JPS5952488A - コンテイギユアスデイスク型磁気バブル素子 - Google Patents
コンテイギユアスデイスク型磁気バブル素子Info
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- JPS5952488A JPS5952488A JP57161442A JP16144282A JPS5952488A JP S5952488 A JPS5952488 A JP S5952488A JP 57161442 A JP57161442 A JP 57161442A JP 16144282 A JP16144282 A JP 16144282A JP S5952488 A JPS5952488 A JP S5952488A
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 31
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
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- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
木・発明はコンテイギユアスディスク型磁気バブル素子
に関する。
に関する。
パーマロイパタンにより１ｌｆｆバブル（以下、甲にバ
ブルと呼ぶ）の転送を行なう従来の磁気バブル素子（以
下、単にコンベンショナル型磁気バブル素子と呼ぶ）で
は、パーマロイパタンを非常に狭い間隙を介して形成し
なけ第１げならずこの間隙の形成が微計１加工」−の限
界とＹ：ｒ、 ｔｌ記憶密度の白土を妨げている。この
ようＹ（、コンベンシリナＩ＋／ 型７Ｂに気バブル素
子の有する欠点を克服するために、すでに、米国特￥［
第３８２８３２ ！１号明細ν４にπ（・”（磁性肋膜
上に選択的にイオン注入を、＆ｆ’ニー３ことに」：り
形成される非注入傾城からなる転送路に沿ってバブルの
転送を行なうコンテイギユアスディスク型磁気バブル素
子が提案されて・いる。
ブルと呼ぶ）の転送を行なう従来の磁気バブル素子（以
下、単にコンベンショナル型磁気バブル素子と呼ぶ）で
は、パーマロイパタンを非常に狭い間隙を介して形成し
なけ第１げならずこの間隙の形成が微計１加工」−の限
界とＹ：ｒ、 ｔｌ記憶密度の白土を妨げている。この
ようＹ（、コンベンシリナＩ＋／ 型７Ｂに気バブル素
子の有する欠点を克服するために、すでに、米国特￥［
第３８２８３２ ！１号明細ν４にπ（・”（磁性肋膜
上に選択的にイオン注入を、＆ｆ’ニー３ことに」：り
形成される非注入傾城からなる転送路に沿ってバブルの
転送を行なうコンテイギユアスディスク型磁気バブル素
子が提案されて・いる。
コンベンショナル型磁気バブル素子に門［、てけ、すで
に、１９７６年１１月にＩ ＥＩＴｈＩ： ’Ｉ’ｒ
ａｎＳＲＣ１！０ｎｏｎ ＭａｇｎｅｔＩｃｓ 誌 第
ＭＡ、Ｇ−１２巻、第６号、第６１４頁〜＃ｃ６１７戸
にＰ、１．Ｈｎｎｙｈａｒｄ氏らによって発表された論
文において、イーブン・オツド方式と呼ばれる２つのマ
イナーループ群、互に直列に接続した２つのバブル発生
器及び２つのバブル検出器を用いる素子構成が提案され
、メモリどしてのデータレイトを上げるうえで非常に有
効であることが示されている。しかしながら、コンテイ
ギユアスディスク型磁気バブル素子においては、まだ、
・イーブンΦオツド方式の具体的な構成は提案されてい
ない。
に、１９７６年１１月にＩ ＥＩＴｈＩ： ’Ｉ’ｒ
ａｎＳＲＣ１！０ｎｏｎ ＭａｇｎｅｔＩｃｓ 誌 第
ＭＡ、Ｇ−１２巻、第６号、第６１４頁〜＃ｃ６１７戸
にＰ、１．Ｈｎｎｙｈａｒｄ氏らによって発表された論
文において、イーブン・オツド方式と呼ばれる２つのマ
イナーループ群、互に直列に接続した２つのバブル発生
器及び２つのバブル検出器を用いる素子構成が提案され
、メモリどしてのデータレイトを上げるうえで非常に有
効であることが示されている。しかしながら、コンテイ
ギユアスディスク型磁気バブル素子においては、まだ、
・イーブンΦオツド方式の具体的な構成は提案されてい
