JPS6176677A - 気相成長方法 - Google Patents

気相成長方法

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JPS6176677A
JPS6176677A JP20024484A JP20024484A JPS6176677A JP S6176677 A JPS6176677 A JP S6176677A JP 20024484 A JP20024484 A JP 20024484A JP 20024484 A JP20024484 A JP 20024484A JP S6176677 A JPS6176677 A JP S6176677A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は気相成長方法に関し、一層詳細には、反応ガス
源として有機シラン−眞系を用いるとともに、紫外線を
照射することによって、反応系が光励起され、４００℃
以下での低温気相成長が可能となるのみならず、マスク
を用いることによって皮膜の選択成長を行わせることが
でき、さらにはパーティクルの発生がほとんどなく、ま
たステップカバリッジにもすぐれる気相成長方法に関す
るものである。
ＣＶ　Ｄ　（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ　）法は、配線の終了したデバイス上に絶
縁保護膜を形成する場合などに広く実用化されている。
この場合に絶縁保ｉ３ｊ膜が被処理物表面に所望のパタ
ーンに選択成長させることができれば便宜である。
従来においては、例えば５ｉＯｚ膜を被処理物表面全面
に成長させ、化学的エツチング等によって、５ｉＯｚ膜
のパターン形成をしているが煩わしく、また工数が増大
してコスト高となる難点があった。
また上記の絶縁保護膜などを形成する場合においては、
アルミニウム配線等を高熱から保護するために、反応温
度はできる限り低温（４ｏＯ°Ｃ程度）であることが望
ましい。
従来４００℃程度の温度で良質な５ｉｏＬ膜、ＰＳＧ膜
等を得るには、５ｉ）ｌイーＯｚ系で行うが、あるいは
プラズマＣＶＤ１を用いるしかなかった。
しかしながら、前者においては反応が気相中での熱分解
反応であるため、気相中で粒子が成長して落下し、成長
皮膜上に付着するなど、いわゆるパーティクルの発生を
伴ったり、ステノプカバリノジ（均一被着性）に劣ると
いう難点がある。
また後者のプラズマＣＶＤ法によるときは、いわゆるラ
ディエイション　ダメソジ（ｒａｄｉａｔｉｏｎｄａｍ
ａｇｅ）が問題となり、またステノプカバリソジにもす
くれないため、現在のところ幅広くは実用されていない
。
本発明は上記難点に鑑みてなされたものであり、その目
的とするところは、皮膜の選択成長が容易かつ確実に行
え、パーティクルの発生が少なく、ステンプカバリソジ
にもすぐれミかつ低温での反応が可能な新たな気相成長
方法を提供するにあり、その特徴は、有機シランと０ム
ガスとを反応容器中に導入し、反応容器中に載置した被
処理物には、被処理物表面から離間した位置に適宜なマ
スクを配置し、５００°Ｃ以下の反応温度に保つととも
に紫外線を前記被処理物表面に照射して、被処理物表面
上に前記マスクのパターン通りに皮膜を選択成長させる
ところにある。
従来有機シラン系のＣＶＤの場合には、７００“Ｃ以上
の高温の反応温度でなければ分解反応も酸化反応も起こ
さないところから、有機シラン系を用いた低温ＣＶＤは
不可能であった。
発明者は、有機シラン−０２系の反応ガスに紫外線を照
射するごとによって反応系が光励起され（（ｂの一部が
０）になる）、有機シランの酸化反応が低温（４００℃
以下）でも進行することを見出した。
しかも実験の結果、上記の酸化反応は主として被処理物
の表面で起こる表面反応であることが判明した。この結
果被処理物に凹凸があっても、凹部にも凸部と変わりな
く皮膜が均一厚さに成長し、ステソプカバリソジに極め
てすぐれるものとなった。また表面反応であることから
、従来のように気相中で成長した粒子が落下して成長皮
膜上に付着したり、反応容器壁に付着した粒子が落下し
て成長皮膜上に付着する、いわゆるパーティクルの発生
もほとんどな（、さらには成長皮膜も緻密でピンホール
も少なく、理想的な表面状態の皮膜が得られる。
さらに、紫外線が照射された部分のみが選択的に光励起
され、紫外線照射範囲の被処理物表面上のみに選択的に
皮膜が成長する。
したがって適宜なマスクを使用することによって、被処
理物表面上に所望のパターンの皮膜を形成することがで
きる。したがって従来のように、例えば５ｉＯｚ絶縁膜
に化学的エツチングを施すなどの工程が省け、極めて有
用である。
有機シラン（テトラエトキシシラン）は常温で液体であ
るから取扱い上も安全である。
第１図は反応装置の概要を示す説明図である。
有機ンランは石英バブラー１０中に収容され、ＮＬガス
をキャリアガスとして石英バブラー１ｏ中で気化され、
流量制御弁１２を経由して反応容器１４中に導入される
。
１６は有機リンを収納する石英バブラーであり、を機リ
ンは、石英バブラー１６中で気化されて、ＮＺガスをキ
ャリアガスとして流量制御弁１８を経由して反応容器１
４中に導入される。有機リンでなく無機リン（ＰＩＩＡ
）を用いてもよい。５ｉＯＬ膜を得る場合にはもちろん
リン系ガスは不要である。
Ｏｌガスは流量制御弁２０を介して反応容器１４中に導
入される。
２２はＨｇランプであり、反応容器１４外部に配置され
、サセプタ２４上に載置したウェハー２６の表面を照射
する。
２８はヒータであり、サセプタ２４を加温し、サセプタ
