JPS5954264A - 複合電子回路およびその製造方法 - Google Patents
複合電子回路およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS5954264A JPS5954264A JP58150892A JP15089283A JPS5954264A JP S5954264 A JPS5954264 A JP S5954264A JP 58150892 A JP58150892 A JP 58150892A JP 15089283 A JP15089283 A JP 15089283A JP S5954264 A JPS5954264 A JP S5954264A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- circuit
- board
- electronic circuit
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W44/00—Electrical arrangements for controlling or matching impedance
- H10W44/401—Resistive arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/69—Insulating materials thereof
- H10W70/692—Ceramics or glasses
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistors, capacitors or inductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は多数の電子素ｒを含み、少くとも一つの素子
が基板入面に設けられ、基板の部分区域に作らλｔだ少
くとも一つの素子と４屯結合さノ１ている複合電子回路
とその製法（ＣＩ銅するものである。
が基板入面に設けられ、基板の部分区域に作らλｔだ少
くとも一つの素子と４屯結合さノ１ている複合電子回路
とその製法（ＣＩ銅するものである。
ζ、のイ重の電子回路の一例＆ｉ辺ｊ独国局ｉｊ’ｌ’
ｌ−ｉ １領公開第２１２０７８７号明、；ｌｌ］□
旬１ノで０１１威されてい乙３．この公知回路は能′！
ｊＩＪ素でと受動泰６から成る集積回路てあつ能動農工
と導電接触を作るだめの１・−ベント層と半導体基板表
向の？、縁層となる絶、障′吻の層が設（・）ら′１１
ている。この絶・１砿層の士には存体路、抵抗又はコン
テノザとして使用される別の層か設けられる。更にこの
種の電子回路を製必す２）際半導体基板をｔ市！ｉσｌ
素子と受動素子の５タ力Ｑ′ζ川曲の７−（不しと見て
／ルタスクリーン法によって各′Ｘ１１分を１７１゜る
ことの外４流又は屯ＩＦ−ζ）ｌスに土９てノ４屯Ｉ＋
、［、ｊｌ・にＨｌ、シ又）し０１入１申（・で戻Ｊ−
ことが「す１ｉｌｉであるツノ′ノスをフルクスクリー
ニングによつＣとすっけることもこの文献に１，１：載
されている３、このようなガラス層を１・−・ぐント拡
散に１ｙｉ Ｌ、 −ｃ ｈ−ブ′吻質ｌ（玲（ｊ９、