ない。
本発明の目的は・イーブン・オツド方式を採用した非常
にデータレイトの高いコンテイギユアスディスク型磁気
バブル素子を提供することにある。
にデータレイトの高いコンテイギユアスディスク型磁気
バブル素子を提供することにある。
本発明のコンテイギユアスディスク型磁気バブル素子は
、磁気バブルを保持し得る磁性Ｍ膜上に選択的にイオン
注入を施すことにより形成された第１のメジャー転送路
、第２のメジャー転送路、第１のマイナー転送路群およ
び第２のマイナー転送路群を備えたイーブン・オツド方
式のコンテイギユアスディスク型磁気バブル素子におい
て、前記第１のメジャー転送上の第１のカスプ部と前記
第２のメジャー転送路、にの第２の力女プ部とに電気的
に直列に接続された第１及び第２のヘアピン状コンダク
タパタンを設け、かつ、前記ｔ１目のカスプ部の開き角
の２等分飽と第２のカスプ部の開き角の２等分線どのン
工す角度を９０°以上とｔ、、”ｃ ＋、・る。
、磁気バブルを保持し得る磁性Ｍ膜上に選択的にイオン
注入を施すことにより形成された第１のメジャー転送路
、第２のメジャー転送路、第１のマイナー転送路群およ
び第２のマイナー転送路群を備えたイーブン・オツド方
式のコンテイギユアスディスク型磁気バブル素子におい
て、前記第１のメジャー転送上の第１のカスプ部と前記
第２のメジャー転送路、にの第２の力女プ部とに電気的
に直列に接続された第１及び第２のヘアピン状コンダク
タパタンを設け、かつ、前記ｔ１目のカスプ部の開き角
の２等分飽と第２のカスプ部の開き角の２等分線どのン
工す角度を９０°以上とｔ、、”ｃ ＋、・る。
本発明を用い′Ｊ１ば第１のメジャー転送路の第１のカ
スプ部と第２のメジャー１に送路の第２のカスプ部に設
けら■た電気的（（直列に接続ｉＥ Ｊまた。甲、１及
び第２のへ′１ビン状：ｌ ：、／グクタパクンに（ｉ
’／ｌ ；ｔｌの異１よる第１及び第２の電流パルスを
印加することにより第１のメジャー転送Ｐａと第２のメ
ジャー＋ｉｉ；ζ１≧”、 Ｎ＋どに迷士イ白に発佳・
させることが″〔二と／：）。したがって、汗】の宙、
流パルスにより卯１のメジャー転送路の第１のカスプ部
に発生したバブルをイーブン側の情報として用い、第２
の電流パルスにより第２のメジャー転送路の第２のカス
プ部に発生したバブルをオツド側の情報として用いるこ
とによりイーブン・オツド方式のコンテイギユアスディ
スク型磁気バブル素子を実現することができる。
スプ部と第２のメジャー１に送路の第２のカスプ部に設
けら■た電気的（（直列に接続ｉＥ Ｊまた。甲、１及
び第２のへ′１ビン状：ｌ ：、／グクタパクンに（ｉ
’／ｌ ；ｔｌの異１よる第１及び第２の電流パルスを
印加することにより第１のメジャー転送Ｐａと第２のメ
ジャー＋ｉｉ；ζ１≧”、 Ｎ＋どに迷士イ白に発佳・
させることが″〔二と／：）。したがって、汗】の宙、
流パルスにより卯１のメジャー転送路の第１のカスプ部
に発生したバブルをイーブン側の情報として用い、第２
の電流パルスにより第２のメジャー転送路の第２のカス
プ部に発生したバブルをオツド側の情報として用いるこ
とによりイーブン・オツド方式のコンテイギユアスディ
スク型磁気バブル素子を実現することができる。
次に第１図（ａ）及び第１図（ｂ）を参照して本発明の
基本原理を説明する。第１図（ａ）において、参照数字
８は磁性薄膜、同数字３はヘアピン状コンダクタパタン
、同数字１け磁性、＃膜に選択的にイオン注入を施すこ
とにより形成された磁気バブル転送路、同数字９はバイ
アス磁界の向きを表わす矢印、同数字６０は磁性薄膜の
（１１０）方向を表４・）す矢印、同数字１８は市゛１
流パルスの位相を規定する角度を表わす矢印である。ヘ
アピン状コンダクタパタン３（以下、坪にコンダクタパ
タンと呼ぶ）に矢印７の向きの電流パルスを印加すると
、磁気バブル転送路１（以下、単に転送路と呼ぶ）のカ
スプ部２に磁気バブル１０が発生する。第１図（１））
は、第１１ｆｔ（Ｆ＋）の磁気バブル発生器のコンダク
タパタン３に印加する′＃１ｉ１．流パルスの印加位相
（１）ＬＹ）を横軸１３に、該電流パルスの動作振幅を
縦軸１２にとったグラフである。電流パルスのパルス幅
