JPS5948945A - 半導体用リ−ドフレ−ムの製造方法 - Google Patents
半導体用リ−ドフレ−ムの製造方法Info
- Publication number
- JPS5948945A JPS5948945A JP57160198A JP16019882A JPS5948945A JP S5948945 A JPS5948945 A JP S5948945A JP 57160198 A JP57160198 A JP 57160198A JP 16019882 A JP16019882 A JP 16019882A JP S5948945 A JPS5948945 A JP S5948945A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal strip
- etching
- lead frame
- coated
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/01—Manufacture or treatment
- H10W70/04—Manufacture or treatment of leadframes
- H10W70/042—Etching
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ホ発明ＩｒＬ例え（３１，ツノルミ蒸谷あるいは７フル
ミクノツ１〜複合金属条／Ｊｌ ｌうイする半導体用リ
ードフレームの製ｊ青プノン人に門りるｂの−Ｃある。
ミクノツ１〜複合金属条／Ｊｌ ｌうイする半導体用リ
ードフレームの製ｊ青プノン人に門りるｂの−Ｃある。
従来、ｊ・ランタスク集積回路〈ＩＣ）などの半導１ホ
駁置の製ｊ市に用いられるり一トル−ｌ＼には、ｌ＼−
ス金屈条の一部に異種金属をクラットあるいは蒸着等に
Ｊ、り被覆した複合合腐条か用いｊうれる。
駁置の製ｊ市に用いられるり一トル−ｌ＼には、ｌ＼−
ス金屈条の一部に異種金属をクラットあるいは蒸着等に
Ｊ、り被覆した複合合腐条か用いｊうれる。
異種金属どしくは、主に金、銀、銅、ノｌルミ等の金属
が用（り′られるか、これら（、Ｌ当金ｈＥ：ｊ高Ｂ＜
の折から金、銀から銅、アルミ等ｌ＼と安いしのに変わ
る傾向にあり、その被覆部（＋＞ｂ半導体の機能部（こ
限る傾向ある。。
が用（り′られるか、これら（、Ｌ当金ｈＥ：ｊ高Ｂ＜
の折から金、銀から銅、アルミ等ｌ＼と安いしのに変わ
る傾向にあり、その被覆部（＋＞ｂ半導体の機能部（こ
限る傾向ある。。
このことから、この種複合金属条どじてヘース金属条に
異Ｉφ金属をス１〜ライノあるいはスボツ１〜状に被馨
Ｙノしたしのが多く用いられ、しかしこの場合被覆され
た異種金属の＼」法精度に“つい＜７９さを含め（−き
わめ−（シビノ７な値が要求される状’＜５＋！ ｔ、
、Ｉｄ・）る。
異Ｉφ金属をス１〜ライノあるいはスボツ１〜状に被馨
Ｙノしたしのが多く用いられ、しかしこの場合被覆され
た異種金属の＼」法精度に“つい＜７９さを含め（−き
わめ−（シビノ７な値が要求される状’＜５＋！ ｔ、
、Ｉｄ・）る。
しかるに、ｌ＼−ス金屈条にｂ′？種金属を高ｆｉ’ｉ
庶（こスポーツ１−１人に被Ｗ（ｉりることは、メツ−
にの」見合はとｂかく、クラットあるいは蒸着等の場合
は困つ・１１Ｃ゛あり、したがっ−（クラッドあるい（
Ｊ蒸着等の場合はベース金属条（ごゲＩｊ種金属を全面
被覆した後、しかもこれをプレスにより所定のパターン
形状に丁Ｊ抜き後、印刷、土ツヂング法により、異種金
属の不要部を除去りることが行イｆわれる。
庶（こスポーツ１−１人に被Ｗ（ｉりることは、メツ−
にの」見合はとｂかく、クラットあるいは蒸着等の場合
は困つ・１１Ｃ゛あり、したがっ−（クラッドあるい（