とすることも発表されてｂる。
ｌ−ｉ １領公開第２１２０７８７号明、；ｌｌ］□
旬１ノで０１１威されてい乙３．この公知回路は能′！
ｊＩＪ素でと受動泰６から成る集積回路てあつ能動農工
と導電接触を作るだめの１・−ベント層と半導体基板表
向の？、縁層となる絶、障′吻の層が設（・）ら′１１
ている。この絶・１砿層の士には存体路、抵抗又はコン
テノザとして使用される別の層か設けられる。更にこの
種の電子回路を製必す２）際半導体基板をｔ市！ｉσｌ
素子と受動素子の５タ力Ｑ′ζ川曲の７−（不しと見て
／ルタスクリーン法によって各′Ｘ１１分を１７１゜る
ことの外４流又は屯ＩＦ−ζ）ｌスに土９てノ４屯Ｉ＋
、［、ｊｌ・にＨｌ、シ又）し０１入１申（・で戻Ｊ−
ことが「す１ｉｌｉであるツノ′ノスをフルクスクリー
ニングによつＣとすっけることもこの文献に１，１：載
されている３、このようなガラス層を１・−・ぐント拡
散に１ｙｉ Ｌ、 −ｃ ｈ−ブ′吻質ｌ（玲（ｊ９、
とすることも発表されてｂる。
庸に１１φ６ Ｊｌ：保護用心して１Ｎ１′６・特に半
、・、ｑ体回１清１・Ｃ避雷器を設けることは公知であ
る。こ右１ｃ ｉＪ しては・特（Ｃバリスタが適し、
こねを回路の接わ”し９７線（・て４４経ノーる。この
バリスタはトープさｔＩ／こ醒化亜ぐ沿ヒラミックから
成り、−ヒラミンク体の１（１す面父ｒ−Ｊ、その表面
（〆こ電極を備え／こ素ｒとするの２壇イ」刊である（
米国時３１第：３８Ｆ＋５１１・１吋）。印加山、月が
低いとバリスタは高抵抗であり印ノＪ旧ｔｉ：、ｊＥが
高くなると低４」−’ｃ ４＞ｉン侍性を示すようにな
る１、この７（（１の素百の屯流屯圧！時ｒ１泪１＝（
−）αで表わされる。、１（帽（Ａ：”１ｇａてありα
は非線１［ぞ係数である。バリスタの酸化曲鉛セラミ゛
ツク体（はその全体（ｔこ目−９てバリスタ特性をン」
ミずのか普１川であるか酸化）１［ｊ鉛１ニラＳツク（
本の〕偉し）１曽を小′手だけかバリスタ′揚τ１えｉ
Ｊ”（しているバリスタも介在する。ＣｒＪｕｉＪ万＋
ｌ”ｌ ’４１ｇ１′１１１−旨冑（公ｊ芹」第２８
２０１１８号、同、Σ２ Ｕ ２ ＋ １ ！＋ ７−
号）、このペリスタのヒラミンク体の残りの部分は４＋
−１−１ＬＩＸ￥１係なく常ンて低↑１（１ブＥである
。
、・、ｑ体回１清１・Ｃ避雷器を設けることは公知であ
る。こ右１ｃ ｉＪ しては・特（Ｃバリスタが適し、
こねを回路の接わ”し９７線（・て４４経ノーる。この
バリスタはトープさｔＩ／こ醒化亜ぐ沿ヒラミックから
成り、−ヒラミンク体の１（１す面父ｒ−Ｊ、その表面
（〆こ電極を備え／こ素ｒとするの２壇イ」刊である（
米国時３１第：３８Ｆ＋５１１・１吋）。印加山、月が
低いとバリスタは高抵抗であり印ノＪ旧ｔｉ：、ｊＥが
高くなると低４」−’ｃ ４＞ｉン侍性を示すようにな
る１、この７（（１の素百の屯流屯圧！時ｒ１泪１＝（
−）αで表わされる。、１（帽（Ａ：”１ｇａてありα
は非線１［ぞ係数である。バリスタの酸化曲鉛セラミ゛
ツク体（はその全体（ｔこ目−９てバリスタ特性をン」
ミずのか普１川であるか酸化）１［ｊ鉛１ニラＳツク（
本の〕偉し）１曽を小′手だけかバリスタ′揚τ１えｉ
Ｊ”（しているバリスタも介在する。ＣｒＪｕｉＪ万＋
