JPS5952814B2 - ポジ型ホトレジスト層のきず密度減少法 - Google Patents
ポジ型ホトレジスト層のきず密度減少法Info
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- JPS5952814B2 JPS5952814B2 JP52068992A JP6899277A JPS5952814B2 JP S5952814 B2 JPS5952814 B2 JP S5952814B2 JP 52068992 A JP52068992 A JP 52068992A JP 6899277 A JP6899277 A JP 6899277A JP S5952814 B2 JPS5952814 B2 JP S5952814B2
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- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/76—Photosensitive materials characterised by the base or auxiliary layers
- G03C1/85—Photosensitive materials characterised by the base or auxiliary layers characterised by antistatic additives or coatings
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- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61K—PREPARATIONS FOR MEDICAL, DENTAL OR TOILETRY PURPOSES
- A61K8/00—Cosmetics or similar toiletry preparations
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- A61K8/72—Cosmetics or similar toiletry preparations characterised by the composition containing organic macromolecular compounds
- A61K8/73—Polysaccharides
- A61K8/736—Chitin; Chitosan; Derivatives thereof
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- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61Q—SPECIFIC USE OF COSMETICS OR SIMILAR TOILETRY PREPARATIONS
- A61Q5/00—Preparations for care of the hair
- A61Q5/06—Preparations for styling the hair, e.g. by temporary shaping or colouring
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、フェノールホルムアルデヒド樹脂と０−キノ
ンジアジドから成るポジ型レジスト層を化学放射線に露
光する際にホトレジスト粒子のリフトオフにより生成す
るきずの密度を減少させる方法に関する。
ンジアジドから成るポジ型レジスト層を化学放射線に露
光する際にホトレジスト粒子のリフトオフにより生成す
るきずの密度を減少させる方法に関する。
モノリシック回路の生産ｖｃおいて感光性ホトレジスト
材料は重要な役割を演する。
材料は重要な役割を演する。
このようなホトレジスト材料が回路技術に何故応用でき
るかと云うと、それらが予定のモノリシック基板材料、
例えばシリコン、に特定寸法の回路パターンを「彫刻」
することができるようにするについて適合性があるから
である。これは写真食刻法により行われ、この場合写真
食刻装置により先ず回路設計に相応する二元的パターン
が適当な露光マスクを用いて作像され、この際ホトレジ
ストは所要の感光層として基板面を蔽う。その次の現像
処理により基板面上に所望構造のパターンが得られ、そ
