JPS5998726A - 酸化膜形成法 - Google Patents
酸化膜形成法Info
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- JPS5998726A JPS5998726A JP20740682A JP20740682A JPS5998726A JP S5998726 A JPS5998726 A JP S5998726A JP 20740682 A JP20740682 A JP 20740682A JP 20740682 A JP20740682 A JP 20740682A JP S5998726 A JPS5998726 A JP S5998726A
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- JPUHCPXFQIXLMW-UHFFFAOYSA-N aluminium triethoxide Chemical compound CCO[Al](OCC)OCC JPUHCPXFQIXLMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 3
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は低温化学蒸着酸化膜形成法に関する。
従来）、酸化膜の形成法としては、イヒ学蒸着法のでは
、 Ｓ □Ｈ４＋ ２０２ ””’ ”□。、−１−２Ｈ，
。
、 Ｓ □Ｈ４＋ ２０２ ””’ ”□。、−１−２Ｈ，
。
の反応によりＳｉＯ□膜を形成するのが通例であった。
しかし、上記従来技術では、化学蒸着温度が３５０℃程
度以下にできないという欠点があった本発明はかかる従
来技術の欠点をなくし、低温で酸化膜を化学蒸着法で提
供することを目的とする。
度以下にできないという欠点があった本発明はかかる従
来技術の欠点をなくし、低温で酸化膜を化学蒸着法で提
供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は酸化
膜を化学蒸着法で形成する方法に関し、化合物ガスと水
蒸気または過酸化水素蒸気を含有せる雰囲気内に試料基
板を加熱して設置することを特徴とする。
膜を化学蒸着法で形成する方法に関し、化合物ガスと水
蒸気または過酸化水素蒸気を含有せる雰囲気内に試料基
板を加熱して設置することを特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明による酸化膜形成法の一例を模式的に示
したものである。石英反応管１内にはＳｉＨ，ガス配管
２ 、Ｈ，０２バブラー３を６０℃程度に加熱するヒー
ター４により加熱したＨ２Ｏ２含有水をバブルする窒素
ガスを配管５より供給して、配管６よりＨ，Ｏ，蒸気を
供給する。石英反応管１内には試料７が設置され、該試
料２はヒーター８により２００℃程度に加熱される。排
ガスは配管９より排出される。
したものである。石英反応管１内にはＳｉＨ，ガス配管
２ 、Ｈ，０２バブラー３を６０℃程度に加熱するヒー
ター４により加熱したＨ２Ｏ２含有水をバブルする窒素
ガスを配管５より供給して、配管６よりＨ，Ｏ，蒸気を
供給する。石英反応管１内には試料７が設置され、該試
料２はヒーター８により２００℃程度に加熱される。排
ガスは配管９より排出される。
上記の如き方法により、。
ＳｉＨ，＋ ２Ｈ，０２’史窮 Ｓｉ０．＋４Ｈ，０
の反応により２００°Ｃ程度の低温で８１０２膜が形成
できる。
の反応により２００°Ｃ程度の低温で８１０２膜が形成
できる。
本発明はＳｉＯ□膜に限らず、Ａ ｔ、 Ｏ、等地の化
学蒸着膜形成にも用いることができる。
学蒸着膜形成にも用いることができる。
本発明は少なくとも過酸化木葉蒸気を必要とし、その低
酸素、水蒸気、オゾン、窒素等のガスを同時に含んでも
良い。
酸素、水蒸気、オゾン、窒素等のガスを同時に含んでも
良い。
第１図は本発明による酸化膜形成法の一例を示す化学蒸
着法の模式図である。 １・・・・・・反応管 ２．３，５．９・・・・・・配 管 ４．８・・・・・・ヒーター ７・・・・・・試料基板 以 上
着法の模式図である。 １・・・・・・反応管 ２．３，５．９・・・・・・配 管 ４．８・・・・・・ヒーター ７・・・・・・試料基板 以 上
Claims (1)
- Ｓ１０．膜、Ａｔ２０ｓ膜等の酸化膜をイヒ学蒸着法で
形成する方法に関し、シラン・ガス（Ｓｉｎ４．５ＩＨ
ＯＬＢ ンｅアルミニウム・エチレート４Ａ（ｏａ２
Ｈ，）３等のガス体と水蒸気または過酸化水素蒸気を含
有せる雰囲気内に試料基板を加熱し゛て設置し、酸化膜
を形成することを特徴とする酸化膜形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20740682A JPS5998726A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | 酸化膜形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20740682A JPS5998726A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | 酸化膜形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5998726A true JPS5998726A (ja) | 1984-06-07 |
Family
ID=16539206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20740682A Pending JPS5998726A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | 酸化膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5998726A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0742290A1 (en) * | 1995-05-11 | 1996-11-13 | Air Products And Chemicals, Inc. | Chemical vapor deposition (CVD) of silicon dioxide films using oxygen-silicon source reactants and a free radical promoter |
| US5811849A (en) * | 1995-09-21 | 1998-09-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and manufacturing process thereof |
| US6054379A (en) * | 1998-02-11 | 2000-04-25 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a low k dielectric with organo silane |
| US6171945B1 (en) | 1998-10-22 | 2001-01-09 | Applied Materials, Inc. | CVD nanoporous silica low dielectric constant films |
| US6303523B2 (en) | 1998-02-11 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma processes for depositing low dielectric constant films |
| US6399489B1 (en) | 1999-11-01 | 2002-06-04 | Applied Materials, Inc. | Barrier layer deposition using HDP-CVD |
| US6537929B1 (en) | 1998-02-11 | 2003-03-25 | Applied Materials, Inc. | CVD plasma assisted low dielectric constant films |
| US6593655B1 (en) | 1998-05-29 | 2003-07-15 | Dow Corning Corporation | Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films having low dielectric constant |
| US6667553B2 (en) | 1998-05-29 | 2003-12-23 | Dow Corning Corporation | H:SiOC coated substrates |
| US6784119B2 (en) | 1998-02-11 | 2004-08-31 | Applied Materials Inc. | Method of decreasing the K value in SIOC layer deposited by chemical vapor deposition |
| US6926926B2 (en) | 2001-09-10 | 2005-08-09 | Applied Materials, Inc. | Silicon carbide deposited by high density plasma chemical-vapor deposition with bias |
-
1982
- 1982-11-26 JP JP20740682A patent/JPS5998726A/ja active Pending
Cited By (16)
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| US6348725B2 (en) | 1998-02-11 | 2002-02-19 | Applied Materials, Inc. | Plasma processes for depositing low dielectric constant films |
| US6537929B1 (en) | 1998-02-11 | 2003-03-25 | Applied Materials, Inc. | CVD plasma assisted low dielectric constant films |
| US6541282B1 (en) | 1998-02-11 | 2003-04-01 | Applied Materials, Inc. | Plasma processes for depositing low dielectric constant films |
| US6667553B2 (en) | 1998-05-29 | 2003-12-23 | Dow Corning Corporation | H:SiOC coated substrates |
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| US6713390B2 (en) | 1999-11-01 | 2004-03-30 | Applied Materials Inc. | Barrier layer deposition using HDP-CVD |
| US6926926B2 (en) | 2001-09-10 | 2005-08-09 | Applied Materials, Inc. | Silicon carbide deposited by high density plasma chemical-vapor deposition with bias |
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