JPS5951758B2 - 配線基板の製造方法 - Google Patents
配線基板の製造方法Info
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- JPS5951758B2 JPS5951758B2 JP6456480A JP6456480A JPS5951758B2 JP S5951758 B2 JPS5951758 B2 JP S5951758B2 JP 6456480 A JP6456480 A JP 6456480A JP 6456480 A JP6456480 A JP 6456480A JP S5951758 B2 JPS5951758 B2 JP S5951758B2
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- powder
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- alumina ceramic
- glass frit
- wiring board
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、アルミナセラミック基板に導電金属層が形成
された配線基板の製造方法に関するものである。
された配線基板の製造方法に関するものである。
従来のメタライズ用組成物は、金属粉末とガラスフリッ
トを含んで構成されている。
トを含んで構成されている。
金属粉末としては、Ｗ金属粉末単独、Ｍｏ金属粉末単独
、Ｗ金属粉末とＭｎ金属粉末との混合物、Ｍｏ金属粉末
とＭｎ金属粉末との混合物が最も一般的に使用されてい
る。近年、配線基板の製造において、セラミックの焼結
と導電金属層の形成を加湿還元雰囲気下で同時焼成によ
り行なう技術が発達してきた。
、Ｗ金属粉末とＭｎ金属粉末との混合物、Ｍｏ金属粉末
とＭｎ金属粉末との混合物が最も一般的に使用されてい
る。近年、配線基板の製造において、セラミックの焼結
と導電金属層の形成を加湿還元雰囲気下で同時焼成によ
り行なう技術が発達してきた。
しかし、加湿は有機バインダーの分解及び金属層とセラ
ミック層の結合を促進させる効果を有する反面、加湿条
件によつては金属が過度に酸化され、導電金属層の電気
抵抗の増加及び導電金属層の焼結性の低下を招く欠点を
有している。従つて、本発明は係る欠点をなくすために
なされたものであり、加湿条件の変動による金属粉末の
酸化を防止することのできるメタライズ用組成物を用い
た配線基板の製造方法を提供し、以つて金属粒子間の焼
結現象を促進させるとともに導電金属層の電気抵抗の減
少を図るものである。
ミック層の結合を促進させる効果を有する反面、加湿条
件によつては金属が過度に酸化され、導電金属層の電気
抵抗の増加及び導電金属層の焼結性の低下を招く欠点を
有している。従つて、本発明は係る欠点をなくすために
なされたものであり、加湿条件の変動による金属粉末の
酸化を防止することのできるメタライズ用組成物を用い
た配線基板の製造方法を提供し、以つて金属粒子間の焼
結現象を促進させるとともに導電金属層の電気抵抗の減
少を図るものである。
係る目的に従つて本発明に係る配線基板の製造方法は、
アルミナセラミック基板に導電金属層を形成するために
、Ｗ、Ｍｏ、Ｍｎ金属粉末の１種または２種以上が合計
８０〜９９重量％、炭素粉末が０．１〜１重量％、上記
アルミナセラミック基板と同一組成物仮焼粉末、ガラス
フリットの１種または両者が合計０．９９〜１９重量％
より成り、上記金属粉末、炭素粉末、仮焼粉末または／
及びガラスフリットの平均粒径をおのおの０．１〜５μ
としたメタライズ用組成物を用い、複数枚の未焼結の生
アルミナセラミックシート上に回路を形成し、その後該
シートを重ね合わせホットプレス法を用い積層体とし、
該積層体を露点５〜３５℃の間の湿つた非酸化性雰囲気
中で焼成することを特徴とする。炭素粉末は強力な還元
