JPS5953280B2 - シロキシキガンユウユウキマグネシウムサクタイノ セイゾウホウホウ - Google Patents
シロキシキガンユウユウキマグネシウムサクタイノ セイゾウホウホウInfo
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- JPS5953280B2 JPS5953280B2 JP13286775A JP13286775A JPS5953280B2 JP S5953280 B2 JPS5953280 B2 JP S5953280B2 JP 13286775 A JP13286775 A JP 13286775A JP 13286775 A JP13286775 A JP 13286775A JP S5953280 B2 JPS5953280 B2 JP S5953280B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規なシロキシ基含有有機マグネシウム錯体
の製造法に関する。
の製造法に関する。
有機ハロゲン化物と金属マグネシウムとをエーテルの存
在下に反応させることにより得られる有機マグネシウム
化合物は、いわゆるグリニヤール試薬として知られてお
り、有機合成の原料として、あるいは触媒の原料として
広く用いられている。
在下に反応させることにより得られる有機マグネシウム
化合物は、いわゆるグリニヤール試薬として知られてお
り、有機合成の原料として、あるいは触媒の原料として
広く用いられている。
この化合物は炭化水素媒体中、エーテル不存在下で反応
させることによつても合成することができ、使用目的に
よつてさらに変成を加えた化合物が合成される。たとえ
ば英国特許第１００３５５１号には、水酸基またはエノ
ール化しうるケト基を有する有機化合物の金属誘導体と
有機マグネシウムとの錯体が開示されており、有機リチ
ウム触媒の代りに用いることができると述べられている
。本発明者らはチーグラー法ポリオレフィン製造用触媒
原料として有用な有機マグネシウム化合物について研究
の結果、シロキシ基を含有する新規な有機マグネシウム
錯体を見出し本発明に至つた。すなわち、本発明は、一
般式ＲＩａＭｇＸ２−ａ（式中、Ｒ”は炭素原子数１〜
２０の炭化水素基、Ｘはハロゲンを示し、ａは０より大
きく２以下の数である）の有機マグネシウム化合物囚、
一般式Ｒ２ｂＭＲ３ｍ−ｂ（式中、Ｍはベリリウム、ホ
ウ素、亜鉛、アルミニウム原子、Ｒ２は水素原子または
炭素原子数１〜１０の炭化水素基、Ｒ３は炭素原子数１
〜１０の炭化水素基を示し、ｍはＭの原子価、ｂはＯ〜
１の数である）なる有機金属化合物（Ｂ）、および一般
式（式中、Ｒ４，Ｒ５は水素原子または炭素原子数１〜
１０の炭化水素基を示す）の構成単位から成る化合物（
Ｃ）を反応させることを特徴とする一般式ＭａＭ，βＲ
ｌ，Ｒ２，Ｒ３，（０Ｓ１Ｒ４Ｒ５Ｒ６）８（式中、Ｍ
，Ｒｌ，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５は上記の意味であり、
Ｒ６はＲｌ，Ｒ２，Ｒ５から部分的になり、水素原子ま
たは炭素原子数１〜２０の炭化水素基を示し、α，β，
ｓは０より大きい数、Ｐ，ｑ，ｒは０以上の数で、β／
α＝０．５〜２０，ｍα＋２β＝ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓの関係
式を有も、ｍは上記意味である）で表わされる不活性炭
化水素媒体に可溶なシロキシ基含有有機マグネシウム錯
体の製造方法である。
させることによつても合成することができ、使用目的に
よつてさらに変成を加えた化合物が合成される。たとえ
ば英国特許第１００３５５１号には、水酸基またはエノ
ール化しうるケト基を有する有機化合物の金属誘導体と
有機マグネシウムとの錯体が開示されており、有機リチ
ウム触媒の代りに用いることができると述べられている
。本発明者らはチーグラー法ポリオレフィン製造用触媒
原料として有用な有機マグネシウム化合物について研究
の結果、シロキシ基を含有する新規な有機マグネシウム
錯体を見出し本発明に至つた。すなわち、本発明は、一
般式ＲＩａＭｇＸ２−ａ（式中、Ｒ”は炭素原子数１〜
２０の炭化水素基、Ｘはハロゲンを示し、ａは０より大
きく２以下の数である）の有機マグネシウム化合物囚、
一般式Ｒ２ｂＭＲ３ｍ−ｂ（式中、Ｍはベリリウム、ホ
ウ素、亜鉛、アルミニウム原子、Ｒ２は水素原子または
炭素原子数１〜１０の炭化水素基、Ｒ３は炭素原子数１
〜１０の炭化水素基を示し、ｍはＭの原子価、ｂはＯ〜
１の数である）なる有機金属化合物（Ｂ）、および一般
式（式中、Ｒ４，Ｒ５は水素原子または炭素原子数１〜
１０の炭化水素基を示す）の構成単位から成る化合物（
Ｃ）を反応させることを特徴とする一般式ＭａＭ，βＲ
ｌ，Ｒ２，Ｒ３，（０Ｓ１Ｒ４Ｒ５Ｒ６）８（式中、Ｍ
，Ｒｌ，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５は上記の意味であり、
