JPS6117590A - セフアロスポリン化合物の製法 - Google Patents
セフアロスポリン化合物の製法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D501/00—Heterocyclic compounds containing 5-thia-1-azabicyclo [4.2.0] octane ring systems, i.e. compounds containing a ring system of the formula:, e.g. cephalosporins; Such ring systems being further condensed, e.g. 2,3-condensed with an oxygen-, nitrogen- or sulfur-containing hetero ring
- C07D501/14—Compounds having a nitrogen atom directly attached in position 7
- C07D501/16—Compounds having a nitrogen atom directly attached in position 7 with a double bond between positions 2 and 3
- C07D501/20—7-Acylaminocephalosporanic or substituted 7-acylaminocephalosporanic acids in which the acyl radicals are derived from carboxylic acids
- C07D501/24—7-Acylaminocephalosporanic or substituted 7-acylaminocephalosporanic acids in which the acyl radicals are derived from carboxylic acids with hydrocarbon radicals, substituted by hetero atoms or hetero rings, attached in position 3
- C07D501/38—Methylene radicals, substituted by nitrogen atoms; Lactams thereof with the 2-carboxyl group; Methylene radicals substituted by nitrogen-containing hetero rings attached by the ring nitrogen atom; Quaternary compounds thereof
- C07D501/46—Methylene radicals, substituted by nitrogen atoms; Lactams thereof with the 2-carboxyl group; Methylene radicals substituted by nitrogen-containing hetero rings attached by the ring nitrogen atom; Quaternary compounds thereof with the 7-amino radical acylated by carboxylic acids containing hetero rings
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61P—SPECIFIC THERAPEUTIC ACTIVITY OF CHEMICAL COMPOUNDS OR MEDICINAL PREPARATIONS
- A61P31/00—Antiinfectives, i.e. antibiotics, antiseptics, chemotherapeutics
- A61P31/04—Antibacterial agents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセファロスポリンにおけるまたはそれに関する
改良に関する。より詳しくは本発明はセファロスポリン
抗生物質でおるセフタジブイムの製造法に関する。・ セフタジブイムである[ (6R,7R) −7−[(
Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−
(2−カルボキシプロプ−2−オキシイミノ)アセトア
ミド)−3−(1−ピリジニウムメチル)セフ−6−エ
ム−4−カルボキシレート)は広いスペクトルの活性、
特に、英国特許第2,025,598号明細書に記載さ
れるように、Vニードモナス(P8eudomonas
)細菌を含むグラム陰性細菌に対し並はずれた高い活性
を有する価値ある抗生物質である。
改良に関する。より詳しくは本発明はセファロスポリン
抗生物質でおるセフタジブイムの製造法に関する。・ セフタジブイムである[ (6R,7R) −7−[(
Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−
(2−カルボキシプロプ−2−オキシイミノ)アセトア
ミド)−3−(1−ピリジニウムメチル)セフ−6−エ
ム−4−カルボキシレート)は広いスペクトルの活性、