の上に適当な処理により特定の形態を形成することがで
きる。この処理において、ホトレジストはその前の写真
食刻処理により裸にされなかつた基板面の面積に対する
保護用ワニス系として役立つ。それらの光との相互作用
によれば、ホトレジスト系はネガ型及びポジ型に分類さ
れる。ネガ型ホトレジストは、露光領域が適当な溶剤に
不溶であるが未露光領域がこの現像液により溶解される
型のホトレジストである。その結果裸にされ保護されて
ない領域が基板面上に形成され、それはホトマスク上の
不透明な暗色領域に対応する。ネガ型レジスト型の数例
は一部環化したシスー１、４−ポリイソプレンを基礎と
してそれにホトイニシエータとしてジアジドベンザル−
アルキル−シクロヘキサノンを加えたホトレジスト材料
である。ポジ型レジスト系においてはホトレジストは露
光されるとそれが後に現像液（例えば緩衝されたアルカ
リ水溶液）中に可溶性になるように変えられる。このレ
ジスト膜の露光領域は現像期間中除去され、従つて基板
面上の裸にさに保護されない領域はホトマスク上の透明
な面積に相応する。ポジ型レジスト系の数例は適当な分
子量分布を持つフェノールホルムアルデヒド樹脂（Ｎｏ
ｖｏｌａｋ型）を基礎としてそのほかに光活性化合物、
例えば５装置換ナフトキノンジアジドから成るものを含
有するホトレジスト材料である。ネガ型レジスト材料と
比べて、ポジ型レジスト材料はいくつかの利点を示す。
るかと云うと、それらが予定のモノリシック基板材料、
例えばシリコン、に特定寸法の回路パターンを「彫刻」
することができるようにするについて適合性があるから
である。これは写真食刻法により行われ、この場合写真
食刻装置により先ず回路設計に相応する二元的パターン
が適当な露光マスクを用いて作像され、この際ホトレジ
ストは所要の感光層として基板面を蔽う。その次の現像
処理により基板面上に所望構造のパターンが得られ、そ
の上に適当な処理により特定の形態を形成することがで
きる。この処理において、ホトレジストはその前の写真
食刻処理により裸にされなかつた基板面の面積に対する
保護用ワニス系として役立つ。それらの光との相互作用
によれば、ホトレジスト系はネガ型及びポジ型に分類さ
れる。ネガ型ホトレジストは、露光領域が適当な溶剤に
不溶であるが未露光領域がこの現像液により溶解される
型のホトレジストである。その結果裸にされ保護されて
ない領域が基板面上に形成され、それはホトマスク上の
不透明な暗色領域に対応する。ネガ型レジスト型の数例
は一部環化したシスー１、４−ポリイソプレンを基礎と
してそれにホトイニシエータとしてジアジドベンザル−
アルキル−シクロヘキサノンを加えたホトレジスト材料
である。ポジ型レジスト系においてはホトレジストは露
光されるとそれが後に現像液（例えば緩衝されたアルカ
リ水溶液）中に可溶性になるように変えられる。このレ
ジスト膜の露光領域は現像期間中除去され、従つて基板
面上の裸にさに保護されない領域はホトマスク上の透明
な面積に相応する。ポジ型レジスト系の数例は適当な分
子量分布を持つフェノールホルムアルデヒド樹脂（Ｎｏ
ｖｏｌａｋ型）を基礎としてそのほかに光活性化合物、
例えば５装置換ナフトキノンジアジドから成るものを含
有するホトレジスト材料である。ネガ型レジスト材料と
比べて、ポジ型レジスト材料はいくつかの利点を示す。
それの例えば酸素に対する感度がネガ型レジスト材料よ
り遥かに低く、このことは写真食刻処理においてその取
扱いを容易にする。ポジ型ホトレジスト材料はネガ型レ
ジスト材料より露光パターンの高い分解能を示し、この
ことは半導体目的に要求される精密さと細部の重要性を
考慮して高度に望ましいことである。最後に、ポジ型レ
ジストのマスク、例えば半導体ウエハ土の二酸化シリコ
ン層に拡散窓を作るために用いられるこのマスクは該酸
化物層のエツチング除去後に、基板から溶剤混合物を用
いて、ネガ型レジスト材料から作られるマスクよりも遥
かに容易に除去できる。しかしながら、ポジ型レジスト
材料の欠点はネガ型レジスト材料に比べて、露光のため
用いられる接触露光マスクに容易に粘着し易く、行つて
レジスト像にきずが現われることである。
り遥かに低く、このことは写真食刻処理においてその取
扱いを容易にする。ポジ型ホトレジスト材料はネガ型レ
ジスト材料より露光パターンの高い分解能を示し、この
ことは半導体目的に要求される精密さと細部の重要性を
考慮して高度に望ましいことである。最後に、ポジ型レ
