JPS5949699B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5949699B2 JPS5949699B2 JP54102046A JP10204679A JPS5949699B2 JP S5949699 B2 JPS5949699 B2 JP S5949699B2 JP 54102046 A JP54102046 A JP 54102046A JP 10204679 A JP10204679 A JP 10204679A JP S5949699 B2 JPS5949699 B2 JP S5949699B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dish
- shaped container
- semiconductor element
- semiconductor device
- synthetic resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/10—Containers or parts thereof
- H10W76/12—Containers or parts thereof characterised by their shape
- H10W76/13—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection
- H10W76/138—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection having another interconnection being formed by a cover plate parallel to the conductive base, e.g. sandwich type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、トランジスタ、ダイオード、サイリスタな
どの半導体素子を容器に収容した半導体装置に関する。
どの半導体素子を容器に収容した半導体装置に関する。
この種の半導体素子は半導体基材が比較的もろいこと、
電気的性質が外部雰囲気の影響を受けやすいことなどの
理由により、適当な容器に収容されているのが普通であ
る。
電気的性質が外部雰囲気の影響を受けやすいことなどの
理由により、適当な容器に収容されているのが普通であ
る。
この場合、特に大形の半導体装置では、容器には種々の
問題点があり、製品の価格中に占める容器の費用も相当
な割合を占めている。し力化、近年、半導体素子の表面
処理技術が進歩し、半導体素子表面の不活性処理を行う
ことにより、外部雰囲気の影響を防ぐことは、容器の役
割として以前程重要でなくなつてきた。
問題点があり、製品の価格中に占める容器の費用も相当
な割合を占めている。し力化、近年、半導体素子の表面
処理技術が進歩し、半導体素子表面の不活性処理を行う
ことにより、外部雰囲気の影響を防ぐことは、容器の役
割として以前程重要でなくなつてきた。
このため、気密性容量に代つて、各種樹脂による成形容
器が用いられることが多くなつた。しカルながら、樹脂
成形容器は一般に熱伝達が悪く、半導体素子内に発生す
る熱を十分に伝達放散することができなく、温度上昇が
高くなることと、樹脂硬化時の体積変化によつて半導体
素子にひずみを与えることなどにより、大容量の半導体
素子の場合には使用されなかつた。
器が用いられることが多くなつた。しカルながら、樹脂
成形容器は一般に熱伝達が悪く、半導体素子内に発生す
る熱を十分に伝達放散することができなく、温度上昇が
高くなることと、樹脂硬化時の体積変化によつて半導体
素子にひずみを与えることなどにより、大容量の半導体
素子の場合には使用されなかつた。
従来の半導体装置は、第１図に縦断面図で示すようにな
つていた。
つていた。
１は平形の半導体素子、２及び３はこの素子に加圧接触
し電極をなすと共に、保護する上ふた及び下ふたで、良
導電性・良熱伝達性の金属材からなり、側部にはつば部
２ａ及び３ａが設けられている。
し電極をなすと共に、保護する上ふた及び下ふたで、良
導電性・良熱伝達性の金属材からなり、側部にはつば部
２ａ及び３ａが設けられている。
４は絶縁囲い体で、セラミックなどからなり、両端面に
メタライズを施し、熱膨張係数が同一の金属座金５をろ
う付け又は溶接により結合している。
メタライズを施し、熱膨張係数が同一の金属座金５をろ
う付け又は溶接により結合している。
この両方の金属座金５とつば部２ａ及び３ｂをろう付け
又は溶接により結合している。この場合、上ふた２及び
下ふた３を適当な圧力で半導体素子１に接触させるには
、つば部２ａ、３ａで弾力性を有するように形成する必