特に、英国特許第2,025,598号明細書に記載さ
れるように、Vニードモナス(P8eudomonas
)細菌を含むグラム陰性細菌に対し並はずれた高い活性
を有する価値ある抗生物質である。
半合成セファロスポリンは適当な7−アミノセフアロス
ボリンを予め形成された7−置換基を導入しうる化合物
でアシル化することによるか、または6−位での修飾1
例えば3−アシルオキシメチル−または6−バロメチル
ーセフアロスポリンと、所望の3−置換基を導入するた
めの求核基この反応により好都合に製造されうる。これ
ら一般的方法はセフタジブイムの製造についての英国特
許第2,025,398号明細書に記載されている。
ボリンを予め形成された7−置換基を導入しうる化合物
でアシル化することによるか、または6−位での修飾1
例えば3−アシルオキシメチル−または6−バロメチル
ーセフアロスポリンと、所望の3−置換基を導入するた
めの求核基この反応により好都合に製造されうる。これ
ら一般的方法はセフタジブイムの製造についての英国特
許第2,025,398号明細書に記載されている。
今、セフタジブイムの7−置換基における2−カルボキ
シプロプ−2−イル部分が合成の最終的な主要化学段階
としてエーテル化反応によシ導入されることからなるセ
フタジブイム、およびその塩訃よび保臆された誘導体の
製造法が考案された。
シプロプ−2−イル部分が合成の最終的な主要化学段階
としてエーテル化反応によシ導入されることからなるセ
フタジブイム、およびその塩訃よび保臆された誘導体の
製造法が考案された。
それゆえ本発明の一局面によれば一般式I口1
(式中R1はアミノまたは保護されたアミノ基であり%
R2は水素またはカルボキシル保護基であり、Bは〉S
または〉S→0でありそして点線はその化合物がセフ−
2−エムまたはセフ−5−エム化合物であることを示す
)を有する化合物または4−位に式−COOR& (式
中R5はカルボキシル保護基である)を有する基を有し
そして会合陰イオンAθを有する相当する化合物および
それらの塩およびエステルを製造するに白丸式M(式中
R1,Bおよび点線社前記定義のとお夛である)を有す
る化合物または会合陰イオンAeと一緒に、4−位に弐
〇!0OR5(式中R3は前記定義のとおシである)を
有する基を有すや相当する化合物またはその塩を、エー
テル化基 H3 −C−COOR2 H3 を導入させうる試薬と反応きせることからなる方法が提
供される、 エーテル化基を導入させうる試薬は例えば式■H3 Y、C−COOR2(Ill) H5 (式中Yは離脱基特にへロゲン1例えば塩素。
R2は水素またはカルボキシル保護基であり、Bは〉S
または〉S→0でありそして点線はその化合物がセフ−
2−エムまたはセフ−5−エム化合物であることを示す
)を有する化合物または4−位に式−COOR& (式
中R5はカルボキシル保護基である)を有する基を有し
そして会合陰イオンAθを有する相当する化合物および
それらの塩およびエステルを製造するに白丸式M(式中
R1,Bおよび点線社前記定義のとお夛である)を有す
る化合物または会合陰イオンAeと一緒に、4−位に弐
〇!0OR5(式中R3は前記定義のとおシである)を
有する基を有すや相当する化合物またはその塩を、エー
テル化基 H3 −C−COOR2 H3 を導入させうる試薬と反応きせることからなる方法が提
供される、 エーテル化基を導入させうる試薬は例えば式■H3 Y、C−COOR2(Ill) H5 (式中Yは離脱基特にへロゲン1例えば塩素。
臭素または沃素、サルフェート、tた゛はヒドロカルビ
ルスルホニルオキv例りばメタンスルホニルオキシまた
はp−トルエンスルホニルオキV基であシ、そしてR2
は前記定義のとおりである)を有する基であシうるゎ 式IまたはHな有する化合物と会合し9る陰イオンAθ
は有機または無機醗例えばアルキル−、アリール−また
はアラルギル−カルボン酸または−スルホン酸または鉱
酸から誘導されうる。
ルスルホニルオキv例りばメタンスルホニルオキシまた
はp−トルエンスルホニルオキV基であシ、そしてR2
は前記定義のとおりである)を有する基であシうるゎ 式IまたはHな有する化合物と会合し9る陰イオンAθ
は有機または無機醗例えばアルキル−、アリール−また
はアラルギル−カルボン酸または−スルホン酸または鉱
酸から誘導されうる。
かかる酸の例には蟻酸、トリフルオロ酢酸、メタンスル
ホン酸、p−トルエンスルホン酸、塩醗、臭化水素酸、
燐酸および硫駿が包含される。
ホン酸、p−トルエンスルホン酸、塩醗、臭化水素酸、
燐酸および硫駿が包含される。
エーテル化反応は有機媒体中で、好都合には−50℃〜
+100℃好ましくは0〜50℃で遂行されうる、 使用されうる反応媒体の例には、エーテル例えばテトラ
ヒドロフランまたはジオキサンのような環状エーテル%
またはジエチルエーテルまたはジグリムのような非環式
エーテル、アミド例えばN、N−ジメチルホルムアミド
、 N、N−ジメチルアセトアミドまたはへキサメチル
ホスホルアミド、低級ケトン例えばアセトン、ニトリル
例えばアセトニトリル、ニトロアルカン例えにニトロメ
タン、スルホキシド例エバジメチルスルホキシド、スル
ホン例えばスルホラン、炭化水素例えばベンゼンまたは
ヘキサン、およびエステル例えば酢酸エチル、ならびに
かかる溶媒の混合物が包含される。反応媒体は幾分かの
水を含有しうるが、しかし無水であるのが好ましい。