は０．３μｓとし、ている。第１図山）より明らかなよ
うに、第１図（ａ）の磁気バブル発生器を用（・てバブ
ルを発生させるためには、回転磁界が第１図（ａ）の矢
印６で示される範囲内の方向を向（・ているときに電流
パルスを印加−１することｉンミ必￥；である。抑刊づ
れは回転φｌ界が矢印６で示される軌囲例の方向を向（
・ているときに電流・パルスを印加１２てもバブルは発
生しない。
基本原理を説明する。第１図（ａ）において、参照数字
８は磁性薄膜、同数字３はヘアピン状コンダクタパタン
、同数字１け磁性、＃膜に選択的にイオン注入を施すこ
とにより形成された磁気バブル転送路、同数字９はバイ
アス磁界の向きを表わす矢印、同数字６０は磁性薄膜の
（１１０）方向を表４・）す矢印、同数字１８は市゛１
流パルスの位相を規定する角度を表わす矢印である。ヘ
アピン状コンダクタパタン３（以下、坪にコンダクタパ
タンと呼ぶ）に矢印７の向きの電流パルスを印加すると
、磁気バブル転送路１（以下、単に転送路と呼ぶ）のカ
スプ部２に磁気バブル１０が発生する。第１図（１））
は、第１１ｆｔ（Ｆ＋）の磁気バブル発生器のコンダク
タパタン３に印加する′＃１ｉ１．流パルスの印加位相
（１）ＬＹ）を横軸１３に、該電流パルスの動作振幅を
縦軸１２にとったグラフである。電流パルスのパルス幅
は０．３μｓとし、ている。第１図山）より明らかなよ
うに、第１図（ａ）の磁気バブル発生器を用（・てバブ
ルを発生させるためには、回転磁界が第１図（ａ）の矢
印６で示される範囲内の方向を向（・ているときに電流
パルスを印加−１することｉンミ必￥；である。抑刊づ
れは回転φｌ界が矢印６で示される軌囲例の方向を向（
・ているときに電流・パルスを印加１２てもバブルは発
生しない。
第１！１（ａ）に示されるように、カスプ部２のＦｉｌ
き角４２の、２等分子＋６の方向な焉“わ」゛矢印１１
と矢印５とのＩＬす角・度ヲ；１．約４５０１矢印１１
と矢印４と（）１、【す角度は約２０°である。したが
りて、 ｔ１４２し１（８１に示すように第１のカスブ
１″ｉ！、’ ２１ ＋／−斗：−１角の２等分線５０
と第２のカスブ部２２のし１１き角の２９分線５１との
１．Ｃす角度１４＜１’９０°以上と７゛スるようｉｔ
転送路を形成し１、ｋカスブ部の省々に電気的に直列に
松続されたｔ（１１のコンダクタパタン１９及び第２の
コ〉・ダクタバクン２０を路）け、ｋ２コンタ゛クタパ
タンに第２１シｉ （ｂｌに示ずよう１．ｃ印加位相の
異１、する第１の電流パルス１６及び第２の電流パルス
１７を印加すれば、第１の箱゛、電流パルス６によっ′
〔第１０カスプ部２１のみにバブルが発生し、第２の電
流パルスにｊって第２のカスプ部２２の→にバブルが発
生する。以上のように、本発明の基本原理を用（・れば
、軍、気菌に直列に接続されたコンダクタパタンを用い
異なる２つのカスプ部に各々選択的にバブルを発生させ
ることができる。第２図（ｂ）にお（・て、横軸４０は
電流パルスの位相、縦軸４１は電流パルスの振幅を表わ
ず。
き角４２の、２等分子＋６の方向な焉“わ」゛矢印１１
と矢印５とのＩＬす角・度ヲ；１．約４５０１矢印１１
と矢印４と（）１、【す角度は約２０°である。したが
りて、 ｔ１４２し１（８１に示すように第１のカスブ
１″ｉ！、’ ２１ ＋／−斗：−１角の２等分線５０
と第２のカスブ部２２のし１１き角の２９分線５１との
１．Ｃす角度１４＜１’９０°以上と７゛スるようｉｔ
転送路を形成し１、ｋカスブ部の省々に電気的に直列に
松続されたｔ（１１のコンダクタパタン１９及び第２の
コ〉・ダクタバクン２０を路）け、ｋ２コンタ゛クタパ
タンに第２１シｉ （ｂｌに示ずよう１．ｃ印加位相の
異１、する第１の電流パルス１６及び第２の電流パルス
１７を印加すれば、第１の箱゛、電流パルス６によっ′
〔第１０カスプ部２１のみにバブルが発生し、第２の電
流パルスにｊって第２のカスプ部２２の→にバブルが発
生する。以上のように、本発明の基本原理を用（・れば
、軍、気菌に直列に接続されたコンダクタパタンを用い
異なる２つのカスプ部に各々選択的にバブルを発生させ
ることができる。第２図（ｂ）にお（・て、横軸４０は
