JPS5949728B2 - 可変インピ−ダンス回路 - Google Patents
可変インピ−ダンス回路Info
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- JPS5949728B2 JPS5949728B2 JP51156537A JP15653776A JPS5949728B2 JP S5949728 B2 JPS5949728 B2 JP S5949728B2 JP 51156537 A JP51156537 A JP 51156537A JP 15653776 A JP15653776 A JP 15653776A JP S5949728 B2 JPS5949728 B2 JP S5949728B2
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- Japan
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- diode
- circuit
- current circuit
- impedance
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/46—One-port networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0035—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements
-
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0035—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements
- H03G1/0082—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements using bipolar transistor-type devices
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/02—Multiple-port networks
- H03H11/24—Frequency-independent attenuators
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- Networks Using Active Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、歪発生の少い可変インピーダンス回路に関す
るものである。
るものである。
一般に、増幅系に入力する信号が小さいとき、増幅系の
雑音のために信号対雑音比が劣化するこiとはよく知ら
れている。
雑音のために信号対雑音比が劣化するこiとはよく知ら
れている。
この対策として、小信号入力信号を整流した制御電圧に
より増幅系の雑音再生帯域幅を制限し、雑音出力を軽減
する方策がとられている。
より増幅系の雑音再生帯域幅を制限し、雑音出力を軽減
する方策がとられている。
この場合、制御電圧により周波数特性を変化させる可変
インピーダンス回路を必要?とする。
インピーダンス回路を必要?とする。
第1図は、テープレコーダの再生時のテープヒスと称さ
れる雑音出力を軽減させるドルビシステム用に提案され
ている可変インピーダンス回路である。
れる雑音出力を軽減させるドルビシステム用に提案され
ている可変インピーダンス回路である。
以下、簡単に動作原理を説明する。トランジスタ10は
、トランジスタ12、PNP トランジスタ11とダー
リントン接続された定電流回路17を構成し、ダイオー
ド8、トランジスタ9のバイアス電流を供給しているが
、ダイオード7とトランジスタ6で構成されるカレント
ミラー回路により、ダイオード8、トランジス;夕9の
電流が常に等しくなる。
、トランジスタ12、PNP トランジスタ11とダー
リントン接続された定電流回路17を構成し、ダイオー
ド8、トランジスタ9のバイアス電流を供給しているが
、ダイオード7とトランジスタ6で構成されるカレント
ミラー回路により、ダイオード8、トランジス;夕9の
電流が常に等しくなる。
周知のように、ダイオードの動作抵抗及びトランジスタ
のエミッターベース間動作抵抗は電流に比例し、その電
流が等しければ共に同一抵抗値となる。
のエミッターベース間動作抵抗は電流に比例し、その電
流が等しければ共に同一抵抗値となる。
定電流回路17の電流I。
は、はぼトランジスタ10の電流に等′シ<、制御電源
15の制御電圧をVc、トランジスタ12のベース・エ
ミッタ間電圧をVbe抵抗13の抵抗値Rとすれば、 と表わされ、制御電圧Vcに比例して変る。
15の制御電圧をVc、トランジスタ12のベース・エ
ミッタ間電圧をVbe抵抗13の抵抗値Rとすれば、 と表わされ、制御電圧Vcに比例して変る。
ここで定電流回路17の内部抵抗が、ダイオード8、ト
ランジスタ9の動作抵抗よりも充分大きければ、可変イ
ンピーダンス回路5の出力端子2における可変インピー
ダンス回路の入力インピーダンスは、ダイオード8とト
ランジスタ9の動作抵抗の和となり、ダイオード8の動
作抵抗γの2倍、即ち2γとなる。
ランジスタ9の動作抵抗よりも充分大きければ、可変イ
ンピーダンス回路5の出力端子2における可変インピー
ダンス回路の入力インピーダンスは、ダイオード8とト