剤として作用し、加湿非酸化性雰囲気下で焼成の際、過
度の加湿による金属粉末の酸化を制御する。そして、下
地アルミナセラミック基板原料仮焼粉末は導電金属層と
基板間の接着に寄与する目的で添加される。また、仮焼
の意義はメタライズ用ペースト中における小密度酸化物
原料の相分離防止のためである。さらに、ガラスフリツ
トは導電金属層と基板間の接着に寄与する目的で添加さ
れるものであるから、使用するガラスフリツトは係る目
的に適合し、且つ軟化温度が６００℃以上であれば特に
その種類は限定されない。上記組成物中の炭素粉末，仮
焼粉末，ガラスフリツトの含有量及び平均粒径は、該組
成物に含まれる金属粉末の種類，粒径，量及び焼成温度
によつて上記範囲内で種々の値を採ることができる。
アルミナセラミック基板に導電金属層を形成するために
、Ｗ、Ｍｏ、Ｍｎ金属粉末の１種または２種以上が合計
８０〜９９重量％、炭素粉末が０．１〜１重量％、上記
アルミナセラミック基板と同一組成物仮焼粉末、ガラス
フリットの１種または両者が合計０．９９〜１９重量％
より成り、上記金属粉末、炭素粉末、仮焼粉末または／
及びガラスフリットの平均粒径をおのおの０．１〜５μ
としたメタライズ用組成物を用い、複数枚の未焼結の生
アルミナセラミックシート上に回路を形成し、その後該
シートを重ね合わせホットプレス法を用い積層体とし、
該積層体を露点５〜３５℃の間の湿つた非酸化性雰囲気
中で焼成することを特徴とする。炭素粉末は強力な還元
剤として作用し、加湿非酸化性雰囲気下で焼成の際、過
度の加湿による金属粉末の酸化を制御する。そして、下
地アルミナセラミック基板原料仮焼粉末は導電金属層と
基板間の接着に寄与する目的で添加される。また、仮焼
の意義はメタライズ用ペースト中における小密度酸化物
原料の相分離防止のためである。さらに、ガラスフリツ
トは導電金属層と基板間の接着に寄与する目的で添加さ
れるものであるから、使用するガラスフリツトは係る目
的に適合し、且つ軟化温度が６００℃以上であれば特に
その種類は限定されない。上記組成物中の炭素粉末，仮
焼粉末，ガラスフリツトの含有量及び平均粒径は、該組
成物に含まれる金属粉末の種類，粒径，量及び焼成温度
によつて上記範囲内で種々の値を採ることができる。
尚、Ｗ，ＭＯ，Ｍｎ金属粉末の１種または２種以上の合
計が８０重量％未満の場合、面抵抗値が増加する。一方
、９９重量％より多い場合電極の面接強度の低下を招＜
。また、炭素粉末が０．０１重量％未満の場合は加湿条
件により電極の面抵抗値が大きくなり、面接着強度も低
下する。一方、ｌ重量％より多い場合電極皮膜強度が低
下する。さらに、下地アルミナセラミツク基板と同一組
成物仮焼粉末，ガラスフリツトの１種または両者の合計
が０．９９重量％未満の場合は電極の面接着強度が低下
し、１９重量％より多い場合面抵抗値が増大する。さら
には金属粉末，炭素粉末，仮焼粉末，ガラスフリツトの
平均粒径が０．１μ未満の場合は粉末純度の低下及びコ
スト高となる。一方、金属粉末，炭素粉末，仮焼粉末，
ガラスフリツトの平均粒径が５μより大きくなると、金
属粉末の場合は電極の焼結性が低下し、炭素粉末の場合
は炭素粒子の偏析により面抵抗値が増大する。そして、
仮焼粉末，ガラスフリツトの場合は電極の焼結性低下及
び偏析による面抵抗値の増加，面接着強度の低下を招く
。また、露点が５℃未満，３５℃より大きい場合、面抵
抗値の増大，面接着強度の低下を招く。上記の如＜、炭
素粉末を用い露点５ 〜３５℃の間の湿つた非酸化性雰
囲気中で焼成することにより、新規な優れた配線基板の
製造方法を完成した。
計が８０重量％未満の場合、面抵抗値が増加する。一方
、９９重量％より多い場合電極の面接強度の低下を招＜
。また、炭素粉末が０．０１重量％未満の場合は加湿条
件により電極の面抵抗値が大きくなり、面接着強度も低
下する。一方、ｌ重量％より多い場合電極皮膜強度が低