ｌ”ｌ ’４１ｇ１′１１１−旨冑（公ｊ芹」第２８
２０１１８号、同、Σ２ Ｕ ２ ＋ １ ！＋ ７−
号）、このペリスタのヒラミンク体の残りの部分は４＋
−１−１ＬＩＸ￥１係なく常ンて低↑１（１ブＥである
。
このＪ二つなバリスタは＋！；１１ 、えｆｄ次のよう
Ｖ（−シてイ乍られる：址ず出発＋Ａ＋′’ｌを混渇［
し、泥漿を層・砕し、加圧成形して焼４・１１すること
によＱ屯１１−に無１又１ ’ｌＡｉに低砥抗である酸
化ｊ（１８鉛セラミ゛ツク体を作７．．ａ この放１杉
体に例えは酸化ビスマス、酸化ホウ素、１亥化コバルｌ
−、酸化アノチモン、ｍ ｆｌｌツクｊＪ−、ｎ＆ 化
Ｔ−タン、酸化プラセオジム、酸１１カッ【／・ンｊ、
ｈＩｊの１・−・（／１・の中の一つ又はその−くつ
かをＩｔ／； ｉｔ＋侵入させて薄（八人面層だけがパ
リス”１Ｗｆｌをｉｊｋすようにする。
Ｖ（−シてイ乍られる：址ず出発＋Ａ＋′’ｌを混渇［
し、泥漿を層・砕し、加圧成形して焼４・１１すること
によＱ屯１１−に無１又１ ’ｌＡｉに低砥抗である酸
化ｊ（１８鉛セラミ゛ツク体を作７．．ａ この放１杉
体に例えは酸化ビスマス、酸化ホウ素、１亥化コバルｌ
−、酸化アノチモン、ｍ ｆｌｌツクｊＪ−、ｎ＆ 化
Ｔ−タン、酸化プラセオジム、酸１１カッ【／・ンｊ、
ｈＩｊの１・−・（／１・の中の一つ又はその−くつ
かをＩｔ／； ｉｔ＋侵入させて薄（八人面層だけがパ
リス”１Ｗｆｌをｉｊｋすようにする。
例えｔｒ、、ｒ ｌ１ｌｌＩ：！１′：４体回路、混成
回路アルｌ／″１ハソノ他の構成の回路を使用するこ々
（（関連してできるだ６す１氏インダクタンスでありで
きるだけ占有′や１１；］の少なし）過電Ｆト保護器の
！ｊｉＪ発に努勾ゲ払わノ１てきた。
回路アルｌ／″１ハソノ他の構成の回路を使用するこ々
（（関連してできるだ６す１氏インダクタンスでありで
きるだけ占有′や１１；］の少なし）過電Ｆト保護器の
！ｊｉＪ発に努勾ゲ払わノ１てきた。
過電圧保護器がインダクタノλの大きい１１１’ｊ成で
あるとＱ Ｉ＝す・＊度の犬き因過重１日′ＣＸ−ｊし
て保護作用か低１・する。史ｌここの保護器を柑込んだ
回路はとれ１てに１片１発さＪ１工場製ノ梁に届’４１
− ｋ ４支１を釘１に製法によって作らｉ］るもので
なけねにＪならない。
あるとＱ Ｉ＝す・＊度の犬き因過重１日′ＣＸ−ｊし
て保護作用か低１・する。史ｌここの保護器を柑込んだ
回路はとれ１てに１片１発さＪ１工場製ノ梁に届’４１
− ｋ ４支１を釘１に製法によって作らｉ］るもので
なけねにＪならない。
この発明の−っの目的は多数の集積回路と場合によって
別の素肴ならひにバリスタから成るＩＷ舎回路＋’ｃ灼
して従来の製造方法Ｋ ３逓合すると同時（て占有空酬
］をてさるたけ小さくするととができる１氏イノダクタ
ンス！Ｉ′４造を実現することであン）３゜この目的け
４頭（で挙げた複合屯で一回路（〆ζ切して特許請求の
範囲第＋ 、ｎｔに竹徴表して挙け／こ１ｊ♂、成を探
Ｊ１］することによつ−Ｃ１卓成される。丑／ζ＋ｌＲ
ｒ許請求の範囲第３頃に示しＡ：方法によつ゛にの発明
ζ′こよる複合電子回路は何）□ｒｌＪ ＵＣ１□便作
することかできる。
別の素肴ならひにバリスタから成るＩＷ舎回路＋’ｃ灼