２４上に載置したウェハー２６を約４００℃に昇温する
。
しかして各反応ガスを流量制御弁を介して反応容器１４
中に導入し１、ｌ１ｇランプ２２によって紫外線をウェ
ハー２６表面上に照射すると、０□ガスの一部が０１に
変換し、０１の強力な酸化力によって有機シランが４０
０°Ｃ以下でも酸化され、所望の皮膜を成長させること
ができる。
また第２図に示すように、ウェハー２６表面上から若干
離間した位置にマスク３０を配置することによって、マ
スク３０に形成したパターン通りに、皮膜をウェハー２
６上に選択成長させることができる。マスク３０の素材
としては石英ガラス等の紫外線を透過するものを用い、
クロム蒸着等によって紫外線の非通過部を形成し、紫外
線の透過部をもって、皮膜形成のパターンとすることが
できる。該透過部を透過した紫外線によってＯｚガスの
一部が０３に変換し、主として表面反応ゆえに、′皮膜
をマスク３０のパターン通りに選択成長させることがで
きる。
以下に実施例を示す。
実施例１ テトラエトキシシランを８０℃、６００ＣＣＺ分、ＯＬ
ガスを６００ｃｃ／分、キャリアガスとしてＮ４ガスを
０．８２／分で反応容器中に導入し、Ｈｇランプ（波長
１８４．９ｎｍ　、２５４．Ｏｒ＋ｍ　）で反応容器外
部からウェハー上を照射し、反応温度４００°Ｃで反応
させたところ、５ｉＯ−皮膜が１０００人／分で得られ
た。
パーティクルの発生はみられず、ステップカハリソジも
良好であった。
またウェハー表面から若干離してマスクをおき、マスク
を通して紫外線を照射したところ、マスクのパターン通
りに皮膜をウェハー上に選択成長させることができた。
実施例２ 上記と同条件で、さらに有機リンを流量２００ｃｃ／分
で反応容器中に導入したところ、ＰＳＧ皮膜が１０００
人／分で得られた。
パーティクルの発生もみられず、ステノプ力ハリソジも
良好であった。またマスクを用いて同様にウェハー上に
皮膜を選択成長させることができた。
以上のように本発明方法によるときは、紫外線を照射す
ることによって、有機リン系反応ガスを低温で反応させ
ることができるとともに、適宜なマスクを用いて、マス
クのパターン通りに皮膜を選択成長させることができる
。またパルティクルの発生もほとんどなく、ステノプ力
ハリソジも良好であるという著効を奏する。
以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明したが
、本発明はこの実施例に固定されるものではなく、発明
の精神を逸説しない範囲内で多くの改変を施し得るのは
もちろんのことである。
【図面の簡単な説明】
第１図は反応装置の概要を示す説明図、第２図はマスク
を用いて皮膜をウェハー上に選択成長させる場合を示す
説明図である。 ＩＯ・・・石英バブラー、　　　１２・・・流量制御弁
、　　１４・・・反応容器、　　１６・・・石英バブラ
ー、　　　１８．２０・・・流量制御弁。 ２２・・・１１ｇランプ、　　２４・・・サセプタ１２
６・・・ウェハー、　　２８・・・ヒータ。 ３０・・・マスク。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、有機シランとＯ＿２ガスとを反応容器中に導入し、
    反応容器中に載置した被処理物には、被処理物表面から
    離間した位置に適宜なマスクを配置し、５００℃以下の
    反応温度に保つとともに紫外線を前記被処理物表面に照
    射して、被処理物表面上に前記マスクのパターン通りに
    皮膜を選択成長させることを特徴とする気相成長方法。
JP20024484A 1984-09-20 1984-09-25 気相成長方法 Granted JPS6176677A (ja)

Priority Applications (2)

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JP20024484A JPS6176677A (ja) 1984-09-25 1984-09-25 気相成長方法
US06/778,004 US4702936A (en) 1984-09-20 1985-09-20 Gas-phase growth process

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JP20024484A JPS6176677A (ja) 1984-09-25 1984-09-25 気相成長方法

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JPS6176677A true JPS6176677A (ja) 1986-04-19
JPH0357189B2 JPH0357189B2 (ja) 1991-08-30

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Cited By (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61190074A (ja) * 1985-02-15 1986-08-23 Sharp Corp Ｔａ↓２Ｏ↓５膜の形成方法
US6814790B2 (en) 2001-12-21 2004-11-09 Benq Corporation Multicolor dye set and inkjet ink composition with high chroma

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