Ｊ蒸着等の場合はベース金属条（ごゲＩｊ種金属を全面
被覆した後、しかもこれをプレスにより所定のパターン
形状に丁Ｊ抜き後、印刷、土ツヂング法により、異種金
属の不要部を除去りることが行イｆわれる。
印）１１］、エツチング法では、印刷及びエツチング上
程ど共に印１１ｉ ｉｌｉ Ｍ′ｉｌの焼イζ１【ノさ
らに剥１／Ｉ置「稈が必要−Ｃあり、“′］−稈が複狸
となると共に、印刷に使用される４斜に６よるがマスク
が不完全Ｃあり、しかも印刷境界か不鮮明Ｃあることか
ら異種全屈の１法精１哀をシヒアに二Ｊン１〜【」−ポ
リ゛ることは一般に内肩１て゛ある。
程ど共に印１１ｉ ｉｌｉ Ｍ′ｉｌの焼イζ１【ノさ
らに剥１／Ｉ置「稈が必要−Ｃあり、“′］−稈が複狸
となると共に、印刷に使用される４斜に６よるがマスク
が不完全Ｃあり、しかも印刷境界か不鮮明Ｃあることか
ら異種全屈の１法精１哀をシヒアに二Ｊン１〜【」−ポ
リ゛ることは一般に内肩１て゛ある。
このことから、出願人は先に特開昭５７−９９７６３
？４公報に見られるように、アルミ蒸着あるいはアルミ
クララ１〜複合金属条についで同公報第４図のような機
械的マスク」エツチング法によりアルミ不要部を除去し
てり−１−ル−ムを製造づることを１；？桑しＩζ。こ
の（幾１戒的マスクエツチング法は、印刷を省略Ｃ′さ
る右利な方法Ｃあるか、この場合リ−なわちプレスによ
り打抜き後ではアルミ必要部に当接されるマスク体にＪ
、っては−しツチングの際土ツヂンク液がアルミ必要部
の０抜さ断「０ｔ）シ＜は側面を浸食し、その形状及び
＝Ｊ法精度を悪くづる問題がある。
？４公報に見られるように、アルミ蒸着あるいはアルミ
クララ１〜複合金属条についで同公報第４図のような機
械的マスク」エツチング法によりアルミ不要部を除去し
てり−１−ル−ムを製造づることを１；？桑しＩζ。こ
の（幾１戒的マスクエツチング法は、印刷を省略Ｃ′さ
る右利な方法Ｃあるか、この場合リ−なわちプレスによ
り打抜き後ではアルミ必要部に当接されるマスク体にＪ
、っては−しツチングの際土ツヂンク液がアルミ必要部
の０抜さ断「０ｔ）シ＜は側面を浸食し、その形状及び
＝Ｊ法精度を悪くづる問題がある。
本発明の目的は、１−記問題を解消し、」−ツチンタの
際複合金属条に設けられた被覆金属層の必要部の断面も
しくは側面を侵食させることなくその形状及び（」法精
度を」−げることが−（さる１（（械的ンスク」゛ツチ
ンク法による半導体用リードフレームの製ｊ告力法をＪ
ｉｆ供りることにある。
際複合金属条に設けられた被覆金属層の必要部の断面も
しくは側面を侵食させることなくその形状及び（」法精
度を」−げることが−（さる１（（械的ンスク」゛ツチ
ンク法による半導体用リードフレームの製ｊ告力法をＪ
ｉｆ供りることにある。
？ｌなわら、本発明の要旨は、ベース金属条の一部ｂｔ
、＜は全面に接合ｆ［及び導電性を右りる被覆金属層を
設（〕だ複合金属条をプレスにより所定のパターン形状
に打抜き後、前記被覆金属層の不要部を１ツヂンク液に
より除去づ”るに際し、前記被覆金属層の必要部を耐桑
品性の軟Ｙ＋ｊ弾性体からなるマスク体をもつ−Ｃ押圧
被覆し、このとぎマスク体の一部を露出した被覆金属層
の必要部の断面ししくは側面に食い込ませることを特徴
どりる＃′Ｂ、ｊ体用リードフレームの製造方法にある
。
、＜は全面に接合ｆ［及び導電性を右りる被覆金属層を
設（〕だ複合金属条をプレスにより所定のパターン形状
に打抜き後、前記被覆金属層の不要部を１ツヂンク液に
より除去づ”るに際し、前記被覆金属層の必要部を耐桑
品性の軟Ｙ＋ｊ弾性体からなるマスク体をもつ−Ｃ押圧
被覆し、このとぎマスク体の一部を露出した被覆金属層
の必要部の断面ししくは側面に食い込ませることを特徴
どりる＃′Ｂ、ｊ体用リードフレームの製造方法にある