して従来の製造方法Ｋ ３逓合すると同時（て占有空酬
］をてさるたけ小さくするととができる１氏イノダクタ
ンス！Ｉ′４造を実現することであン）３゜この目的け
４頭（で挙げた複合屯で一回路（〆ζ切して特許請求の
範囲第＋ 、ｎｔに竹徴表して挙け／こ１ｊ♂、成を探
Ｊ１］することによつ−Ｃ１卓成される。丑／ζ＋ｌＲ
ｒ許請求の範囲第３頃に示しＡ：方法によつ゛にの発明
ζ′こよる複合電子回路は何）□ｒｌＪ ＵＣ１□便作
することかできる。
この発明（・」、曲の（１〜Ｉ′ｔｉｌｉ：素ｒに関連
して心安となっているバリスタも腹合１ｉ１１路に集り
、’（され／ζ（＋′４成部品、となっていなげノ１に
［ならないという４マーから出たもの−Ｃある。この考
えによる上腹γｒ回路−１、′１にイＶ数の集積量１６
６とその他の末子カリ１１介わきＬＬこいｂものに灯し
てｊｌｌ ’ｒｉ曹史月１されている支（−４一体を全
体のイ）１１合すにｈＪする基板として構成しこのノＩ
ＩＸイ反内に心安、！：するバリスタを実１１ＪＪする
ことＫな２：）。従来の複合回路Ｐｌ−論でバリスタ利
＋［として使用され／こ低風１プＥの酸化ｌｌｌ！鉛セ
ラミックの代りにこの発１１１−１による複合回路では
）１気絶は件あるいはできるだけ高Ｊ凡抗の酸化側屈か
基板（Ａ料として使ｉｔｌされる。後で述べるようにこ
のようなセラζツクを実際Ｋ Ｉ’ｌ；ることかできる
。
して心安となっているバリスタも腹合１ｉ１１路に集り
、’（され／ζ（＋′４成部品、となっていなげノ１に
［ならないという４マーから出たもの−Ｃある。この考
えによる上腹γｒ回路−１、′１にイＶ数の集積量１６
６とその他の末子カリ１１介わきＬＬこいｂものに灯し
てｊｌｌ ’ｒｉ曹史月１されている支（−４一体を全
体のイ）１１合すにｈＪする基板として構成しこのノＩ
ＩＸイ反内に心安、！：するバリスタを実１１ＪＪする
ことＫな２：）。従来の複合回路Ｐｌ−論でバリスタ利
＋［として使用され／こ低風１プＥの酸化ｌｌｌ！鉛セ
ラミックの代りにこの発１１１−１による複合回路では
）１気絶は件あるいはできるだけ高Ｊ凡抗の酸化側屈か
基板（Ａ料として使ｉｔｌされる。後で述べるようにこ
のようなセラζツクを実際Ｋ Ｉ’ｌ；ることかできる
。
この発明（てよれｉｚｆ電気絶縁性あるいはそ）１に近
い酸化亜鉛基板」−に一つ又は複数の集積回路と心安に
応じてその他の構成素子ならびに配線用の導体路が設け
られる。一つの集積回路と導体路との間の′電気結合は
σｎ常の機械製導、線結合Ｃ′こＪ、る。酸化亜鉛基板
の集積回路にも導体路（でも必νてな一表面部分が一つ
又は複数の・・リスクに使用される。
い酸化亜鉛基板」−に一つ又は複数の集積回路と心安に
応じてその他の構成素子ならびに配線用の導体路が設け
られる。一つの集積回路と導体路との間の′電気結合は
σｎ常の機械製導、線結合Ｃ′こＪ、る。酸化亜鉛基板
の集積回路にも導体路（でも必νてな一表面部分が一つ
又は複数の・・リスクに使用される。
これらのバリスタＶＣＸ＝Ｊ’ しては−・つ又はそれ
以１の集イアｆ回Ｉｌ！ｒ−ｉ々その他のイｔ／ｊｌｒ
Ｍ素ｒの少く吉も一部分が設けられている基鈑表血部分
又ｄ、体積部発呼でも使用１．ｌＪ ｉｊｉ’！、であ
る。これ１ｄこれらの回路の一つがバリスタの接地７ｆ
