JP57157471A
Authority: JP
Inventors: 正則鈴木; 和明内海
Original assignee: Nippon Electric Co Ltd
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1982-09-10
Filing date: 1982-09-10
Publication date: 1984-03-16
Also published as: JPH046045B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は熱灰理によって結晶化しうる絶縁性ガラス粉末
にセラミックス粉末と金属酸化物を混合した組成物であ
って、主として、多層厚膜電子回路の絶縁層形成に用い
られる絶縁性セラミックペースト用無＋１ｐ、＋ｆＪ１
成物に関するものである。

従来多ｊ−厚膜電子回路等を製造する最も一般的な方法
は、アルミナ等のセラミックス基板に金（Ａｕ）、銀（
Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングス
テン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、およびこ、れらの合
金からなるＩｆ体ペーストを用いて導体回路を印刷し乾
燥した後これを炉に入れて焼成し導体回路を形成したり
、あるいはまたより微細な導体回路を優るためメッキ法
により導体回路を形成し、次にこれら導体回路と第２層
ｄト体回路と絶紅する絶縁層を形成するために絶縁性ガ
ラスペーストを塗布し炉に入れて焼成して絶縁長：１を
形成する方法を用いている。この場合、絶縁性ガラスペ
ーストの塗布に際しでは、第１１ｆ７Ｍ＞体回路と第・
２層導体回路を結ぶ接続孔を残す必要があ°る。次にこ
の絶縁層面の接続孔に導体ペーストがつまるように印判
、焼成し′ＣＣ第２導導回路を形成する。

このようにして必要に応じて第３層、第４層の導体回路
およびｌ１ｉ１！縁層を同じ方法で形成し、用途にＬＬ
、じ最」二部層にＩＣ５あるいはＬＳＩを接続するなど
して功１望の多層電子回路を実装していたうこわら多層
膜電子回路形成に必要な絶縁層は、８５０〜９５０℃の
温度で緻密に焼結でき、ピンホールが少ないこと、ふく
れが出ないこと、耐酸性、（導体回路金メツキ法で形成
する場合材に喪ホされる）、高耐電圧、低熱抵抗、低Ｎ
ｊＪ軍奉などの要求を兼ね備えていることが強く賢望さ
れている。

従来こうした目的に用い、られてき１上絶縁層形成用の
絶縁性ガラスペースト用無機；’、ｉ成物は、８５０〜
９５０゛Ｃのγｍ＋　Ｉｆで焼成することにより結晶化
する結晶性ガラス（１）タイプのものが用いられている
（例えば特公昭４６−４２９１７号、特公昭５］、−８
ｔ１１６８号、持分１イイ５１−１０８４４号、特公昭
５２−３４６４５号などの公報参〇＜１　）。

しかしながら、前記した従来の絶縁層形成に用いられて
いる絶縁性ガラスペーストには一長一短があり、例えば
、コンヒュータ用ロンツク回路のように多層セラミック
遅・板の１Ｔｔｌ届”ｒ（７実装回路の潜体回路形成に
し１°厚脱印刷法では１００／１ｍ程度が限界でありそ
れ以下の微細なラインを必」２ンとするときはメッキ法
が用いられることが多い。これらメッキ法によって形成
した導体回路上に前記の方法で絶縁ｊ曹を形成した場合
、２Ｊ４体回路上の絶縁被膜層にふくれが発生して次の
導体回路形茄、が不能になったりする。まだふくれが発
生しなくともピンホールが多かったり、耐敵性が不十分
であったり、形成導体との密着性が４１さかつたり、熱
抵抗が太きいなどの問題があった。この）こめ尚■丁ル
ニ実しセラミック多Ｊ曽厚膜矩、子回路形ルシ、ｒ（ハ
」いらオ［る絶縁層形成用の曖ｉまた絶縁性セラミック
ペースト用）１）１機組成物の］ポ発がシご計すされて
いる。

本発明の目的は；これら問題点を除去した、すなわち、
特にメッキ法による導体回路上の絶に、Ｉ釣のふくれの
発斗が１−゛＜、導体との■′加汀および獣密化に障れ
、ピンホールが少なく、熱抵抗が生色く、耐酸性に１ぐ
れた絶縁性セラミックペースト用の前桟組成物を提供す
ることにある。