Ｒ６はＲｌ，Ｒ２，Ｒ５から部分的になり、水素原子ま
たは炭素原子数１〜２０の炭化水素基を示し、α，β，
ｓは０より大きい数、Ｐ，ｑ，ｒは０以上の数で、β／
α＝０．５〜２０，ｍα＋２β＝ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓの関係
式を有も、ｍは上記意味である）で表わされる不活性炭
化水素媒体に可溶なシロキシ基含有有機マグネシウム錯
体の製造方法である。
上記一般式で表わされる錯体について以下に詳細に説明
する。
する。
式中、Ｒｌ，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６で示される
炭化水素基としては、脂肪族、芳香族、または脂環式炭
化水素基を用いることができる。これらは、たとえば、
メチル、エチル、プロピル、ブチル、アミル、ヘキシル
、オクチル、デシル、ドデシル、ヘキサデシル、ベンジ
ル、フエニル、シクロヘキシル基である。
炭化水素基としては、脂肪族、芳香族、または脂環式炭
化水素基を用いることができる。これらは、たとえば、
メチル、エチル、プロピル、ブチル、アミル、ヘキシル
、オクチル、デシル、ドデシル、ヘキサデシル、ベンジ
ル、フエニル、シクロヘキシル基である。
炭化水素基Ｒ１としては特にアルキル基が好ましい。０
Ｓ１Ｒ４Ｒ５Ｒ６で表わされるシロキシ基としては、Ｓ
ｉに結合しているＲ４，Ｒ５，Ｒ６がすべて炭化水素基
のもの、これらの基のうち１ないし２が水素原子である
ヒドロソロキシ基のものも含まれる。
Ｓ１Ｒ４Ｒ５Ｒ６で表わされるシロキシ基としては、Ｓ
ｉに結合しているＲ４，Ｒ５，Ｒ６がすべて炭化水素基
のもの、これらの基のうち１ないし２が水素原子である
ヒドロソロキシ基のものも含まれる。
β／αは可溶性錯体を得るために重要であり、０．５〜
２０の範囲が安定な錯体を得る上で好ましい。シロキシ
基の含有量は、金属原子の和に対し０以上２．０迄の範
囲で変化させることが可能である。この錯体は炭化水素
溶液の形で得られ、単一錯体ないし複数種の錯体の混合
物と推定される。
２０の範囲が安定な錯体を得る上で好ましい。シロキシ
基の含有量は、金属原子の和に対し０以上２．０迄の範
囲で変化させることが可能である。この錯体は炭化水素
溶液の形で得られ、単一錯体ないし複数種の錯体の混合
物と推定される。
錯体の組成は溶液を分析することにより求めることがで
き、また分子量を測定することにより平均組成を決定す
ることは可能である。錯体中のシロキシ基はマグネシウ
ム原子と金属Ｍに分配されていることが核磁気共鳴スペ
クトルから認められる。本発明の錯体の特徴は、第一に
、不活性炭化水素媒体に溶解し、溶液の形で得られるた
めに取扱いが容易であり、工業的規模で用いるのに極め
て適している。また水、酸素等に安定なシロキシ基を含
有しているため、これを含有しないものよりも取扱い上
安全である。さらにこの錯体はオレフイン重合用触媒と
して極めて有用であり、活性が高いこと、シロキシ基の
含有量を変えることにより物性のコントロールが容易で
ある等、種々の望ましい特性を有している。上記の反応
に用いられる一般式ＲｌａＭｇＸ，−ａの化合物は、公
知のグリニヤール試薬合成法にしたがつて、ハロゲン化
炭化水素と金属マグネシウムとから合成される。
き、また分子量を測定することにより平均組成を決定す
ることは可能である。錯体中のシロキシ基はマグネシウ
ム原子と金属Ｍに分配されていることが核磁気共鳴スペ
クトルから認められる。本発明の錯体の特徴は、第一に
、不活性炭化水素媒体に溶解し、溶液の形で得られるた
めに取扱いが容易であり、工業的規模で用いるのに極め
て適している。また水、酸素等に安定なシロキシ基を含
有しているため、これを含有しないものよりも取扱い上
安全である。さらにこの錯体はオレフイン重合用触媒と
して極めて有用であり、活性が高いこと、シロキシ基の
含有量を変えることにより物性のコントロールが容易で
ある等、種々の望ましい特性を有している。上記の反応
に用いられる一般式ＲｌａＭｇＸ，−ａの化合物は、公
知のグリニヤール試薬合成法にしたがつて、ハロゲン化
炭化水素と金属マグネシウムとから合成される。
合成溶媒としては、エーテル、不活性炭化水素のいずれ
も用いることができるが、エーテルは目的とするヒドロ
シロキシ基含有錯体の収率を落す上に、この錯体を触媒
成分として用いる場合には好ましい成分ではない。した
がつて、工ーテル中で合成した場合には脱エーテルする
のが望ましい。特に好ましくは炭化水素媒体中で合成し
た有機マグネシウム化合物である。さらにＲ２ｂＭＲ３
ｍ−ｂで示される有機金属化合物としては、置換基のす
べてが炭化水素基のもの、および一部分が水素であるも
のが含まれる。
も用いることができるが、エーテルは目的とするヒドロ
シロキシ基含有錯体の収率を落す上に、この錯体を触媒
成分として用いる場合には好ましい成分ではない。した
がつて、工ーテル中で合成した場合には脱エーテルする
