JPS5948834B2 - 7−メトキシセフアロスポリン誘導体の製法 - Google Patents

7−メトキシセフアロスポリン誘導体の製法

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JPS5948834B2
JPS5948834B2 JP52106932A JP10693277A JPS5948834B2 JP S5948834 B2 JPS5948834 B2 JP S5948834B2 JP 52106932 A JP52106932 A JP 52106932A JP 10693277 A JP10693277 A JP 10693277A JP S5948834 B2 JPS5948834 B2 JP S5948834B2
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methyl
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哲夫 平岡
純一 中沢
外喜夫 斎藤
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    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups

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  • Cephalosporin Compounds (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は7ーメトキシセフアロスポリン誘導体の7位の
アシル交換反応に関するものである。
従来天然の7ーメトキシセフアロスポリン類の7位アシ
ル交換反応に関しては、シリル化剤の存在下必要なアシ
ルクロリドを作用せしめ、もとのアシル基を除去する方
法が知られている(ジヤーナル・オブ・ジ・アメリカン
・ケミカル・ソサイエティ、94巻、1410頁、19
72年、及び、←テトラヘドロン・レターズ、3979
頁、1975年)。しかしながらこの方法は、必要とす
るアシルクロリドが不安定であつたり或種のヘテロ環ア
シルクロリドの如く、カルボ7酸としては合成可能であ
るが、その酸クロリドは合成不可能という場合には適用
出来ないという欠点を有している。そこで本発明者等は
酸クロライドを使用せずカルボン酸又はカルボン酸の無
機、又は有機塩を用いるアシル交換法につき検討を重ね
た結果、一般的カルボン酸につき広く適用可能な方法を
見出し本発明を完成した。本発明は一般式 (式中、R1はカルボキシル基の保護基を示し、R2は
アミノ基の保護基、R3は水素、アシルオ●キシ基、複
素環チオ基を示す)を有する化合物をハロゲン化剤と反
応せしめ式(式中、Xはハロゲン原子を、Rl,R2,
R3は前述と同一意義を有す)を有するイミノハライド
化合物を得、後一般式( (R4はカルボン酸残基を示
し、Mはアルカリ金属、アルカリ土類金属又は有機第三
級アミンを示す)を有する化合物を作用せしめ一般式(
式中、Rl,R2,R3,R4は前述と同一意義を有す
)を有する化合物を得、次いでもとのアミノアジポィル
基を除去することにより一般式(式中、Rl,R3,R
4は前述と同一意義を有す)を有する7ーメトキシセフ
アロスポリン誘導体の製造方法に関するものである。
本発明方法の出発物質として好適に用いられるものは、
前記一般式(1)に於てR1が容易に除去出来るカルボ
ン酸の保護基、例えばベンジル、パラニトロベンジル、
パラメトキシベンジル、ベンズヒドリル、フエナシル、
パラプロモフエナシル、β,β,βトリクロロエチル、