本発明は、Ｊ■小％表ボで、５ｉ（Ｊ２４０〜６５％　（好ましくは４５〜６０％）
Ｐｂ０　　　５〜２０％　（ｒ）　　　８〜１８％）Ｂ
２０．　　３〜１８％　（ｑ　　　５〜１５％）ＣａＯ
２〜１５％　（〃　　　３〜ｌＯ％）ＭｇＯ、０，２〜
１０％　（〆ｙ　　　Ｏ，４〜５％）Ｂａ０　　０．２
−１０％　（ｑ’０．３〜７％）Ｎａ、０．１〜５％　
（１７２〜４％）Ｋ、０　　　１〜５％　（〃　　　１
〜４％）’Ｉ’ｉ０□　０，５〜ｌＯ％　（ｔｔ　　　
　１〜６％）ｔ　ｒ　０２　０−５〜１５％　（〃　　
　１〜１０％）全台；ｔ１１ｏｏ％となるようにした組
成ケ有し、１０００℃以１・の温度で熱処理することに
より結晶化しうるカラス（２料にＡｔ、０３．　ＭｇＯ
−’Ａ、１２０．　。

Ａｌ、０３−８Ｉ０２．　ＺｒＯ，からなる１１＋より
選はれた少なくとも１種のセラミックス材料を重量％で
２０〜６０％の範、囲、反ひムライト（３Ａ＋、Ｏ，・
２ＳｉＯ，）を重量％で０．５〜６％の範囲で含む組成
を有することを特徴とする絶縁性セラミックさ一スト用
無機組成物を得る。

このような本瀦明の絶ｅイ性セラミックペースト用無機
組成物は、例えｖ」′次のような相料および方法ＶＣよ
って製造しｔｊｈる。すなわちガラスの調整（ｌご当っ
ては、目標組成になるよ５ｅこ各成分の原料を秤員して
バッチを、ｉｌ、＋１整し、この）・ッチン１４００−
１５００℃で１〜３時１山加熱しで熔解しカラス化する
。熔解カラスを水冷し、または厚い鉄根上に流しフレー
ク状に成形し付られたガラス片酊アルミナボールミルな
どで（ａわｊ末にし、平均粒ｉ１０．５〜４μｍのガラ
ス粉末をｉ４）る。

またセラミックス粉末は平均粒径０３〜５μｍ、ムライ
トの粒径は０．１７２μｍの微粉末が適当である。

前記方法で得られたガラス粉末に前Ｎ［ｒセラミックス
粉末を２０〜６０重亜％、ムライトを０５〜６Ｍ量％置
換して配合し、アルミナホールで１〜３時間湿式混合す
るなどしてガラス粉末とセラミックス粉末およびムライ
トとの均質な混合粉末、すなわち不発＋ｌｌｊの絶Ｒ件
セラミックペースト用無機糾放物を得る。

なおこの際用いられる原料粉末は明確化のだめ酸化物に
換算表記し、たが、鉱物、酸化物、炭酸塩、水酸化物な
どの形で通常の方法Ｋ“よ゛り使用されるのはり１論で
ある。

かくしで得られた本発明の粉末状無機組成物にビヒクル
を添加混合して例えは三本ロールミル等を用いて十分混
練し、均一に分散させて印刷に適した粘度を有する絶縁
性セラミックペーストを得る。なお本発明Ｖこおいてビ
ヒクルの成分については伺ら限定を妥しない。バ・ｒン
ターとじてはエチルセルロース、ホーリビニルフチラー
ルなどの通′畠用いられているもので十分であり、溶媒
を用いて５〜１５重忙％溶液とすると好都合である。溶
射、としては、βまたはαテルピネオール、・ｎ　＝　
７ナルカルビトールト、エナルカルビトールアセ７一トなどを即独庄たは２
神以上混合して用いるとよい。

次に本発明において絶縁性セ゛ラミックペースト用無機
糸１」放物のガラス粉末とセラミックス粉末、ムライト
との配合比、カラス粉末の組成について各々の範囲を特
許請求の範囲に記した如く限定した理由について述べる
。

′ます、本発明に係る絶縁セラミックペースト用無槓糾
放物の主成分の一つであるガラス粉末の組成について述
べれば、Ｓｉｎ２は、ガラスの不ツトソークラオーマー
であり、本発明のカラスを焼ｈｌｙ。