ジストのマスク、例えば半導体ウエハ土の二酸化シリコ
ン層に拡散窓を作るために用いられるこのマスクは該酸
化物層のエツチング除去後に、基板から溶剤混合物を用
いて、ネガ型レジスト材料から作られるマスクよりも遥
かに容易に除去できる。しかしながら、ポジ型レジスト
材料の欠点はネガ型レジスト材料に比べて、露光のため
用いられる接触露光マスクに容易に粘着し易く、行つて
レジスト像にきずが現われることである。
一例を示すと、最もしばしば用いられるＳｈｉｐｌｅｙ
ＣＯＯ］Ｐ．Ｉｎｃ．のポジ型レジストＡＺｌ３５ＯＪ
を用いて、１０回の露光後の接触露光マスク上ＦｌＣ２
Ｏ〜３０個程度のレジストピツクアツプのきずが数えら
れ九接触露光マスクを弗化メタクリル酸ポリマで処理す
ることが示唆された。その結果、露光期間中接触露光マ
スクによる上記のレジストピツクアツプを約３０から約
０〜７に減らすことができた。このマスクによるレジス
トピツクアツプを避ける他の可能な手段が試みられた。
そのうちの１つはマスクとホトレジスト層間の１０〜５
０μ程度の小さい距離をもつてポジ型レジスト材料の層
の作像露光を遂行すること（近接プリント法）である。
他の可能な方式番よ投射露光処理の使用であり、この場
合光学的作像によりホトレジストで蔽われたウエハ上に
マスクの像が作られる。上記両処理法に用いられた非接
触露光にも拘らずホトレジスト粒子のリフトオフによる
きずができることが認められた。
ＣＯＯ］Ｐ．Ｉｎｃ．のポジ型レジストＡＺｌ３５ＯＪ
を用いて、１０回の露光後の接触露光マスク上ＦｌＣ２
Ｏ〜３０個程度のレジストピツクアツプのきずが数えら
れ九接触露光マスクを弗化メタクリル酸ポリマで処理す
ることが示唆された。その結果、露光期間中接触露光マ
スクによる上記のレジストピツクアツプを約３０から約
０〜７に減らすことができた。このマスクによるレジス
トピツクアツプを避ける他の可能な手段が試みられた。
そのうちの１つはマスクとホトレジスト層間の１０〜５
０μ程度の小さい距離をもつてポジ型レジスト材料の層
の作像露光を遂行すること（近接プリント法）である。
他の可能な方式番よ投射露光処理の使用であり、この場
合光学的作像によりホトレジストで蔽われたウエハ上に
マスクの像が作られる。上記両処理法に用いられた非接
触露光にも拘らずホトレジスト粒子のリフトオフによる
きずができることが認められた。
ポジ型レジスト材料の均一に露光した層ＦｆＣおいても
同じ型のきずが認められた。従つてこのきずは露光マス
クによるレジストピックアップに起因するものではない
。それ故、本発明の目的はフエノールホルムアルデヒド
樹脂とＯ−キノンジアジドから成るポジ型ホトレジスト
層を化学放射線に無接触露光する際にホトレジスト粒子
の除去により生ずるきずの密度を減らすための方法を提
供することにある。
同じ型のきずが認められた。従つてこのきずは露光マス
クによるレジストピックアップに起因するものではない
。それ故、本発明の目的はフエノールホルムアルデヒド
樹脂とＯ−キノンジアジドから成るポジ型ホトレジスト
層を化学放射線に無接触露光する際にホトレジスト粒子
の除去により生ずるきずの密度を減らすための方法を提
供することにある。
この本発明の目的はホトレジスト組成分に帯電防止剤が
添加されることを特徴とする処理により達成される。好
ましい帯電防止剤は後の説明中に記載される。
添加されることを特徴とする処理により達成される。好
ましい帯電防止剤は後の説明中に記載される。
本発明は次の詳細な記載と実施例ＦｌＣおいて詳述され
るであろう。薄い絶縁層例えば熱分解法若しくは陰極線
スパツタ法により作られた二酸化シリコン中に叉は窒化
シリコン中に窓をエツチングするために、既知のように
してホトレジスト技術が適用され、この場合該絶縁層に
付着されるホトレジスト層は像の形に露光され、その１
部は露光後現像により除去される。
るであろう。薄い絶縁層例えば熱分解法若しくは陰極線
スパツタ法により作られた二酸化シリコン中に叉は窒化
シリコン中に窓をエツチングするために、既知のように
してホトレジスト技術が適用され、この場合該絶縁層に
付着されるホトレジスト層は像の形に露光され、その１
部は露光後現像により除去される。
既に最初に述べたように、これらの処理には、その有利
な特性の故に、ポジ型レジスト材料が、特にフエノール
ホルムアルデヒド樹脂とＯ−キノンジアジド含有するＳ
ｈｉｐｌｅｙＣＯ即．Ｉｎｃ．のポジ型レジストＡＺｌ