メトキシメチル、トリメチルシリル、アセチル、モノク
ロロアセチル、ベンゾイル等であり、R2は同じく窒素
の保護基、例えばβ,β,βトリクロロエトキシカルボ
ニル、ターシヤリーブトキシカルボニル、ベンジルオキ
シカルボニル、パラメトキシベンジルオキシカルボニル
、パラニトロベンジルオキシカルボニル、ベンズヒドリ
ルオキシカルボニル、ベンゼンスルホニル、パラメチル
ベンゼンスルホニル、メタンスルホニル、ベンゾィル、
アセチル、モノクロロアセチル等である。
R3は水素、アシルオキシ、異項環チオ基、例えばチア
ジアゾールチオ基、メチルチアジアゾールチオ基、テト
ラゾールチオ基、メチルテトラゾールチオ基、等である
。本発明の反応の第一工程は前記一般式(1)をクロロ
ホルム、ジクロロメタン、ベンゼンの如き不活性溶剤中
、ハロゲン化剤、例えば5塩化燐、5臭化燐、チオニル
クロリド等を作用せしめる。反応温度に特に限定はない
が−60乃至60℃の範囲で行なわれる。反応時間は1
0分乃至3時間で終了し、前記一般式()で示されるイ
ミノハライドが生成する。この反応においては有機3級
アミン、例えばキノリン、ピリジン、ジメチルアニリン
、ジエチルアニリン等を使用すると好結果を与える。か
くして得られた化合物(1)は単離精製も可能ではある
が、水と徐々に反応する為、通常は単離することなく次
の反応に使用される。本発明の第二工程は第一工程で得
られた前記一般式()のイミノハライドに式R4−CO
OM(R4は前述と同一意義を有す)を有するカルボン
酸を作用せしめる工程である。反応はクロロホルム、ジ
クロロメタン、ベンゼン、テトラヒドロフラン、ジオキ
サン等の不活性溶剤中で行なわれる。反応は−30乃至
100℃にて30分乃至3時間にて終了し、前記一般式
(1Dで示される三級アミドが得られる。かくして得ら
れた式(l])を有する化合物を単離するには反応終了
後、反応混合物を水にあけ、水と混和しない有機溶剤で
抽出する。抽出液は水洗、硫酸ナトリウムで乾燥後、溶
剤を留去し、残留物を再結晶又はクロマトグラフィ一に
て精製する。本発明の最終工程は前第二工程で得られた
式帥を有する三級アミド体のアミノアジポイル残基を除
去し、目的化合物(5)を得る工程である。
この反応の試薬及び反応条件は前第二工程で新しく導入
したR4−COグループの種類により夫々異なる。最も
一般的な条件は窒素の保護基R2を除去し遊離のアミン
を得ることによりアミノアジポィル基の除去も遂行され
る。又R4の種頽によつては、酸性条件、例えばトリフ
ルオロ酢酸処理、又はPHを0.5〜1にするか、或い
はγルカリ条件、例えばPHを8〜9にすることにより
アミノアジポイル基の除去が達成される。又、R4の種
類によつては、チオフエノール、低級アルキルメルカプ
タンの如き求核性試剤が使用される。いずれの条件を選
択するかはR4の種類により当該技術に精通した者がえ
らぶことが出来る。本発明により得られる前記一般式(
IV)で得られる化合物は医薬品として使用される場合
はR4を除去してセフアロスポリン核の4位をカルボン
酸とし、これを医薬的に適用する塩の型で使用される。
一般式(5)で示される化合物の好適のものとしてはR
l,R3,R4の好適な基をもつ化合物である。そして
特に好適なものとしては次の化合物を挙げることができ
る。7β−(イミダゾール−2−イル)チオアセトアミ
ドー7α−メトキシ−3−(1−メチル−1H−テトラ
ゾール−5−イル)チオメチル−3−セフエム一4−カ
ルボン酸、7β−(1,3,4−チアジアゾール一2−
イル)チオアセトアミドー7α−メトキシ−3−(1−
メチル−1H−テトラゾール−5−イル)チオメチル−
3−セフエム一4−カルボン酸、7β−(3−イソオキ