電流パルスの位相、縦軸４１は電流パルスの振幅を表わ
ず。
次に第３図を参照して本発明の第１の実施例の動作を説
明する。第３図において、参照数字３゜は第１のメジャ
ー転送路、同数字３１は第２のメジャー転送路、同数字
３２け第１の一イナー転送路群、同数字３３は第２のマ
イナー転送路群、同数字３４．および３５は各々第１及
び第２の磁気バブルトランスファーゲート、同数字３６
、および３７は各々第１及び第２の磁気バブル検出器、
同数字６０は磁性薄膜の（１１０）方向を表わ１矢印で
ある。
明する。第３図において、参照数字３゜は第１のメジャ
ー転送路、同数字３１は第２のメジャー転送路、同数字
３２け第１の一イナー転送路群、同数字３３は第２のマ
イナー転送路群、同数字３４．および３５は各々第１及
び第２の磁気バブルトランスファーゲート、同数字３６
、および３７は各々第１及び第２の磁気バブル検出器、
同数字６０は磁性薄膜の（１１０）方向を表わ１矢印で
ある。
本実施例においては、第１のカスプ部２１が含まれる第
１の転送路の１部を矢印６１で示す（ｉ’Ｔ２）方向に
折り曲げることにより第１のカスプ部２１の開き角の２
等分線５０と第２のカスプ部２２の開き角の２部分線５
１とのなす角１４をｑ ｏｏとして（・る。参照数字３
ｏおよび３１の転送路の形状は、第２図（ａｌに示した
転送路と若干異なるがバブルの発生に直接関与するカス
プ部の形状は類似しており、第１図（ａ）、第１図（１
））、第２図（ａ）及び第２図０））を参照して説明し
た基本原理にもとづき、第１０カスプ部２１と第２のカ
スプ部２２どに選択的にバブルを発生させることができ
る。１１体的には、第１のコンダクタパタン１９及び第
２のコンダクタパタン２０に矢印７で示ず向きの第１の
市。
１の転送路の１部を矢印６１で示す（ｉ’Ｔ２）方向に
折り曲げることにより第１のカスプ部２１の開き角の２
等分線５０と第２のカスプ部２２の開き角の２部分線５
１とのなす角１４をｑ ｏｏとして（・る。参照数字３
ｏおよび３１の転送路の形状は、第２図（ａｌに示した
転送路と若干異なるがバブルの発生に直接関与するカス
プ部の形状は類似しており、第１図（ａ）、第１図（１
））、第２図（ａ）及び第２図０））を参照して説明し
た基本原理にもとづき、第１０カスプ部２１と第２のカ
スプ部２２どに選択的にバブルを発生させることができ
る。１１体的には、第１のコンダクタパタン１９及び第
２のコンダクタパタン２０に矢印７で示ず向きの第１の
市。
流パルス１６及び第２の電流パルス１７を印加すれば第
１の電流パルス１６により第１のカスプ部２１に、また
、第２の電流パルス１７により第２０カスプ部２２にバ
ブルを発生させることができる。
１の電流パルス１６により第１のカスプ部２１に、また
、第２の電流パルス１７により第２０カスプ部２２にバ
ブルを発生させることができる。
第４図は、第１図のカスプ部２１が含まれる第１のメジ
ャー転送路の１部分を矢印６２で示す（０１１） 方
向に折り曲げることにより、第１のカスプ部２１の開き
角の２等分線５ｏど第２のカーブ部２２の開き角の２部
分線５１との１．［す角度１４を１２０°どした本発明
の第２の実施例である。
ャー転送路の１部分を矢印６２で示す（０１１） 方
向に折り曲げることにより、第１のカスプ部２１の開き
角の２等分線５ｏど第２のカーブ部２２の開き角の２部
分線５１との１．［す角度１４を１２０°どした本発明
の第２の実施例である。
汗、４ト′１に１３（・て、参照数字６０番よ促、４性
門トの（１１０）方向を表わす矢印である。
門トの（１１０）方向を表わす矢印である。
第５し１は、第１のカスプ部２１が含まれる第１のメジ
ャー転テ（路の１部を矢印６３で示す（ｉｏｌ）方向に
折り曲げることにＪ：す、ｔｌｌｌのカスプ部２１の閂
き角の２等分１ｑ＋ ５０ど第２のカスプ部２２の開き
角の２等分線５１とのな、す角度１４を１２０゜としま
た本発明の第３の実施例である。
ャー転テ（路の１部を矢印６３で示す（ｉｏｌ）方向に
折り曲げることにＪ：す、ｔｌｌｌのカスプ部２１の閂
き角の２等分１ｑ＋ ５０ど第２のカスプ部２２の開き
角の２等分線５１とのな、す角度１４を１２０゜としま
