JPS5953674A - 化学蒸着法 - Google Patents
化学蒸着法Info
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- JPS5953674A JPS5953674A JP16275982A JP16275982A JPS5953674A JP S5953674 A JPS5953674 A JP S5953674A JP 16275982 A JP16275982 A JP 16275982A JP 16275982 A JP16275982 A JP 16275982A JP S5953674 A JPS5953674 A JP S5953674A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
- C23C16/402—Silicon dioxide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は化学蒸着法に係り、酸化硅３Ｋ １１６ｊの製
法に関する。
法に関する。
従来、酸化硅素膜を常圧で育成する方法としては、シラ
ン・ガス（ＳｉＨ４）と酸素ガスを反応ガスとして、窒
素ガスをキャリヤ・ガスとして、反応炉内に’ｐ、ｌ（
１人し、常Ｈ二状、照で、被膜形成基板温度ば４００°
Ｃで酸化硅素膜をｎ成するのが通例であった。
ン・ガス（ＳｉＨ４）と酸素ガスを反応ガスとして、窒
素ガスをキャリヤ・ガスとして、反応炉内に’ｐ、ｌ（
１人し、常Ｈ二状、照で、被膜形成基板温度ば４００°
Ｃで酸化硅素膜をｎ成するのが通例であった。
本発明は常圧でかつ低温で酸化硅素膜を形成する方法を
提供する４ｆを目的とする。
提供する４ｆを目的とする。
上ｎｒ２目的を達成するための本発明の基本的な構成は
、化学蒸着法において、シラン・ガスと酸素ガスを反応
ガスとし、窒素ガスをキャリヤ・ガスとして石英窓を含
む反応炉内に導入し、常圧状態で該反応ガスに石英窓か
ら遠紫外光線を照射して、被膜形成基板温度を２００°
Ｃ以下の低湿で、酸化硅素膜を育成することを特徴とす
る。
、化学蒸着法において、シラン・ガスと酸素ガスを反応
ガスとし、窒素ガスをキャリヤ・ガスとして石英窓を含
む反応炉内に導入し、常圧状態で該反応ガスに石英窓か
ら遠紫外光線を照射して、被膜形成基板温度を２００°
Ｃ以下の低湿で、酸化硅素膜を育成することを特徴とす
る。
以下に実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明による化学蒸着法の一実施例を示す方式
の模式図であり、石英反応管１にはアルミニウム支持台
２とその上にのせられたＳ１ウエハ６が設ｆＲされ、反
応管の蓋４がはめられる。反応管内にはバルブ５および
流−ＩＩ計６を通してガス量が制御されたＮ、ガス、
Ｓ ｊ−Ｈ，、ガスおよび０２ガスがパイプ７８９を）
ＴＯシてバイブ１０で合流して反応管内に送シ込まれ、
υ１ガスは反応管の蓋４につ（プらね５た排カスバイブ
１１よりＪｌｌ ｌＪｉされる。反応は、支持台２を赤
外線ランプ１２により裏面より１５０°Ｃに加熱され、
Ｓｉウェハー乙の表１１１１には遠紫外線ランプ１３か
らの遠紫外線が照射されて、行なわれ、Ｓｌ−ウェーハ
３の表面に酸化ＪＩ′ｌ“メ〈被膜が形成される。
の模式図であり、石英反応管１にはアルミニウム支持台
２とその上にのせられたＳ１ウエハ６が設ｆＲされ、反
応管の蓋４がはめられる。反応管内にはバルブ５および
流−ＩＩ計６を通してガス量が制御されたＮ、ガス、
Ｓ ｊ−Ｈ，、ガスおよび０２ガスがパイプ７８９を）
ＴＯシてバイブ１０で合流して反応管内に送シ込まれ、
υ１ガスは反応管の蓋４につ（プらね５た排カスバイブ
１１よりＪｌｌ ｌＪｉされる。反応は、支持台２を赤
外線ランプ１２により裏面より１５０°Ｃに加熱され、
Ｓｉウェハー乙の表１１１１には遠紫外線ランプ１３か
らの遠紫外線が照射されて、行なわれ、Ｓｌ−ウェーハ
３の表面に酸化ＪＩ′ｌ“メ〈被膜が形成される。
このイ子なｔａｒｔ成により１５０°Ｃ稈度の低温で、
２０００θ０／犯以上の辻度で酸化（１１・素抜ｊ摸が
形成できるが、その用Ｉ山は、遠紫外線により反ルト１
、ガス中の酸素ガスが遠紫外線によりオゾンど〕（す、
反応が低湿でも活性化されるためである。
２０００θ０／犯以上の辻度で酸化（１１・素抜ｊ摸が
形成できるが、その用Ｉ山は、遠紫外線により反ルト１
、ガス中の酸素ガスが遠紫外線によりオゾンど〕（す、
反応が低湿でも活性化されるためである。
本発明による化学蒸着法でＩｔＪ、 ２００″Ｃ以」−
の低温で酸化硅素被膜が形成できる効果がＡｒ）る。
の低温で酸化硅素被膜が形成できる効果がＡｒ）る。
本発明の応用分野として、Ｓ１半導体素子をリード・ク
レーム等にワイヤー・ボンディングした後に酸化硅素被
膜を保護ｊ１〆とじて形成する場合や、プラスチック製
品の表面保設被膜として用いることができる。
レーム等にワイヤー・ボンディングした後に酸化硅素被
膜を保護ｊ１〆とじて形成する場合や、プラスチック製
品の表面保設被膜として用いることができる。
第１１＞？ｔ ＩｒＪ、本発明の一実／１ｉｌｉ例を示
す化学蒸着法の模式図である。 １・・・・・・石英反ル１′、、管 ２・・・・・・支持台 ３・・・・・・被膜形成Ｊｊｊ板 ４・・・・・・反応管蓋 ５・・・・・・バルブ ６・・・・・・流最泪 ７．８，９．１０・・・・・・パイプ １１・・・・・・排気バｒブ １２・・・・・・赤外線ピータ− １３・・・・・・遠紫外′Ｌ線ラうプ 以 」二 出願人 株式会社＊ｌ’！訪！ｉ’＋’Ｊ工舎代ｆ４１
ｊ人 弁理士 最上 務
す化学蒸着法の模式図である。 １・・・・・・石英反ル１′、、管 ２・・・・・・支持台 ３・・・・・・被膜形成Ｊｊｊ板 ４・・・・・・反応管蓋 ５・・・・・・バルブ ６・・・・・・流最泪 ７．８，９．１０・・・・・・パイプ １１・・・・・・排気バｒブ １２・・・・・・赤外線ピータ− １３・・・・・・遠紫外′Ｌ線ラうプ 以 」二 出願人 株式会社＊ｌ’！訪！ｉ’＋’Ｊ工舎代ｆ４１