サゾリルオキシ)アセトアミドー7α−メトキシ−3−
(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イル)チオメ
チル−3−セフエム一4−カルボン酸、7β−プロパル
ギルチオアセトアミドー7α−メトキシ−3−(1−メ
チル−1H−テトラゾール−5−イル)チオメチル−3
−セフエム一4−カルボン酸、7β−シアノメチルチオ
アセトアミドー7α−メトキシ−3−(1−メチル−1
H−テトラゾール−5−イル)チオメチル−3−セフエ
ム一4−カルボン酸、7β−(5−メチル−1,3,4
−チアジアゾール一2−イル)チオアセトアミドー7α
−メトキシ−3−(1−メチル−1H−テトラゾール−
5−イル)チオメチル−3ーセフエム一4−カルボン酸
、7β−シアノメチルチオアセトアミドー7α−メトキ
シ−3−アセトキシメチル−3−セフエム一4−カルボ
ン酸、7β−アジドメチルチオアセトアミドー7α−メ
トキシ−3−アセトキシメチル−3−セフエム一4−カ
ルボン酸、7β−(1,′3,4−チアジアゾール一2
−イル)チオアセトアミドー7α−メトキシ−3−アセ
トキシメチル−3−セフエム一4−カルボン酸、7β−
プロパルギルチオアセトアミドー7α−メトキシ−3−
アセトキシメチル−3−セフエム一4−カルボン酸、7
β−(イミダゾール−2−イル)チオアセトアミドー7
α−メトキシ−3−アセトキシメチル−3−セフエム一
4−カルボン酸、7β−(3−イソオキサゾリルオキシ
)アセトアミドー7α−メトキシ−3−アセトキシメチ
ル−3−セフエム一4−カルボン酸、7β−(3−イソ
オキサゾリル)チオアセトアミドー7α−メトキシ−3
−アセトキシメチル−3−セフエム一4−カルボン酸、
7β−メタンスルホニルアセトアミドー7・α−メトキ
シ−3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イル
)チオメチル−3−セフエム一4−カルボン酸、7β一
エタンスルホニルアセトアミドー7α−メトキシ−3−
(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イル)チオメ
チル−3−セフエム一4−カルボン酸、7β−(Z−カ
ルボキシエチルチオ)アセトアミドー7α−メトキシ−
3(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イル)チオ
メチル一3−セフエム一4−カルボン酸、7β−クロロ
アセトアミドー7α−メトキシ−3(1−メチル−1H
−テトラゾール−5−イル)チオメチル−3ーセフエム
一4−カルボン酸、7β−(α一カルバモイルアミノ一
2−チエニルアセトアミド)−7α−メトキシ−3−(
1−メチル−1H−テトラゾール−5−イル)チオメチ
ル−3−セフエム一4−力火ホン酸、7β一トリフルオ
ロメチルチオアセトアミドー7α−メトキシ−3(1−
メチル−1H−テトラゾール−5−イル)チオメチル−
3−セフエム一4−カルボン酸、等である。
次に本発明の具体例をあげ更に詳細に説明するが、この
実施例によつて本発明は何ら限定されるものではない。
実施例 1 7α−メトキシー7β−フエニルアセトアミド一3−メ
チル−3−セフエム一4−カルボン酸クロロホルム2.
0wL1に5塩化リン1257n1を溶解し、これにキ
ノリン0.157n1を加える。
ここに得られたキノリン−5塩化リンコンプレツクスの
懸濁液を−50〜−30℃に冷却した後、7α−メトキ
シー7β−(5′−ジフエニルメチルオキシカルボニル
ーゴーターシヤリーブトキシカルボニルアミノーバレル
アミド)−3−メチル−3−セフエム一4−カルボン酸
ベンズヒドリルエステル410〜をクロロホルム2.5