要があり、また、絶縁囲い体４に結合する部分は、この
囲い体と熱膨張係数がはぼ同一である金属座金５を介す
る必要があり、構成が複雑で、製作が面倒で高価になつ
ていた。
又は溶接により結合している。この場合、上ふた２及び
下ふた３を適当な圧力で半導体素子１に接触させるには
、つば部２ａ、３ａで弾力性を有するように形成する必
要があり、また、絶縁囲い体４に結合する部分は、この
囲い体と熱膨張係数がはぼ同一である金属座金５を介す
る必要があり、構成が複雑で、製作が面倒で高価になつ
ていた。
この発明は、金属材からなる皿状容器で半導体素子の一
端面を押圧接触して囲い、半導体素子の他端面を金属材
からなる押えふたで受け、皿状容器内にふち部を残し半
導体素子との空所部をゴム状弾性をもつ緩衝材で充てん
し、これらの皿状容器のふち部と押えふたの側部とを合
成樹脂成形体により一体的に結合し、大容量の半導体素
子にも適用でき、構造が簡単で製作が容易であり、価格
が低減される半導体装置を提供することを目的としてい
る。
端面を押圧接触して囲い、半導体素子の他端面を金属材
からなる押えふたで受け、皿状容器内にふち部を残し半
導体素子との空所部をゴム状弾性をもつ緩衝材で充てん
し、これらの皿状容器のふち部と押えふたの側部とを合
成樹脂成形体により一体的に結合し、大容量の半導体素
子にも適用でき、構造が簡単で製作が容易であり、価格
が低減される半導体装置を提供することを目的としてい
る。
第２図はこの発明の一実施例による半導体装置の縦断面
図である。
図である。
６は良導電性、良熱伝達性の金属薄板材からなる皿状容
器であり、底部６ａで半導体素子１を位置決めして一端
面に接触押圧している。
器であり、底部６ａで半導体素子１を位置決めして一端
面に接触押圧している。
Ｔは良導電性、良熱伝達性の金属材からなる押えふたで
、半導体素子１の他端面に接触し受けている。８は上記
皿状容器６のふち部と押えふたＴの側部とに結合して囲
う合成樹脂成形体で、絶縁性良好な合成樹脂材をモール
ドしてなる。
、半導体素子１の他端面に接触し受けている。８は上記
皿状容器６のふち部と押えふたＴの側部とに結合して囲
う合成樹脂成形体で、絶縁性良好な合成樹脂材をモール
ドしてなる。
皿状容器６の外周側円板部ＩＦ形成したダイヤフラム部
６ｂの可とう性作用により、半導体素子１の両端面に対
し底部６ａと押えふたＴとによる適当な接触圧力が与え
られる。９は合成樹脂成形体８が硬化時の体積変化によ
り、半導体素子１にひずみを与えないように、合成樹脂
成形体８の形成前に充てんされた緩衝材で、例えばシリ
コンゴム、又はゴム状合成樹脂材のように、ゴム状弾性
に富む絶縁性材を用いている。
６ｂの可とう性作用により、半導体素子１の両端面に対
し底部６ａと押えふたＴとによる適当な接触圧力が与え
られる。９は合成樹脂成形体８が硬化時の体積変化によ
り、半導体素子１にひずみを与えないように、合成樹脂
成形体８の形成前に充てんされた緩衝材で、例えばシリ
コンゴム、又はゴム状合成樹脂材のように、ゴム状弾性
に富む絶縁性材を用いている。
このように形成された容器の気密性は、従来の第１図に
示す装置とほぼ同等になる。
示す装置とほぼ同等になる。
すなわち、合成樹脂成形体８の硬化時の収縮力により、
皿状容器６のふち部と押えふたＴの側部との接着がいつ
そう緊密になり、気密度が増す。第３図はこの発明の他
の実施例を示す半導体装置の縦断面図で、さらに気密性
を向上するようにしている。
皿状容器６のふち部と押えふたＴの側部との接着がいつ
そう緊密になり、気密度が増す。第３図はこの発明の他
の実施例を示す半導体装置の縦断面図で、さらに気密性
を向上するようにしている。
皿状容器６のふち部の外側にｏリング１０をはめ、また
、押えふたＴの外側にｏリング１１をはめ、合成樹脂成
形体８に埋込んでいる。これにより、経年により合成樹
脂成形体８が枯れを生じ、皿状容器６のふち部と押えふ
たＴとに対する接着度が減じても、各ｏリング１０，１
１の弾性押圧作用により気密性が維持される。第４図は
この発明の他の異なる実施例を示す半導体装置の縦断面
図で、半導体素子１２はサイリスタなどからなり３個の
電極を有しており、第３の電極リード１３は、合成樹脂
成形体８を貫通して外部に引出されている。
、押えふたＴの外側にｏリング１１をはめ、合成樹脂成
形体８に埋込んでいる。これにより、経年により合成樹
脂成形体８が枯れを生じ、皿状容器６のふち部と押えふ
たＴとに対する接着度が減じても、各ｏリング１０，１
１の弾性押圧作用により気密性が維持される。第４図は
この発明の他の異なる実施例を示す半導体装置の縦断面
図で、半導体素子１２はサイリスタなどからなり３個の
電極を有しており、第３の電極リード１３は、合成樹脂
成形体８を貫通して外部に引出されている。
以上のように、この発明によれば、従来の装置に比し、