３５Ｏが益々数を増して用いられている。約１．０〜２
．０μｍ厚さのＡＺｌ３５Ｏホトレジスト層の作像露光
後に、約１０〜３０／Ｊｍの大きさのきずが、特にその
露光領域において見出された。露光期間中円形ホトレジ
スト粒子のリフトオフにより形成されるきずは特にこの
ポジ型レジスト層の露光領域に存在するので、それの多
数が現像期間中再び除去される。しかしながら、若しこ
の作像露光の際小さい未露光領域に囲まれた大きい露光
領域を持つ構造体が作られるならば、この構造体は、露
光期間中露光領域から飛び去るホトレジスト粒子が隣り
の未露光領域中のホトレジスト層の粒子をも｛に運ぶ去
る点において著しく損傷を受ける。現像後に未露光ホト
レジストはエツチングマスクとして残るから、きずを持
つエツチングマスクが作られる。この種のきずは非接触
モードの露光においても形成される。きずを形成する理
由は、窒素分子が露光期間中釈放されることにより発生
するホトレジスト層中の機械的応力が増大すること、及
びホトレジスト層と絶縁層とがそれらの静電荷のために
相互作用をすることにある。
な特性の故に、ポジ型レジスト材料が、特にフエノール
ホルムアルデヒド樹脂とＯ−キノンジアジド含有するＳ
ｈｉｐｌｅｙＣＯ即．Ｉｎｃ．のポジ型レジストＡＺｌ
３５Ｏが益々数を増して用いられている。約１．０〜２
．０μｍ厚さのＡＺｌ３５Ｏホトレジスト層の作像露光
後に、約１０〜３０／Ｊｍの大きさのきずが、特にその
露光領域において見出された。露光期間中円形ホトレジ
スト粒子のリフトオフにより形成されるきずは特にこの
ポジ型レジスト層の露光領域に存在するので、それの多
数が現像期間中再び除去される。しかしながら、若しこ
の作像露光の際小さい未露光領域に囲まれた大きい露光
領域を持つ構造体が作られるならば、この構造体は、露
光期間中露光領域から飛び去るホトレジスト粒子が隣り
の未露光領域中のホトレジスト層の粒子をも｛に運ぶ去
る点において著しく損傷を受ける。現像後に未露光ホト
レジストはエツチングマスクとして残るから、きずを持
つエツチングマスクが作られる。この種のきずは非接触
モードの露光においても形成される。きずを形成する理
由は、窒素分子が露光期間中釈放されることにより発生
するホトレジスト層中の機械的応力が増大すること、及
びホトレジスト層と絶縁層とがそれらの静電荷のために
相互作用をすることにある。
本発明に従う処理により、フエノールホルムアルデヒド
樹脂と０−キノンジアジドから成るポジ型レジスト層中
のきず密度はこれを減らすことができる。
樹脂と０−キノンジアジドから成るポジ型レジスト層中
のきず密度はこれを減らすことができる。
そのことはホトレジスト層に帯電防止剤を添加すること
によつて実現する。変性ポジ型レジスト、例えばＳｈｉ
ｐｌｑＣＯｒＤｐ．Ｉｎｃ．のＡＺｌ３５Ｏホトレジス
トは、このホトレジスト組成分が重量で１％のＣ，〜Ｃ
ｌ，アルキル基を持つ２−アルキル−Ｎ一水酸化エチル
イミドアゾリニウムの醋酸塩、オレイン酸塩、ステアリ
ン酸塩、叉は−ｐ−トルエン−スルホン酸塩で変更され
ることによつて作られる。
によつて実現する。変性ポジ型レジスト、例えばＳｈｉ
ｐｌｑＣＯｒＤｐ．Ｉｎｃ．のＡＺｌ３５Ｏホトレジス
トは、このホトレジスト組成分が重量で１％のＣ，〜Ｃ
ｌ，アルキル基を持つ２−アルキル−Ｎ一水酸化エチル
イミドアゾリニウムの醋酸塩、オレイン酸塩、ステアリ
ン酸塩、叉は−ｐ−トルエン−スルホン酸塩で変更され
ることによつて作られる。
他の使用に適する帯電防止剤は脂肪族燐噴エステルの塩
であり、これは名称ＴｅｂｅｓｔａｔＩＳＧの下に市販
されている。それはまたホトレジスト組成分に重量比１
％の分量で添加される。このホトレジスト組成分はフイ
ルタされて、薄いホトレジスト膜が熱的に作られた二酸
化シリコン層で蔽われたシリコンウエー・上にスピン被
覆法により付着される。この被覆されたウエハは既知の
方法で、例えば２０分間８５℃で窒素雰囲気の中で、前
焼付けされる。その後、このホトレジスト膜はホトレジ
スト層から１０〜５０μｍの距離に配置されたマスクを
通じて像の形に露光される。この非接触モードの作像露
光はまた投影型露光処理によつても遂行できる。放射源
は２００ワツトの高圧水銀ランプである。露光時間は約
１６秒である。露光されたホトレジスト層はメタ硅酸ナ
トリウム、燐酸ナトリウム、及び水酸化ナトリウムを基
準とするアルカリ水溶液の現像液中で現像される。現像
の後、このホトレジスト構造を持つウエ一・は既知の態