た本発明の第３の実施例である。
ＫＡ ６図は、第１のカスプ部２１が含まれる第１のメ
ジャー転送路の折れ曲がり部を第５０１の第３の実施例
よりも１ビット分長くした本発明のｖｊ４の実施例で、
ある。これにより、コンダクタパタン１５に印加される
電流パルスにｊ、って誘起される磁界分が第１のメジャ
ー転送路上を転送するバブルに与える影響を軽減するこ
とができる。
ジャー転送路の折れ曲がり部を第５０１の第３の実施例
よりも１ビット分長くした本発明のｖｊ４の実施例で、
ある。これにより、コンダクタパタン１５に印加される
電流パルスにｊ、って誘起される磁界分が第１のメジャ
ー転送路上を転送するバブルに与える影響を軽減するこ
とができる。
第７図は、（１１０） 方向に形成された第１のメジ
ャー転送路の（１１２）側の第１のガスプ部２１及び同
じ＜ （１１０）方向に形成された第２のメジャー転送
路の（１１，２） ４Ｉ（！：の第２のカスプ部２２に
各々第１のコンダクタパタンｌ ９ 及ヒｆｔ１２のコ
ンダクタパタン２０を設しすることに、ｌ、すｔｌ）１
のカスプ部２１の開ぎ角の２等分＋％Ｉ” Ｏとｒｉ”
＋ ２のカスプ部２２の開き角の２等分線５１との／（
１角度１４を１８０°とした本発明の第５の実施例でｋ
）る。
ャー転送路の（１１２）側の第１のガスプ部２１及び同
じ＜ （１１０）方向に形成された第２のメジャー転送
路の（１１，２） ４Ｉ（！：の第２のカスプ部２２に
各々第１のコンダクタパタンｌ ９ 及ヒｆｔ１２のコ
ンダクタパタン２０を設しすることに、ｌ、すｔｌ）１
のカスプ部２１の開ぎ角の２等分＋％Ｉ” Ｏとｒｉ”
＋ ２のカスプ部２２の開き角の２等分線５１との／（
１角度１４を１８０°とした本発明の第５の実施例でｋ
）る。
第８図は、矢印６０で示される（１１０）方向に形成さ
才また第１のメジャー転送路３０．第２のメジャー転送
路３１、第３のメジャー転送路２４、及び（１１２）方
向に形成されｌ−第１のマイナー転送路群３２、第２の
マイナー転送路ｆｉｔ ：＋ ３、第３のマイナー転送
路群２５をイ茹え、第１のメジャ転送路の１部を矢印６
２で示す（０１１）方向に折り曲げ、かつ、第１のメジ
ャー転送Ｆ１１Ｉの１都有矢印６３で示す（１，０１）
方向に折り曲げることにより、コンダクタパタンのヘア
ピン部を（ｔｆ？ｆえた汀−１のカスプ部（２１の町］
き角の２等分線５０゜第２のカスプ部２２の開ぎ角の２
等’Ａ線５１、及び第３のカスプ部２３の■：き角の２
￥ｉ：分１４Ｈ５２の方向を各々１２０°間隔とした本
発明の第６の実施例である。第１のコンダクタバタン１
９、第２のコンダクタパタン２０、及び第３のコンダク
タパタン２８に矢印７の向さの第１の電流パルス１６第
２の電流パルス１７、第３の雷、流パルス２９を印加す
れば、第１の電流パルス１６により第１０カスプ部２１
に、第２の電流パルス１７により、第２のカスプ部２２
に、第３の電流パルス２９により第３のカスプ部２３に
各々選択的にバブルを発生させることができる。第８図
において、参照数字２６は第３の磁気バブルトランスフ
ァーゲートである。
才また第１のメジャー転送路３０．第２のメジャー転送
路３１、第３のメジャー転送路２４、及び（１１２）方
向に形成されｌ−第１のマイナー転送路群３２、第２の
マイナー転送路ｆｉｔ ：＋ ３、第３のマイナー転送
路群２５をイ茹え、第１のメジャ転送路の１部を矢印６
２で示す（０１１）方向に折り曲げ、かつ、第１のメジ
ャー転送Ｆ１１Ｉの１都有矢印６３で示す（１，０１）
方向に折り曲げることにより、コンダクタパタンのヘア
ピン部を（ｔｆ？ｆえた汀−１のカスプ部（２１の町］
き角の２等分線５０゜第２のカスプ部２２の開ぎ角の２
等’Ａ線５１、及び第３のカスプ部２３の■：き角の２
￥ｉ：分１４Ｈ５２の方向を各々１２０°間隔とした本
発明の第６の実施例である。第１のコンダクタバタン１
９、第２のコンダクタパタン２０、及び第３のコンダク
タパタン２８に矢印７の向さの第１の電流パルス１６第
２の電流パルス１７、第３の雷、流パルス２９を印加す
れば、第１の電流パルス１６により第１０カスプ部２１
に、第２の電流パルス１７により、第２のカスプ部２２