構造が簡単で製作が容易であり、価格が低減され、大容
量の半導体素子の場合にも適用できる。
構造が簡単で製作が容易であり、価格が低減され、大容
量の半導体素子の場合にも適用できる。
第１図は従来の半導体装置の縦断面図、第２図はこの発
明の一実施例による半導体装置の縦断面図、第３図及び
第４図はこの発明のそれぞれ異なる他の実施例を示す半
導体装置の縦断面図である。 １ ・・・・・・半導体素子、６・・・・・・皿状容器
、６ａ・・・・・・底部、６ｂ・・・・・・ダイヤフラ
ム部、Ｔ・・・・・・押えふた、８・・・・・・合成樹
脂成形体、９・・・・・・緩衝材、１０・・・・・・第
１のｏリング、１１・・・・・・第２のｏリング、１２
・・・・・・半導体素子。
明の一実施例による半導体装置の縦断面図、第３図及び
第４図はこの発明のそれぞれ異なる他の実施例を示す半
導体装置の縦断面図である。 １ ・・・・・・半導体素子、６・・・・・・皿状容器
、６ａ・・・・・・底部、６ｂ・・・・・・ダイヤフラ
ム部、Ｔ・・・・・・押えふた、８・・・・・・合成樹
脂成形体、９・・・・・・緩衝材、１０・・・・・・第
１のｏリング、１１・・・・・・第２のｏリング、１２
・・・・・・半導体素子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 平形をなす半導体素子と、導電性で熱伝達性に富む
金属薄板材からなり、底部内面で上記半導体素子の一端
面に接触し押圧支持する皿状容器と、導電性で熱伝達性
に富む金属材からなり、上記半導体素子の他端面に接触
し受止める押えふたと、ゴム状弾性を有する絶縁性材か
らなり、上記皿状容器内にこの容器のふち部を残し上記
半導体素子との空所部に充てんされた緩衝材と、上記皿
状容器のふち部を埋込み、かつ、上記押えふたの側部に
接合して双方を１体的に結合し絶縁して側部を囲う合成
樹脂形成体とを備えた半導体装置。 ２ 合成樹脂成形体は、皿状容器のふち部の外側にはめ
た第１のＯリングと、押えふたの側部にはめた第２のＯ
リングとを埋込んでいることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54102046A JPS5949699B2 (ja) | 1979-08-09 | 1979-08-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54102046A JPS5949699B2 (ja) | 1979-08-09 | 1979-08-09 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5626453A JPS5626453A (en) | 1981-03-14 |
| JPS5949699B2 true JPS5949699B2 (ja) | 1984-12-04 |
Family
ID=14316819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54102046A Expired JPS5949699B2 (ja) | 1979-08-09 | 1979-08-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5949699B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01213197A (ja) * | 1988-02-19 | 1989-08-25 | Tokico Ltd | 給油ノズル |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2902277B1 (fr) * | 2006-06-13 | 2008-09-05 | Valeo Electronique Sys Liaison | Support pour composant electrique et dispositif electrique comprenant le support et le composant |
-
1979
- 1979-08-09 JP JP54102046A patent/JPS5949699B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01213197A (ja) * | 1988-02-19 | 1989-08-25 | Tokico Ltd | 給油ノズル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5626453A (en) | 1981-03-14 |
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