のが望ましい。特に好ましくは炭化水素媒体中で合成し
た有機マグネシウム化合物である。さらにＲ２ｂＭＲ３
ｍ−ｂで示される有機金属化合物としては、置換基のす
べてが炭化水素基のもの、および一部分が水素であるも
のが含まれる。
これらの化合物としては、下記のものが挙げられる。ジ
メチルベリリウム、イソプロピルベリリウムハイドライ
ド、ジエチルベリリウム、ジブチルベリリウム、ジフエ
ニルベリリウム、トリメチルホウ素、トリエチルホウ素
、トリプロピルホウ素、トリブチルホウ素、ジメチル亜
鉛、ジエチル亜鉛、ジプロピル亜鉛、ジブチル亜鉛、ジ
フエニル亜鉛、ジメチルアルミニウムハイドライド、ト
リメチルアルミニウム、ジエチルアルミニウムハイドラ
イド、トリエチルアルミニウム、ジイソブチルアルミニ
ウムハイドライド、トリプロピルアルミニウム、トリイ
ソブチルアルミニウム、トリｎ−ブチルアルミニウム、
トリヘキシルアルミニウム、トリフエニルアルミニウム
等である。これらの化合物の中で炭素原子数５以下のア
ルキル金属化合物、特にハイドライドが好ましい〇一般
式 −キｉ−０− の構成単位から成る化合物としては
、上記構成単位１種類または２種類以上から成る２量体
以上の鎖状または環状のシロキサン化合物が用いられる
。
メチルベリリウム、イソプロピルベリリウムハイドライ
ド、ジエチルベリリウム、ジブチルベリリウム、ジフエ
ニルベリリウム、トリメチルホウ素、トリエチルホウ素
、トリプロピルホウ素、トリブチルホウ素、ジメチル亜
鉛、ジエチル亜鉛、ジプロピル亜鉛、ジブチル亜鉛、ジ
フエニル亜鉛、ジメチルアルミニウムハイドライド、ト
リメチルアルミニウム、ジエチルアルミニウムハイドラ
イド、トリエチルアルミニウム、ジイソブチルアルミニ
ウムハイドライド、トリプロピルアルミニウム、トリイ
ソブチルアルミニウム、トリｎ−ブチルアルミニウム、
トリヘキシルアルミニウム、トリフエニルアルミニウム
等である。これらの化合物の中で炭素原子数５以下のア
ルキル金属化合物、特にハイドライドが好ましい〇一般
式 −キｉ−０− の構成単位から成る化合物としては
、上記構成単位１種類または２種類以上から成る２量体
以上の鎖状または環状のシロキサン化合物が用いられる
。
具体的な化合物としては、たとえば、対称ジヒドロテト
ラメチルジシロキサン、ペンタメチルトリヒドロトリシ
ロキサン、環状メチルヒドロテトラシロキサン、ヘキサ
メチルジシロキサン、ポリメチルヒドロシロキサン、ポ
リフエニルヒドロシロキサン、ポリジメチルシロキサン
等である。この他（Ｒ１ま炭化水素基）の形のポリエー
テル、Ｒ４Ｒ５Ｒ６Ｓｌ（０Ｈ），Ｒ４Ｒ５ＳＩ（０Ｈ
）２の形のシラノールを用いることも可能である。
ラメチルジシロキサン、ペンタメチルトリヒドロトリシ
ロキサン、環状メチルヒドロテトラシロキサン、ヘキサ
メチルジシロキサン、ポリメチルヒドロシロキサン、ポ
リフエニルヒドロシロキサン、ポリジメチルシロキサン
等である。この他（Ｒ１ま炭化水素基）の形のポリエー
テル、Ｒ４Ｒ５Ｒ６Ｓｌ（０Ｈ），Ｒ４Ｒ５ＳＩ（０Ｈ
）２の形のシラノールを用いることも可能である。
反応が容易であり、反応収率が高いという点からは、ヒ
ドロシロキサン化合物が特に好ましい。本発明の製造方
法においては、脂肪族、芳香族あるいは脂環式炭化水素
などの不活性反応媒体中、および室温ないし１５０℃ま
での温度範囲で、（Ａ），（Ｂ），（０３成分を反応さ
せることにより実施される。
ドロシロキサン化合物が特に好ましい。本発明の製造方
法においては、脂肪族、芳香族あるいは脂環式炭化水素
などの不活性反応媒体中、および室温ないし１５０℃ま
での温度範囲で、（Ａ），（Ｂ），（０３成分を反応さ
せることにより実施される。
囚対（Ｂ）対（Ｏの反応比率は、モル比で囚成分１に対
し（Ｂ）成分を０．０５〜２．０，（Ｃ）成分を−Ｓｌ
−０−を単位として２．０までの比率で実施される。反
応のさせる方法は、（Ａ），（Ｂ），（０の３成分を同
時に反応系に加える方法、囚と（Ｂ）または（Ｂ）と（
０の２成分をあらかじめ反応させた後、残りの成分を加
える方法、あるいは囚成分の合成条件下に（Ｂ）および
ｌ、０成分を加える方法によつて行なわれる。また、あ
らかじめ（Ｂ）と０の二成分の反応により、一般式Ｒ２
ｂＲ３ＯＭ（０ＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６）ｍ−（ｂ＋ｏ）（但
し、Ｂ，ｃはＯ以上の数でｂ＋ｃはｍ−１以下、ｍはＭ
の原子価であり、Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６，Ｍは
前記定義のものである）の化合物を合成し、次いで囚成
分と反応させても、本発明の目的化合物を得ることがで
きる。
し（Ｂ）成分を０．０５〜２．０，（Ｃ）成分を−Ｓｌ
−０−を単位として２．０までの比率で実施される。反
応のさせる方法は、（Ａ），（Ｂ），（０の３成分を同
時に反応系に加える方法、囚と（Ｂ）または（Ｂ）と（
０の２成分をあらかじめ反応させた後、残りの成分を加
