JPS6128633B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6128633B2 JPS6128633B2 JP56087308A JP8730881A JPS6128633B2 JP S6128633 B2 JPS6128633 B2 JP S6128633B2 JP 56087308 A JP56087308 A JP 56087308A JP 8730881 A JP8730881 A JP 8730881A JP S6128633 B2 JPS6128633 B2 JP S6128633B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- weight
- alumina ceramic
- metal layer
- conductive metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Powder Metallurgy (AREA)
Description
本発明は、アルミナセラミツク基板に導電金属
層を形成するためのメタライズ用組成物、特にニ
ツケルメツキが容易なメタライズ用組成物に関す
るものである。 従来のメタライズ用組成物は、金属粉末とガラ
スフリツトを含んで構成されている。金属粉末と
してはタングステン金属粉末単独、モリブテン金
属粉末単独、タングステン金属粉末とマンガン金
属粉末との混合物、モリブテン金属粉末とマンガ
ン金属粉末との混合物が最も一般的に使用されて
いる。 近年、配線基板の製造において、セラミツクの
焼結と導電金属層の形成を加湿還元雰囲気下で同
時焼成により行う技術が発達してきた。加湿は有
機バインダの分解及び金属層とセラミツク層の結
合を促進させる効果を有する反面、加湿条件によ
つては金属が過度に酸化され、導電金属層へのニ
ツケルメツキの付着性低下、導電金属層の電気抵
抗の増加を招く欠点を有している。 従つて、本発明は係る欠点をなくすためになさ
れたものであり、加湿条件の変動による導電金属
層へのニツケルメツキの付着性低下、導電金属層
の電気抵抗の増加を防止することができるメタラ
イズ用組成物を提供するものである。 係る目的に従つて本発明のメタライズ用組成物
は、アルミナセラミツク層の表面あるいは層間に
導電層を形成するため、モリブデン金属粉末、タ
ングステン金属粉末の１種または両者を合計60〜
95重量％、銀粉末を２〜30重量％、ガラスフリツ
ト粉末、上記アルミナセラミツク層原料粉末の１
種または両者を合計３〜10重量％、以上粉末合計
100重量％から成る事を特徴とし、また各粉末の
平均粒径を４μｍ以下にすることを特徴とする。 銀粉末は加湿還元雰囲気焼成において酸化され
ず、ニツケルメツキの付着性を向上させ、また電
気の良導体であることから導電金属層の電気抵抗
を下げる効果がある。アルミナセラミツク層原料
粉末は導電金属層とアルミナセラミツク層間の接
着に寄与する目的で添加する。ガラスフリツト粉
末は導電金属層とアルミナセラミツク層間の接着
に寄与する目的で添加するものであるから、使用
するガラスフリツトは係る目的に適合し、且つア
ルミナと反応しアルミナの絶縁性を低下させるも
のでなければ特にその種類は限定しない。 上記組成物中の銀粉末、ガラスフリツト粉末、
アルミナセラミツク層原料粉末の含有量、平均粒
径は、該組成物に含まれるモリブデン粉末、タン
グステン粉末の種類、粒径、量及び焼成温度によ
つて上記範囲内で種々の値を採ることができる。 尚、モリブデン粉末、タングステン粉末の１種
または両者の合計が60重量％未満の場合、導電金
属層の焼成温度がアルミナセラミツク層の焼成温
度より低下し、同時焼成が不可能となる。また、
95重量％を超える場合、導電金属層へのニツケル
メツキの付着性が低下する。銀粉末が２重量％未
満の場合、導電金属層へのニツケルメツキの付着
性が低下するし、また導電金属層の電気抵抗の増
加を招く。一方、30重量％を超える場合、導電金
属層の焼成温度がアルミナセラミツク層の焼成温
度より低下し、同時焼成が不可能となる。ガラス
フリツト粉末、アルミナセラミツク層原料粉末の
１種または両者の合計が３重量％未満の場合は、
導電金属層とアルミナセラミツク層の接着強度が
低下する。また、10重量％を超える場合、導電金
属層の電気抵抗が増加する。そして、各粉末の平
均粒径が４μｍを超える場合、印刷性が低下する
傾向にある。 上記の如く、銀粉末を用いることにより特性の
優れた新規なメタライズ用組成物を完成した。 以下、本発明を実施例を挙げ具体的に説明す
る。 実施例 試料は、タングステン、モリブデン、銀粉末は
市販の平均粒径0.1μｍ、１μｍ、４μｍ、７μ