ｉ極の表面又に１その−１，力（ｆこあり、この接地上
極が同１１！ｉにその−ににある回路にχ・１４−る１
．１ム１辰休として作〕１１シているとき′１？ｉにイ
）利である。。
以１の集イアｆ回Ｉｌ！ｒ−ｉ々その他のイｔ／ｊｌｒ
Ｍ素ｒの少く吉も一部分が設けられている基鈑表血部分
又ｄ、体積部発呼でも使用１．ｌＪ ｉｊｉ’！、であ
る。これ１ｄこれらの回路の一つがバリスタの接地７ｆ
ｉ極の表面又に１その−１，力（ｆこあり、この接地上
極が同１１！ｉにその−ににある回路にχ・１４−る１
．１ム１辰休として作〕１１シているとき′１？ｉにイ
）利である。。
このような表面子・１１５分の下のｒ・１β化：Ｐ、
ｔＡ材わ１は＋ｉｉ＋に１ホベだ１−ベントの拡散によ
って屯気絶□１承仄ｉ、ｉトからバリスタ特性を示す状
惟に移されている。エネルギー１直の高い過電圧に灼し
て保護するためには基板のノン１定に開部分のｌ’ ｆ
ｉｌｌｌ ｃ’） Ｉ’ノさ全体で７パリスク時ｔ１″
に変換しておくのが有刊てあろ１．このＪ、４４合・・
リスクは基板の１ｉＪ面のフッ１定表面ｊ小鋒１の屯４
徹とその片面の対向電極との間に置かノする。
ｔＡ材わ１は＋ｉｉ＋に１ホベだ１−ベントの拡散によ
って屯気絶□１承仄ｉ、ｉトからバリスタ特性を示す状
惟に移されている。エネルギー１直の高い過電圧に灼し
て保護するためには基板のノン１定に開部分のｌ’ ｆ
ｉｌｌｌ ｃ’） Ｉ’ノさ全体で７パリスク時ｔ１″
に変換しておくのが有刊てあろ１．このＪ、４４合・・
リスクは基板の１ｉＪ面のフッ１定表面ｊ小鋒１の屯４
徹とその片面の対向電極との間に置かノする。
１ン［面＋ｉｃ示した実ｌＩ也１・＞ｌｊ ；（ついて
この・爪閉を史にオｒ細に説明する。
この・爪閉を史にオｒ細に説明する。
第１図（ｄ、二つのバリスタ２お」：ひｌ 、ｌ： −
・つの集積口１’ｉ−ｉ ＋から構成される実施１り１
１をｌＪζず。この集積１１角路・１は例えＬ／Ｊ歳子
回路かｊ！βらｔｌ、−ｃし）る半纏ｆイ・小板てあっ
て＾２気、絶１隊件の酸比ｉル鉛セツミックの基板５の
表面にきりつけら九ている。３Ｃ；は基板５の縁Ｉ瑞ま
で沖び／こ導体路であり縁−イ１１１部’？？４妾＆Ｒ
＋ン７１：を１［そ成する。これらの導体路の他”？Ｍ
ｆ ＆；ｊ、１お積回路・１の１ｒＢく寸で達しａｉｄ
積回路の司応する接イン１．端と接ｈ′し導１腺７に」
二って結ｄ−ねている。
・つの集積口１’ｉ−ｉ ＋から構成される実施１り１
１をｌＪζず。この集積１１角路・１は例えＬ／Ｊ歳子
回路かｊ！βらｔｌ、−ｃし）る半纏ｆイ・小板てあっ
て＾２気、絶１隊件の酸比ｉル鉛セツミックの基板５の
表面にきりつけら九ている。３Ｃ；は基板５の縁Ｉ瑞ま
で沖び／こ導体路であり縁−イ１１１部’？？４妾＆Ｒ
＋ン７１：を１［そ成する。これらの導体路の他”？Ｍ
ｆ ＆；ｊ、１お積回路・１の１ｒＢく寸で達しａｉｄ
積回路の司応する接イン１．端と接ｈ′し導１腺７に」
二って結ｄ−ねている。
＊’ｌ ａ！を引１／−Ｉで示したバリスタ２．：３か
、１１のる衣開部分ては基板Ｌ５の酸化ｌｊ鉛かバリス
タ１４什を示す。この発明による製造方法によ（９この
）Ｘｌ（分の絶縁性乃至高抵抗性の酸化１１１１鉛イｎ
’ ＋１が１・−ビ／グに、ｌＪつてバ１ルスタ月料＋
