JPS5950572A - 非晶質シリコン太陽電池 - Google Patents
非晶質シリコン太陽電池Info
- Publication number
- JPS5950572A JPS5950572A JP57159616A JP15961682A JPS5950572A JP S5950572 A JPS5950572 A JP S5950572A JP 57159616 A JP57159616 A JP 57159616A JP 15961682 A JP15961682 A JP 15961682A JP S5950572 A JPS5950572 A JP S5950572A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous silicon
- electrodes
- electrode
- silicon solar
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
- H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は非晶質シリコン太陽電池、特に信頼性の高い集
電機能を有する電極構造に関するものである。
電機能を有する電極構造に関するものである。
一般に可撓性を有する非晶質シリコン太陽電池は、例え
ばステンレス製薄形基板上に有機樹脂からなる絶縁膜を
形成し、この絶縁膜上に下部電極。
ばステンレス製薄形基板上に有機樹脂からなる絶縁膜を
形成し、この絶縁膜上に下部電極。
非晶質シリコン膜、上部電極の順に形成した後、さらに
最上部に有機樹脂からなる透光性のパッシベーション膜
を形成して構成される。
最上部に有機樹脂からなる透光性のパッシベーション膜
を形成して構成される。
しかしながら、前記構成による非晶質シリコン太陽電池
において、その上、下電極の少なくとも一方の金属製電
極は、有機樹脂製の絶縁膜と接触して配置されておシ、
一方、有機樹脂製の絶縁膜はその周端面側から視見中の
水分等を極めて容易に吸収する性質を有しているため、
金属製電極は長期間の使用あるいはその状態で長期間放
置されると、水分の吸収によシ、電極表面が酸化され、
やがては腐蝕に発展し、導電特性が劣化するとともに、
外観構造も変形する。この結果、太陽電池の出力を低下
させ、仕様を十分に満足することが不可能となシ、信頼
性が著しく低下するという問題があった。
において、その上、下電極の少なくとも一方の金属製電
極は、有機樹脂製の絶縁膜と接触して配置されておシ、
一方、有機樹脂製の絶縁膜はその周端面側から視見中の
水分等を極めて容易に吸収する性質を有しているため、
金属製電極は長期間の使用あるいはその状態で長期間放
置されると、水分の吸収によシ、電極表面が酸化され、
やがては腐蝕に発展し、導電特性が劣化するとともに、
外観構造も変形する。この結果、太陽電池の出力を低下
させ、仕様を十分に満足することが不可能となシ、信頼
性が著しく低下するという問題があった。
したがって本発明は、前述した従来の問題に鑑みてなさ
れたものであシ、その目的とするところは、電極を酸化
インジウム、酸化スズ、もしくはこれらの混合物で構成
することによって、電極の酸化、腐蝕を防止させ、信頼
性を向上させた非晶質シリコン太陽電池を提供すること
にある。
れたものであシ、その目的とするところは、電極を酸化
インジウム、酸化スズ、もしくはこれらの混合物で構成
することによって、電極の酸化、腐蝕を防止させ、信頼
性を向上させた非晶質シリコン太陽電池を提供すること
にある。
以下、図面を用りて本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図および第２図は本発明による非晶質シリコン太陽
電池の一例を示す図であシ、第１図は要部平面構成図、
第２図はその要部断面構成図である。これらの図におい
て、１は可撓性かつ耐熱性を有する例えば板厚約０．３
ｍ＋以下のステンレス基板、２はステンレス基板１上に
耐熱性を有する高分子樹脂をスピナー、スプレー、ディ
ップ等の方法によシ約２μｍの厚さに塗布し、約３５０
℃の高温度で焼成して形成された絶縁膜、３ａ〜３ｅ
は絶縁膜２上に所定間隔幅で形成された酸化インジウム
・酸化スズ膜からなる下部電極であシ、この下部電極３
ａ〜３θは後述する非晶質シリコン膜を形成するために
約３５０℃程度までの耐熱性を持たせる必要から酸化イ
ンジウムと酸化スズとの混合物を加熱した基板１上に蒸
漸もしくは蒸着後焼成して形成されている。４は酸化物
電極３ａ〜３θ上にプラズマＣＶＤ法によシ形成させた
非晶質シリコン膜、５ａ〜５ｅは非晶質シリコン膜４上