+100℃好ましくは0〜50℃で遂行されうる、 使用されうる反応媒体の例には、エーテル例えばテトラ
ヒドロフランまたはジオキサンのような環状エーテル%
またはジエチルエーテルまたはジグリムのような非環式
エーテル、アミド例えばN、N−ジメチルホルムアミド
、 N、N−ジメチルアセトアミドまたはへキサメチル
ホスホルアミド、低級ケトン例えばアセトン、ニトリル
例えばアセトニトリル、ニトロアルカン例えにニトロメ
タン、スルホキシド例エバジメチルスルホキシド、スル
ホン例えばスルホラン、炭化水素例えばベンゼンまたは
ヘキサン、およびエステル例えば酢酸エチル、ならびに
かかる溶媒の混合物が包含される。反応媒体は幾分かの
水を含有しうるが、しかし無水であるのが好ましい。
エーテル化は一般にヒドロキシム官能基から陰イオンを
生成させうる薬剤、および/または酸結合剤として、例
えば塩基例えばアルカリ金属の炭酸塩(例えばナトリウ
ム、カリウムまたはリチウムの炭酸塩)、水素化物(例
えばナトリウム、カリウムまたはリチウムの水素化物)
。
生成させうる薬剤、および/または酸結合剤として、例
えば塩基例えばアルカリ金属の炭酸塩(例えばナトリウ
ム、カリウムまたはリチウムの炭酸塩)、水素化物(例
えばナトリウム、カリウムまたはリチウムの水素化物)
。
アルコキサ′イド(例えばナトリウム、カリウムまたは
リチウムの第三ブトキサイド)、ジアルキルアミド(例
えばリチウムジイソプロピルアミド)またはジシリルア
ミド、の存在下に実施される。式■の化合物が酸付加塩
の形態で使用される場合は、塩基は問題の酸を速やかに
中和するに充分な量にて存在すべきである。塩基は求核
度の低いものが好ましい。
リチウムの第三ブトキサイド)、ジアルキルアミド(例
えばリチウムジイソプロピルアミド)またはジシリルア
ミド、の存在下に実施される。式■の化合物が酸付加塩
の形態で使用される場合は、塩基は問題の酸を速やかに
中和するに充分な量にて存在すべきである。塩基は求核
度の低いものが好ましい。
エーテル化反応は単一の液相中でまたは2種の液相反応
媒体中で遂行されうる。二相糸が用いられる場合反応は
一般にクラウンエーテル(すなわち大環状ポリエーテル
)の工うな相転移試薬と一緒に塩基例えばアルカリ金属
炭酸塩またはアルカリ金属水酸化物の存在下に実施され
る。
媒体中で遂行されうる。二相糸が用いられる場合反応は
一般にクラウンエーテル(すなわち大環状ポリエーテル
)の工うな相転移試薬と一緒に塩基例えばアルカリ金属
炭酸塩またはアルカリ金属水酸化物の存在下に実施され
る。
クラウンエーテルは例えば接合して積を形成するフェニ
ルまたはりクロヘキシル基により置換されていることが
できる多数のエチレンオキシ単位を例えば含有し9る、
か、かる試薬の例には18−クラウン−6(6個のエチ
レンオキシ単位を含有)例えばジベンゾ−またはジシク
ロへキシル−18−クラウン−6、および15−クラウ
ン−5(5個のエチレンオキシ単位を含有)が包含され
る。好ましい二相媒体は水/ジクロロメタンである。
ルまたはりクロヘキシル基により置換されていることが
できる多数のエチレンオキシ単位を例えば含有し9る、
か、かる試薬の例には18−クラウン−6(6個のエチ
レンオキシ単位を含有)例えばジベンゾ−またはジシク
ロへキシル−18−クラウン−6、および15−クラウ
ン−5(5個のエチレンオキシ単位を含有)が包含され
る。好ましい二相媒体は水/ジクロロメタンである。
エーテル化反応に続き必要ならばおよび/または所望の
場合は、最初に形成された式Iを有する化合物を例えば
下記の反応すなわち。
場合は、最初に形成された式Iを有する化合物を例えば
下記の反応すなわち。
(+) BがンS→0である化合物のBが〉8である
化合物への還元、 (11)Δ2−異性体のΔ5−異性体への変換。
化合物への還元、 (11)Δ2−異性体のΔ5−異性体への変換。
伽)任意のカルボキVル保譲基またはアミン保護基の除
去、および (IV) 無毒性の塩または無毒性の代謝上不安定な
エステルの形成。
去、および (IV) 無毒性の塩または無毒性の代謝上不安定な
エステルの形成。
01種類またはそれ以上によシ異なる式■“の化金物に
変換嘔せうる。
変換嘔せうる。
これらの反応は慣用の方法によりそして任意の好都合な
順序で遂行されうる。
順序で遂行されうる。
すなわち、所望の場合は、本発明の方法によシ得られた
Δ2−セファロスポリンは1例えば。
Δ2−セファロスポリンは1例えば。
Δ2−エステルをピリジンまた位トリエチルアミンのよ
うな塩基で処理することにより相邑するΔ6−誘導体に
変換されうる。
うな塩基で処理することにより相邑するΔ6−誘導体に
変換されうる。
セフ−2−エム反応生成物線また例えば過酸。
例えば過酢!!またはm−クロロ過安息香豪との反応に
より酸化されて相当するセフ−3−エム1−オキサイド
を生成しうる。得られるスルホキサイドは次に後記する
ようにして還元されて相補するセフ−3−エムスルフイ
ツトを生成しうる。
より酸化されて相当するセフ−3−エム1−オキサイド
を生成しうる。得られるスルホキサイドは次に後記する
ようにして還元されて相補するセフ−3−エムスルフイ
ツトを生成しうる。
式1(式中Bはン8→0である)を有する化合物が得ら
れる場合、これは所望の場合は例えば。
れる場合、これは所望の場合は例えば。
アセトキシスルホニウム塩の場合は例えばアセチルクロ