’′ｃ変えられている。
、１１のる衣開部分ては基板Ｌ５の酸化ｌｊ鉛かバリス
タ１４什を示す。この発明による製造方法によ（９この
）Ｘｌ（分の絶縁性乃至高抵抗性の酸化１１１１鉛イｎ
’ ＋１が１・−ビ／グに、ｌＪつてバ１ルスタ月料＋
’′ｃ変えられている。
第１図の破線８は基板５の背面に設けり、 ｈ ／こ１
ツ属層の境界を、ｉ、ず。この囮；売層はｊず・（リス
ク２゜：）の対電椿として使用きれるもσ）であるが、
同ｎ、ニアに集積回路４の′電気遮蔽とな一すてｌＪ）
る。基板５σ）Ｉ）＋１間の導体路がとりつけら、！］
てＩ／）る；Ｘ１１分にχ；１向する背面部分にけｊ＞
属層を設けず余、１１なＡ′ｌ・・り／′タンスが生じ
ないようにするのかイＪｉすであるかこ（Ｄキ）・バ／
タノスが邪雌にならないも＋７） ”’（”あ）ｌ−ｔ
（１１／１１え（Ｉ：ｌ’屯気遮蔽ｌ旧としてこの＋で
１；９にイ＋：ｉｌ：ｉ層を設７Ｊても良い。この部分
の両（１１ｉ１ （７）破線１８の間１１０シ２５（板
背・ｎｌの１チ屑層１ｄ接地されるので接続端１〕か設
けられる。１０と１１は基板に給ｉａ： ７（ｉ、 Ｉ
’Ｅを頬じ（る／こめの端子である１、こｔｌも（小端
−７−’ｌ （１，ｌ １は基板５の１１１１而に設け
らｆ１／こｉｔＬ極１２．ド）と電気結合される。これ
らのｒ４極１２．ドうは夫部号・ぐリスク２．；）と車
なり合つ−てい乙１゜ Ｉ４は・・リスクと９０青回路１１の１川のη（１’：
Ｆｒ ’４ Ｍ泉であるが極１隻ＶＣ短くして自已イ
ノタクタンスか最小になるようにする。
ツ属層の境界を、ｉ、ず。この囮；売層はｊず・（リス
ク２゜：）の対電椿として使用きれるもσ）であるが、
同ｎ、ニアに集積回路４の′電気遮蔽とな一すてｌＪ）
る。基板５σ）Ｉ）＋１間の導体路がとりつけら、！］
てＩ／）る；Ｘ１１分にχ；１向する背面部分にけｊ＞
属層を設けず余、１１なＡ′ｌ・・り／′タンスが生じ
ないようにするのかイＪｉすであるかこ（Ｄキ）・バ／
タノスが邪雌にならないも＋７） ”’（”あ）ｌ−ｔ
（１１／１１え（Ｉ：ｌ’屯気遮蔽ｌ旧としてこの＋で
１；９にイ＋：ｉｌ：ｉ層を設７Ｊても良い。この部分
の両（１１ｉ１ （７）破線１８の間１１０シ２５（板
背・ｎｌの１チ屑層１ｄ接地されるので接続端１〕か設
けられる。１０と１１は基板に給ｉａ： ７（ｉ、 Ｉ
’Ｅを頬じ（る／こめの端子である１、こｔｌも（小端
−７−’ｌ （１，ｌ １は基板５の１１１１而に設け
らｆ１／こｉｔＬ極１２．ド）と電気結合される。これ
らのｒ４極１２．ドうは夫部号・ぐリスク２．；）と車
なり合つ−てい乙１゜ Ｉ４は・・リスクと９０青回路１１の１川のη（１’：
Ｆｒ ’４ Ｍ泉であるが極１隻ＶＣ短くして自已イ
ノタクタンスか最小になるようにする。
第２図（ｒま第１図の回路の接続図でありて各部す（・
しは第１図と同じ番づがつ（すであるＬｌ 、ＪＴ ２
図から回路・１が逼屯圧保；ｉψ用の・（リスク２，３
の１１１ｊ″′Ｃ残りの全回路に接＋ｉ１．さＪ′１て
いるこ七が分る。この発明による装置の一つの利点（は
１羊米の・装置の・・リスク接、涜導、線の高１ｆ＋
ｉ′ｌ弓インダクタンスか実際士完全に消１威し、バリ
スタか急」ニガする過電圧・す【スにｒ＝ｊ しても＃