。
本発明にＪ３いＣ，耐桑品性の軟質弾性体としＣは、例
えば゛シリコ−ンゴム、ナノ１−１ン、ポリ−［ブレン
１、軟質塩化ビニル等が使用される。これらは一種もし
く１．１故秤絹み合わ「て使用りることができる。
えば゛シリコ−ンゴム、ナノ１−１ン、ポリ−［ブレン
１、軟質塩化ビニル等が使用される。これらは一種もし
く１．１故秤絹み合わ「て使用りることができる。
以−ト、本発明を図面に承り実施例にしたがってさらに
説明りる。。
説明りる。。
第１図は“、厚さ０．２５ｍｍ、幅３０ｍｍのＦａ −
４２９６Ｎ ｉに合金からなるベース金属条１の片側全
面に）Ｉルミをクラッドすることにより１７さ０．０１
ｍｍの被覆金属層２を設り（なる複合金属条３の一部を
示すものＣある。第２図は、前記複合金属条３をプレス
にＪ：り所定のパターン形状５にｆＪ抜いた後状況を承
り。す４ｒわち、点線枠６内はリードフレームの半導体
装置としくのＩｊｌｌ能部υある。
４２９６Ｎ ｉに合金からなるベース金属条１の片側全
面に）Ｉルミをクラッドすることにより１７さ０．０１
ｍｍの被覆金属層２を設り（なる複合金属条３の一部を
示すものＣある。第２図は、前記複合金属条３をプレス
にＪ：り所定のパターン形状５にｆＪ抜いた後状況を承
り。す４ｒわち、点線枠６内はリードフレームの半導体
装置としくのＩｊｌｌ能部υある。
／ｌは以後の固定におい（複合金属条３のイ）“ｌ置決
めを行なうために設りられたビン孔である。
めを行なうために設りられたビン孔である。
つぎに第３３図は連続の機械的マスク土ツブーング装買
７を示し、この中にかかる腹合金属条３を７不詳列配億
して間欠移動により通過さＵ、夫々複合金属条３の肢習
金属Ｆｊ２の不要部にり・］りるエツヂングを行なう１
．この場合複合金属条３の移動間隔及びエツチング位置
の設定はビン孔４にもとづいて行われる。メｉ−ジ８上
にＨＨ４された７木の複合金属条３３は、ビン孔４にビ
ン９を設ｉｉシさらに端面刀イド１０をもっＣ位置決め
される。なＪ５．１１はマスク体、１２は内部に−Ｖツ
ブングｄ々を満たした中空の１３：乃至、１３は噴ｏａ
ｊ１．Ｉ、１／ｌは１ツチンク液導入Ｌ１．１５は土ｊ
７−ジリンタである。１この機械的マスキング装置によ
る」−ツブング状況の概略を第１図により説明りるど、
土ツヂング液導入口１４から送られた土ツチング液１６
は中空のｒｉｇ、方案１７を満たし、ｊＪｌ用１」１３
を通っ（被覆金Ｌ・バ１ζ１の不要部１８に衝突し、不
要部１８をエツチング除去りる。このとぎ、マスク体１
１はシリコーンゴム１１′及びテフロン１１′を組み合
ねＵだ耐循品↑（［の軟質弾性体からなり、第５図のＪ
、うに上ツヂングの進行とともに露出される被覆金属層
の必要部ｔＩなわち機能部６ （１） ４Ｊ抜い及び−
１ニツヂング（こよる断面もしくは側面１９に良い込む
ように押１＋される。
７を示し、この中にかかる腹合金属条３を７不詳列配億
して間欠移動により通過さＵ、夫々複合金属条３の肢習
金属Ｆｊ２の不要部にり・］りるエツヂングを行なう１
．この場合複合金属条３の移動間隔及びエツチング位置
の設定はビン孔４にもとづいて行われる。メｉ−ジ８上
にＨＨ４された７木の複合金属条３３は、ビン孔４にビ
ン９を設ｉｉシさらに端面刀イド１０をもっＣ位置決め
される。なＪ５．１１はマスク体、１２は内部に−Ｖツ
ブングｄ々を満たした中空の１３：乃至、１３は噴ｏａ
ｊ１．Ｉ、１／ｌは１ツチンク液導入Ｌ１．１５は土ｊ
７−ジリンタである。１この機械的マスキング装置によ
る」−ツブング状況の概略を第１図により説明りるど、
土ツヂング液導入口１４から送られた土ツチング液１６
は中空のｒｉｇ、方案１７を満たし、ｊＪｌ用１」１３
を通っ（被覆金Ｌ・バ１ζ１の不要部１８に衝突し、不