に前記下部電極３ａ〜３ｅに対応して酸化インジウムを
スパッタリング法によシ形成させた透光性上部電極、６
は透光性上部電極５ａ〜５ｅ上に高分子樹脂をスピンナ
ー、スプレー、ディップもしくは印刷等の方法によυ一
様に塗布し約１５０℃の温度で焼成して形成された透光
性のバソ７ベーションｊ摸である。
電池の一例を示す図であシ、第１図は要部平面構成図、
第２図はその要部断面構成図である。これらの図におい
て、１は可撓性かつ耐熱性を有する例えば板厚約０．３
ｍ＋以下のステンレス基板、２はステンレス基板１上に
耐熱性を有する高分子樹脂をスピナー、スプレー、ディ
ップ等の方法によシ約２μｍの厚さに塗布し、約３５０
℃の高温度で焼成して形成された絶縁膜、３ａ〜３ｅ
は絶縁膜２上に所定間隔幅で形成された酸化インジウム
・酸化スズ膜からなる下部電極であシ、この下部電極３
ａ〜３θは後述する非晶質シリコン膜を形成するために
約３５０℃程度までの耐熱性を持たせる必要から酸化イ
ンジウムと酸化スズとの混合物を加熱した基板１上に蒸
漸もしくは蒸着後焼成して形成されている。４は酸化物
電極３ａ〜３θ上にプラズマＣＶＤ法によシ形成させた
非晶質シリコン膜、５ａ〜５ｅは非晶質シリコン膜４上
に前記下部電極３ａ〜３ｅに対応して酸化インジウムを
スパッタリング法によシ形成させた透光性上部電極、６
は透光性上部電極５ａ〜５ｅ上に高分子樹脂をスピンナ
ー、スプレー、ディップもしくは印刷等の方法によυ一
様に塗布し約１５０℃の温度で焼成して形成された透光
性のバソ７ベーションｊ摸である。
なお、前記各下部電極３ａ〜３ｅとこれと対応する前記
各透光性上部電極５ａ〜５ｅとの間には非晶質シリコン
膜４が介在されて５個直列接続された非晶質シリコン太
陽電池が構成され、その出力電圧は下部電極３ａおよび
透光性上部電極５ｅの一端に形成された出力端子３ａ＋
５ｅがら出力される。
各透光性上部電極５ａ〜５ｅとの間には非晶質シリコン
膜４が介在されて５個直列接続された非晶質シリコン太
陽電池が構成され、その出力電圧は下部電極３ａおよび
透光性上部電極５ｅの一端に形成された出力端子３ａ＋
５ｅがら出力される。
このように構成された非晶質シリコン太陽電池は約１ｏ
ｏｏ時間以上におよぶ環境試験を行なったところ、高分
子樹脂製絶縁膜２およびパッシベーション膜６の吸水性
による下部電極３ａ〜３θおよび透光性上部電極５ａ〜
５ｅの電極表面の酸化が全く発生せず、したがって腐蝕
の発生もなく、またこれによって生ずる外観構造の変形
および出力電圧の低下も全くみられず、極めて良好な結
果が得られた。すなわち、下部電極３ａ〜３ｅおよび透
光性上部電極５ａ〜５ｅはその成分が金属酸化物で構成
されているため、始めから化学的に安定した酸化状態で
使用される結果、水分による酸化の進行を大幅に抑止で
き、したがって導電特性の劣化を抑えることができた。
ｏｏ時間以上におよぶ環境試験を行なったところ、高分
子樹脂製絶縁膜２およびパッシベーション膜６の吸水性
による下部電極３ａ〜３θおよび透光性上部電極５ａ〜
５ｅの電極表面の酸化が全く発生せず、したがって腐蝕
の発生もなく、またこれによって生ずる外観構造の変形
および出力電圧の低下も全くみられず、極めて良好な結
果が得られた。すなわち、下部電極３ａ〜３ｅおよび透
光性上部電極５ａ〜５ｅはその成分が金属酸化物で構成
されているため、始めから化学的に安定した酸化状態で
使用される結果、水分による酸化の進行を大幅に抑止で
き、したがって導電特性の劣化を抑えることができた。
これに対して金属製の電極を有する非晶質シリコン太陽
電池は３０チ程度出力電圧が低下し、さらに電極の表面
がわずがながら形状変化が見られた。
電池は３０チ程度出力電圧が低下し、さらに電極の表面
がわずがながら形状変化が見られた。
なお、前記実施例において、基板にステンレス基板、下
部電極に酸化インジウム・酸化スズ膜、透光性上部電極
に酸化インジウム膜をそれぞれ用いた場合について説明
したが、本発明はこれに限定されるものではなく、基板
を金属板、樹脂薄板、下部電極および透光性上都電４Ｍ
を酸化インジウム。
部電極に酸化インジウム・酸化スズ膜、透光性上部電極
に酸化インジウム膜をそれぞれ用いた場合について説明
したが、本発明はこれに限定されるものではなく、基板
を金属板、樹脂薄板、下部電極および透光性上都電４Ｍ
を酸化インジウム。
酸化スズ、もしくはこれらの混合物で構成しても前述と
全く同様の効果が得られることは勿論である。
全く同様の効果が得られることは勿論である。
以上説明したように本発明による非晶質シリコン太陽電
池によれば、非晶質シリコン膜と絶縁膜間に介在する集