下する。さらに、下地アルミナセラミツク基板と同一組
成物仮焼粉末，ガラスフリツトの１種または両者の合計
が０．９９重量％未満の場合は電極の面接着強度が低下
し、１９重量％より多い場合面抵抗値が増大する。さら
には金属粉末，炭素粉末，仮焼粉末，ガラスフリツトの
平均粒径が０．１μ未満の場合は粉末純度の低下及びコ
スト高となる。一方、金属粉末，炭素粉末，仮焼粉末，
ガラスフリツトの平均粒径が５μより大きくなると、金
属粉末の場合は電極の焼結性が低下し、炭素粉末の場合
は炭素粒子の偏析により面抵抗値が増大する。そして、
仮焼粉末，ガラスフリツトの場合は電極の焼結性低下及
び偏析による面抵抗値の増加，面接着強度の低下を招く
。また、露点が５℃未満，３５℃より大きい場合、面抵
抗値の増大，面接着強度の低下を招く。上記の如＜、炭
素粉末を用い露点５ 〜３５℃の間の湿つた非酸化性雰
囲気中で焼成することにより、新規な優れた配線基板の
製造方法を完成した。
以下、本発明を実施例を挙け具体的に説明する。
まず、試料としてのＷ，ＭＯ，Ｍｎ粉末は市販の平均粒
径０．１，１，５，１０μの試薬を用い、ガラスフリツ
ト粉末は軟化点１１００℃の市販のＡｌ。
径０．１，１，５，１０μの試薬を用い、ガラスフリツ
ト粉末は軟化点１１００℃の市販のＡｌ。
Ｏ。−ＳｉＯ２−ＭｇＯ−ＭｎＯ。系ガラスフリツトを
ボールミルにて平均粒径０．１，１，５，１０μとした
ものを用いる。また、未焼結性アルミナセラミツクシー
トは、原料として工業用原料（純度９８％以上）を用い
、Ａｌ。Ｏ。９６重量％，ＳｉＯ。
ボールミルにて平均粒径０．１，１，５，１０μとした
ものを用いる。また、未焼結性アルミナセラミツクシー
トは、原料として工業用原料（純度９８％以上）を用い
、Ａｌ。Ｏ。９６重量％，ＳｉＯ。
３重量％，ＭｇＯＯ．５重量％，ＣａＯＯ．５重量％の
組成比になるよう調合し、公知の技術を用いて生アルミ
ナセラミツクシートとする。
組成比になるよう調合し、公知の技術を用いて生アルミ
ナセラミツクシートとする。
また、下地アルミナセラミツク基板原料仮焼物は、上記
の組成比の原料粉末を１３００℃で仮焼し、ボールミル
を用い平均粒径０．１，１，５，１０μとした粉体であ
る。このメタライズ用組成物の組成比及び平均粒径を下
記の第１表に示す。そして、該組成物を十分混合し、該
組成物１００重量部に対しエチルセルローズ６重量部，
ブチルカルビトールアセテート２０重量部，ターピネオ
ール３重量部を添加し、よ＜混練しメタライズ用ペース
トとする。上記のメタライズ用ペーストを生アルミナセ
ラミツクシート上にスクリーン法にて印刷し、該シート
を積み重ね１４０℃，４０ｋｇ／Ｃｍ２で１０分間ホツ
トプレスし積層体とする。
の組成比の原料粉末を１３００℃で仮焼し、ボールミル
を用い平均粒径０．１，１，５，１０μとした粉体であ
る。このメタライズ用組成物の組成比及び平均粒径を下
記の第１表に示す。そして、該組成物を十分混合し、該
組成物１００重量部に対しエチルセルローズ６重量部，
ブチルカルビトールアセテート２０重量部，ターピネオ
ール３重量部を添加し、よ＜混練しメタライズ用ペース
トとする。上記のメタライズ用ペーストを生アルミナセ
ラミツクシート上にスクリーン法にて印刷し、該シート
を積み重ね１４０℃，４０ｋｇ／Ｃｍ２で１０分間ホツ
トプレスし積層体とする。
焼成は大気中にて脱バインダーを行ない、次いで露点０
℃〜４０℃の間の湿つたグリーンガス中で１５００〜１
８００℃にて行なう。
℃〜４０℃の間の湿つたグリーンガス中で１５００〜１
８００℃にて行なう。
このようにして得られた配線基板を用い、下記の第２表
に示すような各諸特性を調べた。第１表，第２表より明
らかなように、本発明範囲の実施例は黒１〜▲５の露点
（Ｄ．ｐ）５〜３５℃迄であり、他は範囲外の比較例で
ある。
に示すような各諸特性を調べた。第１表，第２表より明
らかなように、本発明範囲の実施例は黒１〜▲５の露点