7!Llに溶解した溶液を加え−20〜−30℃で4時
間攪拌する。次にこの反応混合物にフエニル酢酸カリ6
97〜を−20〜−10℃で添加した後、冷却浴をとり
室温にもどす。次いで反応混合物を35〜40℃で2時
間攪拌した後、酢酸エチル407n1を加え、順次飽和
食塩水、10%塩酸水、飽和食塩水、重曹水、飽和食塩
水で洗浄する。硫酸ナトリウムで乾燥後、有機溶剤を留
去すると黄色油状物が得られる。これを薄層クロマトグ
ラフィ一にて精製すると7β−〔(N−フエニルアセチ
ル)5′−ジフエニルメチルオキシカルボニルーゴータ
ーシヤリーブトキシカルボニルアミノバレリルアミノ〕
−7α−メトキシ−3−メチル−3−セフエム一4−カ
ルボン酸 ベンズヒドリルエステルが160η得られる
。かくして得られたジアシル化合物をアニソール0.1
67!Llに溶解し、この溶液をO〜−5℃に冷却しト
リフルオロ酢酸0.87n1を加える。
10分間室温で攪拌を続けた後、反応液を減圧濃縮する
。
残査をエーテル20m1で洗い、エーテルを傾しやして
除く。ここに得られた残査に、酢酸エチル50d110
%リン酸水素二ナトリウム40dを加えよく撹拌抽出後
、水層を分離する。これに酢酸エチル60Tn1を加え
た後、60%リン酸溶液にてPHを2.0に調整する。
酢酸エチル層を分液し、水層を更に3回酢酸エチルで抽
出する。抽出酢酸エチルをあわせて、硫酸ナトリウムで
乾燥し減圧濃縮する。残査を酢酸エチルに溶解し、シク
ロヘキサンで再沈殿を行なうと、7α−メトキシー7β
−フエニルアセトアミド一3−メチル−3−セフエム一
4−カルボン酸が、白色粉末として得られる。実施例
2 7β−シアノメチルチオアセトアミドー7α−メトキシ
−3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イル)
チオメチル−3−セフエム一4−カルボン酸クロロホル
ム4.0m1に5塩化リン150ηを溶解しこれにキノ
リン0.3dを加える。
ここに得られた懸濁液に−30℃で7α−メトキシー7
β−(5′−ジフエニルメチルオキシカルボニルーゴー
ターシヤリーブトキシカルボニルアミノーバレルアミド
)−3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イル
)チオメチル−3−セフエム一4−カルボン酸ベンズヒ
ドリルエステル934〜をクロロホルム5m1に溶解し
た溶液を加え、−20〜−30℃で3時間撹拌する。つ
ぎにこの反応混合物にシアノメチルチオ酢酸カリ1.3
5fを加え反応温度を室温にもどし、ついで40℃に2
時間加温する。反応混合物に酢酸エチルを加え、5%塩
酸、飽和重曹水、飽和食塩水にて洗い、硫酸ナトリウム
で乾燥する。有機溶媒を減圧で留去し、油状の残留物を
10m1,のクロロホルムに溶解し0℃に冷却し1m1
のトリフルオロ酢酸を加える。O℃で20分撹拌した後
、減圧で反応混合物を蒸発乾固し残留物をリン酸水素二
ナトリウム水溶液(PH8)で抽出し、酢酸エチルで洗
つた後、水層を5%塩酸水でPH2として酢酸エチルで
抽出する。硫酸ナトリウムで乾燥後、溶剤を留去し残留
物をシリカゲル薄層クロマトグラフィ一にて精製すると
7β−シアノメチルチオアセトアミドー7α−メトキシ
−3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イル)
チオメチル−3−セフエム一4−カルボン酸が得られる
。実施例 3 7β−クロロアセトアミドー7α−メトキシ−3−(1
−メチル−1H−テトラゾール−5−ィル)チオメチル
−3−セフエム一4−カルボン酸クロロホルム4.0m
1に5塩化リン150m1を溶解しこれにキノリン0.