に、第３の電流パルス２９により第３のカスプ部２３に
各々選択的にバブルを発生させることができる。第８図
において、参照数字２６は第３の磁気バブルトランスフ
ァーゲートである。
第９図は、第１のコンダクタパタン１９と第２のコンダ
クタパタン２０とのバタン幅な変えた本発明の第７の実
施例である。矢印６０で示される方向を磁性薄膜の（１
１２）方向どすると、第 １のカスプ部２１は転送路の
パッド側に位置し、第２のカスプ部２２は転送路のスー
パー側に位置することになり、両カスプ部に生じるチャ
ージドウオールによって誘起され暮バイアス磁界成分は
、第２のカスプ部２２の方が第１０カスブ部２１よりも
太き（・。したがって、本実施例に示すように第１のコ
ンダクタパタン１９のバタン幅を治１のコンダクタパタ
ン２０よりも狭くすることにより電源パルスとチャージ
ドウオールにより前月される総合のバイアス峰界成分を
ほぼ等１７くすることかできる。
クタパタン２０とのバタン幅な変えた本発明の第７の実
施例である。矢印６０で示される方向を磁性薄膜の（１
１２）方向どすると、第 １のカスプ部２１は転送路の
パッド側に位置し、第２のカスプ部２２は転送路のスー
パー側に位置することになり、両カスプ部に生じるチャ
ージドウオールによって誘起され暮バイアス磁界成分は
、第２のカスプ部２２の方が第１０カスブ部２１よりも
太き（・。したがって、本実施例に示すように第１のコ
ンダクタパタン１９のバタン幅を治１のコンダクタパタ
ン２０よりも狭くすることにより電源パルスとチャージ
ドウオールにより前月される総合のバイアス峰界成分を
ほぼ等１７くすることかできる。
以上述べたよう１１．本発明によれＩｒ’２’−Ｂ数の
転送路上の異なるカスプ部に設けられた電気的に直列に
接続されたヘアピン状コンダクタバタンによって選択的
にバブルを発生させることができ、イーブン・オツド方
式を採用した非常にデータレイトの高いコンテイギユア
スディスク型磁気バブル累子を提供することがでなる。
転送路上の異なるカスプ部に設けられた電気的に直列に
接続されたヘアピン状コンダクタバタンによって選択的
にバブルを発生させることができ、イーブン・オツド方
式を採用した非常にデータレイトの高いコンテイギユア
スディスク型磁気バブル累子を提供することがでなる。
メジャー転送路、マイナー転送路群およびヘアピン状コ
ンダクタバタンの形状としては第３図、第４図、第５図
、第６図、第７図、第８図および第９図に示した実施例
以外にも（・ろいろｌＬものが考えられるが第１図、お
よび第２図を用いて説明したごとき原理によりバブルを
転送し得るものであれば全て不発□明に含まれることは
（・うまでもない。
ンダクタバタンの形状としては第３図、第４図、第５図
、第６図、第７図、第８図および第９図に示した実施例
以外にも（・ろいろｌＬものが考えられるが第１図、お
よび第２図を用いて説明したごとき原理によりバブルを
転送し得るものであれば全て不発□明に含まれることは
（・うまでもない。
第１図（ａｔ、第１図（ｔ））、第２し、’ｌ （ａ）
Ｊλよび第２図（１））は本発明の基本原理を説明する
ための図、第３０は本発明の第１の実施例を示す図、帖
４図は本発明の第２の実施例を示す図、禎５図は本発明
の第３の実施例を示す図、第６図は本発明の第４の実施
例を示す図、第７図は本発明の第５の実施例を示す図、
第８図は本発明の＃￥６の実施例な示す図および第９図
は本発明の第７の実施例１を示ず図である。 図にお（・て、１は磁気バブル転送路、２け転送路のカ
スプ部、３＆」、ヘアピン状コンダクタバタン４．５は
回転磁界の方向を表わす矢印、６■電涼１パルスの印加
位相ｌｉｄ囲を表わず矢印、７−：＊流パルスの向きを
表わす矢印、８はｐｃ、性制ハ ９【′ｌバイアス磁、
界の向きを表わづ矢印、 １０）’Ｊ、ｅ′ｌバブル、
１１はカスプｒ；１き角の２噌分絆−Ｌ方向を表わす矢
印、１２は電流パルスの動作折！帖（ＩＱ）を表わず寿
１に軸、１３ｔ！：電流パルスの印加位相（＋）、ｒ、
Ｙ）な・駅０）ず４黄１ｆｔｌ＋、１／Ｎま第１の力、
六ブｉ’？ｌｉ ＋ン）２′・１−づｙ６°１とｆ、１
）、’ ２０力スプ部の２等分ス牛とすな１角度、１６