える方法、あるいは囚成分の合成条件下に（Ｂ）および
ｌ、０成分を加える方法によつて行なわれる。また、あ
らかじめ（Ｂ）と０の二成分の反応により、一般式Ｒ２
ｂＲ３ＯＭ（０ＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６）ｍ−（ｂ＋ｏ）（但
し、Ｂ，ｃはＯ以上の数でｂ＋ｃはｍ−１以下、ｍはＭ
の原子価であり、Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６，Ｍは
前記定義のものである）の化合物を合成し、次いで囚成
分と反応させても、本発明の目的化合物を得ることがで
きる。
この方法は収率を高めることができ最も好ましい（なお
、（Ｂ）と（Ｃ）の類似反応は特公昭４４−８１１９５
号にも示されており、この方法は研穿の結果、ほゾ同様
に行えることを確認した。一般式Ｒ２ｂＲ３ｃＭ（０Ｓ
１Ｒ３Ｒ４Ｒ５）ｎ１−（ｂ＋Ｃ）の化合物の例として
は、以下のものが挙げられる。
、（Ｂ）と（Ｃ）の類似反応は特公昭４４−８１１９５
号にも示されており、この方法は研穿の結果、ほゾ同様
に行えることを確認した。一般式Ｒ２ｂＲ３ｃＭ（０Ｓ
１Ｒ３Ｒ４Ｒ５）ｎ１−（ｂ＋Ｃ）の化合物の例として
は、以下のものが挙げられる。
Ａｌ（０Ｓ１−Ｈ−ＣＨ３・Ｃ２Ｈ５）３，Ｃ２Ｈ，Ａ
１（０Ｓ１・Ｈ−ＣＨ３・Ｃ２Ｈ５）２，（Ｃ２Ｈ５）
２Ａ１（０ＳｉＨ２・ＣＨ３），（Ｃ２Ｈ，）Ａｌ〔０
Ｓ１（ＣＨ３）３〕２，（Ｃ２Ｈ５）２ＡＩＣ０Ｓ１（
ＣＨ３）２・Ｃ２Ｈ５〕，（Ｃ４Ｈ，）２Ａ１（０ＳＩ
−Ｈ−Ｃ６Ｈ５・Ｃ４Ｈ９），（ＣＨ３）２Ａ１〔０Ｓ
ｉ・Ｈ・（ＣＨ３）２〕，ｌ−Ｃ４Ｈ，Ａｌｌ（０Ｓ１
−Ｈ−ＣＨ３ｌ−Ｃ４Ｈ，）２，（ＩＣ４Ｈ，）２Ａ１
（０ＳｉＨ２・ＣＨ３），（Ｃ６Ｈｌ３）１．５Ａ１（
０Ｓｉ−Ｈ−ＣＨ３Ｃ６Ｈｌ３），．５，Ｃ８Ｈ１７Ａ
２（０Ｓｉ−Ｈ−ＣＨ３・Ｃ８Ｈｌ７）２，Ｃ２Ｈ５Ｚ
ｎ（０Ｓ１−Ｈ−ＣＨ３・Ｃ２Ｈ５），Ｃ４Ｈ，Ｚｎ（
０Ｓｉ−Ｈ−Ｃ６Ｈ，・Ｃ４Ｈ９），Ｃ２Ｈ５Ｂｅ（０
Ｓｉ・Ｈ−ＣＨ３・Ｃ２Ｈ５），Ｃ３Ｈ７Ｂｅ（０Ｓ１
−Ｈ−ＣＨ３・Ｃ３Ｈ７），Ｃ４Ｈ，Ｂｅ（０Ｓ！・Ｈ
−ＣＨ３・Ｃ４Ｈ，），（Ｃ２Ｈ５）２Ｂ（０Ｓ１−Ｈ
−ＣＨ３・Ｃ２Ｈ５），Ｃ４Ｈ，Ｂ（０Ｓ！・Ｈ−ＣＨ
３・Ｃ２Ｈ５）２出発原料である一般式ＲｌａＭｇＸ２
−ａの有機マグネシウム化合物は、不活性炭化水素媒体
には不溶あるいは難溶であるが、前記の反応により有機
マグネシウム成分は、シロキシ基含有成分、有機金属成
分と錯体を形成し溶媒に可溶となる。
１（０Ｓ１・Ｈ−ＣＨ３・Ｃ２Ｈ５）２，（Ｃ２Ｈ５）
２Ａ１（０ＳｉＨ２・ＣＨ３），（Ｃ２Ｈ，）Ａｌ〔０
Ｓ１（ＣＨ３）３〕２，（Ｃ２Ｈ５）２ＡＩＣ０Ｓ１（
ＣＨ３）２・Ｃ２Ｈ５〕，（Ｃ４Ｈ，）２Ａ１（０ＳＩ
−Ｈ−Ｃ６Ｈ５・Ｃ４Ｈ９），（ＣＨ３）２Ａ１〔０Ｓ
ｉ・Ｈ・（ＣＨ３）２〕，ｌ−Ｃ４Ｈ，Ａｌｌ（０Ｓ１
−Ｈ−ＣＨ３ｌ−Ｃ４Ｈ，）２，（ＩＣ４Ｈ，）２Ａ１
（０ＳｉＨ２・ＣＨ３），（Ｃ６Ｈｌ３）１．５Ａ１（
０Ｓｉ−Ｈ−ＣＨ３Ｃ６Ｈｌ３），．５，Ｃ８Ｈ１７Ａ
２（０Ｓｉ−Ｈ−ＣＨ３・Ｃ８Ｈｌ７）２，Ｃ２Ｈ５Ｚ
ｎ（０Ｓ１−Ｈ−ＣＨ３・Ｃ２Ｈ５），Ｃ４Ｈ，Ｚｎ（
０Ｓｉ−Ｈ−Ｃ６Ｈ，・Ｃ４Ｈ９），Ｃ２Ｈ５Ｂｅ（０
Ｓｉ・Ｈ−ＣＨ３・Ｃ２Ｈ５），Ｃ３Ｈ７Ｂｅ（０Ｓ１
−Ｈ−ＣＨ３・Ｃ３Ｈ７），Ｃ４Ｈ，Ｂｅ（０Ｓ！・Ｈ
−ＣＨ３・Ｃ４Ｈ，），（Ｃ２Ｈ５）２Ｂ（０Ｓ１−Ｈ
−ＣＨ３・Ｃ２Ｈ５），Ｃ４Ｈ，Ｂ（０Ｓ！・Ｈ−ＣＨ
３・Ｃ２Ｈ５）２出発原料である一般式ＲｌａＭｇＸ２
−ａの有機マグネシウム化合物は、不活性炭化水素媒体
には不溶あるいは難溶であるが、前記の反応により有機
マグネシウム成分は、シロキシ基含有成分、有機金属成
分と錯体を形成し溶媒に可溶となる。
有機マグネシウム成分とシロキシ基含有化合物の間でシ
ロキシ基の分配が行なわれており、これは核磁気共鳴ス
ペクトルから認められる。また、シロキサン化合物の切
断とＭｇおよび金属ＭへのＳｌ−０−の結合が起つてい
ることが、赤外スペクトルのＳｉ−０−Ｓｌ結合の消失
、および核磁気共鳴スベクトルの新Ｓｉ−Ｈ吸収の出現
から確かめられる。以下実施例を挙げて本発明をさらに
詳しく説明する。
ロキシ基の分配が行なわれており、これは核磁気共鳴ス
ペクトルから認められる。また、シロキサン化合物の切
断とＭｇおよび金属ＭへのＳｌ−０−の結合が起つてい
ることが、赤外スペクトルのＳｉ−０−Ｓｌ結合の消失
、および核磁気共鳴スベクトルの新Ｓｉ−Ｈ吸収の出現
から確かめられる。以下実施例を挙げて本発明をさらに
詳しく説明する。
実施例 １
容量５００ｍ１のフラスコに窒素雰囲気下に３．８９の
マグネシウム粉末（０，１６グラム原子）を入れ、これ
にｎ−ブチルクロリド０．１５モルを含有する乾燥ヘプ
タン溶液２００ｍ１のうち３０ｍ１を加えた。
マグネシウム粉末（０，１６グラム原子）を入れ、これ
にｎ−ブチルクロリド０．１５モルを含有する乾燥ヘプ