様でもう１つの加熱処理、後焼付けを受ける。この処理
されたウエ一・は弗化アンムニウムで緩衝された弗化水
素のエツチング溶液中でエツチングすることができる。
次の諸実施例から分るように、ホトレジスト構造体中の
きず密度は本発明により開示された処理で著しく減らさ
れ、更にそれは実用上露光時間に無関係である。
であり、これは名称ＴｅｂｅｓｔａｔＩＳＧの下に市販
されている。それはまたホトレジスト組成分に重量比１
％の分量で添加される。このホトレジスト組成分はフイ
ルタされて、薄いホトレジスト膜が熱的に作られた二酸
化シリコン層で蔽われたシリコンウエー・上にスピン被
覆法により付着される。この被覆されたウエハは既知の
方法で、例えば２０分間８５℃で窒素雰囲気の中で、前
焼付けされる。その後、このホトレジスト膜はホトレジ
スト層から１０〜５０μｍの距離に配置されたマスクを
通じて像の形に露光される。この非接触モードの作像露
光はまた投影型露光処理によつても遂行できる。放射源
は２００ワツトの高圧水銀ランプである。露光時間は約
１６秒である。露光されたホトレジスト層はメタ硅酸ナ
トリウム、燐酸ナトリウム、及び水酸化ナトリウムを基
準とするアルカリ水溶液の現像液中で現像される。現像
の後、このホトレジスト構造を持つウエ一・は既知の態
様でもう１つの加熱処理、後焼付けを受ける。この処理
されたウエ一・は弗化アンムニウムで緩衝された弗化水
素のエツチング溶液中でエツチングすることができる。
次の諸実施例から分るように、ホトレジスト構造体中の
きず密度は本発明により開示された処理で著しく減らさ
れ、更にそれは実用上露光時間に無関係である。
例１
感光性化合物であつてｍ−クレゾール・ホルムアルデヒ
ド樹脂と３，４−ジヒドロキシベンゾフエノン一４−〔
ナフトキノン（１，２）ジアジド（２）〕スルフオン酸
塩として識別される５一置換ナフトキノンジアジドとの
化合物であるＳｈｉ一ＰｌｅｙＣＯＩｎｐ．Ｉｎｃ．Ｎ
ｅｗｔＯｎ．Ｍａｓｓ．のＡＺ−１３５０Ｊホトレジス
トに酸エチルグリココルモノエチルエーテルに溶解され
た重量比１％の、Ｃ７〜Ｃｌ７アルキル基を持つ醋酸２
−アルキル−Ｎ−ヒドロキシエチル・イミダゾリニウム
が添加される。
ド樹脂と３，４−ジヒドロキシベンゾフエノン一４−〔
ナフトキノン（１，２）ジアジド（２）〕スルフオン酸
塩として識別される５一置換ナフトキノンジアジドとの
化合物であるＳｈｉ一ＰｌｅｙＣＯＩｎｐ．Ｉｎｃ．Ｎ
ｅｗｔＯｎ．Ｍａｓｓ．のＡＺ−１３５０Ｊホトレジス
トに酸エチルグリココルモノエチルエーテルに溶解され
た重量比１％の、Ｃ７〜Ｃｌ７アルキル基を持つ醋酸２
−アルキル−Ｎ−ヒドロキシエチル・イミダゾリニウム
が添加される。
この混合物は１μｍ直径の孔を持つフイルタを通して圧
力下でフイルタされる。使用される基板材料は方位〔１
１１］を持つ単結晶シリコンのウエ・・ＶＣ４ＯＯＯＸ
厚さの熱的に作られた二酸化シリコン層を被覆したもの
である。
力下でフイルタされる。使用される基板材料は方位〔１
１１］を持つ単結晶シリコンのウエ・・ＶＣ４ＯＯＯＸ
厚さの熱的に作られた二酸化シリコン層を被覆したもの
である。
このウエ・・は熱い硫酸中で前清浄化され、ホトレジス
トで被覆する直前にその全表面はヘキサメチル・ジシラ
ザンで被覆され、これは二酸化シリコン表面に作用する
ため５秒間そのままに置かれ、その後ジフルオロシクロ
メタンを用いて回転数３８００毎分の回転により洗い落
とされる。この独国特許願Ｐｌ９ｌ５Ｏ８５．７に記載
される、処理法により二酸化シリコン表面土のホトレジ
ストの粘着性は改善される。その後、５個のウエ一・が
変更型でないホトレジストで被覆され、他の５個のウエ
ハは醋酸２−アルキル−Ｎ−ヒドロキシエチル・イミダ
ゾリニウムで変更されたホトレジストで被覆される。
トで被覆する直前にその全表面はヘキサメチル・ジシラ
ザンで被覆され、これは二酸化シリコン表面に作用する
ため５秒間そのままに置かれ、その後ジフルオロシクロ
メタンを用いて回転数３８００毎分の回転により洗い落
とされる。この独国特許願Ｐｌ９ｌ５Ｏ８５．７に記載
される、処理法により二酸化シリコン表面土のホトレジ
ストの粘着性は改善される。その後、５個のウエ一・が
変更型でないホトレジストで被覆され、他の５個のウエ
ハは醋酸２−アルキル−Ｎ−ヒドロキシエチル・イミダ
ゾリニウムで変更されたホトレジストで被覆される。
そのフイルタされたホトレジストは３８００回転数毎分