熱処理し結晶化したとき析出するケイカイ右（ＣｐＯ−
Ｓｉ０２　）　　結晶を構成する成分である。

ＳｉＯ２〈４０％ではガラスの軟化点が低くなり過き、
熱処理時結晶化する前にガラスが軟化しｌ！ｌＩＬ動し
過ぎる。Ｓ　Ｈ　０　２　）　６　５％では、ガラス化
が困難であると共に、結晶化のだめの熱処理温度が１０
’００℃を超える同温が必要となる。ＣａＯもまだ析出
するケイカイ右結晶を構成する成分である。ＣａＯり２
％では、ケイカイ石の析出する社が少なく、Ｉ）ｕ布１
６実装セラミック多層Ｊす′膜回路のメッキ法による導
体回路正に形成した絶縁被瞑ノ忙ｙｔ−！Ｉ−＜れが発
生して好ましくない。Ｃａｂ）１５％　では、耐酸性が
低下すると共にガラスが熔解時失透し易くなる。

ＰｂＯおよびＢ，０３は、ガラスのｊ：ｆ＋Ｍ時のフラ
ックスとじ工用いられる。Ｐｉ）０（５％，１３，０，
＜３％では、ガラスの熔解性が悪くなる。Ｐｂｅ）２０
％。

Ｂ，Ｏ，＞１８％　Ｔは、ガラスの軟化点が低くなり過
き、前処Ｊｌ！＋ｊ時、結晶化する前に軟化流動を起し
、ファインパターンの絶縁被膜〜の焼結形成が困難とな
る。

ＢａＯ及びＭ　ｇ　Ｏ　ｉｉ、ガラスの熔解性を１．ｉ
ｌ上略せうる。また絶縁層形成の際の西加熱によってガ
ラスの結晶化させるのに寄与すると共に緻荀・化に効果
がある。Ｂ　ａＯ’　（（１．　２％，　ＭｇＯ　＜　
０．　２　％では上記効果は小さい。ＢａＯ　）　１　
０％，　ＩＶｌｇＯ　＞、ｉ　０％では、ツノラスの熱
膨張係数が大きくなり過きたり、結・晶化のための前処
畦温腋が＋ｊ４　＜なり過ぎる。また緻■゛化を阻害し
たりする。

Ｎａ，Ｏおよびに２０は、ガラスの熔解性を向上させう
る。またガラスの軟化点を一ｉＩ４１展に制御するが限
度範囲以下では、その効果はなく、限度範囲を超えれは
耐酸性が劣化し好ましくない。

Ｔｉｅ，およびｚ「０，は、ガラスの結晶化を制御する
ために含有される。Ｔ　ｉ　Ｏ　、　（０．　５％，　
Ｚ　ｒ　０　２　（０．５％では、十分な結晶化が何ら
れない。Ｔｉｅ，）１０％。

ＺｒＯ，　）　１　５％では、ガラスが熔解時失透し易
くガラス化が困難となり好ましくない。

絶縁性セラミックペースト用無機組成物のもう一つの主
成分であるセラミックス粉末を前記ガラス粉末にｆＮＬ
＆シて配合することにより、ガラス粉末とセラミックス
粉末とからなる組成物の前処１１・νの結晶化の促進、
結晶化佐の残留カラスによる流動性及び絶縁層表面の発
泡の抑制、あるいは熱抵抗の低下、耐酸性、義冒化など
の効果を与えることができる。ガラス粉末に置換して配
合するセラミックス粉末をｊｋｕ比で２０％以下とする
と、絶縁層は緻密ではあるが、表面は発泡し易くなった
り、導体との密着性が低下したり、熱抵抗がより大きく
なったりして好ましくない。また６０％を超えれば、８
５０〜１０００℃の比較的低い温度では緻密な絶縁層は
得られず、ヒンホールが増加して絶縁性が低下する。

４ｊおセラミックス粉末としては、前記の如く種々ある
が、このうち、アルミナｆＡＩｔｏ３）　　は熱伝導率
の向い物′員であり、これをセラミックス粉末として用
いると、形成≧れた絶縁層の熱伝導率は、カラス卸体層
に比較し２〜４倍の太ききとなる。

