JPH02143253A - 精密パターンの形成方法 - Google Patents
精密パターンの形成方法Info
- Publication number
- JPH02143253A JPH02143253A JP63297096A JP29709688A JPH02143253A JP H02143253 A JPH02143253 A JP H02143253A JP 63297096 A JP63297096 A JP 63297096A JP 29709688 A JP29709688 A JP 29709688A JP H02143253 A JPH02143253 A JP H02143253A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- pattern
- etching
- organic
- film
- Prior art date
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- Pending
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は有機レジストを使用した電子部品等の微細パタ
ーンの形成方法に関する。
ーンの形成方法に関する。
従来のホトリソグラフィー技術では光学系でのフレネル
回折（入射光の波長λとマスク面から試料面までの距離
をｇとするとき、マスク端からのパターンボケの量ｄｓ
は近似的にｄｓ＝ｖ’２λｇで表わされる）による端の
ボケ。
回折（入射光の波長λとマスク面から試料面までの距離
をｇとするとき、マスク端からのパターンボケの量ｄｓ
は近似的にｄｓ＝ｖ’２λｇで表わされる）による端の
ボケ。
階段状の段差パターンが発生する。
またレジスト膜厚と試料表面（特にＡ、 Ｑなど反射率
の大きい場合）の間で光の干渉効果（定在波効果）が発
生して、マスクパターン内部への拡散光が入り、マスク
パターンの精度を悪くしている。
の大きい場合）の間で光の干渉効果（定在波効果）が発
生して、マスクパターン内部への拡散光が入り、マスク
パターンの精度を悪くしている。
パターン精度はネガレジストの場合は太くなり、ポジレ
ジストの場合は細くなる。さらにレジストの膜厚が不均
一の場合や試料表面の反射率が部分的に異なる場合や露
光ムラがある場合は定在波効果が部分的に変わり、レジ
ストの暎厚方向に感度ムラが生じるため、現像後レジス
トにシワが発生し、パターン端がギザギザになったり、
パターン間にレジストのブリッジが発生してパターン欠
陥を生じる。
ジストの場合は細くなる。さらにレジストの膜厚が不均
一の場合や試料表面の反射率が部分的に異なる場合や露
光ムラがある場合は定在波効果が部分的に変わり、レジ
ストの暎厚方向に感度ムラが生じるため、現像後レジス
トにシワが発生し、パターン端がギザギザになったり、
パターン間にレジストのブリッジが発生してパターン欠
陥を生じる。
これらの諸欠陥はパターン精度が５〜１０μ程度のとき
は前述の現゛象が発生しても、条件を最適化することに
より、誤差を±２μ以下に抑えて加工することが可能で
ある。しかしながら、５μ以下のパターンでその加工精
度を±０．２〜１μ以下にする場合、これまでの方法で
はマスクパターンの再現性を期待することは不可能であ
った。
は前述の現゛象が発生しても、条件を最適化することに
より、誤差を±２μ以下に抑えて加工することが可能で
ある。しかしながら、５μ以下のパターンでその加工精
度を±０．２〜１μ以下にする場合、これまでの方法で
はマスクパターンの再現性を期待することは不可能であ
った。
本発明の目的は、従来技術の欠点を解消し。
マスクパターン髪正確に再現する精密パターン形成方法
に関する。
に関する。
本発明は、前記目的を達成するため有機レジスト層の上
に特定の有機化合物のａ幻を設けることにより、−挙に
目的を達成できることを発見した。すなわち１本発明は
、 （１）被エツチング膜上に有機レジストを塗布し、 （２） （ａ）有機金属化合物および有機金属錯体より