タン溶液２００ｍ１のうち３０ｍ１を加えた。
撹拌しつつフラスコを沸点まで加熱し、反応が開始して
から残りのｎ−ブチルクロリドを３０分かけて添加し、
添加終了後、さらに１時間半還流下に加熱した。得られ
た反応混合物に、トリエチルアルミニウム０．０４モル
と対称ジヒドロテトラメチルジシロキサン０．１０モル
を６０１１１のヘプタンとともに加え、８０℃で３時間
反応させた。
から残りのｎ−ブチルクロリドを３０分かけて添加し、
添加終了後、さらに１時間半還流下に加熱した。得られ
た反応混合物に、トリエチルアルミニウム０．０４モル
と対称ジヒドロテトラメチルジシロキサン０．１０モル
を６０１１１のヘプタンとともに加え、８０℃で３時間
反応させた。
反応後、沈澱物をデ過し、マグネシウム濃度０．１７モ
ル／ｌの溶液を得た。分析の結果、戸液の錯体の組成は
、ＡｌＭｇＯＪＯ（Ｃ２Ｈ５）話２（ｎ−Ｃ４Ｈ９）０
．２０（０ＳｉＨ゛ＣＨｌＣ，Ｈ５）０．９８（０Ｓｉ
ＨＣＨ・３゜ｎ−Ｃ４Ｈ９），．６０であつた。実施例
２ 実施例１と同様にしてｎ−プロピルブロマイドとマグネ
シウムとを反応させた。
ル／ｌの溶液を得た。分析の結果、戸液の錯体の組成は
、ＡｌＭｇＯＪＯ（Ｃ２Ｈ５）話２（ｎ−Ｃ４Ｈ９）０
．２０（０ＳｉＨ゛ＣＨｌＣ，Ｈ５）０．９８（０Ｓｉ
ＨＣＨ・３゜ｎ−Ｃ４Ｈ９），．６０であつた。実施例
２ 実施例１と同様にしてｎ−プロピルブロマイドとマグネ
シウムとを反応させた。
得られた反応混合物にジエチルアルミニウムハイドライ
ド０．０５モルとメチルヒドロ環状４量体０．０５モル
を加え、１００℃にて３時間反応させ、マグネシウムを
０．１９モル／ｌ含有する溶液を得た。分析の結果、錯
体の組成はＡＩ！Ｍｇｌ．２８（Ｃ，Ｈ５）２．０（ｎ
−Ｃ４Ｈｇ）２．５６（０ＳｉＨ，ＣＨ，），．００で
あつた。実施例 ３ 実施例１と同様にしてｎ−ブチルブロマイドとマグネシ
ウム粉末を反応させた。
ド０．０５モルとメチルヒドロ環状４量体０．０５モル
を加え、１００℃にて３時間反応させ、マグネシウムを
０．１９モル／ｌ含有する溶液を得た。分析の結果、錯
体の組成はＡＩ！Ｍｇｌ．２８（Ｃ，Ｈ５）２．０（ｎ
−Ｃ４Ｈｇ）２．５６（０ＳｉＨ，ＣＨ，），．００で
あつた。実施例 ３ 実施例１と同様にしてｎ−ブチルブロマイドとマグネシ
ウム粉末を反応させた。
続いてこれに０．０２モルのジイソブチルアルミニウム
ハイドライドを３０１ｔ１のヘプタンとともに加え、１
００℃で１時間反応させた。得られた反応物にメチルヒ
ドロトリシロキサン０．３モルを３０ｍｊのヘプタンと
ともに加え、８０℃で３時間反応させ、マグネシウムを
０．２０モル／ｌの濃度で含む溶液を得た。分析の結果
、得られた錯体の組成はＡｌＭｇ３．Ｏ（ｎ−Ｃ，Ｈ，
），．９０（１−Ｃ４Ｈ，）２．０（０Ｓｉ・Ｈ，・Ｃ
Ｈ，）１，０（０Ｓｉ−Ｈ−ＣＨ３・ｎ−Ｃ，Ｈ９）０
．５０であつた。
ハイドライドを３０１ｔ１のヘプタンとともに加え、１
００℃で１時間反応させた。得られた反応物にメチルヒ
ドロトリシロキサン０．３モルを３０ｍｊのヘプタンと
ともに加え、８０℃で３時間反応させ、マグネシウムを
０．２０モル／ｌの濃度で含む溶液を得た。分析の結果
、得られた錯体の組成はＡｌＭｇ３．Ｏ（ｎ−Ｃ，Ｈ，
），．９０（１−Ｃ４Ｈ，）２．０（０Ｓｉ・Ｈ，・Ｃ
Ｈ，）１，０（０Ｓｉ−Ｈ−ＣＨ３・ｎ−Ｃ，Ｈ９）０
．５０であつた。
実施例 ４
容量５００ｍ１のフラスコに３．８９のマグネシウム粉
末、０．０３モルのトリエチルホウ素および３０ｄ（：
！）ｎ−ヘプタンを加えた。
末、０．０３モルのトリエチルホウ素および３０ｄ（：
！）ｎ−ヘプタンを加えた。
これに実施例１と同様にして０．１５モルの臭化エチル
を加え、８０℃で４時間反応させた。得られた反応混合
物に０．０６モルのポリフエニルヒドロシロキサン（３
０℃で１００センチストークスの粘度）を加え、１００
℃で２時間反応させ、マグネシウムを０．１６モル／２
の濃度で含む溶液を得た。この錯体の組成はＢＭｇｌ．
６Ｏ（Ｃ２Ｈ，）４．３。（０ＳｉＨ．Ｃ２Ｈ，．Ｃ６
Ｈ，）２．０１であつた。実施例 ５ 実施例１と同様にして３．８９のマグネシウム粉末と０
．１５モルのｎ−オクチルクロライドをトルエン中で反
応させた。
を加え、８０℃で４時間反応させた。得られた反応混合
物に０．０６モルのポリフエニルヒドロシロキサン（３
０℃で１００センチストークスの粘度）を加え、１００
℃で２時間反応させ、マグネシウムを０．１６モル／２
の濃度で含む溶液を得た。この錯体の組成はＢＭｇｌ．
６Ｏ（Ｃ２Ｈ，）４．３。（０ＳｉＨ．Ｃ２Ｈ，．Ｃ６
Ｈ，）２．０１であつた。実施例 ５ 実施例１と同様にして３．８９のマグネシウム粉末と０
．１５モルのｎ−オクチルクロライドをトルエン中で反
応させた。
得られた反応物に、０．２モルのイソブチルアルミニウ
ムハイドライドと０．３モルのポリヒドロメチルシロキ
サン（３０℃で１０００センチストークスの粘度）を１
００℃で３時間反応させた反応溶液を加え、１００℃に
てさらに２時間反応させ、０，２１モル／ｌの濃度のマ