ライドと反応させることによりその場で調製される相当
するアシルオキシスルホニウム塩、またはアルコキンス
ルホニウム塩を還元することにヨシ相当するスルフイツ
トに変換できる。還元は例えば、溶媒例えば酢酸、アセ
トン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルホル
ムアミドまたはジメチルアセトアミド中で亜ジチオン酸
ナトリウムによpまたは沃化カリウム溶液中におけるヨ
ーダイトイオンによル遂行される。反応は一り0℃〜+
50Cで遂行されうる。
ライドと反応させることによりその場で調製される相当
するアシルオキシスルホニウム塩、またはアルコキンス
ルホニウム塩を還元することにヨシ相当するスルフイツ
トに変換できる。還元は例えば、溶媒例えば酢酸、アセ
トン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルホル
ムアミドまたはジメチルアセトアミド中で亜ジチオン酸
ナトリウムによpまたは沃化カリウム溶液中におけるヨ
ーダイトイオンによル遂行される。反応は一り0℃〜+
50Cで遂行されうる。
一般式Iを有する化合物中またはここに記載される任意
の中間体に存在しりるカルボキシル保護基Fi、肖業上
知られた任意の慣用のカルボキシル保護基であシうる。
の中間体に存在しりるカルボキシル保護基Fi、肖業上
知られた任意の慣用のカルボキシル保護基であシうる。
代表的な保護されたカルボキシル基の一覧表は英国特許
第1,399,086号に包含されそいる。カルボキシ
ル保護基は例えば好ましくは1〜20個の炭素原子を含
有するエステル形成性の脂肪族または芳香脂肪族アルコ
ールまたはエステル形成性フェノール、シラノールまた
はスタンナノールの残基でありうる。従って好都合に使
用されうるカルボキシル保護基にはアリール低級アルキ
ル基例えばp−メトキシベンジル、p−ニトロベンジル
およびジフェニルメチル、低級アルキル基例えば第三ブ
チル、低級へロアルキル基Hkば2,2.2− )リク
ロロエチル、およびトリ(低iフルキ/I/)シリル基
例えばトリメチルシリルが包含される。
第1,399,086号に包含されそいる。カルボキシ
ル保護基は例えば好ましくは1〜20個の炭素原子を含
有するエステル形成性の脂肪族または芳香脂肪族アルコ
ールまたはエステル形成性フェノール、シラノールまた
はスタンナノールの残基でありうる。従って好都合に使
用されうるカルボキシル保護基にはアリール低級アルキ
ル基例えばp−メトキシベンジル、p−ニトロベンジル
およびジフェニルメチル、低級アルキル基例えば第三ブ
チル、低級へロアルキル基Hkば2,2.2− )リク
ロロエチル、およびトリ(低iフルキ/I/)シリル基
例えばトリメチルシリルが包含される。
式IO化合物またはその中間体中に存在するアミノ保護
基は好都合には反応順序の適当な段階で容易に除去され
うる基1例えば、アラルキル基例えばトリフェニルメチ
ル、またはアシル基例えばホルミル、第三ブトキシカル
ボニル。
基は好都合には反応順序の適当な段階で容易に除去され
うる基1例えば、アラルキル基例えばトリフェニルメチ
ル、またはアシル基例えばホルミル、第三ブトキシカル
ボニル。
2.2.2− )リクロロエトキνカルボニル、インア
ミルオキシカルボニルまたはクロロアセチルである。
ミルオキシカルボニルまたはクロロアセチルである。
式Iを有する化合物中に存在する任意のカルボキシル保
護基またはアミン保護基は、所望の場合は西条上知られ
た任意の適当な方法にょシ除去されうる。カルボキシル
保護基の適当な除去法には酸またFi塩基加水分屏およ
び還元が包含される。従って例えば、ジフェニルメチル
および第三ブチルカルボキシル保護基は酸加水分解に↓
シ好都合に除去されうる。p −= ) oベンジル基
は好都合にはアセトン、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、ジメチルホルムアミドまたはジメチルアセトアミド
のような水混和性溶媒の存在下に例えば亜鉛と酢酸、ま
たは亜ジチオン酸ナトリウムまたは水中のヨーダイトイ
オンにより還元することにより好都合に開裂されうる。
護基またはアミン保護基は、所望の場合は西条上知られ
た任意の適当な方法にょシ除去されうる。カルボキシル
保護基の適当な除去法には酸またFi塩基加水分屏およ
び還元が包含される。従って例えば、ジフェニルメチル
および第三ブチルカルボキシル保護基は酸加水分解に↓
シ好都合に除去されうる。p −= ) oベンジル基
は好都合にはアセトン、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、ジメチルホルムアミドまたはジメチルアセトアミド
のような水混和性溶媒の存在下に例えば亜鉛と酢酸、ま
たは亜ジチオン酸ナトリウムまたは水中のヨーダイトイ
オンにより還元することにより好都合に開裂されうる。
アミノ保護基の除去法も西東上よく知られている。トリ
チル基は例えば好ましくは水のようなプロトン性溶媒の
存在下に、場合によりへロゲン化されていてもよいカル
ボン酸例えば酢rR。
チル基は例えば好ましくは水のようなプロトン性溶媒の
存在下に、場合によりへロゲン化されていてもよいカル
ボン酸例えば酢rR。
蟻酸、クロロ酢酸またはトリフルオロ酢酸を用いて、ま
たは鉱酸例えば塩酸またはかかる酸の混合物を用いて除
去されうる。酸に不安定なアシルアミノ保護基1例えば