゜１７は第・１及び＃ｌ￥２の雷５流パルス、１８はγ
１１流パルスの位相を規定する角度を表わす矢印、１９
゜２０は各々第１及び第２のヘアピン状コンダクタバタ
ン、２１．２２は各々第１及び第２のカスプ部、２３は
第３のカスプ部、２４をよ第３のメジャー転送路、２５
け第、３のマイナー転送Ｐ２！ｙ＋ｙ、２６は第３の磁
気パブルトランスファーゲ−１−１２７は第３の磁気バ
ブル検出器、２８＆よｔＩ３のヘアピン状コンダクタバ
タン、２９は第３の電流パルス、３０．３１は各々第１
及び第２のメジャー転送路、３２．３３は各々第１及び
第２のマイナー転送路群、３４．３５は各々第１及び第
２の磁気パブルトランスファーゲー）、３６．３７は各
々第１及び第２の磁気バブル検出器、４旧」↑１′ｒ５
流パルスの位相を表わす横軸、４１け電流パルスの振幅
を表わす矢印、４２はカスプ部の開き角を表わす矢印、
５０．５１．５２は各々第１．第２及び第３のカスプ部
開き角の２等分線の方向を表わす矢印、６０゜６１，６
２．６３は各々磁性薄膜の（１１０）方向、〔〒７２）
方向、〔０〒１〕方向、〔１０丁〕方向を表わす矢印で
ある。 代理人 弁理士 内 原 晋、１．鴎、、ｊ、／
。 矛 １ 月 （０） 第１口（ｂ＞ ／２ ＤＬＹ（皮） 矛２ｆ；ｄ（（Ｕ ７０− 第２口（ｂ） （九の （３１，，０） ＤＬＹ（鷹フ オ ５ 口 オ 〃 図 ＤＬＹ（膚ノ オ ５ 口
Ｊλよび第２図（１））は本発明の基本原理を説明する
ための図、第３０は本発明の第１の実施例を示す図、帖
４図は本発明の第２の実施例を示す図、禎５図は本発明
の第３の実施例を示す図、第６図は本発明の第４の実施
例を示す図、第７図は本発明の第５の実施例を示す図、
第８図は本発明の＃￥６の実施例な示す図および第９図
は本発明の第７の実施例１を示ず図である。 図にお（・て、１は磁気バブル転送路、２け転送路のカ
スプ部、３＆」、ヘアピン状コンダクタバタン４．５は
回転磁界の方向を表わす矢印、６■電涼１パルスの印加
位相ｌｉｄ囲を表わず矢印、７−：＊流パルスの向きを
表わす矢印、８はｐｃ、性制ハ ９【′ｌバイアス磁、
界の向きを表わづ矢印、 １０）’Ｊ、ｅ′ｌバブル、
１１はカスプｒ；１き角の２噌分絆−Ｌ方向を表わす矢
印、１２は電流パルスの動作折！帖（ＩＱ）を表わず寿
１に軸、１３ｔ！：電流パルスの印加位相（＋）、ｒ、
Ｙ）な・駅０）ず４黄１ｆｔｌ＋、１／Ｎま第１の力、
六ブｉ’？ｌｉ ＋ン）２′・１−づｙ６°１とｆ、１
）、’ ２０力スプ部の２等分ス牛とすな１角度、１６
゜１７は第・１及び＃ｌ￥２の雷５流パルス、１８はγ
１１流パルスの位相を規定する角度を表わす矢印、１９
゜２０は各々第１及び第２のヘアピン状コンダクタバタ
ン、２１．２２は各々第１及び第２のカスプ部、２３は
第３のカスプ部、２４をよ第３のメジャー転送路、２５
け第、３のマイナー転送Ｐ２！ｙ＋ｙ、２６は第３の磁
気パブルトランスファーゲ−１−１２７は第３の磁気バ
ブル検出器、２８＆よｔＩ３のヘアピン状コンダクタバ
タン、２９は第３の電流パルス、３０．３１は各々第１
及び第２のメジャー転送路、３２．３３は各々第１及び
第２のマイナー転送路群、３４．３５は各々第１及び第
２の磁気パブルトランスファーゲー）、３６．３７は各
々第１及び第２の磁気バブル検出器、４旧」↑１′ｒ５
流パルスの位相を表わす横軸、４１け電流パルスの振幅
を表わす矢印、４２はカスプ部の開き角を表わす矢印、
５０．５１．５２は各々第１．第２及び第３のカスプ部
開き角の２等分線の方向を表わす矢印、６０゜６１，６
２．６３は各々磁性薄膜の（１１０）方向、〔〒７２）
方向、〔０〒１〕方向、〔１０丁〕方向を表わす矢印で
ある。 代理人 弁理士 内 原 晋、１．鴎、、ｊ、／
。 矛 １ 月 （０） 第１口（ｂ＞ ／２ ＤＬＹ（皮） 矛２ｆ；ｄ（（Ｕ ７０− 第２口（ｂ） （九の （３１，，０） ＤＬＹ（鷹フ オ ５ 口 オ 〃 図 ＤＬＹ（膚ノ オ ５ 口
Claims (1)
- 磁気バブルを保持し得る磁性薄膜上に選択的にイオン注
入を施すことにより形成された第１のメジャー転送路、
第２のメジャー転送路、第１のマイナー転送路群および