特に、多層厚膜回路の商蜜度１ヒｆ＋−伸い、必然的に
放熱件の太きいフ１（（機絶縁層が幾求逃れ、その意味
においてアルミナの使用が好ましい。

絶縁性セラミックペースト用＞Ｉｔ＜　ｉ＝組成物とし
て前記ガラスもＹ末とセラミックス粉末とｔ配合し一〇
得られ、これを用いて１．ＩＩ柑度笑装セシミソク基板
の多層１’ｌ　ＩＩ’：４回路の絶縁１倍を形成り、ｆ
ｃ場合、絶縁性、耐酸性す、（十分である。またピンホ
ールの少ないね夕、蜜で比較的熱抵抗の小さい絶縁−被
ル４を得ることが出きる。しかし、メッキ法で形成した
ｍ体回路との％１ｌｉｔオＪ性が不十分でありまたふく
れ９ｔの発生がある。ムライト（３ＡＩ２０ｇ・２Ｓ＋
０２）は、前ｄじガラス粉末の一部を置換して添加し、
セラミックス粉末と配合することにより、ツノラス粉末
とセラミックス粉末およびムライトとからなる組成物の
熱処理の結晶化の促進、結晶化後の残留ガラスによる流
動性およびメッキ法による形成した導体上の絶縁層表面
の発成の抑制、あるいはメッキ法（でよる形成導体と絶
縁層とのＶＢ’着性向」に効果がある。

ガラス粉末に置換して添加配合するムライトを重量比で
（）、５％以下では添加効果はなく、また６％を超えれ
ば、形成した絶縁１層はピンホールが増加し゛Ｃ組密な
絶縁層ｉＪ得られず、絶縁性が低下して好まし２くない
。

以ｆ本発明の実施例を挙げ、それに八いてｌｌ’　＋ｔ
ｆｌｌに説明する。

実施例−１ｓｈｏ、　５６．０７重量％（以１単に％と表記）、Ｂ
、０．６．８％、　Ｐｂ０１６．６％、　Ｎ、１２０２
．３７　％　、　Ｊ（２０２，１７％、　ＭｇＯ０，４
１％、　ｃａｏ　５．４％、　１３ａＯｔ＋、２１％。

Ｔｉｅ、　４．４７％、　ＺｒＯ，４５，５％の組成を
有する力”　５　ス粉末を前記方法により製造し、更に
アルミ太ボールミルを用いアルコールを分散媒として１
６時時間式粉砕した。これを翫で整粒した俊アルコール
を乾燥させ平均粒径０．９１μｍの粒度を持つガラス粉
、仁を得た。セラミックス粉末は平均粒径３．０μｍの
粒度のアルミナ粉末を用いた。まだムライ）　ｆｄ平均
粒径０．３７μｍの粒度を持つ粉末を用いたニガラス粉
末とセラミック粉末とムライトとの配合比率はガラス粉
末４５％、セラミック粉末５４％、ムライト１％とし、
た。各々の粉末全所定排杆−冷し、７ノ、し、ミナポー
ルミルで分散媒とじてアルコールを用い３時間混合した
後、アルコールを乾燥させ均負なガラスセラミックス混
台粉禾を得だ。ビヒクルｔ」１．エチルセルロース５％
溶液とし溶媒にα−テルピネオールを用いた。ビヒクル
３０％、ガラスセラミックス混合ｋ　末７０％を三４゛
ｐ−ルミルを用いて十分混練し粉末をビヒクルに均一に
分散させペースト化り、た。

得られた絶縁性セラミックペーストの評価には、５０　
Ｘ　５０　ｘｏ、８曲ｔ９６％Ａｌ　２０３　、＆板に
Ａｔ＋　　金メツキ法でメタライズして一ト部電極とし
この上に本発明に調製した絶縁セラミ、クペーストをス
クリーンで塗布乾燥した後、９３０℃で３０分間電気炉
で焼結したものを用いた。焼結時の雰囲気は空気中で、
焼結サイクル（昇温、ピーク温度、降温、炉外取り出し
）は６０分であった。絶艮性セラミックペースト塗布乾
燥、焼結を２度繰り返し膜厚４０μｍの絶縁層を得た。