’： Ｒ＜回１’ｌＶｉ＊−保５）φ＋／１４ることで
ある。
しは第１図と同じ番づがつ（すであるＬｌ 、ＪＴ ２
図から回路・１が逼屯圧保；ｉψ用の・（リスク２，３
の１１１ｊ″′Ｃ残りの全回路に接＋ｉ１．さＪ′１て
いるこ七が分る。この発明による装置の一つの利点（は
１羊米の・装置の・・リスク接、涜導、線の高１ｆ＋
ｉ′ｌ弓インダクタンスか実際士完全に消１威し、バリ
スタか急」ニガする過電圧・す【スにｒ＝ｊ しても＃
’： Ｒ＜回１’ｌＶｉ＊−保５）φ＋／１４ることで
ある。
多数のシノロｊＩで回路１． ４’、 ４“とｆｌｉ’
ｉｌ別本ｒ′：）・１から成る混成回路を含む実施例の
概゛沈を第；）図に小ず。
ｉｌ別本ｒ′：）・１から成る混成回路を含む実施例の
概゛沈を第；）図に小ず。
基板５′」−に集積された部品である・・リスクに１．
２′。
２′。
’ｉ″、 ：（′、：ｌ“として小さ１１ている１１個
別素１′；）・１は１り）］え＋ｃｔ債層コ／テンザ、
抵抗前て゛ある１゜第・１図にこの発明（でよる・刈１
゜上イ“、゛の糸、６「図を示す。粉状の酸化亜；イ）
を規定最の酸化−／ガ／と共に４くに混合して泥ｉ１と
し、磨砕した抜水を除き、０］塑ｉ”ｉｌｌ ＩＦＩＩ
えはボリヒメルを加える（ｊｌ）、この４ｇ、１−１を
成１杉プレス又は引き抜きにに７ア（’ ＋＋、 ２１
シー１〕１朋のＩ￥さを持つＩ９Ｔ定″、］宍の板にｔ
、づ（１゛２う、この才取゛イ板を乾燥［また後空気１
１川（１５ｆＪ ’Ｃか１−７１２ ｏ ｏ ｃＯ間の
温度で焼、拮する（１；ｌｌ）。これによ−って屯気＋
ｉ’１７！縁性の酸化曲鉛−レラεツクが作１らノする
。
別素１′；）・１は１り）］え＋ｃｔ債層コ／テンザ、
抵抗前て゛ある１゜第・１図にこの発明（でよる・刈１
゜上イ“、゛の糸、６「図を示す。粉状の酸化亜；イ）
を規定最の酸化−／ガ／と共に４くに混合して泥ｉ１と
し、磨砕した抜水を除き、０］塑ｉ”ｉｌｌ ＩＦＩＩ
えはボリヒメルを加える（ｊｌ）、この４ｇ、１−１を
成１杉プレス又は引き抜きにに７ア（’ ＋＋、 ２１
シー１〕１朋のＩ￥さを持つＩ９Ｔ定″、］宍の板にｔ
、づ（１゛２う、この才取゛イ板を乾燥［また後空気１
１川（１５ｆＪ ’Ｃか１−７１２ ｏ ｏ ｃＯ間の
温度で焼、拮する（１；ｌｌ）。これによ−って屯気＋
ｉ’１７！縁性の酸化曲鉛−レラεツクが作１らノする
。
このよう（′ｃして作らｔｌに焼結仮のバリズタｒ定区
域にいくつかのドーピング酸化物と一種類の有機結合１
１すから成るパスタ状混合物を例えＵＬノルクスクリー
ン法によってバリスタｒ一定区域に印刷Ｉ−る（ １・
１）。ドーヒ°ング１峻イＩＳ′４勿とし、てｔ２Ｌ・
・リスクセラシックにおいて公知のビＺ−７ス ：Ｉ
ハ／ｌ、 ｌ・、アンチモノ、クロム、チタン、ホウ素
及びプラセオジムの酸化物が使用される。印刷したパス
タ状混合物の乾燥後基＊ｈ、５ｒに集積されるバリスタ
し ３的の製作のために酸化雰囲気内で７０乃至１２５
０℃の温度において０．１乃至２時間のデンバー熱処ｌ
′ｊｌｊが行なわれる（４５）。その際基板５のセラ（
ツク祠科内に拡牧侵入した酸化物が絶縁性の％ｌ子とそ
の表面層に導屯性余りえる。この過！！、？ ｆｔｉ公
知の酸化１１ｆ鉛・・リスクの・型費１・（際［）Ｃ原