なる群から選らばれた有機化合 物の薄層を形成後、マスクをあてて 露光するか、あるいは、 （ｂ）マスクをあてて露光後、前記有機化合物の薄層を
形成し。
に特定の有機化合物のａ幻を設けることにより、−挙に
目的を達成できることを発見した。すなわち１本発明は
、 （１）被エツチング膜上に有機レジストを塗布し、 （２） （ａ）有機金属化合物および有機金属錯体より
なる群から選らばれた有機化合 物の薄層を形成後、マスクをあてて 露光するか、あるいは、 （ｂ）マスクをあてて露光後、前記有機化合物の薄層を
形成し。
（３）ついで、現像、エツチングを行うことを特徴とす
る精密パターンの形成方法に関するものである。
る精密パターンの形成方法に関するものである。
前記有機金属化合物の具体的化合物としては、
一般式
％式％）
（式中、Ｒはアルキル、アリール、アルキルアリール、
ＭはＳｉ、Ｔｉ、Ｚｎ。
ＭはＳｉ、Ｔｉ、Ｚｎ。
Ｂａ、Ｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｎｉ。
Ｐｂ、ＡＱ、Ｔａ、Ｉｎ、Ｃｅ、 Ｍｇｌ Ｆｅより
なる群から選らばれた元素、ｎは１〜４、好ましくは１
〜３である。） 又はケイ酸アルコラールあるいは２Ｍ■Ｅｔ２゜Ｍ■Ｅ
ｔ、 、 Ｍ（：ＤＢ ｕｔ、 、 Ｍ■ＢＬＩｔ＋
ＢｕＭ■（ＯＢ ｕ）ｚ 。
なる群から選らばれた元素、ｎは１〜４、好ましくは１
〜３である。） 又はケイ酸アルコラールあるいは２Ｍ■Ｅｔ２゜Ｍ■Ｅ
ｔ、 、 Ｍ（：ＤＢ ｕｔ、 、 Ｍ■ＢＬＩｔ＋
ＢｕＭ■（ＯＢ ｕ）ｚ 。
Ｍ■Ｅｔ４．Ｍ■Ｐｈ、などを挙げることができる。
ここで、Ｍ■＝Ｍｇ、 Ｚｎ、 ＭＯ＝Ｂ、ＡＱ＋Ｉｎ
。
。
Ｆｅ、Ｔａ、Ｃｅ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｍ■＝Ｓｉ、 Ｔｉ、
Ｅｔ＝Ｃ，Ｈ，、ＢｕＬ＝（イソブタン） Ｃ４Ｈｓ
。
Ｅｔ＝Ｃ，Ｈ，、ＢｕＬ＝（イソブタン） Ｃ４Ｈｓ
。
ＯＲ＝たとえばブトキシ基のようなアルコキシ基（アル
コラードを形成する１種）、Ｂｕ＝ブタンＣ，Ｈ，であ
る。
コラードを形成する１種）、Ｂｕ＝ブタンＣ，Ｈ，であ
る。
前記有機金属錯体は、有機キレート剤とその官能基にＭ
ｇ、Ｚｎ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｓｉ、ＡＱ。
ｇ、Ｚｎ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｓｉ、ＡＱ。
Ｔａ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ。
Ｓｎ、Ｎｉｌ Ｐｂ等を錯体させたものであり、これを
有機溶媒に溶解して使用する。有機キレート剤としては
ＥＤＴＡ （エチレンジアミンテトラ酢酸）、プロピル
マロン酸、フタール酸、Ｎ、Ｎ−ジメチルエチレンジア
ミン、プロピレンジアミン、フェナントロリン、グリシ
ルグリシンメチオニン、フォニルアラニン、アニリンジ
酢酸、サリチルアルデヒド、０−アミノフェノール等を
あげることができる。
有機溶媒に溶解して使用する。有機キレート剤としては
ＥＤＴＡ （エチレンジアミンテトラ酢酸）、プロピル
マロン酸、フタール酸、Ｎ、Ｎ−ジメチルエチレンジア
ミン、プロピレンジアミン、フェナントロリン、グリシ
ルグリシンメチオニン、フォニルアラニン、アニリンジ
酢酸、サリチルアルデヒド、０−アミノフェノール等を
あげることができる。
この有機化合物は、有機レジスト層上に通常２００〜１
０００人の薄層状に形成する。
０００人の薄層状に形成する。
有機化合物層の形成と、露光の時期は、有機化合物層が
着色していたり、紫外線吸収率が高い場合には露光を先
に行う必要がある。
着色していたり、紫外線吸収率が高い場合には露光を先
に行う必要がある。
有機レジストは、重合体鎖中に紫外線にあてることによ
り分解して、溶液可溶性に変化するものであれば、何ん
でも使用することができ、例えば昭和５８年７月１日印