でのスピン被覆処理によりウエ一・の二酸化シリコン層
上に約２，０μｍの層の厚さに付着される。この被覆さ
れたウエハは窒素雰囲気内で８５℃で２０分間前焼付け
される。その後、このホトレジスト層は２００ワツト高
圧水銀ランプを備える露光装置内で、マスクを通して像
の形に露光される。露光期間中１０〜５０μｍの距離が
、例えば間隔子により、マスクとウエ一・間に維持され
（近接プリント法）、叉は投射露光プリント法の場合に
は数ｍ〜１ｍの範囲に変わる距離が維持される。露光時
間は約１６秒である。露光期間中、は窒素を放出してイ
ンデンカルボン酸へ配列替えする。かくして露光前は現
像液に不溶性であるホトレジストはその後の現像Ｖｃお
いて、メタ硅酸ナトリウム、燐酸ナトリウム及び水酸化
ナトリウムを基準とするアルカリ水溶液の現像液中に可
溶性となる。現像後に、ウエ一・は普通のように後焼付
けされ、その後弗化アンモニウムで緩衝された弗化水素
酸エツチング溶液中でエツチングすることができる。き
ず密度は各処理ウエ一・毎に１０個の切片を目で点検す
ることにより決定される。その結果は次の表と第１図に
与えられ、同図において露光時間ＥＴ（秒）ときず密度
ＤＤ／（７！の相互関係が示される。この表は、本発明
に従つて変性されたホトレジストを用いた場合（第１図
の曲線）にはそれと同じでしかし変性されていないホト
レジストの場合（曲線１》と比較して各露光時間におけ
るきず密度が甚しく減小し、更に実用的には露光時間に
無関係であることを示す。
でのスピン被覆処理によりウエ一・の二酸化シリコン層
上に約２，０μｍの層の厚さに付着される。この被覆さ
れたウエハは窒素雰囲気内で８５℃で２０分間前焼付け
される。その後、このホトレジスト層は２００ワツト高
圧水銀ランプを備える露光装置内で、マスクを通して像
の形に露光される。露光期間中１０〜５０μｍの距離が
、例えば間隔子により、マスクとウエ一・間に維持され
（近接プリント法）、叉は投射露光プリント法の場合に
は数ｍ〜１ｍの範囲に変わる距離が維持される。露光時
間は約１６秒である。露光期間中、は窒素を放出してイ
ンデンカルボン酸へ配列替えする。かくして露光前は現
像液に不溶性であるホトレジストはその後の現像Ｖｃお
いて、メタ硅酸ナトリウム、燐酸ナトリウム及び水酸化
ナトリウムを基準とするアルカリ水溶液の現像液中に可
溶性となる。現像後に、ウエ一・は普通のように後焼付
けされ、その後弗化アンモニウムで緩衝された弗化水素
酸エツチング溶液中でエツチングすることができる。き
ず密度は各処理ウエ一・毎に１０個の切片を目で点検す
ることにより決定される。その結果は次の表と第１図に
与えられ、同図において露光時間ＥＴ（秒）ときず密度
ＤＤ／（７！の相互関係が示される。この表は、本発明
に従つて変性されたホトレジストを用いた場合（第１図
の曲線）にはそれと同じでしかし変性されていないホト
レジストの場合（曲線１》と比較して各露光時間におけ
るきず密度が甚しく減小し、更に実用的には露光時間に
無関係であることを示す。
変更されないホトレジストの場合にはまたきず密度は露
光時間を減らすことにより減小できるが、強度に低露光
の場合でさえもゼロ値には達しない。変更されないホト
レジストの場合露光時間を上げるときず密度が増加する
ことは高い反応変換のため窒素が放出することにより説
明される。例２ このホトレジストは例１に示したと同様に、重量比１％
のＣ，〜Ｃ，，アルキル基を持つ２−アルキル−Ｎ−ヒ
ドロキシエチルＯイミダゾリニウム・オレイン酸塩、ス
テアリン酸塩及び−ｐ−トルエン硫酸塩で変更された。
光時間を減らすことにより減小できるが、強度に低露光
の場合でさえもゼロ値には達しない。変更されないホト
レジストの場合露光時間を上げるときず密度が増加する
ことは高い反応変換のため窒素が放出することにより説
明される。例２ このホトレジストは例１に示したと同様に、重量比１％
のＣ，〜Ｃ，，アルキル基を持つ２−アルキル−Ｎ−ヒ
ドロキシエチルＯイミダゾリニウム・オレイン酸塩、ス
テアリン酸塩及び−ｐ−トルエン硫酸塩で変更された。
これらの添加物によつてホトレジスト層の露光期間中ホ
トレジスト粒子の飛び去りに起因するきずの密度は著し
く減小することが確められた。例３ Ｔａｂｅ８ｔａｔＩＳＧの名称の下に市販されている脂
肪族燐酸エステルの塩は例１のホトレジストに重量比１
％の分量で添加された。
トレジスト粒子の飛び去りに起因するきずの密度は著し