得られた絶縁層の表面にＡｕペーストを塗布乾燥し９３
０℃で８分間焼成して上部電極としだ。

これをＩ　ＭＨｚで測定した。銹翫率は８，４、誘電損
失は０．００１８、絶縁抵抗は５×１０　ΩＣｍ　（ａ
　ｔｌｏｏＶＤ、Ｃ）であった。

ピンホールの測定は、絶縁層中を流れる微弱なリーク電
流を測定するとピンホールが多い場合リーク電流が増加
し、逆にピンホールが少ない場合リーク電流は減少する
ことを利用した。方法は先ず、前記した本実施と同じ条
件でＡＩ、０．基板上に導体（Ａｌｌ）をメタライズし
その上に絶縁層のｊ換厚４０μｍを形成し、メタライズ
の一部を篭側とする。これをＮａＣ１５％水溶液（電解
液）に没消し、もう片方の電極は銅板にし同水溶液に浸
しＤＣＩＯＶ　　を印加してリーク電流を測定した。

リーク電流Ｑ、１．１５μＡであった。

メ、＝１導体（Ａｕ）との冒Ｘｉ性のｈ・ｒ（ｌＩｌｌ
ｔユ、ＡＩ、、０３基板上に本実Ｉ崩と回し条件で絶ｋ
）＜層のル＾Ｉ！７４０　ｐｍを形成しその上にメツ手
法によるＡＬＩ　電極４×４πｍを仮数個形成した。こ
の２！　樹上に銅製のコア（ネジ刊）をＩ　ｎ　／　Ｐ
　ｌ）ハンダで接層しこのコアにイ・ン付フックをイ・
ノ込んで引張り試験ノ識でｖｉｔ着強度を測定しに０平
均脣漸強度は２．１　Ｉ（ｙ／−であった。

ビヒクルの入らない上記ガラスセラミックス粉末を８０
０Ｉ＼ｙ　／　ｃｉ　′ｔ″加圧成形しこれ全電気〃」
で９３０℃−１０分間焼結して直径２０　ｍｍｌ！ニア
＠　ｌ　ｍｍの焼Ｍ体勿得た。これを画定し、熱伝導率
ｏ、ｏ　Ｃ１４６Ｃａ　＋／錦・ＳＣ＋ＣパＣの値を得
た。また前記、メッキによるＡｕ導体上に形成した絶縁
被膜層の発泡およびふくれは発イＪ＝、　ｔ、なかった
。

実施例−２Ｌ：ｌ　Ｉ　（Ｊ２　ｂ　９．４％、Ｂ２ｏ３１０．５
％、　ＰｂＯｌｏ、０％。

Ｎ２２Ｕ２．４％、　Ｋ２Ｏ２，２・ん、　ＭｇＯＯ，
４１％、　Ｃ２Ｑ５．４％。

Ｂａ０（１，２２％、　’］’ｉ０．４．４７％、　Ｚ
ｒＯ２５，５％の組成のガラスを平均粒径１．２μｍの
粉末粒度に調整したものを４３％と平均粒径２．３　ｐ
ｍのアルミソー粉末５４％と平均粒径０．３７μｍのム
ライトを３％とＫ・実施例１と同じ方法、同じ条件で混
合、乾仏・こ、ペースト化し、絶υ層を形成して諸ｑ４
性を３４・：定しだ。

その結果、訪′亀率８３、誘電損９：、０．００２５　
、絶縁抵抗３×１０　Ω儒（ａｔ　１００Ｖ’１）Ｃ）
、リーク電流５０μ人、密着怖度シ＋、　４　Ｋｌ　／
　ＺＩＮ　、熱伝導率０．００４４Ｃａｌ　７ｃｍ一方
・℃　であった。また絶縁被膜層の発泡およびふくれは
なかった。

実施例−３Ｓ　ｉ　０２５２．３％、　Ｂ、０，８．８％、　ＰＩ
）ＯＪ　（ｉ、６％。

Ｎａｔ　Ｏ２，３７％、　Ｋ２Ｏ２，０７％、　ＭｇＯ
（１，４１％、、Ｂａ００３１％、　’Ｉ’１０２７．
１４％、　ＺｒＯ２１０，０％の組成のガラスを常法で
製造した平均粒径（１７９／ＡｍのガラスＩＩＱ末４５
％と平均粒径］、５μｍのアルミナ粉末；５０％と平均
粒径０．３７μｍのムライトを５％とｋ　ｆ’ｉｄ合し
、これを実施例１と同じ方法、ＩＦｊじ張件−ｃｌ−ａ
合、乾燥、ペースト化して、９イ／！縁層の形成全行な
い諸ｔγ性を測定しだ。