ランジスタ9の動作抵抗の和となり、ダイオード8の動
作抵抗γの2倍、即ち2γとなる。
したがって、出力端子2における再生周波数帯域は、強
入力時には、制御電源15の制御電圧を小として可変イ
ンピーダンス回路5の入力インピーダンスを抵抗3の抵
抗値R1より充分大きくすれば、抵抗3の抵抗値R1と
コンデンサ4の容量値C1で決まる。
入力時には、制御電源15の制御電圧を小として可変イ
ンピーダンス回路5の入力インピーダンスを抵抗3の抵
抗値R1より充分大きくすれば、抵抗3の抵抗値R1と
コンデンサ4の容量値C1で決まる。
また弱入力時には、制御電圧を大とし入力インピーダン
ス2γを小とすれば、再生周波数帯域はコンデンサ4の
容量値C1と、K1,2γの並列値と定まるのでその帯
域は狭くなり、出力端子2の信号対雑音比は改善される
。
ス2γを小とすれば、再生周波数帯域はコンデンサ4の
容量値C1と、K1,2γの並列値と定まるのでその帯
域は狭くなり、出力端子2の信号対雑音比は改善される
。
ここで可変インピーダンス回路の入力インピーダンスが
抵抗3の抵抗値R0よりも小さくなると、ダイオード8
およびトランジスタ9の動作抵抗の非直線性の影響によ
り歪の増加となるが、定電流回路17の内部抵抗がダイ
オード8、トランジスタ9の動作抵抗より充分大きけれ
ば、出力端子2の信号はダイオード8とトランジスタ9
のエミッターベース間に差動的に印加されるので、その
非直線性による歪成分の偶数次は相殺されて、大きな歪
率劣化にはならない。
抵抗3の抵抗値R0よりも小さくなると、ダイオード8
およびトランジスタ9の動作抵抗の非直線性の影響によ
り歪の増加となるが、定電流回路17の内部抵抗がダイ
オード8、トランジスタ9の動作抵抗より充分大きけれ
ば、出力端子2の信号はダイオード8とトランジスタ9
のエミッターベース間に差動的に印加されるので、その
非直線性による歪成分の偶数次は相殺されて、大きな歪
率劣化にはならない。
しかし、第1図の定電流回路17の内部抵抗は、必ずし
もダイオード8、トランジスタ9の動作抵抗より充分大
きいとは限らず、出力端子2からのダイオード8への電
流は、一部定電流回路17に流れ込む。
もダイオード8、トランジスタ9の動作抵抗より充分大
きいとは限らず、出力端子2からのダイオード8への電
流は、一部定電流回路17に流れ込む。
したがって、ダイオード8とトランジスタ9には信号が
差動的に印加されず、歪率劣化となる。
差動的に印加されず、歪率劣化となる。
第1図に示す定電流回路17における出力インピーダン
スは、トランジスタ12の出力インピーダンスをトラン
ジスタ11の電流増幅率hfeで除した値と、トランジ
スタ10の出力インピーダンスとの並列値となる。
スは、トランジスタ12の出力インピーダンスをトラン
ジスタ11の電流増幅率hfeで除した値と、トランジ
スタ10の出力インピーダンスとの並列値となる。
特にPNPトランジスタ11のhfeが大きい場合、儒
電流回路17の出力インピーダンスは、ダイオ℃ド8、
トランジスタ9の動作抵抗に対して充分には大とならず
、歪率劣化となる。
電流回路17の出力インピーダンスは、ダイオ℃ド8、
トランジスタ9の動作抵抗に対して充分には大とならず
、歪率劣化となる。
さらに本回路をICで構成した場合、PNP)ランジス
タ11のhfeの制御は困難で、そのばらつきも大きく
、歪のばらつきが大となる。
タ11のhfeの制御は困難で、そのばらつきも大きく
、歪のばらつきが大となる。
ここで定電流回路17を第1図の如くダーリントン接続
して構成したのは次の理由による。
して構成したのは次の理由による。
雑音再生帯域を入力信号強度に応じて自動的に変化させ
るためには、入力信号を適当に増幅整流した信号を制御
電圧とする必要がある。
るためには、入力信号を適当に増幅整流した信号を制御
電圧とする必要がある。
しかも、°入力信号の過渡的な変化に対しても聴感上耳
障りでないような応答をさせるには、整流電圧の立ち上
がり、立ち下がりの時定数を適当な値に定めなければな
らない。
障りでないような応答をさせるには、整流電圧の立ち上
がり、立ち下がりの時定数を適当な値に定めなければな
らない。
この予め定められた時定数が、定電流回路17の端子1
8における入力インピーダンス、入力電流により変化の
ないようダーリントン接続して高入力インピーダンス化
しているのである。
8における入力インピーダンス、入力電流により変化の
ないようダーリントン接続して高入力インピーダンス化
しているのである。
第1図で、14はバイアス電源、16は電源供給端子で
ある。
ある。
本発明は、上述の従来技術の欠点をなくし、歪劣化のな
い可変インピーダンス回路を提供することを目的とする
。
い可変インピーダンス回路を提供することを目的とする
。
本発明は、ダイオードのカソードとエミッタフォロアの
エミッタとの接続点を定電流回路に接続し、両者の電流
量を可変することにより、ダイオードのアノードよりみ
たインピーダンスを可変する回路において、上記定電流
回路の内部インピーダンスを高くして、歪率の劣化を防
止することを特徴とする。
エミッタとの接続点を定電流回路に接続し、両者の電流
量を可変することにより、ダイオードのアノードよりみ
たインピーダンスを可変する回路において、上記定電流
回路の内部インピーダンスを高くして、歪率の劣化を防
止することを特徴とする。
第2図は本発明の具体的な一実施例回路図で、第1図と
同一機能のものは同一符号を付している。
同一機能のものは同一符号を付している。
第2図において、17は定電流回路を示し、該回路はト