刷学会出版部発行、角田隆弘著「新感光性捌脂」第７８
〜１０５頁に記載されたものが使用できる。
り分解して、溶液可溶性に変化するものであれば、何ん
でも使用することができ、例えば昭和５８年７月１日印
刷学会出版部発行、角田隆弘著「新感光性捌脂」第７８
〜１０５頁に記載されたものが使用できる。
有機レジストは通常ノボラックレジンオルソキノンジア
ゾ化合物が用いられる。この化合物系はフェノールまた
クレゾールとの縮合化合物を主鎖としている。
ゾ化合物が用いられる。この化合物系はフェノールまた
クレゾールとの縮合化合物を主鎖としている。
露光された部分のジアゾ基はこの紫外線を吸収して分解
し、下記の式のように窒素ガスとして脱離する。そして
分解したところは加水分解を起しカルボン酸基ができ、
アルカリ溶液に可溶となる。即ち露光した部分はアルカ
リに可溶体となって溶離するが、未露光部分はナフトキ
ノンジアゾ化合物がそのままなので、アルカリ不溶であ
って表面に残留する。
し、下記の式のように窒素ガスとして脱離する。そして
分解したところは加水分解を起しカルボン酸基ができ、
アルカリ溶液に可溶となる。即ち露光した部分はアルカ
リに可溶体となって溶離するが、未露光部分はナフトキ
ノンジアゾ化合物がそのままなので、アルカリ不溶であ
って表面に残留する。
有機レジストは通常約０．５〜５μｍとくに約０．８〜
１．２μｍ程度の薄層とするのが好ましい。
１．２μｍ程度の薄層とするのが好ましい。
アルカリ性現像液は、有機化合物層が薄層であるため、
この層を通過して有機レジスト層の露光部分を溶解して
現像する。この現像は、極力有機レジストの表面層部分
のみにとどめるように露光条件について配慮することが
のぞましい。
この層を通過して有機レジスト層の露光部分を溶解して
現像する。この現像は、極力有機レジストの表面層部分
のみにとどめるように露光条件について配慮することが
のぞましい。
つぎに、エツチングについて説明する。
第１段階として湿式エツチングを、第２段階として乾式
エツチングを行うことが好ましい。
エツチングを行うことが好ましい。
湿式エツチングは、上層部の有機金属化合物または錯体
と有機レジスト層の感光部分の一部をエツチング現像す
ることであり、第２段階は残りの有機レジスト層と被エ
ツチング膜はエツチングである。
と有機レジスト層の感光部分の一部をエツチング現像す
ることであり、第２段階は残りの有機レジスト層と被エ
ツチング膜はエツチングである。
第１段階の有機レジスト用のエツチング液は公知のエツ
チング液を使用できる。
チング液を使用できる。
第２段階エツチングはＲＩＥ（反応性イオンエツチング
）又はＥＣＲ（Ｅ子すイクロトロン共鳴を用いたエツチ
ング）による酸素を用いた異方性エツチング（ドライエ
ツチング）を行うことによりレジストパターンを被エツ
チング膜まで垂直にパターン化できる。
）又はＥＣＲ（Ｅ子すイクロトロン共鳴を用いたエツチ
ング）による酸素を用いた異方性エツチング（ドライエ
ツチング）を行うことによりレジストパターンを被エツ
チング膜まで垂直にパターン化できる。
これはドライエツチング（ＲｒＥ、 ＥＣＲ）で発生し
た酸素イオンが直接有機ケイ素化合物と反応するもので
、有機ケイ素化合物はその場で分解されてその表面にＳ
ｉｎ、が形成され、エツチングが進行しないが、湿式現
像により有機ケイ素化合物が無い部分は速かに有機レジ
ストが酸化物（Ｈ２Ｏ，Ｃ０２）となってエツチングさ
れ、イオン性エツチングのため異方性となりそのパター
ンは垂直にエツチングされる。
た酸素イオンが直接有機ケイ素化合物と反応するもので
、有機ケイ素化合物はその場で分解されてその表面にＳ
ｉｎ、が形成され、エツチングが進行しないが、湿式現
像により有機ケイ素化合物が無い部分は速かに有機レジ
ストが酸化物（Ｈ２Ｏ，Ｃ０２）となってエツチングさ
れ、イオン性エツチングのため異方性となりそのパター
ンは垂直にエツチングされる。
被エツチング膜としては、Ａ（１，Ｃｕなどの金属膜、
Ｐｏ Ｑ ｙｓｉ 、 ａ−３ｉ等の半専体膜など任意