ｍの試薬を用い、ガラスフリツト粉末は軟化点
1200℃の市販のAl2O3−SiO2−MgO−MnO2系ガ
ラスフリツトをボールミルにて平均粒径２μｍ、
４μｍ、７μｍとしたものを用いる。また、未焼
結生アルミナセラミツクシートは、原料として工
業用原料（純度98％以上）を用い下記の第１表の
組成化になるよう調合し、公知の技術を用いて生
アルミナセラミツクシートとする。
層を形成するためのメタライズ用組成物、特にニ
ツケルメツキが容易なメタライズ用組成物に関す
るものである。 従来のメタライズ用組成物は、金属粉末とガラ
スフリツトを含んで構成されている。金属粉末と
してはタングステン金属粉末単独、モリブテン金
属粉末単独、タングステン金属粉末とマンガン金
属粉末との混合物、モリブテン金属粉末とマンガ
ン金属粉末との混合物が最も一般的に使用されて
いる。 近年、配線基板の製造において、セラミツクの
焼結と導電金属層の形成を加湿還元雰囲気下で同
時焼成により行う技術が発達してきた。加湿は有
機バインダの分解及び金属層とセラミツク層の結
合を促進させる効果を有する反面、加湿条件によ
つては金属が過度に酸化され、導電金属層へのニ
ツケルメツキの付着性低下、導電金属層の電気抵
抗の増加を招く欠点を有している。 従つて、本発明は係る欠点をなくすためになさ
れたものであり、加湿条件の変動による導電金属
層へのニツケルメツキの付着性低下、導電金属層
の電気抵抗の増加を防止することができるメタラ
イズ用組成物を提供するものである。 係る目的に従つて本発明のメタライズ用組成物
は、アルミナセラミツク層の表面あるいは層間に
導電層を形成するため、モリブデン金属粉末、タ
ングステン金属粉末の１種または両者を合計60〜
95重量％、銀粉末を２〜30重量％、ガラスフリツ
ト粉末、上記アルミナセラミツク層原料粉末の１
種または両者を合計３〜10重量％、以上粉末合計
100重量％から成る事を特徴とし、また各粉末の
平均粒径を４μｍ以下にすることを特徴とする。 銀粉末は加湿還元雰囲気焼成において酸化され
ず、ニツケルメツキの付着性を向上させ、また電
気の良導体であることから導電金属層の電気抵抗
を下げる効果がある。アルミナセラミツク層原料
粉末は導電金属層とアルミナセラミツク層間の接
着に寄与する目的で添加する。ガラスフリツト粉
末は導電金属層とアルミナセラミツク層間の接着
に寄与する目的で添加するものであるから、使用
するガラスフリツトは係る目的に適合し、且つア
ルミナと反応しアルミナの絶縁性を低下させるも
のでなければ特にその種類は限定しない。 上記組成物中の銀粉末、ガラスフリツト粉末、
アルミナセラミツク層原料粉末の含有量、平均粒
径は、該組成物に含まれるモリブデン粉末、タン
グステン粉末の種類、粒径、量及び焼成温度によ
つて上記範囲内で種々の値を採ることができる。 尚、モリブデン粉末、タングステン粉末の１種
または両者の合計が60重量％未満の場合、導電金
属層の焼成温度がアルミナセラミツク層の焼成温
度より低下し、同時焼成が不可能となる。また、
95重量％を超える場合、導電金属層へのニツケル
メツキの付着性が低下する。銀粉末が２重量％未
満の場合、導電金属層へのニツケルメツキの付着
性が低下するし、また導電金属層の電気抵抗の増
加を招く。一方、30重量％を超える場合、導電金
属層の焼成温度がアルミナセラミツク層の焼成温
度より低下し、同時焼成が不可能となる。ガラス
フリツト粉末、アルミナセラミツク層原料粉末の
１種または両者の合計が３重量％未満の場合は、
導電金属層とアルミナセラミツク層の接着強度が
低下する。また、10重量％を超える場合、導電金
属層の電気抵抗が増加する。そして、各粉末の平
均粒径が４μｍを超える場合、印刷性が低下する
傾向にある。 上記の如く、銀粉末を用いることにより特性の
優れた新規なメタライズ用組成物を完成した。 以下、本発明を実施例を挙げ具体的に説明す
る。 実施例 試料は、タングステン、モリブデン、銀粉末は
市販の平均粒径0.1μｍ、１μｍ、４μｍ、７μ
ｍの試薬を用い、ガラスフリツト粉末は軟化点
1200℃の市販のAl2O3−SiO2−MgO−MnO2系ガ
ラスフリツトをボールミルにて平均粒径２μｍ、
４μｍ、７μｍとしたものを用いる。また、未焼
結生アルミナセラミツクシートは、原料として工
業用原料（純度98％以上）を用い下記の第１表の
組成化になるよう調合し、公知の技術を用いて生
アルミナセラミツクシートとする。
【表】
アルミナセラミツク層原料粉末は、第１表の組
成比の原料粉末を、ボールミルを用い平均粒径２
μｍ、４μｍ、７μｍとしたものを用いる。 メタライズ用組成物の組成比及び平均粒径を下
記の第２表に示す。第２表で、 （注１）カツコ外は組成比で単位は重量％、カツ