3m1を加える。
ここに得られた懸濁液に−30℃で7α−メトキシー7
β−(5′−ジフエニルメチルオキシカルボニルーダー
ターシヤリーブトキシカルボニルアミノーバレルアミド
)−3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イル
)チオメチル−3−セフエム一4−カルボン酸ベンズヒ
ドリルエステル934ηをクロロホルム5m1に溶解し
た溶液を加え、−20〜−30℃で3時間撹拌する。つ
ぎにこの反応混合物にモノクロロ酢酸ナトリウム932
ηを加え反応温度を室温にもどしついで40℃に2時間
加温する。反応混合物に酢酸エチルを加え、5%塩酸、
飽和重曹水、飽和食塩水にて洗い、硫酸ナトリウムで乾
燥する。有機溶媒を減圧で留去し、油状の残留物を10
m1のクロロホルムに溶解しO℃に冷却し1w11,の
トリフルオロ酢酸を加える。0℃で20分撹拌した後、
減圧で反応混合物を蒸発乾固し残留物をリン酸水素二ナ
トリウム水溶液(PH8)で抽出し、酢酸エチルで洗つ
た後、水層を50t)塩酸水でPH2として酢酸エチル
で抽出する。
硫酸ナトリウムで乾燥後、溶剤を留去し残留物をシリカ
ゲル薄層クロマトグラフィ一にて精製すると7β−クロ
ロアセトアミドー7α−メトキシ−3−(1−メチル−
1H−テトラゾール−5−イル)チオメチル−3−セフ
エム一4−カルボン酸が得られる。実施例 4 7β−シアノメチルチオアセトアミドー7αーメトキシ
−3−アセトキシメチル−3−セフエム一4−カルボン
酸クロロホルム4.07T11に5塩化リン150〜を
溶解しこれにキノリン0.3m1を加える。
ここに得られた懸濁液に−30℃で7α−メトキシー7
β−(5′−ジフエニルメチルオキシカルボニルーゴー
ターシヤリーブトキシカルボニルアミノーバレルアミド
)−3−アセトキシメチル−3−セフエム一4−カルボ
ン酸ベンズヒドリルエステル878〜をクロロホルム5
m1に溶解した溶液を加え、一20〜−30℃で3時間
攪拌する。つぎにこの反応混合物にシアノメチルチオ酢
酸カリ1.357を加え反応温度を室温にもどしついで
40℃に2時間加温する。反応混合物に酢酸エチルを加
え、5%塩酸、飽和重曹水、飽和食塩水にて洗い、硫酸
ナトリウムで乾燥する。
有機溶媒を減圧で留去し、油状の残留物を10m1のク
ロロホルムに溶解し00C.に冷却し、1m1のトリフ
ルオロ酢酸を加える。O′Cで20分攪拌した後、減圧
で反応混合物を蒸発乾固し残留物をリン酸水素二ナトリ
ウム水溶液(PH8)で抽出し、酢酸エチルで洗つた後
、水層を5%塩酸水でPH2として酢酸エチルで抽出す
る。硫酸ナトリウムで乾燥後、溶剤を留去し残留物をシ
リカゲル薄層クロマトグラフィ一にて精製すると7P−
シアノメチルチオアセトアミド− 7a−メトキシ−3
−アセトキシメチル−3−セフエム一4−カルボン酸が
得られる。核磁気共鳴スペクトル(CD3CN)7)P
pm:2.02(3H,一重線), 3.32.−3.55(2H,四重線),3.47(2
H,一重線),3.52(3H,一重線),3.60(
2H,一重線), 4.79〜5.06(2H,四重線), 5.06(1H,一重線)。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1はカルボキシル基の保護基を示し、R^
    2はアミノ基の保護基を示し、R^3は水素、アシルオ
    キシ基、複素環チオ基を示す)を有する化合物をハロゲ
    ン化剤と反応せしめ式▲数式、化学式、表等があります
    ▼ (式中Xはハロゲン原子を、R^1、R^2、R^3は
    前述と同一意義を有す)を有する化合物を得、次いで、
    一般式R^4−COOM (R^4はカルボン酸残基を示し、Mはアルカリ金属、
    アルカリ土類金属又は有機第三級アミンを示す)を有す
    る化合物を作用せしめ、一般式▲数式、化学式、表等が
    あります▼(式中、R^1、R^2、R^3、R^4は
    前述と同一意義を有す)を有する化合物を得、次いでも
    とのアミノアジポイル残基を除去することを特徴とする
    、一般式▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1、R^3、R^4は前述と同一意義を有
    す)を有する7−メトキシセフアロスポリン誘導体の製
    造法。
JP52106932A 1977-09-06 1977-09-06 7−メトキシセフアロスポリン誘導体の製法 Expired JPS5948834B2 (ja)

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