の膜を対象とすることができるが、とくに電子機器、Ｏ
Ａ機器に用いる各種デバイスに応用される被エツチング
膜を対象としている。
Ｐｏ Ｑ ｙｓｉ 、 ａ−３ｉ等の半専体膜など任意
の膜を対象とすることができるが、とくに電子機器、Ｏ
Ａ機器に用いる各種デバイスに応用される被エツチング
膜を対象としている。
つぎに、被エツチング膜のエツチングについて説明する
。
。
エツチング剤としては、被エツチング膜が八〇やＣｒ等
の金属膜の場合にはＣＣＱ ４と０□の混合ガス等をエ
ツチングガスとして使用するこができるし、Ｐｏ１２ｙ
Ｓｉやａ−３ｉの場合にはＣＦ４と０２の混合ガス等を
使用することができる。エツチング材料は公知のものな
らいずれも使用することができるのは勿論である。
の金属膜の場合にはＣＣＱ ４と０□の混合ガス等をエ
ツチングガスとして使用するこができるし、Ｐｏ１２ｙ
Ｓｉやａ−３ｉの場合にはＣＦ４と０２の混合ガス等を
使用することができる。エツチング材料は公知のものな
らいずれも使用することができるのは勿論である。
実施例１
ガラス基板上にＷｉｌｌ！２を形成し、さらに、その上
部にレジスト膜（ポジ）を０．８μｍの厚みで形成する
。（第１図Ａ） レジスト膜上に第１図Ｂに示ずように有機ケイ素化合物
を３００人程度の厚みになるようにスピナー法、スパッ
タ法、真空蒸着法などの任意の方法で製膜し予備硬化す
る。
部にレジスト膜（ポジ）を０．８μｍの厚みで形成する
。（第１図Ａ） レジスト膜上に第１図Ｂに示ずように有機ケイ素化合物
を３００人程度の厚みになるようにスピナー法、スパッ
タ法、真空蒸着法などの任意の方法で製膜し予備硬化す
る。
第１図Ｃに示すとおり２マスクをあて、これに紫外線露
光を行う、露光は）ＯＯｍｊ／ａＪ以下で、極力表面の
みのポジレジスト分解を行う。
光を行う、露光は）ＯＯｍｊ／ａＪ以下で、極力表面の
みのポジレジスト分解を行う。
有機ケイ素化合物の層は極めて薄いためレジストが溶解
した部分のみが脱離する。これはフレネル干渉や定在波
効果の発生を極力小さくするもので、レジスト膜厚の深
さ方向へのレジスト分解を小さくするものである。
した部分のみが脱離する。これはフレネル干渉や定在波
効果の発生を極力小さくするもので、レジスト膜厚の深
さ方向へのレジスト分解を小さくするものである。
これを湿式現像により現像を行い、露光分解部分の極く
表面のみを第１図りのようにパターン化する。このパタ
ーンの寸法精度は良好であった。
表面のみを第１図りのようにパターン化する。このパタ
ーンの寸法精度は良好であった。
ついで、第１図Ｅに示すように、ＲＩＥ（反応性イオン
エツチング）またはＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴を
用いたエツチング）により０２（酸素）を用いて異方性
エツチングすることでレジストパターンを被エツチング
膜まで垂直にパターン化する。つぎに、被エツチング膜
まであるＡＱｍをｃｃ ｐ ４と０２の混合ガスでエツ
チングして、第１図Ｆをうる。最後に、表面（７） ５
ｉｎ２層と有機レジスト層を除去して、第１図Ｇの目的
物を得た。
エツチング）またはＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴を
用いたエツチング）により０２（酸素）を用いて異方性
エツチングすることでレジストパターンを被エツチング
膜まで垂直にパターン化する。つぎに、被エツチング膜
まであるＡＱｍをｃｃ ｐ ４と０２の混合ガスでエツ
チングして、第１図Ｆをうる。最後に、表面（７） ５
ｉｎ２層と有機レジスト層を除去して、第１図Ｇの目的
物を得た。
実施例２
実施例１で使用した基板−被エッチング膜−有機レジス
ト（ポジ型）よりなる積層体（第２図Ａ）にホトマスク
をあてて露光する（第２図Ｂ）、露光量は１００ｍｊ／
ｃｏ？以下になるように制御する。
ト（ポジ型）よりなる積層体（第２図Ａ）にホトマスク
をあてて露光する（第２図Ｂ）、露光量は１００ｍｊ／