グネシウムを含有する溶液を得た。分析の結果、錯体の
組成はＡｌＭｇ３Ａ３（ｉ−Ｃ，Ｈ，）１．，８（ｎ−
Ｃ８Ｈ，，），．４２（０ＳｉＨ２ＣＨ，）１．００（
０ＳｉＨ・ＣＨ３．Ｃ８Ｈｌ，）。Ａ６であつた。実施
例 ６〜９ 実施例１と全く同様にしてマグネシウム粉末とｎ−ブチ
ルクロライドとから合成した有機マグネシウム化合物を
、第１表の条件で（Ｂ），（Ｃ）成分と反応させ、同表
の結果を得た。
ムハイドライドと０．３モルのポリヒドロメチルシロキ
サン（３０℃で１０００センチストークスの粘度）を１
００℃で３時間反応させた反応溶液を加え、１００℃に
てさらに２時間反応させ、０，２１モル／ｌの濃度のマ
グネシウムを含有する溶液を得た。分析の結果、錯体の
組成はＡｌＭｇ３Ａ３（ｉ−Ｃ，Ｈ，）１．，８（ｎ−
Ｃ８Ｈ，，），．４２（０ＳｉＨ２ＣＨ，）１．００（
０ＳｉＨ・ＣＨ３．Ｃ８Ｈｌ，）。Ａ６であつた。実施
例 ６〜９ 実施例１と全く同様にしてマグネシウム粉末とｎ−ブチ
ルクロライドとから合成した有機マグネシウム化合物を
、第１表の条件で（Ｂ），（Ｃ）成分と反応させ、同表
の結果を得た。
実施例 １０〜１２
第２表に示すように、ジアルキルマグネシウムと有機金
属化合物およびシロキサンを、シクロヘキサン中８０℃
で３時間反応させ、該表に示す結果を得た。
属化合物およびシロキサンを、シクロヘキサン中８０℃
で３時間反応させ、該表に示す結果を得た。
実施例 １３
実施例１と同様に行つて得られた反応混合物に、組成Ｃ
２Ｈ５Ａｌ（０Ｓｉ−Ｈ−ＣＨ３・Ｃ２Ｈ５）２のシロ
キシアルミニウム化合物０．０８モルを３０ｍ１のヘプ
タンとともに加え、還流下に１時間反応させた。
２Ｈ５Ａｌ（０Ｓｉ−Ｈ−ＣＨ３・Ｃ２Ｈ５）２のシロ
キシアルミニウム化合物０．０８モルを３０ｍ１のヘプ
タンとともに加え、還流下に１時間反応させた。
反応後、沈澱物を済過し、淵液を分析した。組成ＡｌＭ
ｇＯ．８２（Ｃ２Ｈ５）１．０１（ｎ−Ｃ４Ｈ９）１．
６，（０Ｓｉ−Ｈ・ＣＨ３・Ｃ，Ｈ５）２．０２の錯体
がマグネシウムの濃度で０．２７モル／ｌの溶液として
得られた。実施例 １４ ３．８０９の金属マグネシウム（０．１６モル）と０．
１５モルのｎ−ブチルブロマイドとを、オクタン中１２
０℃で３時間、実施例１と同様に反応させた。
ｇＯ．８２（Ｃ２Ｈ５）１．０１（ｎ−Ｃ４Ｈ９）１．
６，（０Ｓｉ−Ｈ・ＣＨ３・Ｃ，Ｈ５）２．０２の錯体
がマグネシウムの濃度で０．２７モル／ｌの溶液として
得られた。実施例 １４ ３．８０９の金属マグネシウム（０．１６モル）と０．
１５モルのｎ−ブチルブロマイドとを、オクタン中１２
０℃で３時間、実施例１と同様に反応させた。
得られた反応混合物に、組成（１−Ｃ４Ｈ，）２Ａ１（
０ＳｉＨ２・ＣＨ３Ｘ：Ｉ）シロキシアルミニウム化合
物０．０４モルを加え、１２０℃で３０分間反応させた
。反応済液の分析により組成ＡｌＭｇ２．，Ｏ（１−Ｃ
４］−１９）１．９８（ｎ−Ｃ４Ｈ９）４．！７（０Ｓ
ｉＨ７・ＣＨ３ｘ）．，５の錯体が０．３１モル／ｌ（
Ｍｇの濃度）の溶液として得られた。実施例 １５ ３．８０９と金属マグネシウム（０．１６モル）と組成
Ｃ８Ｎｌ７Ａｌ（０Ｓｉ−Ｈ−ＣＨ３Ｃ８Ｈｌ７）２の
シロキシアルミニウム０．０５モルを、５０ｍ１のシク
ロヘキサンとともに実施例１と同様に５００１！１Ｉ！
のフラスコに入れた。
０ＳｉＨ２・ＣＨ３Ｘ：Ｉ）シロキシアルミニウム化合
物０．０４モルを加え、１２０℃で３０分間反応させた
。反応済液の分析により組成ＡｌＭｇ２．，Ｏ（１−Ｃ
４］−１９）１．９８（ｎ−Ｃ４Ｈ９）４．！７（０Ｓ
ｉＨ７・ＣＨ３ｘ）．，５の錯体が０．３１モル／ｌ（
Ｍｇの濃度）の溶液として得られた。実施例 １５ ３．８０９と金属マグネシウム（０．１６モル）と組成
Ｃ８Ｎｌ７Ａｌ（０Ｓｉ−Ｈ−ＣＨ３Ｃ８Ｈｌ７）２の
シロキシアルミニウム０．０５モルを、５０ｍ１のシク
ロヘキサンとともに実施例１と同様に５００１！１Ｉ！
のフラスコに入れた。
続いてエチルブロマイド０．１５モルを含有するシクロ
ヘキサン溶液２００ｄとを、８０℃で４時間実施例１と
同様にして反応させた。反応液の分析により、組成Ａｌ
Ｍｇｌ．Ｏ５（Ｃ，Ｈ５）２．１，（Ｃ８Ｈｌ７）１．
０１（０ＳｉＨ−ａ七・Ｃ８Ｈｌ７）１．，４の錯体が
０．２３モル／ｌの濃度の溶液として得られた。実施例
１６ 実施例１５と同様にして３．８０９の金属マグネシウム
、０．１５モルのヨウ化メチルおよび組成Ｃ２Ｈ，Ｚｎ
（０ＳｉＨ−ＣＨ３・Ｃ２Ｈ，）のシロキシ亜鉛化合物
０．０７５モルを、ヘプタン中１００℃で４時間反応さ
せた。
ヘキサン溶液２００ｄとを、８０℃で４時間実施例１と
同様にして反応させた。反応液の分析により、組成Ａｌ
Ｍｇｌ．Ｏ５（Ｃ，Ｈ５）２．１，（Ｃ８Ｈｌ７）１．
０１（０ＳｉＨ−ａ七・Ｃ８Ｈｌ７）１．，４の錯体が
０．２３モル／ｌの濃度の溶液として得られた。実施例
１６ 実施例１５と同様にして３．８０９の金属マグネシウム
、０．１５モルのヨウ化メチルおよび組成Ｃ２Ｈ，Ｚｎ