コ内は平均粒径で単位はμｍを示す。 （注２）※；アルミナセラミツク層原料の仮焼粉
末。そして、該組成物を十分混合し、該組成物
100重量部に対しエチルセルローズ６重量部、
ブチルカルビトールアセテート20重量部、ター
ピネオール３重量部、エチルアルコール１重量
部を添加し、よく混練してメタライズ用ペース
トとする。 次いで上記生アルミナセラミツクシート上に該
メタライズ用ペーストを印刷し、大気中にて脱バ
インダ後、加湿グリーンガス中で1350℃〜1600℃
にて焼成を行う。このようにして得られたメタラ
イズ基板を用い下記の第３表に示すような各諸特
性を調べた。
成比の原料粉末を、ボールミルを用い平均粒径２
μｍ、４μｍ、７μｍとしたものを用いる。 メタライズ用組成物の組成比及び平均粒径を下
記の第２表に示す。第２表で、 （注１）カツコ外は組成比で単位は重量％、カツ
コ内は平均粒径で単位はμｍを示す。 （注２）※；アルミナセラミツク層原料の仮焼粉
末。そして、該組成物を十分混合し、該組成物
100重量部に対しエチルセルローズ６重量部、
ブチルカルビトールアセテート20重量部、ター
ピネオール３重量部、エチルアルコール１重量
部を添加し、よく混練してメタライズ用ペース
トとする。 次いで上記生アルミナセラミツクシート上に該
メタライズ用ペーストを印刷し、大気中にて脱バ
インダ後、加湿グリーンガス中で1350℃〜1600℃
にて焼成を行う。このようにして得られたメタラ
イズ基板を用い下記の第３表に示すような各諸特
性を調べた。
【表】
【表】
【表】
ここで、従来品は市販の焼付1480℃のタングス
テン−マンガン−ガラスフリツト系ペーストを用
いた。 尚、本実施例では銀成分として金属銀を用いた
が、硝酸銀、炭酸銀、酸化銀等加湿還元雰囲気下
の焼成において分解し、金属銀を生じる原料を用
いても良好な特性が得られる。また、アルミナセ
ラミツク層原料粉末成分として該粉末の仮焼粉末
を用いても良好な特性が得られる。 第２表、第３表より明らかなように本発明範囲
の実施例はNo.B−１〜Ｂ−７、No.C−１〜Ｃ−
７迄であり、他は範囲外の比較例及び従来例であ
る。 本発明範囲の試料は面抵抗値、面接着強度、メ
ツキ性、印刷性において優秀な特性を示してい
る。また、範囲外は諸特性が悪い。 本実施例においてニツケルメツキに関しては、
試料を脱脂、脱酸処理した上、市販されているニ
ツケル無電解メツキ液等を用い、導電層上にニツ
ケルを析出させた後、純水洗浄、乾燥して上記試
料に析出したニツケルの膜厚を測定したものであ
る。 以上のように本発明のメタライズ用組成物は、
ニツケルメツキが容易な配線基板用電極として非
常に優れた性能を備えており、また工業的量産化
においても著しく安定であり、産業的価値の大な
るものである。
テン−マンガン−ガラスフリツト系ペーストを用
いた。 尚、本実施例では銀成分として金属銀を用いた
が、硝酸銀、炭酸銀、酸化銀等加湿還元雰囲気下
の焼成において分解し、金属銀を生じる原料を用
いても良好な特性が得られる。また、アルミナセ
ラミツク層原料粉末成分として該粉末の仮焼粉末
を用いても良好な特性が得られる。 第２表、第３表より明らかなように本発明範囲
の実施例はNo.B−１〜Ｂ−７、No.C−１〜Ｃ−
７迄であり、他は範囲外の比較例及び従来例であ
る。 本発明範囲の試料は面抵抗値、面接着強度、メ
ツキ性、印刷性において優秀な特性を示してい
る。また、範囲外は諸特性が悪い。 本実施例においてニツケルメツキに関しては、
試料を脱脂、脱酸処理した上、市販されているニ
ツケル無電解メツキ液等を用い、導電層上にニツ
ケルを析出させた後、純水洗浄、乾燥して上記試
料に析出したニツケルの膜厚を測定したものであ
る。 以上のように本発明のメタライズ用組成物は、
ニツケルメツキが容易な配線基板用電極として非
常に優れた性能を備えており、また工業的量産化
においても著しく安定であり、産業的価値の大な
るものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ モリブデン金属粉末、タングステン金属粉末
の１種または両者を合計60〜95重量％、銀粉末を
２〜30重量％、ガラスフリツト、印刷するアルミ
ナセラミツク基板と同一組成の仮焼原料粉末の１
種または両者を合計３〜10重量％、上記粉末合計
100重量％から成る事を特徴とするメタライズ用
組成物。 ２ 各粉末の平均粒径を４μｍ以下とする事を特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のメタライズ