ホルミル、第三ブトキンカルボニルまたはインアミルオ
キシカルボニルはまた適当な場合はトリチル基について
前記した条件下に一去することもできる。他のアシルア
ミノ保護基例えば2,2.2− )リクロロエトキVカ
ルボニルは例えば還元により除去されうる。
たは鉱酸例えば塩酸またはかかる酸の混合物を用いて除
去されうる。酸に不安定なアシルアミノ保護基1例えば
ホルミル、第三ブトキンカルボニルまたはインアミルオ
キシカルボニルはまた適当な場合はトリチル基について
前記した条件下に一去することもできる。他のアシルア
ミノ保護基例えば2,2.2− )リクロロエトキVカ
ルボニルは例えば還元により除去されうる。
アミノ保護基およびカルボキシル保護基の使用は西条上
よく知られていることは認識されよう。かかる使用の適
当な例は例えばチオドラ・ダブ9ニー−グリーン(Th
eodora w、 Greene)氏の[プロテクテ
イブ・グループス・イン・オルガニック・シンセシス(
Protective Groupsln Organ
lc 5ynthes1s)J、 (ウィリー−インタ
ーサイエンス(Wl 1ey−工nterscienc
e)、ニューヨーク1981年)Sおよびリュー・エフ
・ダブリュー、 −7コーミー(J、F、W、 McO
mle)氏の「プロテクテイブ・グループス・イン・オ
ルガニック・ケミストリー(Protective G
roups :In Organ1cChem4str
y)J 、(プレナム・プレス(PlepumPrθ8
8)、ロンドン1973年)に示されている。
よく知られていることは認識されよう。かかる使用の適
当な例は例えばチオドラ・ダブ9ニー−グリーン(Th
eodora w、 Greene)氏の[プロテクテ
イブ・グループス・イン・オルガニック・シンセシス(
Protective Groupsln Organ
lc 5ynthes1s)J、 (ウィリー−インタ
ーサイエンス(Wl 1ey−工nterscienc
e)、ニューヨーク1981年)Sおよびリュー・エフ
・ダブリュー、 −7コーミー(J、F、W、 McO
mle)氏の「プロテクテイブ・グループス・イン・オ
ルガニック・ケミストリー(Protective G
roups :In Organ1cChem4str
y)J 、(プレナム・プレス(PlepumPrθ8
8)、ロンドン1973年)に示されている。
式Iを有する化合物の塩誘導体には無機塩基塩例えばア
ルカリ金属塩(例えばナトリウムおよびカリウム塩)お
よびアルカリ土類金属塩(例えばカルシウムおよびマグ
ネシウム塩)。
ルカリ金属塩(例えばナトリウムおよびカリウム塩)お
よびアルカリ土類金属塩(例えばカルシウムおよびマグ
ネシウム塩)。
アンモニウム塩、アミノ酸塩(例えばリジンおよびアル
ギニン塩)、有機塩基塩(例えばプロ力イン、フェニル
エチルベンジルアミン、シヘンジルエチレンジアミン、
エタノールアミン。
ギニン塩)、有機塩基塩(例えばプロ力イン、フェニル
エチルベンジルアミン、シヘンジルエチレンジアミン、
エタノールアミン。
ジェタノールアミンおよびN−メチルグルコサミン塩)
、および酸付加塩例えば塩酸、臭化水素酸、硫酸、硝酸
または燐酸のような鉱酸とで形成される塩、または蟻酸
、酢酸、トリフルオロ酢酸、メタンスルホン酸またはp
−)ルエンスルホン酸のような有機酸とで形成される塩
が包含される。塩はまた例えばアミンまたは四級アミノ
基またはスルホン酸基を含有するポリスチレン樹脂また
は交叉結合ポリスチレンジビニルベンゼン共重合体樹脂
と、またはカルボキシル基を含有する樹脂例えばポリア
クリル酸樹脂と形成される樹脂酸塩の形態であることも
できる。
、および酸付加塩例えば塩酸、臭化水素酸、硫酸、硝酸
または燐酸のような鉱酸とで形成される塩、または蟻酸
、酢酸、トリフルオロ酢酸、メタンスルホン酸またはp
−)ルエンスルホン酸のような有機酸とで形成される塩
が包含される。塩はまた例えばアミンまたは四級アミノ
基またはスルホン酸基を含有するポリスチレン樹脂また
は交叉結合ポリスチレンジビニルベンゼン共重合体樹脂
と、またはカルボキシル基を含有する樹脂例えばポリア
クリル酸樹脂と形成される樹脂酸塩の形態であることも
できる。
本発明により調製された弐1の化合物がセフタジブイム
それ自身である場合、塩およびエステル誘導体は英国特
許第2,025,398号に記載されるように無毒性で
生理学的に受容できるものでなければならないことは認
識されよう。
それ自身である場合、塩およびエステル誘導体は英国特
許第2,025,398号に記載されるように無毒性で
生理学的に受容できるものでなければならないことは認
識されよう。
式!の塩基塩は式夏の酸を適当な塩基と反応させること
によシ形成されうる。従って1例えば、ナトリウムまた
はカリウム塩はそれぞれの2−エチルヘキサノエートま
たは炭醗水素塩な用いて調製されうる。酸付加塩は式I
の化合物を適当な酸と反応させることにより調製されう
る。
によシ形成されうる。従って1例えば、ナトリウムまた
はカリウム塩はそれぞれの2−エチルヘキサノエートま
たは炭醗水素塩な用いて調製されうる。酸付加塩は式I
の化合物を適当な酸と反応させることにより調製されう
る。
反応生成物は1例えば未変化のセファロス゛ポリン出発
物質および他の物質を含有しうる反応混合物から、溶媒
抽出、再結晶、イオン泳動。
物質および他の物質を含有しうる反応混合物から、溶媒