要部１８をエツチング除去りる。このとぎ、マスク体１
１はシリコーンゴム１１′及びテフロン１１′を組み合
ねＵだ耐循品↑（［の軟質弾性体からなり、第５図のＪ
、うに上ツヂングの進行とともに露出される被覆金属層
の必要部ｔＩなわち機能部６ （１） ４Ｊ抜い及び−
１ニツヂング（こよる断面もしくは側面１９に良い込む
ように押１＋される。
このＪ、うにりることによっＣ１１−ツー１−ング液１
６による１幾能部６の断面もしくは側面１９の侵食は防
止され、この結果第６図のように被覆金属層の機能部６
のみを＝Ｊ払精度よろしく十分に残存さ’！ 、ｊｆ’
１品ＹＩｆの部分被覆複合金属条からなるリードル−ム
を０４１Ｔスることがでさ゛た。
６による１幾能部６の断面もしくは側面１９の侵食は防
止され、この結果第６図のように被覆金属層の機能部６
のみを＝Ｊ払精度よろしく十分に残存さ’！ 、ｊｆ’
１品ＹＩｆの部分被覆複合金属条からなるリードル−ム
を０４１Ｔスることがでさ゛た。
因みに、従来の機械的ンスク［ツブンク法Ｃは、マスク
体か剛体Ｃ（゛きＣいることから、第７図のＪ、うに被
覆金属ｈ゛りの必要部の断面が１ツチング液（こより浸
食びれ、所望の形状及び・ｊ？に精度を確保りることが
Ｃさイｒい。
体か剛体Ｃ（゛きＣいることから、第７図のＪ、うに被
覆金属ｈ゛りの必要部の断面が１ツチング液（こより浸
食びれ、所望の形状及び・ｊ？に精度を確保りることが
Ｃさイｒい。
以上説明したＪ、゛）に、本発明によれ＋、ｒ、機械的
ンスク土ツｆ−ングγ人にＪ、る２Ｆ導１本月ｊす〜ト
ルシームの製造にＬＪ３いしマスク体どしく銅桑品性の
軟？ｉ弾性体を用い、これを巧みに卯月りることから、
−Ｙツゾングの際り−１−フレーム累月の複合金Ｌ・へ
条に設Ｃノられ／Ｊ被を１７−金１記層の必要部り４ｊ
わら機ｆ走？）ＩＳのエツチング及び／゛レスにる断面
”ｂ Ｌ ＜は側面を１ツブンク（１ｋにＪ、り侵良さ
［！ることなく、したかっ−′Ｃ−１ツｆング後の製品
の形状及び＼」法精度を名しく白土さＱ 、 Ｆ１′Ｉ
ｈｒ体用リートル−ムとしくの製品価値を高めることか
で′きる効果がある。
ンスク土ツｆ−ングγ人にＪ、る２Ｆ導１本月ｊす〜ト
ルシームの製造にＬＪ３いしマスク体どしく銅桑品性の
軟？ｉ弾性体を用い、これを巧みに卯月りることから、
−Ｙツゾングの際り−１−フレーム累月の複合金Ｌ・へ
条に設Ｃノられ／Ｊ被を１７−金１記層の必要部り４ｊ
わら機ｆ走？）ＩＳのエツチング及び／゛レスにる断面
”ｂ Ｌ ＜は側面を１ツブンク（１ｋにＪ、り侵良さ
［！ることなく、したかっ−′Ｃ−１ツｆング後の製品
の形状及び＼」法精度を名しく白土さＱ 、 Ｆ１′Ｉ
ｈｒ体用リートル−ムとしくの製品価値を高めることか
で′きる効果がある。
第１図（ま本発明の一実施例に係る複合令属条の一部斜
視図、第２図は同プレスに、Ｊ、リパターン形状に口抜
かれた複合金属条の一部正面図、第３図１３Ｌ同連続機
械的マスク土ツブーンク装置のｉｔ面図、第４図は同ｉ
’Ｊｉ続機械的マスク」−ツｆング装置に、Ｊ、る［ツ
アング状況を示！Ｊ概略図、第一５）図は１１１１前記
々）４図の捜部拡人断面図、第６図は同」−ツブフグ後
の製品の断面図、第７図は従来例にかがる土ツ１ング後
の製品の断面図、Ｃある。 １：ペース金属条、２二被覆金属層、 Ｊ３：複合金属条、１）：パターン形状、０：機能部、
７ ： ｌＫｕ械的マスク−１ツｆンタ装買、１゛１；
マスク１本、１３：噴０（口、１ （３： Ｌツブンク
液。
視図、第２図は同プレスに、Ｊ、リパターン形状に口抜
かれた複合金属条の一部正面図、第３図１３Ｌ同連続機
械的マスク土ツブーンク装置のｉｔ面図、第４図は同ｉ
’Ｊｉ続機械的マスク」−ツｆング装置に、Ｊ、る［ツ
アング状況を示！Ｊ概略図、第一５）図は１１１１前記