電′電極をインジウム酸化物、スズ酸化物もしくはこれ
らの混合物で構成したことによって、水分の吸収によっ
て生じる電極の酸化。
池によれば、非晶質シリコン膜と絶縁膜間に介在する集
電′電極をインジウム酸化物、スズ酸化物もしくはこれ
らの混合物で構成したことによって、水分の吸収によっ
て生じる電極の酸化。
腐蝕を防止することができるので、出力電圧の低下およ
び外観形状の変形の全く生じない、信頼性の高い非晶質
シリコン太陽電池が得られるという極めて優れた効果を
有する。
び外観形状の変形の全く生じない、信頼性の高い非晶質
シリコン太陽電池が得られるという極めて優れた効果を
有する。
第１図および第２図は本発明による非晶質シリコン太陽
電池の一例を示す装部平面構成図およびその要部断面構
成図である。 １・・・・ステンレス基板、２・・・・絶縁刀必、３
ａ ｒ ３ ｂ ＋ ３ ａ ｒ Ｊ ｄ ＋ ３ ｅ
・・ｍｓ下部電極、３ａ ・・・・端子、４・ ・・
・非晶質シリコン膜、５ａ。 ５ｂｚ５ｃ＋５ａ＋５ｅ・・・・透光性上部電極、５ｄ
・・拳一端子、６・・・・パッシベーション膜。 第２図
電池の一例を示す装部平面構成図およびその要部断面構
成図である。 １・・・・ステンレス基板、２・・・・絶縁刀必、３
ａ ｒ ３ ｂ ＋ ３ ａ ｒ Ｊ ｄ ＋ ３ ｅ
・・ｍｓ下部電極、３ａ ・・・・端子、４・ ・・
・非晶質シリコン膜、５ａ。 ５ｂｚ５ｃ＋５ａ＋５ｅ・・・・透光性上部電極、５ｄ
・・拳一端子、６・・・・パッシベーション膜。 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成された下部
電極と、前記下部電極上に形成された非晶質シリコン膜
と、前記非晶質シリコン膜上の前記下部電極に対応して
形成された上部電極とを少なくとも備え、前記電極は酸
化インジウム、酸化スズもしくはこれらの混合物で形成
したことを特徴とする非晶質シリコン太陽電池。 ２、前記絶縁性基板は、板厚０．３■以下の金属基板上
に耐熱性を有する樹脂からなる絶縁膜を形成してなる基
板としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
非晶質シリコン太陽電池。 ３゜前記絶縁性基板は、可撓性かつ耐熱性を有する樹脂
薄板としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の非晶質シリコン太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57159616A JPS5950572A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | 非晶質シリコン太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57159616A JPS5950572A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | 非晶質シリコン太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5950572A true JPS5950572A (ja) | 1984-03-23 |
Family
ID=15697604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57159616A Pending JPS5950572A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | 非晶質シリコン太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5950572A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009054748A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール、太陽電池、及びこれらの製造方法 |
-
1982
- 1982-09-16 JP JP57159616A patent/JPS5950572A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009054748A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール、太陽電池、及びこれらの製造方法 |
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