く減小することが確められた。例３ Ｔａｂｅ８ｔａｔＩＳＧの名称の下に市販されている脂
肪族燐酸エステルの塩は例１のホトレジストに重量比１
％の分量で添加された。
この化合物は、等しくきずの密度を著しく減らすことが
分つた。
分つた。
図面は本発明の効果を示す曲線図である。
Claims (1)
- １ フェノールホルムアルデヒド樹脂と０−キノンジア
ジドから成るポジ型ホトレジスト層を化学放射線に露光
する際にホトレジスト粒子の消失により生ずるきずの密
度を減らす方法において、ホトレジスト組成分に帯電防
止剤を加えることを特徴とする前記の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE000P26264197 | 1976-06-12 | ||
| DE2626419A DE2626419C2 (de) | 1976-06-12 | 1976-06-12 | Lichtempfindliches Gemisch |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52154405A JPS52154405A (en) | 1977-12-22 |
| JPS5952814B2 true JPS5952814B2 (ja) | 1984-12-21 |
Family
ID=5980401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52068992A Expired JPS5952814B2 (ja) | 1976-06-12 | 1977-06-13 | ポジ型ホトレジスト層のきず密度減少法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4142892A (ja) |
| JP (1) | JPS5952814B2 (ja) |
| AU (1) | AU516133B2 (ja) |
| DE (1) | DE2626419C2 (ja) |
| FR (1) | FR2354578A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5558531A (en) * | 1978-10-25 | 1980-05-01 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Fine processing |
| US4340654A (en) * | 1980-06-19 | 1982-07-20 | Campi James G | Defect-free photomask |
| US4485167A (en) * | 1980-10-06 | 1984-11-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Aqueous developable photopolymerizable elements |
| US4517281A (en) * | 1980-10-06 | 1985-05-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Development process for aqueous developable photopolymerizable elements |
| JPH083628B2 (ja) * | 1986-10-13 | 1996-01-17 | 三菱電機株式会社 | 非帯電性レジスト |
| US5168030A (en) * | 1986-10-13 | 1992-12-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Positive type o-quinone diazide photo-resist containing antistatic agent selected from hydrazones, ethylcarbazole and bis(dimethylamino)benzene |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB772517A (en) * | 1954-02-06 | 1957-04-17 | Kalle & Co Ag | Improvements in or relating to photo-mechanical reproduction |