（０ＳｉＨ−ＣＨ３・Ｃ２Ｈ，）のシロキシ亜鉛化合物
０．０７５モルを、ヘプタン中１００℃で４時間反応さ
せた。
組成ＺｎＭｇＯ．，６（ＣＨ３）１．，，（Ｃ２Ｈ５）
。．０３（０Ｓ１Ｈ−ＣＨ３・Ｃ２鴇）。．，８の錯体
が０．２１モル／ｌの溶液として得られた。実施例 １
７ 金属マグネシウム３．８０９（０．１６グラム原子）と
ｎ−オクチルクロライド０．１５モルを、トルエン中１
１０℃で２時間実施例１と同様に反応させた。
。．０３（０Ｓ１Ｈ−ＣＨ３・Ｃ２鴇）。．，８の錯体
が０．２１モル／ｌの溶液として得られた。実施例 １
７ 金属マグネシウム３．８０９（０．１６グラム原子）と
ｎ−オクチルクロライド０．１５モルを、トルエン中１
１０℃で２時間実施例１と同様に反応させた。
得られた反応混合物に、組成Ｃ２Ｈ，Ｂｅ（０Ｓｉ・Ｈ
−ＣＨ３・Ｃ２Ｈ５）のシロキシベリリウム化合物０．
０３モルを３０ｄのトルエンと＼もに加え、１１０℃で
１時間反応させた。
−ＣＨ３・Ｃ２Ｈ５）のシロキシベリリウム化合物０．
０３モルを３０ｄのトルエンと＼もに加え、１１０℃で
１時間反応させた。
反応後、液相の分析により、組成りＥＭｇ，．，Ｏ（Ｃ
，Ｈ５）１，（Ｃ，Ｈｌ？￥１（０Ｓｉ−Ｈ−ＣＨ，・
Ｃ，Ｈ，）。．。の錯体が０．３０モル／ｌの溶液の形
で得られた。実施例 １８ 実施例１と全く同条件でマグネシウムとｎ−ブチルクロ
リドを反応させて得た反応混合物に、０．０７５モルの
組成（Ｃ，Ｈ，）２Ａ１１（０ＳｉＨ２・Ｃ８Ｈ５）の
シロキシアルミニウムを加え、１００℃で１時間反応さ
せｒ組成ＡｌＭｇＯ．９Ｏ（Ｃ２Ｈ５）２．０１（ｎ−
Ｃ４Ｈ９）！．８５（０ＳｉＨ２ＩＣ６Ｈ５）０．９５
の錯体をＯ・２６モル／１１の溶液の形で得た。
，Ｈ５）１，（Ｃ，Ｈｌ？￥１（０Ｓｉ−Ｈ−ＣＨ，・
Ｃ，Ｈ，）。．。の錯体が０．３０モル／ｌの溶液の形
で得られた。実施例 １８ 実施例１と全く同条件でマグネシウムとｎ−ブチルクロ
リドを反応させて得た反応混合物に、０．０７５モルの
組成（Ｃ，Ｈ，）２Ａ１１（０ＳｉＨ２・Ｃ８Ｈ５）の
シロキシアルミニウムを加え、１００℃で１時間反応さ
せｒ組成ＡｌＭｇＯ．９Ｏ（Ｃ２Ｈ５）２．０１（ｎ−
Ｃ４Ｈ９）！．８５（０ＳｉＨ２ＩＣ６Ｈ５）０．９５
の錯体をＯ・２６モル／１１の溶液の形で得た。
実施例 １９
０．１モルのジｎ−ブチルマグネシウムと組成（Ｃ，Ｈ
，）Ａｌ（０Ｓｉ−Ｈ−ＣＨ３・Ｃ２Ｈ５）２のシロキ
シアルミニウムを、ヘキサン２００７ｎ１と＼もに容量
３００Ｔｎ１の耐圧容器に入れ、８０℃で２時間反応さ
せ、均一で透明な溶液を得た。
，）Ａｌ（０Ｓｉ−Ｈ−ＣＨ３・Ｃ２Ｈ５）２のシロキ
シアルミニウムを、ヘキサン２００７ｎ１と＼もに容量
３００Ｔｎ１の耐圧容器に入れ、８０℃で２時間反応さ
せ、均一で透明な溶液を得た。
錯体の組成はＡｌＭｇ６．Ｏ３（Ｃ２Ｈ５）（ｎ−Ｃ４
鴇）１２Ｐ５（０Ｓｉ゜Ｈ゜ＣＨ３・Ｃ，Ｈ，），．ｏ
１であつた。実施例 ２０ ０．２モルのｎ−ブチルマグネシウムブロマイドと組成
（ＣＨ３）２Ａ１Ｃ０Ｓ１−Ｈ・（ＣＨ，），〕のシロ
キシアルミニウム０．０５モルを、実施例９と同様に反
応させ、組成ＡｌＭｇ，．，ｌ（ＣＨ８）２．０，（ｎ
一Ｃ４Ｈ，）３．，０（０Ｓ１Ｈ・（ＣＨ３）２〕０．
，，の錯体を０．３８モル／ｌの溶液の形で得た。
鴇）１２Ｐ５（０Ｓｉ゜Ｈ゜ＣＨ３・Ｃ，Ｈ，），．ｏ
１であつた。実施例 ２０ ０．２モルのｎ−ブチルマグネシウムブロマイドと組成
（ＣＨ３）２Ａ１Ｃ０Ｓ１−Ｈ・（ＣＨ，），〕のシロ
キシアルミニウム０．０５モルを、実施例９と同様に反
応させ、組成ＡｌＭｇ，．，ｌ（ＣＨ８）２．０，（ｎ
一Ｃ４Ｈ，）３．，０（０Ｓ１Ｈ・（ＣＨ３）２〕０．
，，の錯体を０．３８モル／ｌの溶液の形で得た。
実施例 ２１
０．１モルのジエチルマグネシウムと組成（Ｃ２Ｈ＾Ａ
ｊ（０ＳｉＨ，・ＣＨ，）のシロキシアルミニウム０．
１５モルを、実施例２０と同様に反応させ、均一な溶液
を得た。
ｊ（０ＳｉＨ，・ＣＨ，）のシロキシアルミニウム０．
１５モルを、実施例２０と同様に反応させ、均一な溶液
を得た。
錯体の組成はＡｊＭｇＯ．６６（Ｃ２Ｈ，），，１（０
ＳｉＨ，・ＣＨ，），．。，であつた。実施例 ２２ 実施例１と全く同条件で、３．８９のマグネシウム粉末
（０．１６グラム原子）とｎ−ドデシルブロマイド０．
１５モルとを反応させて得た反応混合物に、トリエチル
アルミニウム０．０４モルと対称ジヒドロテトラメチル
ジシロキサン０．１０モルを５０ｄのヘプタンとともに
加え、１００℃で２時間反応させることにより、組成Ａ
ｌＭｇｌ．，５（Ｃ２Ｈ５）２．！５（ｎ−Ｃｌ２Ｈ２
５）！．３５（０ＳｉＨ″ＣＨ３３Ｃ２Ｈ，）０．８５
（０ＳｉＨＣＨ，・ｎ−Ｃｌ２鴇，）１．６，の錯体を
０．３１モル／１１の溶液の形で得た。
ＳｉＨ，・ＣＨ，），．。，であつた。実施例 ２２ 実施例１と全く同条件で、３．８９のマグネシウム粉末
（０．１６グラム原子）とｎ−ドデシルブロマイド０．
１５モルとを反応させて得た反応混合物に、トリエチル
アルミニウム０．０４モルと対称ジヒドロテトラメチル