（Ｄ．ｐ）５〜３５℃迄であり、他は範囲外の比較例で
ある。
本発明範囲の試料は面抵抗値，面接着強度，焼結度にお
いて優秀な特性を示している。
いて優秀な特性を示している。
また、本発明範囲外は諸特性が悪い。本実施例において
焼結度は、電極皮膜をナイフにてけする時のけずり度合
及び電極皮膜の比抵抗ｕより判定した。
焼結度は、電極皮膜をナイフにてけする時のけずり度合
及び電極皮膜の比抵抗ｕより判定した。
また、一般に配線基板の電極部）面抵抗値は２０ｍΩ／
？以下が望ましく、面接着σ度は５ｋｇ／Ｍｄ以上が望
ましい。以上のように本発明の配線基板の製造方法は、
己線基板として非常に優れた性能を備えており、−ユ業
的量産化においても著しく安定であり、産業〕価値の大
なるものである。
？以下が望ましく、面接着σ度は５ｋｇ／Ｍｄ以上が望
ましい。以上のように本発明の配線基板の製造方法は、
己線基板として非常に優れた性能を備えており、−ユ業
的量産化においても著しく安定であり、産業〕価値の大
なるものである。
Claims (1)
- １ アルミナセラミック基板に導電金属層を形成するた
め、Ｗ、Ｍｏ、Ｍｎ金属粉末の１種または２種以上が合
計８０〜９９重量％、炭素粉末が０．０１〜１重量％、
上記アルミナセラミック基板と同一組成物仮焼粉末、ガ
ラスフリットの１種または両者が合計０．９９〜１９重
量％より成り、上記金属粉末、炭素粉末、仮焼粉末また
は／及びガラスフリットの平均粒径をおのおの０．１〜
５μとしたメタライズ用組成物を用い、複数枚の未焼結
の生アルミナセラミックシート上に回路を形成し、該シ
ートを重ね合わせホットプレス法を用い積層体とし、該
積層体を露点５〜３５℃の間の湿つた非酸化性雰囲気中
で焼成することを特徴とする配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6456480A JPS5951758B2 (ja) | 1980-05-14 | 1980-05-14 | 配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6456480A JPS5951758B2 (ja) | 1980-05-14 | 1980-05-14 | 配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56160092A JPS56160092A (en) | 1981-12-09 |
| JPS5951758B2 true JPS5951758B2 (ja) | 1984-12-15 |
Family
ID=13261846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6456480A Expired JPS5951758B2 (ja) | 1980-05-14 | 1980-05-14 | 配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5951758B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61121203A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | 富士通株式会社 | 充填ペ−スト |
| WO2026042875A1 (ja) * | 2024-08-23 | 2026-02-26 | 国立大学法人茨城大学 | 回収方法及び組成物 |
-
1980
- 1980-05-14 JP JP6456480A patent/JPS5951758B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56160092A (en) | 1981-12-09 |
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