| US2974042A (en) * | 1956-06-23 | 1961-03-07 | Keuffel & Esser Co | Diazotype reproduction process |
| US3615532A (en) * | 1963-12-09 | 1971-10-26 | Union Carbide Corp | Printing plate compositions |
| US3637644A (en) * | 1967-03-08 | 1972-01-25 | Eastman Kodak Co | Azonia diazo ketones |
| US3661582A (en) * | 1970-03-23 | 1972-05-09 | Western Electric Co | Additives to positive photoresists which increase the sensitivity thereof |
| US3873316A (en) * | 1970-06-11 | 1975-03-25 | Kalle Ag | Process for the production of a light-sensitive copying material having a copper-containing support, and copying material so produced |
| US3827908A (en) * | 1972-12-11 | 1974-08-06 | Ibm | Method for improving photoresist adherence |
| US4036644A (en) * | 1973-03-16 | 1977-07-19 | International Business Machines Corporation | Photoresist process and photosensitive O-quinone diazide article with aliphatic carboxylic acid as adhesion promotor |
| DE2331377C2 (de) * | 1973-06-20 | 1982-10-14 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Lichtempfindliches Kopiermaterial |
| US4009033A (en) * | 1975-09-22 | 1977-02-22 | International Business Machines Corporation | High speed positive photoresist composition |
-
1976
- 1976-06-12 DE DE2626419A patent/DE2626419C2/de not_active Expired
-
1977
- 1977-04-26 FR FR7713458A patent/FR2354578A1/fr active Granted
- 1977-05-20 US US05/799,048 patent/US4142892A/en not_active Expired - Lifetime
- 1977-06-13 JP JP52068992A patent/JPS5952814B2/ja not_active Expired
- 1977-06-17 AU AU26180/77A patent/AU516133B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2354578B1 (ja) | 1980-02-01 |
| DE2626419C2 (de) | 1982-10-21 |
| AU516133B2 (en) | 1981-05-21 |
| US4142892A (en) | 1979-03-06 |
| DE2626419A1 (de) | 1977-12-22 |
| FR2354578A1 (fr) | 1978-01-06 |
| JPS52154405A (en) | 1977-12-22 |
| AU2618077A (en) | 1978-12-21 |
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