JPS5952623U - 減圧ｃｖｄ装置 - Google Patents

減圧ｃｖｄ装置

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Publication number
JPS5952623U
JPS5952623U JP14631482U JP14631482U JPS5952623U JP S5952623 U JPS5952623 U JP S5952623U JP 14631482 U JP14631482 U JP 14631482U JP 14631482 U JP14631482 U JP 14631482U JP S5952623 U JPS5952623 U JP S5952623U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure cvd
low pressure
cvd equipment
reaction chamber
sectional
Prior art date
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Pending
Application number
JP14631482U
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English (en)
Inventor
和夫 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS5952623U publication Critical patent/JPS5952623U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のＬＰＧＶＤ装置の縦断面図、第２図は第
１図のＡ、　Ａ’線に沿い矢視した断面図、第３図は従
来の装置による半導体ウェハのＣＶＤ膜を示す図、第４
図は装置内、の半導体ウェハの配置による比抵抗、膜厚
等のばらつきを示す線図、第５図はこの考案の１実施例
のＬＰＧＶＤ装置の縦、　　　　断面図、第６図は第５
図のＢ、　Ｂ’線に沿って矢視した断面図、第７図は第
５図のｃ、　ｃ’線に沿−って矢視した断面図、第８図
は第５図の反応ガスの第１導入部の斜視図、第９図はこ
の考案の第２の実施例のＬＰＧＶＤ装置の縦断面図、第
１０図は第９図のり、Ｄ’線に沿（１矢視した断面図、
第１１図はこの考案による半導体ウェハのＣＶＤ膜を示
す図、第１２図はこの考案にかかる、ＬＰＧＶＤ装置内
の半導体ウェハの配置による比抵抗、膜厚等のばらつき
を示す線図である。 １・・・反応容器、４・・・半導体ウェハ、６・・・加
熱炉、１１．１１’・・・ガ不導管、１２．１２・・・
、１５゜１５・・・、　　１２’、　　１２’・・・、
　　１５’、　　１５’・・・反応ガスの吹出口、１３
．１３’・・・反応ガスの第１導入部、１４．１４・・
・反応ガスの第２導入部の同心環状ガス導管、１６．１
６・・・反応ガスの第２導入部。 第４図 第１２図

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 横型拡散炉の反応室へ反応ガス導入と排気とを施して前
    記反応室に内装された半導体ろエバに減圧ＣＶＤを行な
    う装置にして、反応ガス導入管を多数設けるとともにこ
    れらを反応室の壁に平均に分布させて設けたことを特徴
    とする減圧ＣＶＤ装置。
JP14631482U 1982-09-29 1982-09-29 減圧ｃｖｄ装置 Pending JPS5952623U (ja)

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JP14631482U JPS5952623U (ja) 1982-09-29 1982-09-29 減圧ｃｖｄ装置

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JP14631482U JPS5952623U (ja) 1982-09-29 1982-09-29 減圧ｃｖｄ装置

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JPS5952623U true JPS5952623U (ja) 1984-04-06

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ID=30325712

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