用組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56087308A JPS57205387A (en) | 1981-06-05 | 1981-06-05 | Metallizing composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56087308A JPS57205387A (en) | 1981-06-05 | 1981-06-05 | Metallizing composition |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57205387A JPS57205387A (en) | 1982-12-16 |
| JPS6128633B2 true JPS6128633B2 (ja) | 1986-07-01 |
Family
ID=13911197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56087308A Granted JPS57205387A (en) | 1981-06-05 | 1981-06-05 | Metallizing composition |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57205387A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59164687A (ja) * | 1983-03-11 | 1984-09-17 | 日立化成工業株式会社 | 非酸化物系セラミツクス用メタライズ組成物 |
-
1981
- 1981-06-05 JP JP56087308A patent/JPS57205387A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57205387A (en) | 1982-12-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH049746B2 (ja) | ||
| TWI704118B (zh) | 導電性糊膏及積層陶瓷零件之端子電極形成方法 | |
| TW200418221A (en) | Terminal electrode compositions for multilayer ceramic capacitors | |
| JP2006118032A (ja) | 銅酸化物コート層を備えたフレーク銅粉及び銅酸化物コート層を備えたフレーク銅粉の製造方法並びに銅酸化物コート層を備えたフレーク銅粉を含む導電性スラリー | |
| JPS63927B2 (ja) | ||
| JP4863975B2 (ja) | グリーンシート用セラミック粉末及び多層セラミック基板 | |
| JPH07105717A (ja) | 積層電子部品の外部電極用卑金属組成物 | |
| CN111161905B (zh) | 介电滤波器及其制造方法 | |
| JPS6128633B2 (ja) | ||
| JP4670164B2 (ja) | 外部電極用銅ペースト組成物及びこれを用いた積層セラミックコンデンサー | |
| JPH0324424B2 (ja) | ||
| JP3493665B2 (ja) | 導電性ペースト | |
| JPS626284B2 (ja) | ||
| JPS6130366B2 (ja) | ||
| JPH08273434A (ja) | 導電性アルミニウム合金ペースト組成物 | |
| KR102851511B1 (ko) | 후막 저항 페이스트, 후막 저항체, 및 전자 부품 | |
| JPS5951758B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JPH03129810A (ja) | 積層型セラミックチップコンデンサおよびその製造方法 | |
| JPS621596B2 (ja) | ||
| JP4484031B2 (ja) | 誘電体粉末、該誘電体粉末を含有するグリーンシート並びに誘電体材料 | |
| JP4872990B2 (ja) | グリーンシート用セラミック粉末および多層セラミック基板並びに多層セラミック基板の製造方法 | |
| KR100201160B1 (ko) | 저항 재료 조성물, 저항 페이스트 및 저항체 | |
| JP3330817B2 (ja) | 多層セラミックス部品 | |
| JP3909367B2 (ja) | 低誘電率磁器組成物とその磁器組成物を用いた電子回路用基板の製造方法 | |
| JP2023135971A (ja) | 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品 |