ｃｏ？以下になるように制御する。
次すこ、この表面に有機ケイ素化合物を塗布した。この
有機ケイ素化合物は実施例１の有機ケイ素化合物に較べ
て紫外線吸収率が大きいものである。ついで、実施例１
と同様に現像処理して第１図りで示すパターン形成体と
する。この現像処理により、アルカリ現像液に溶解する
レジストの上部に存在する有機ケイ素化合物層のみが剥
離する。
有機ケイ素化合物は実施例１の有機ケイ素化合物に較べ
て紫外線吸収率が大きいものである。ついで、実施例１
と同様に現像処理して第１図りで示すパターン形成体と
する。この現像処理により、アルカリ現像液に溶解する
レジストの上部に存在する有機ケイ素化合物層のみが剥
離する。
これ以降は実施例１と同様である。
実施例３
実施例１と同様の基板−被エッチング膜−有機レシスト
−有機ケイ素化合物よりなる積層体（第３図Ａ参照）の
大面積表面に紫外線露光した場合に、露光ムラが生じた
場合の例を説明するものである。露光量はオーバー露光
である。そのため、定在波効果およびフレネル回折効果
が発生した部分７が存在している（第３図Ｂ参照）。
−有機ケイ素化合物よりなる積層体（第３図Ａ参照）の
大面積表面に紫外線露光した場合に、露光ムラが生じた
場合の例を説明するものである。露光量はオーバー露光
である。そのため、定在波効果およびフレネル回折効果
が発生した部分７が存在している（第３図Ｂ参照）。
しかしながら、湿式現像工程を１５秒以下に抑えた結果
、定在波効果およびフレネル回折効果が発生していても
潜在異常パターンを現像せず充分な精密パターンの再現
が可能であった。
、定在波効果およびフレネル回折効果が発生していても
潜在異常パターンを現像せず充分な精密パターンの再現
が可能であった。
比較例
３７７４０のガラス基板上に、ａ−５ｉ約１μの膜を形
成する（第４図Ａ）、ついで、有機ポジレジスト（商品
名０ＦＰＲ−８００−５０ｃ、ｐ、）をスピナー法によ
り厚さ１μになるように塗布する（第４図Ｂ）。８０℃
で３０分子備硬化し、室温まで冷却後、マスクをあてて
露光を行う、露光条件は１８＋ｌｌＷ ／ ｃＡ 、
’ＡＯ秒／４０５ｎｍである。現像は、商品名ＮＭＤ−
３を用いて３０秒行う（第４図Ｃ）。
成する（第４図Ａ）、ついで、有機ポジレジスト（商品
名０ＦＰＲ−８００−５０ｃ、ｐ、）をスピナー法によ
り厚さ１μになるように塗布する（第４図Ｂ）。８０℃
で３０分子備硬化し、室温まで冷却後、マスクをあてて
露光を行う、露光条件は１８＋ｌｌＷ ／ ｃＡ 、
’ＡＯ秒／４０５ｎｍである。現像は、商品名ＮＭＤ−
３を用いて３０秒行う（第４図Ｃ）。
パターンの端を顕微鏡で観察すると第４図りにみられる
ようにフレネル回折効果（８）のためパターン巾が増大
している。
ようにフレネル回折効果（８）のためパターン巾が増大
している。
又、基板上に反射率の大きい金属層たとえばＡｆｌｌが
あると、第５図に示すようにレジスト層は膜厚方向へ定
在波効果による″細り（９）′が発生する。
あると、第５図に示すようにレジスト層は膜厚方向へ定
在波効果による″細り（９）′が発生する。
この状態でエツチングを行うと、第４図の場合にはマス
クパターンの巾より大きい巾のものができてしまい、第
５図の場合にはマスクパターンより巾の狭いものになっ
てしまう。
クパターンの巾より大きい巾のものができてしまい、第
５図の場合にはマスクパターンより巾の狭いものになっ
てしまう。
■ ５μ以下のパターンが０．５〜１μ以下の精度でパ
ターン化できる。
ターン化できる。
■ ｉ線（３６５ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）等の単ス
ペクトル露光でコヒーレント性が大きい場合でも、フレ
ネル回折効果が無視される９ ■ レジストパターンのドライエツチング後はガス種の
切り換えで被エツチング膜のパターン化およびレジスト
のアッシング（灰化）まで−貫して実施できるので効率
の向上と工程短縮が可能である。
ペクトル露光でコヒーレント性が大きい場合でも、フレ