抽出、再結晶、イオン泳動。
カラムクロマトグラフィーおよびイオン交換体(例えば
イオン交換樹脂上のクロマトグラフィーによる)または
巨大網状樹脂の使用を包含する種々の方法により分離さ
れうる。
イオン交換樹脂上のクロマトグラフィーによる)または
巨大網状樹脂の使用を包含する種々の方法により分離さ
れうる。
式IO化合物が異性体の混合物として得られる場合1例
えば結晶化またはクロマトグラフィーのような慣用の方
法によシシン異性体が得られうる。
えば結晶化またはクロマトグラフィーのような慣用の方
法によシシン異性体が得られうる。
本発明の好ましい態様はセフタジブイムまたはその保護
された誘導体、すなわちR1がアミノまたは保護された
アミノ基であり、 R2が水素またはエステル化基であ
り、Bが〉日を表わしそして点線がセフ−3−エム化合
物を表わす式■の化合物の製造、続いて所望の場合は場
合によシその場での保睦基および/またはエステル化基
の除去に関する。
された誘導体、すなわちR1がアミノまたは保護された
アミノ基であり、 R2が水素またはエステル化基であ
り、Bが〉日を表わしそして点線がセフ−3−エム化合
物を表わす式■の化合物の製造、続いて所望の場合は場
合によシその場での保睦基および/またはエステル化基
の除去に関する。
式■の化合物は1例えば、弐■
(式中Bおよび点線は前記定義のとおシである)を有す
る化合物または4−位に基−COOR5を有しそして会
合陰イオンAe(ここでR5およびAeは前記定義のと
おりである)を有する相当する化合物またはその塩例え
ば散村加塩またはN−シリル誘導体を式■ I \0R4 (式中R1は式Iにおいて定義された意味を有しセして
R4は水累またはヒドロキシル保護基を表わす)を有す
る酸またはそれに相当するアシル化剤でアシル化し、続
いて基R4がヒドロキシル保護基である場合はその基を
除去することにより調製されうる。
る化合物または4−位に基−COOR5を有しそして会
合陰イオンAe(ここでR5およびAeは前記定義のと
おりである)を有する相当する化合物またはその塩例え
ば散村加塩またはN−シリル誘導体を式■ I \0R4 (式中R1は式Iにおいて定義された意味を有しセして
R4は水累またはヒドロキシル保護基を表わす)を有す
る酸またはそれに相当するアシル化剤でアシル化し、続
いて基R4がヒドロキシル保護基である場合はその基を
除去することにより調製されうる。
ヒドロキシ保護基は緩和な条件下に容易に除去されるも
のが好ましくそしてかかる基の例にはアシル基例えば第
三ブトキシカルボ二ル。
のが好ましくそしてかかる基の例にはアシル基例えば第
三ブトキシカルボ二ル。
2.2−.2−トリクロロエトキシカルボニルおよびベ
ンジルオ印ジカルボニル、シリル基例えばトリメチルシ
リル、テトラヒドロピラニルまたはメトキシテトラヒド
ロピラニル基、またはメトキシイソプロピル基が包含さ
れる。
ンジルオ印ジカルボニル、シリル基例えばトリメチルシ
リル、テトラヒドロピラニルまたはメトキシテトラヒド
ロピラニル基、またはメトキシイソプロピル基が包含さ
れる。
アシル化反応は慣用の方法例えば英国特許第2.025
,398号記載の方法により遂行されうる。
,398号記載の方法により遂行されうる。
従って使用されうる式■の酸に相当するアシル化剤には
酸ハライド例えば酸クロライドまたはブロマイド、活性
化されたエステルおよび対称または混合無水物が包含さ
れる。
酸ハライド例えば酸クロライドまたはブロマイド、活性
化されたエステルおよび対称または混合無水物が包含さ
れる。
アシル化はまた式■の酸を用いて遂行されることもでき
、その場合N、N’−ジシクロへキシルカルボジイミド
、カルボニルジイミダゾールまたはN−エチル−5−フ
ェニルイソオキサゾリウムバークロレートのような縮合
剤が反応混合物中に存在する”のが望ましい。
、その場合N、N’−ジシクロへキシルカルボジイミド
、カルボニルジイミダゾールまたはN−エチル−5−フ
ェニルイソオキサゾリウムバークロレートのような縮合
剤が反応混合物中に存在する”のが望ましい。
あるいはまた、アシル化反応に使用するための式Vの酸
の活性化された形態物はN、N−ジメチルホルムアミド
のような低級アリル第三アミドを含有する溶媒例えばメ
チレンクロライドのようなハロゲン化炭化水素中にカル
ボニルパライト例えばオキサリルクロライドまたはホス
ゲンまたはホスホリルハライド例えばオキシ塩化燐を碓
加することによシ予め形成されるへロゲン化剤の溶液ま
たは懸濁液と式Vの酸とを反応させることによシその場
で形成されうる。
の活性化された形態物はN、N−ジメチルホルムアミド
のような低級アリル第三アミドを含有する溶媒例えばメ
チレンクロライドのようなハロゲン化炭化水素中にカル
ボニルパライト例えばオキサリルクロライドまたはホス
ゲンまたはホスホリルハライド例えばオキシ塩化燐を碓
加することによシ予め形成されるへロゲン化剤の溶液ま
たは懸濁液と式Vの酸とを反応させることによシその場
で形成されうる。
アシル化反応は好都合には所望の場合は酸結合剤の存在
下に一50℃〜+50℃でアルコール例えば水性エタノ
ールまたは水性工業用メチル化アルコールのような適当
な溶媒または溶媒混合物中で遂行されうる。
下に一50℃〜+50℃でアルコール例えば水性エタノ
ールまたは水性工業用メチル化アルコールのような適当
な溶媒または溶媒混合物中で遂行されうる。