第２のマイナー転送路群を備えたイーブン・オツド方式
のコンテイギユアスディスク型磁気バブル素子にお（・
て、前記第１のメジャー転送路上の第１のカスプ部と前
記第２のメジャー転送路上の第２０カスプ部とに雷、気
的に直列に接続された第１及び第２のヘアピン状コンダ
クタバクンを設け、かつ、前記第１０カスブ部の開き角
の２等分線と前記第２のカスブ部の開き角の２等分線と
のなす角度を９０Ｌ′以上としたことを特徴とするコン
テイギユアスディスク型磁気バブル素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57161442A JPS6038796B2 (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | コンテイギユアスデイスク型磁気バブル素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57161442A JPS6038796B2 (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | コンテイギユアスデイスク型磁気バブル素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5952488A true JPS5952488A (ja) | 1984-03-27 |
| JPS6038796B2 JPS6038796B2 (ja) | 1985-09-03 |
Family
ID=15735189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57161442A Expired JPS6038796B2 (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | コンテイギユアスデイスク型磁気バブル素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6038796B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59142794A (ja) * | 1983-01-20 | 1984-08-16 | コミサリア・タ・レネルジー・アトミック | 非注入モチ−フを持つ磁気バブルメモリ及び該メモリを制御する方法 |
| JPS62117213A (ja) * | 1985-11-18 | 1987-05-28 | 日本電信電話株式会社 | 高強度外被通信ケ−ブル |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57138088A (en) * | 1981-01-19 | 1982-08-26 | Philips Nv | Magnetic bubble memory |
-
1982
- 1982-09-14 JP JP57161442A patent/JPS6038796B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57138088A (en) * | 1981-01-19 | 1982-08-26 | Philips Nv | Magnetic bubble memory |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59142794A (ja) * | 1983-01-20 | 1984-08-16 | コミサリア・タ・レネルジー・アトミック | 非注入モチ−フを持つ磁気バブルメモリ及び該メモリを制御する方法 |
| JPS62117213A (ja) * | 1985-11-18 | 1987-05-28 | 日本電信電話株式会社 | 高強度外被通信ケ−ブル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6038796B2 (ja) | 1985-09-03 |
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