ランジスタ10,11.12から構成されている。
ランジスタ10,11.12から構成されている。
トランジスタ10のコレクタは差動電流回路のダイオー
ド8のカソードとトランジスタ9のエミッタの接続点に
接続され、エミッタは抵抗13を介してアースされてい
る。
ド8のカソードとトランジスタ9のエミッタの接続点に
接続され、エミッタは抵抗13を介してアースされてい
る。
トランジスタ11のベースはトランジスタ11のコレク
タに接続されている。
タに接続されている。
トランジスタ11のエミッタはバイアス電源19に接続
され、ベースはトランジスタ12のコレクタに接続され
ている。
され、ベースはトランジスタ12のコレクタに接続され
ている。
トランジスタ12のエミッタは抵抗13を介してアース
され、ベースは制御電源15に接続されている。
され、ベースは制御電源15に接続されている。
このように定電流回路17を構成するPNPトランジス
タ11のエミッタを別置したバイアス電源19に接続す
れば、差動電流回路を構成するダイオード8のカソード
とトランジスタ9のエミッタとの接続点よりみた定電流
回路17の出力インピーダンスは、トランジスタ10の
出力インピーダンスのみとなる。
タ11のエミッタを別置したバイアス電源19に接続す
れば、差動電流回路を構成するダイオード8のカソード
とトランジスタ9のエミッタとの接続点よりみた定電流
回路17の出力インピーダンスは、トランジスタ10の
出力インピーダンスのみとなる。
NPNトランジスタの出力抵抗は一般に数百にΩ〜数M
Ωであるので、定電流回路17の出力インピーダンスは
、その電流によって可変されるダイオード8、トランジ
スタ9の動作抵抗に対して、常に充分大とすることがで
き、出力端子2より流れ込む信号電流は、定電流回路1
7には流れず、ダイオード8、トランジスタ9に差動的
に印加され、端子2に発生する信号の歪は少ない。
Ωであるので、定電流回路17の出力インピーダンスは
、その電流によって可変されるダイオード8、トランジ
スタ9の動作抵抗に対して、常に充分大とすることがで
き、出力端子2より流れ込む信号電流は、定電流回路1
7には流れず、ダイオード8、トランジスタ9に差動的
に印加され、端子2に発生する信号の歪は少ない。
さらに制御が困難とされていたPNP トランジスタ1
1の電流増幅率hfeの影響を受けないので、歪率のば
らつきも少なくなる。
1の電流増幅率hfeの影響を受けないので、歪率のば
らつきも少なくなる。
実験結果によれば、第1図において、1版。
260MVRMSの入力端子1の入力信号の出力端子2
における歪は、定電流1μA時1.4%であったが、第
2図の本発明によれば、0.25%に軽減でき、他の入
力レベルにおいても全体的に歪は軽減されている。
における歪は、定電流1μA時1.4%であったが、第
2図の本発明によれば、0.25%に軽減でき、他の入
力レベルにおいても全体的に歪は軽減されている。
以上のように、ダイオードのカソードとトランジスタの
エミッタとの接続点に定電流回路を接続し、上記トラン
ジスタのコレクタ電流と同一方向、同一電流を定電流的
に前記ダイオードに供給し、かつ定電流回路の電流を可
変して、上記ダイオードおよび斗うンジスタの動作抵抗
を変化させる可変インピーダンス回路において、上記定
電流回路の内部インピーダンスを大とすることにより歪
発生の極めて少ない可変インピーダンス回路を提供する
ことができる。
エミッタとの接続点に定電流回路を接続し、上記トラン
ジスタのコレクタ電流と同一方向、同一電流を定電流的
に前記ダイオードに供給し、かつ定電流回路の電流を可
変して、上記ダイオードおよび斗うンジスタの動作抵抗
を変化させる可変インピーダンス回路において、上記定
電流回路の内部インピーダンスを大とすることにより歪
発生の極めて少ない可変インピーダンス回路を提供する
ことができる。
第1図は従来の可変インピーダンス回路を示し、第2図
は本発明の可変インピーダンス回路の一実施例回路図で
ある。 1・・・・・・入力端子、2・・・・・・出力端子、8
・・・・・・ダイオード、9・・・・・・トランジスタ
、10,11,12・・・・・・トランジスタ、17・
・・・・・定電流回路、19・・・・・・バイアス電源
。
は本発明の可変インピーダンス回路の一実施例回路図で
ある。 1・・・・・・入力端子、2・・・・・・出力端子、8
・・・・・・ダイオード、9・・・・・・トランジスタ
、10,11,12・・・・・・トランジスタ、17・
・・・・・定電流回路、19・・・・・・バイアス電源
。
Claims (1)
- 1 少なくとも一つのダイオード8と、該ダイオードの
一端側(カソード)に接続された第1トランジスタ9と
、上記ダイオードの他端側(カソード)第1トランジス
タのコレクタに結合され、これらの該ダイオード、第1
トランジスタに流れる電流を等しくするカレントミラー
回路6,7と、上記ダイオードの他端側に接続されたイ
ンピーダンス端子(出力端子2)を有する差動電流回路
と、該差動電流回路の上記ダイオードと上記第1トラン
ジスタの接続点に結合された定電流回路17と、該定電
流回路の電流を制御する制御電圧源15とからなり、上
記差動電流回路のインピーダンス端子のインピーダンス
が上記差動電流回路の動作抵抗によって与えられる可変
インピーダンス回路において、上記定電流回路はコレク
タが上記ダイオードと第1トランジスタの接続点に接続
され、エミッタが抵抗を介してアースされた第2トラン
ジスタと、エミッタが上記第2トランジスタのエミッタ
に接続され、ベースが上記制御電圧源に接続された第3