弐■の化合物は英国特許第2,025,398号の記載
のようにして調製できそして式Vの化合物は英国特許第
1.58ス941号記載のようにして調製されうる。
のようにして調製できそして式Vの化合物は英国特許第
1.58ス941号記載のようにして調製されうる。
本発明を下記実施例によシよシ詳細に説明する。すべて
温度は℃によるものとする。
温度は℃によるものとする。
実施例 1
[6R,7R] −7−C(7,1−2−(2−メトキ
シプロブ−2−オキシイミノ)−2−(2−)リフェニ
ルメチルアミノチアゾール−4−イル)アセトアミド)
−3−(1−ピリジニウムメチル)セフ−5−エム−4
−カルボキシレート(効−2−ヒドロキシイミノ−2−
(2−トリフェニルメチルアミノチアゾール−4−イル
)−酢酸(2,15f)をメチレンクロライド(2〇−
)中に懸濁させセして2−メトキシプロはン(2−)を
添加した。25分後この溶液を蒸発させそして残留物を
メチレンクロライド中に再溶解させた。さらに2−メト
キシプロスン(2−)を加えそして20分後溶液を蒸発
させてゴム状物質を得た。このゴム状物質をメチレンク
ロライド(5d)中に溶解させそして一20℃で窒素気
流の下撹拌しながらウィルスマイヤー(v11日mel
θr)試薬〔オキサリルクロライド(α47−)および
N、N−ジメチルホルムアミド(0,47−)を−20
℃で混合することによシ調製〕中に添加した。この溶液
を氷水で冷却しながら5分間攪拌しそして次に一20℃
に冷却した。これを次に一10℃でトリエチルアミン(
2,9−)を含有する水(5,8m)および工業用メチ
ル化アルコール(151I11り中の(6R,7R)
−7−アミノ−!1−(1−1:’IJジニウムメチル
)−セフ−6−エムー4−カルポキンレートジ塩酸塩二
水化物(ta9t)の溶液中に添加した。得られる溶液
を1時間かかつて23℃まで加温せしめそして次に水と
メチレンクロライドの間に分配した。
シプロブ−2−オキシイミノ)−2−(2−)リフェニ
ルメチルアミノチアゾール−4−イル)アセトアミド)
−3−(1−ピリジニウムメチル)セフ−5−エム−4
−カルボキシレート(効−2−ヒドロキシイミノ−2−
(2−トリフェニルメチルアミノチアゾール−4−イル
)−酢酸(2,15f)をメチレンクロライド(2〇−
)中に懸濁させセして2−メトキシプロはン(2−)を
添加した。25分後この溶液を蒸発させそして残留物を
メチレンクロライド中に再溶解させた。さらに2−メト
キシプロスン(2−)を加えそして20分後溶液を蒸発
させてゴム状物質を得た。このゴム状物質をメチレンク
ロライド(5d)中に溶解させそして一20℃で窒素気
流の下撹拌しながらウィルスマイヤー(v11日mel
θr)試薬〔オキサリルクロライド(α47−)および
N、N−ジメチルホルムアミド(0,47−)を−20
℃で混合することによシ調製〕中に添加した。この溶液
を氷水で冷却しながら5分間攪拌しそして次に一20℃
に冷却した。これを次に一10℃でトリエチルアミン(
2,9−)を含有する水(5,8m)および工業用メチ
ル化アルコール(151I11り中の(6R,7R)
−7−アミノ−!1−(1−1:’IJジニウムメチル
)−セフ−6−エムー4−カルポキンレートジ塩酸塩二
水化物(ta9t)の溶液中に添加した。得られる溶液
を1時間かかつて23℃まで加温せしめそして次に水と
メチレンクロライドの間に分配した。
水層なさらにメチレンクロライドで抽出しそして合一し
た有機層を水洗した。有機溶液を硫酸マグネシウムで乾
燥しそして蒸発させてゴム状物質を得、これをジエチル
エーテルですシつぶして標記化合物(2,54f)を得
た。〔α〕も’−34,8゜(c to 8. DMS
O)。
た有機層を水洗した。有機溶液を硫酸マグネシウムで乾
燥しそして蒸発させてゴム状物質を得、これをジエチル
エーテルですシつぶして標記化合物(2,54f)を得
た。〔α〕も’−34,8゜(c to 8. DMS
O)。
実施例 2
C6R,7R) −7−[(Z) −2−ヒドロキシイ
ミノ−2−(2−)リフェニルメチルアミノチアゾール
−4−イル)アセトアミド)−3−(1−ピリジニウム
メチル)セフ−3−エム−4−カルボキシレート 実施例1の生成@(1,55t)をアセトン(5−)中
に攪拌しながら懸濁させそして水(1,75−)中の濃
塩酸(0,16m)を加えた。1時間後さらに塩酸(0
,16m)を加えた。さらに30分、 後、この溶液を
メチレンクロライドと水性重炭酸ナトリウム溶液との間
に分配した。水層なさらにメチレンクロライドで抽出し
そして合一した有機層を水、洗し、硫酸マグネシウムで
乾燥しそして蒸発させて泡状物(101?)を得た。
ミノ−2−(2−)リフェニルメチルアミノチアゾール
−4−イル)アセトアミド)−3−(1−ピリジニウム
メチル)セフ−3−エム−4−カルボキシレート 実施例1の生成@(1,55t)をアセトン(5−)中
に攪拌しながら懸濁させそして水(1,75−)中の濃
塩酸(0,16m)を加えた。1時間後さらに塩酸(0
,16m)を加えた。さらに30分、 後、この溶液を
メチレンクロライドと水性重炭酸ナトリウム溶液との間
に分配した。水層なさらにメチレンクロライドで抽出し
そして合一した有機層を水、洗し、硫酸マグネシウムで
乾燥しそして蒸発させて泡状物(101?)を得た。
[α]D −3ta°(c Q、75. DMSO)。
実施例 3
− (6R,7R) −7−[(2)−2−、(2−