ジシロキサン０．１０モルを５０ｄのヘプタンとともに
加え、１００℃で２時間反応させることにより、組成Ａ
ｌＭｇｌ．，５（Ｃ２Ｈ５）２．！５（ｎ−Ｃｌ２Ｈ２
５）！．３５（０ＳｉＨ″ＣＨ３３Ｃ２Ｈ，）０．８５
（０ＳｉＨＣＨ，・ｎ−Ｃｌ２鴇，）１．６，の錯体を
０．３１モル／１１の溶液の形で得た。
実施例 ２３
ｎ−ドデシルブロマイドの代りにｎ−ヘキサデシルクロ
ライドを用いる以外は、実施例２２と同条件で反応を行
い、組成ＡＩｌＭｇｌ．，６（Ｃ，Ｈ，），．。
ライドを用いる以外は、実施例２２と同条件で反応を行
い、組成ＡＩｌＭｇｌ．，６（Ｃ，Ｈ，），．。
，（ｎ−Ｃｌ６Ｈ３３），．５，（０ＳｉＨ−ＣＨ，・
Ｃ，Ｈ，）。．，，（０ＳｉＨ−ＣＨ３・ｎ−Ｃｌ６Ｈ
３，），．，，の錯体を０．２９モル／ｊの溶液の形で
得た。実施例 ２４ ｎ−ドデシルブロマイドの代りにｎ−エイコシルクロラ
イドを用いる以外は、実施例２２と全く同じ条件で反応
を行い、組成ＡｌＭｇ２．２５（Ｃ２Ｈ５）２．２，（
ｎ−Ｃ２ＯＨ４！）２．７６（０ＳｉＨ′ＣＨＳ′Ｃ２
Ｈ５）０．７６（０ＳｉＨ−ＣＨ３・ｎ−Ｃ２ＯＨ４，
）１．，４の錯体を０．３５モル／ｌの溶液の形で得た
。
Ｃ，Ｈ，）。．，，（０ＳｉＨ−ＣＨ３・ｎ−Ｃｌ６Ｈ
３，），．，，の錯体を０．２９モル／ｊの溶液の形で
得た。実施例 ２４ ｎ−ドデシルブロマイドの代りにｎ−エイコシルクロラ
イドを用いる以外は、実施例２２と全く同じ条件で反応
を行い、組成ＡｌＭｇ２．２５（Ｃ２Ｈ５）２．２，（
ｎ−Ｃ２ＯＨ４！）２．７６（０ＳｉＨ′ＣＨＳ′Ｃ２
Ｈ５）０．７６（０ＳｉＨ−ＣＨ３・ｎ−Ｃ２ＯＨ４，
）１．，４の錯体を０．３５モル／ｌの溶液の形で得た
。
Claims (1)
- １ 一般式Ｒ＾１＿ａＭｇＸ＿２＿−＿ａ（式中、Ｒ＾
１は炭素原子数１〜２０の炭化水素基、Ｘはハロゲンを
示し、ａは０より大きく２以下の数である）の有機マグ
ネシウム化合物（Ａ）、一般式Ｒ＾２＿ｂＭＲ＾３＿ｍ
＿−＿ｂ（式中、Ｍはベリリウム、ホウ素、亜鉛、アル
ミニウム原子、Ｒ＾２は水素原子または炭素原子数１〜
１０の炭化水素基、Ｒ＾３は炭素原子数１〜１０の炭化
水素基を示し、ｍはＭの原子価、ｂは０〜１の数である
）なる有機金属化合物（Ｂ）、および一般式▲数式、化
学式、表等があります▼（式中、Ｒ＾４、Ｒ＾５は水素
原子または炭素原子数１〜１０の炭化水素基を示す）の
構成単位から成る化合物（Ｃ）を反応させることを特徴
とする一般式ＭαＭ＿ｇβＲ＾１＿ｐＲ＾２＿ｑＲ＾３
＿ｒ（ＯＳｉＲ＾４Ｒ＾５Ｒ＾６）＿ｓ（式中、Ｍ，Ｒ
＾１，Ｒ＾２，Ｒ＾３，Ｒ＾４，Ｒ＾５は上記の意味で
あり、Ｒ＾６は水素原子または炭素原子数１〜２０の炭
化水素基を示し、α，β，ｓは０より大きい数、ｐ，ｑ
，ｒは０以上の数で、β／α＝０．５〜２０，ｍα＋２
β＝ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓの関係式を有し、ｍは上記意味であ
る）で表わされる不活性炭化水素媒体に可溶なシロキシ
基含有有機マグネシウム錯体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13286775A JPS5953280B2 (ja) | 1975-11-07 | 1975-11-07 | シロキシキガンユウユウキマグネシウムサクタイノ セイゾウホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13286775A JPS5953280B2 (ja) | 1975-11-07 | 1975-11-07 | シロキシキガンユウユウキマグネシウムサクタイノ セイゾウホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5271421A JPS5271421A (en) | 1977-06-14 |
| JPS5953280B2 true JPS5953280B2 (ja) | 1984-12-24 |
Family
ID=15091391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13286775A Expired JPS5953280B2 (ja) | 1975-11-07 | 1975-11-07 | シロキシキガンユウユウキマグネシウムサクタイノ セイゾウホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5953280B2 (ja) |
-
1975
- 1975-11-07 JP JP13286775A patent/JPS5953280B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5271421A (en) | 1977-06-14 |
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