そのｆτ、〜東、ｉ、秀′亀李８２２１語電損失０．０
０２８　、絶縁抵抗４×１０９ｃｍ（Ｂ　ｔ　Ｚｏｏ　
ＶＤＣ）、リーク電流１５０μＡ、密着強度２．５　Ｋ
ｇ　／　ｍｆ熱伝導率１１．００６５Ｃ２１／Ｃｎｌ　
−ｇａ　−”にであった。またメッキ導体（Ａｕ）上の
絶縁被服層の発泡およびふくれは認められなかった。

比較例１ガラス粉末およびセラミック粉末の組成および組成比、
粉末粒度等の諸条件を災節制１と同様になるように作製
した。カラス粉末４６％とアルミナ粉末５４％とを配合
し、ムライトを添加しない無機組成物を実施例１とＩ＋
１」じ方法、同じ条件で混合、ＭＬ燥、ペースト化して
絶縁層を形成し諸特性を測定した。

その結果、誘電率８，３、懇′６損失１１．００３８、
絶縁抵抗２．５×１０　Ωｃｉ＋、（ａｔ　　１００Ｖ
ＤＣ）、リーク電流４５μＡ−密着りＡｉ度ｌ・３　Ｋ
９／　ｙｕｊ＋、熱伝導率０．００４４Ｃａ　Ｉ　／ｃ
ｉｎ−ｊ＋ｅｃ　・”Ｃ”Ｔ：あった。またメッキ導体
（Ａｕ）上の絶縁層に発泡およびふくれが多数発生した
。

比較例２従来、）７膜積湘用絶縁ペーストは無機物に結晶化ガラ
スが用いられていた。例えば８ｉ０２５３％。

Ａｌ２Ｏ，３％、　Ｌｉ、０１７％、　ＭｇＯ１２％、
Ｚ「０□８４％。

Ｐ２Ｏ，１１，９％の組成比のガラス粉末のみである。

これを実施例１の方法、条件でペースト化し、塗布、焼
結して絶縁層を形成し、諸牛１性を測定した、その結果
、絶縁抵抗２×１０　Ωσ、熱伝道率＋１．００２２ｃ
ａｌ　／ｃｘ−ＦＪｅＣ・℃、リーク電流１２００μＡ
、密着強健０．４５ＫＰ／釈、Ｙであった。またメッキ
導体（Ａｕ　）上の絶縁被膜層は発泡及υふくれが１１
１（数発生した。

以上説明したように本発明の絶縁性セラミックペースト
用無機組成物を用いた結果は、従来の結晶化ガラス糸の
絶縁ペーストに比べ、メッキ嗜体（Ａｕ）上の絶縁被膜
層の発泡およびふくれの発生がなく、また絶縁層の緻密
性、密層性、熱伝導率がほれた絶縁ペーストの提供がｏ
、ｌ能とｌ′（す、ｊ￥膜多層電子回路の実装の尚密度
化、信ｂ１件の向」−に寄与することができる。

Claims

【特許請求の範囲】取：暇％表示で、ＳｒＯ□４０〜６５％、　　１）ｂ０５〜２０．％Ｊ３
２０，３〜１８％、　　　ＣａＯ：２−１５％Ｍｈｏ　
　０．２〜’１０％ｌ　Ｂ５００．２〜１０％Ｎ、］２
０１〜５％、　　　　Ｋ、０１〜５％Ｔｉｅ、　（１５
〜］　０％、　　Ｚ　ｒ　Ｏ２０，５＋７１５　％４−
合計１００％となるようにした組成を有するガラス月料
と、Ａｌ、０．、ｂ塘０・ＡＩ、０３．　ＡＩ、Ｏ，・
５ｉｎ２゜Ｚ　ｒ　（Ｊ　２からなる群より選ばれた１
柚以上のセラミックス材料をＭ　、Ｆｆｉ：％で２０〜
６０％の範１０（反びムライト（３Ａ１２０ｓ−２３Ｈ
Ｏ，）　、　、ｉ＠階％ｔ０．５〜６％の範囲で含む組
成を有することを特徴とする絶縁性セラミックメースト
用１１（Ｅ機絹成物。