第三ブトキシカルボニルプロジー2−オキシイミノ)−
2−(2−)リフェニルメチルアミノチアゾール−4−
イル)アセトアミド] −3−(1−ピリジニウムメチ
ル)セフ−3−エムー4−カルボキシレート 、 実施例2の生成物(10019,)を攪拌下にN
、N−ジメチルホルムアミド(2d)中に溶解させそし
て第三ブチル2−プロモー2−メチルプロピオネート(
・45■)次に炭酸カリウム(5011g)を加えた。
第三ブトキシカルボニルプロジー2−オキシイミノ)−
2−(2−)リフェニルメチルアミノチアゾール−4−
イル)アセトアミド] −3−(1−ピリジニウムメチ
ル)セフ−3−エムー4−カルボキシレート 、 実施例2の生成物(10019,)を攪拌下にN
、N−ジメチルホルムアミド(2d)中に溶解させそし
て第三ブチル2−プロモー2−メチルプロピオネート(
・45■)次に炭酸カリウム(5011g)を加えた。
23′cで3時間攪拌後、標準試料との高圧液体クロマ
トグラフィーによる比較で示されるように標記化合物が
形成されており、その分光上の特性は英国特許第2,0
25,398号実施例4(a)で得られる生成物のそれ
と類似している。この実施例の生成物は例えば英国特許
第2.025,398号および英国特許第2.06へ8
71号記載の方法により脱保護されうる。
トグラフィーによる比較で示されるように標記化合物が
形成されており、その分光上の特性は英国特許第2,0
25,398号実施例4(a)で得られる生成物のそれ
と類似している。この実施例の生成物は例えば英国特許
第2.025,398号および英国特許第2.06へ8
71号記載の方法により脱保護されうる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)一般式 I ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中R^1はアミノまたは保護されたアミノ基であり
、R^2は水素またはカルボキシル保護基であり、Bは
>Sまたは>S→Oでありそして点線はその化合物がセ
フ−2−エムまたはセフ−3−エム化合物であることを
示す)を有する化合物または4−位に式−COOR^3
(式中R^3はカルボキシル保護基である)を有する基
を有しそして会合陰イオンA^■を有する相当する化合
物およびそれらの塩およびエス テルを製造するに当り、式II ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中R^1、Bおよび点線は前記定義のとおりである
)を有する化合物または会合陰イオンA^■と一緒に、
4−位に式COOR^3(式中R^3は前記定義のとお
りである)を有する基を有する相当する化合物またはそ
の塩を、エーテル化基 ▲数式、化学式、表等があります▼ を導入させうる試薬と反応させることからなる方法。 2)式IIの化合物を式III ▲数式、化学式、表等があります▼(III) (式中Yは離脱基でありそしてR^2は前記特許請求の
範囲第1項に定義されたとおりである)を有する化合物
と反応させることからなる前記特許請求の範囲第1項記
載の方法。 3)反応がエーテル、アミド、ケトン、ニトリル、ニト
ロアルカン、スルホキシド、スルホン、炭化水素または
エステル、またはそれらの2種類またはそれ以上の混合
物中で実施されることからなる前記特許請求の範囲第1
項または第2項記載の方法。 4)エーテル化が塩基の存在下に実施されることからな
る前記特許請求の範囲第1〜3項のいずれかの項に記載
の方法。 5)塩基がアルカリ金属の炭酸塩、水素化物、アルコキ
サイド、ジアルキルアミドまたはジシリルアミドである
ことからなる前記特許請求の範囲第4項記載の方法。 6)反応が塩基および相転移試薬の存在下に2種の液相
反応媒体中で実施されることからなる前記特許請求の範
囲第1または第2項のいずれかに記載の方法。 7)式IIの化合物とエーテル化基を導入しうる試薬との
反応に続き、必要ならばまたは所望の場合は、最初に形
成された式 I を有する化合物を下記の反応すなわち、 (i)Bが>S→Oである化合物のBが>Sである化合
物への還元、 (ii)Δ^2−異性体のΔ^3−異性体への変換、(
iii)任意のカルボキシル保護基またはアミノ保護基
の除去、および (iv)無毒性の塩または無毒性の代謝上不安定なエス
テルの形成、 の1種類またはそれ以上により異なる式 I の化合物に
変換させることからなる前記特許請求の範囲第1〜6項
のいずれかの項に記載の方法。 8)得られる式 I の化合物において、R^1がアミノ
基であり、R^2が水素原子またはエステル化基であり
、点線がセフ−3−エム化合物を表わしそしてBが>S
であることからなる前記特許請求の範囲第1〜7項のい
ずれかの項に記載の方法。 9)(6R,7R)−7−〔(Z)−2−(2−メトキ
シプロプ−2−オキシイミノ)−2−(2−トリフェニ
ルメチルアミノチアゾール−4−イル)アセトアミド〕
−3−(1−ピリジニウムメチル)セフ−3−エム−4
−カルボキシレート。 10)(6R,7R)−7−〔(Z)−2−ヒドロキシ
イミノ−2−(2−トリフェニルメチルアミノチアゾー
ル−4−イル)アセトアミド〕−3−(1−ピリジニウ
ムメチル)セフ−3−エム−4−カルボキシレート。
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