ｊ人 弁理士 最上 務
Claims (1)
- シラン・ガスと酸素ガスを反此・ガスとし、窒素ガスを
キャリヤ・ガスとして石英窓を含む反応炉内に導入し、
常圧状態で、該反応ガスに石英窓から遠紫外光線を照射
して、被膜形成基板温度を２００°Ｃ以下の低湿で、酸
化硅素ｊ漠を育成することを勃徴とする化学蒸着法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16275982A JPS5953674A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 化学蒸着法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16275982A JPS5953674A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 化学蒸着法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5953674A true JPS5953674A (ja) | 1984-03-28 |
Family
ID=15760691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16275982A Pending JPS5953674A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 化学蒸着法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5953674A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6176677A (ja) * | 1984-09-25 | 1986-04-19 | Applied Material Japan Kk | 気相成長方法 |
| JPS63130775A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化珪素被膜の高速成膜法 |
| US4753818A (en) * | 1986-07-25 | 1988-06-28 | Hughes Aircraft Company | Process for photochemical vapor deposition of oxide layers at enhanced deposition rates |
| EP0289963A1 (en) * | 1987-05-04 | 1988-11-09 | General Signal Corporation | Apparatus for, and methods of, obtaining the movement of a substance to a substrate |
| JPH03107464A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-05-07 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 誘電体膜堆積方法および装置 |
| CN105513960A (zh) * | 2016-01-27 | 2016-04-20 | 武汉华星光电技术有限公司 | 氧化硅薄膜的沉积方法及低温多晶硅tft基板的制备方法 |
-
1982
- 1982-09-17 JP JP16275982A patent/JPS5953674A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6176677A (ja) * | 1984-09-25 | 1986-04-19 | Applied Material Japan Kk | 気相成長方法 |
| US4753818A (en) * | 1986-07-25 | 1988-06-28 | Hughes Aircraft Company | Process for photochemical vapor deposition of oxide layers at enhanced deposition rates |
| JPH01500444A (ja) * | 1986-07-25 | 1989-02-16 | ヒユーズ・エアクラフト・カンパニー | 増大した酸化層成長率の光化学気相成長方法 |
| JPS63130775A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化珪素被膜の高速成膜法 |
| EP0289963A1 (en) * | 1987-05-04 | 1988-11-09 | General Signal Corporation | Apparatus for, and methods of, obtaining the movement of a substance to a substrate |
| JPH03107464A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-05-07 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 誘電体膜堆積方法および装置 |
| CN105513960A (zh) * | 2016-01-27 | 2016-04-20 | 武汉华星光电技术有限公司 | 氧化硅薄膜的沉积方法及低温多晶硅tft基板的制备方法 |
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