々）４図の捜部拡人断面図、第６図は同」−ツブフグ後
の製品の断面図、第７図は従来例にかがる土ツ１ング後
の製品の断面図、Ｃある。 １：ペース金属条、２二被覆金属層、 Ｊ３：複合金属条、１）：パターン形状、０：機能部、
７ ： ｌＫｕ械的マスク−１ツｆンタ装買、１゛１；
マスク１本、１３：噴０（口、１ （３： Ｌツブンク
液。
Claims (1)
- ｌ＼−ス金屈条の一７’ｉｌｉ ｂ ｌ、 ＜は全面に
接合ｆノ［及び導電（’＋４右りる被覆金属層を設けｌ
ζ複合金属条をプレスにｊ、り所定のパターン形状にＪ
Ｊ抜さ後、前記披ｉ’Ｑ金属１〜の不要部をエツチング
液により除去ｃＪるに際し、前記被覆金属層の必要部を
耐桑品スノ１の軟ｉ：、’ｊ 、ツｉｉ刊体からなるマ
スク体をもつ−Ｃ押圧被覆（］、このどさＶスタスクの
一部を露出した被Ｗ）金属層の必敗部の萌面ｂｂ＜は側
面に良い込まＵることを１２１１敦どりる半導体用リー
トル〜ｌ＼の：歿ｊ告／ｊ？人 。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57160198A JPS5948945A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | 半導体用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57160198A JPS5948945A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | 半導体用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5948945A true JPS5948945A (ja) | 1984-03-21 |
| JPS6347345B2 JPS6347345B2 (ja) | 1988-09-21 |
Family
ID=15709922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57160198A Granted JPS5948945A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | 半導体用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5948945A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7790048B2 (en) | 2004-03-10 | 2010-09-07 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Treatment of the working layer of a multilayer structure |
-
1982
- 1982-09-14 JP JP57160198A patent/JPS5948945A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7790048B2 (en) | 2004-03-10 | 2010-09-07 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Treatment of the working layer of a multilayer structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6347345B2 (ja) | 1988-09-21 |
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