ネル回折効果が無視される９ ■ レジストパターンのドライエツチング後はガス種の
切り換えで被エツチング膜のパターン化およびレジスト
のアッシング（灰化）まで−貫して実施できるので効率
の向上と工程短縮が可能である。
■ 本方法は、ＩＣ，ＬＳＩ、サーマルへソドセンサー
などのパターン加工において極めて有用である。
などのパターン加工において極めて有用である。
第１図〜第３図は、本発明の実施例１〜３の本発明方法
を工程順に説明するためのものであり、第４図は従来法
を説明するものである６第４図りは、フレネル回折効果
を説明するものであり、第５図は、定在波効果を説明す
るものである。 １・・基板 ２・・・被エツチング膜 ３・・・有機レジスト層 ４・・・有機化金物店 ５・・・マスクパターン ６・−・露光部分 ７・・・定在波効果によりオーバー露光さ九た部恵４以 分 ８・・フレネル回折効果が発生している“太り１部分
を工程順に説明するためのものであり、第４図は従来法
を説明するものである６第４図りは、フレネル回折効果
を説明するものであり、第５図は、定在波効果を説明す
るものである。 １・・基板 ２・・・被エツチング膜 ３・・・有機レジスト層 ４・・・有機化金物店 ５・・・マスクパターン ６・−・露光部分 ７・・・定在波効果によりオーバー露光さ九た部恵４以 分 ８・・フレネル回折効果が発生している“太り１部分
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（１）被エッチング膜上に有機レジストを塗布し、 （２）（ａ）有機金属化合物および有機金属錯体よりな
る群から選らばれた有機化合 物の薄層を形成後、マスクをあてて 露光するか、あるいは、 （ｂ）マスクをあてて露光後、前記有機化 合物の薄層を形成し、 （３）ついで、現像、エッチングを行う ことを特徴とする精密パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63297096A JPH02143253A (ja) | 1988-11-24 | 1988-11-24 | 精密パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63297096A JPH02143253A (ja) | 1988-11-24 | 1988-11-24 | 精密パターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02143253A true JPH02143253A (ja) | 1990-06-01 |
Family
ID=17842152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63297096A Pending JPH02143253A (ja) | 1988-11-24 | 1988-11-24 | 精密パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02143253A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012215824A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-11-08 | Hoya Corp | レジストパターン形成方法及びモールド製造方法 |
-
1988
- 1988-11-24 JP JP63297096A patent/JPH02143253A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012215824A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-11-08 | Hoya Corp | レジストパターン形成方法及びモールド製造方法 |
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