トランジスタと、コレクタが上記第2トランジスタのベ
ースに接続され、ベースが上記第3トランジスタのコレ
クタに接続され、エミッタがバイアス電源に接続された
第4トランジスタからなることを特徴とする可変インピ
ーダンス回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51156537A JPS5949728B2 (ja) | 1976-12-27 | 1976-12-27 | 可変インピ−ダンス回路 |
| US05/864,266 US4179650A (en) | 1976-12-27 | 1977-12-27 | Variable impedance circuits |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51156537A JPS5949728B2 (ja) | 1976-12-27 | 1976-12-27 | 可変インピ−ダンス回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5381044A JPS5381044A (en) | 1978-07-18 |
| JPS5949728B2 true JPS5949728B2 (ja) | 1984-12-04 |
Family
ID=15629947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51156537A Expired JPS5949728B2 (ja) | 1976-12-27 | 1976-12-27 | 可変インピ−ダンス回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4179650A (ja) |
| JP (1) | JPS5949728B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4517508A (en) * | 1982-05-08 | 1985-05-14 | Toko, Inc. | Variable impedance circuit |
| US4608543A (en) * | 1984-12-17 | 1986-08-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Controllable effective resistance and phase lock loop with controllable filter |
| DE4320006C2 (de) * | 1993-06-17 | 1997-08-28 | Telefunken Microelectron | Schaltungsanordnung zur elektronischen Nachbildung von Arbeitswiderständen |
| EP2933646B1 (en) * | 2014-04-17 | 2019-04-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Precision measurement of voltage drop across a semiconductor switching element |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3761741A (en) * | 1972-06-21 | 1973-09-25 | Signetics Corp | Electrically variable impedance utilizing the base emitter junctions of transistors |
| GB1467057A (en) * | 1973-05-24 | 1977-03-16 | Rca Corp | Amplifier with over-current protection |
| US3947778A (en) * | 1974-09-11 | 1976-03-30 | Motorola, Inc. | Differential amplifier |
| JPS51104556A (ja) * | 1975-03-12 | 1976-09-16 | Hitachi Ltd | |
| JPS5245242A (en) * | 1975-10-08 | 1977-04-09 | Hitachi Ltd | Automatic gain control circuit |
| GB1568056A (en) * | 1975-10-31 | 1980-05-21 | Dolby Laboratories Inc | Electrically variable impedance ciruits |
-
1976
- 1976-12-27 JP JP51156537A patent/JPS5949728B2/ja not_active Expired
-
1977
- 1977-12-27 US US05/864,266 patent/US4179650A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5381044A (en) | 1978-07-18 |
| US4179650A (en) | 1979-12-18 |
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