叩的（で知られ−Ｃいるものである。
域にいくつかのドーピング酸化物と一種類の有機結合１
１すから成るパスタ状混合物を例えＵＬノルクスクリー
ン法によってバリスタｒ一定区域に印刷Ｉ−る（ １・
１）。ドーヒ°ング１峻イＩＳ′４勿とし、てｔ２Ｌ・
・リスクセラシックにおいて公知のビＺ−７ス ：Ｉ
ハ／ｌ、 ｌ・、アンチモノ、クロム、チタン、ホウ素
及びプラセオジムの酸化物が使用される。印刷したパス
タ状混合物の乾燥後基＊ｈ、５ｒに集積されるバリスタ
し ３的の製作のために酸化雰囲気内で７０乃至１２５
０℃の温度において０．１乃至２時間のデンバー熱処ｌ
′ｊｌｊが行なわれる（４５）。その際基板５のセラ（
ツク祠科内に拡牧侵入した酸化物が絶縁性の％ｌ子とそ
の表面層に導屯性余りえる。この過！！、？ ｆｔｉ公
知の酸化１１ｆ鉛・・リスクの・型費１・（際［）Ｃ原
叩的（で知られ−Ｃいるものである。
第１図について訂、■（ＩＣｒｆ５）、明し／こバリス
タ２．；：の１荘極ヤ属層＋２．＋：＋は適当な余属の
・冬着、スパツタリング又はシルクスクリーーー−／り
とそれに続く焼き角けによつ−６作られる（・１１；）
。その際接続導体路にとその他の接触部および導体路１
）。
タ２．；：の１荘極ヤ属層＋２．＋：＋は適当な余属の
・冬着、スパツタリング又はシルクスクリーーー−／り
とそれに続く焼き角けによつ−６作られる（・１１；）
。その際接続導体路にとその他の接触部および導体路１
）。
１０、、＋ １も同時に作らｉする。これに」：って基
板５（はｌ）Ｉ定の集積回路とＦＪ属１区了部品を備え
／こ完成品となる。
板５（はｌ）Ｉ定の集積回路とＦＪ属１区了部品を備え
／こ完成品となる。
第５図はこの発明に」：り基板内に設け１．−）八るバ
リスタの別のＪ［う態を）１くず。電極「）：３と７．
１′屯極５８は一部分だけを示したＸへ５５の回し表面
に設けられる。基板５５はその厚さの−・Ｆｒｌｉ分５
（；だけかバリスタ特性を７Ｊマすものであるのが２０
利である。
リスタの別のＪ［う態を）１くず。電極「）：３と７．
１′屯極５８は一部分だけを示したＸへ５５の回し表面
に設けられる。基板５５はその厚さの−・Ｆｒｌｉ分５
（；だけかバリスタ特性を７Ｊマすものであるのが２０
利である。
、＋ １’Ｊ ｕｂ （７） ｌｊ ｊｌ’−な説明
Ｉ鍔１図はこの発明の一つの実施例、第２図は第１図の
回路の接続図、第：３図１１ユこの発明による混成回路
の概念１図、第４図はこの発明による製績Ｔ哩の系緋図
、第５図はこの発明の別の実力布１１１専の見取図を示
す。第１図において、５：基板、２と：（：バリスタ区
域、・１：集積回路。
Ｉ鍔１図はこの発明の一つの実施例、第２図は第１図の
回路の接続図、第：３図１１ユこの発明による混成回路
の概念１図、第４図はこの発明による製績Ｔ哩の系緋図
、第５図はこの発明の別の実力布１１１専の見取図を示
す。第１図において、５：基板、２と：（：バリスタ区
域、・１：集積回路。
「ＩＯ２
＝２７７
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■）基板（５）が酸化捕鉛−ヒラミックから成ること、 基板の二つの部分区域（２，Ｘ（）の少く表も一方がバ
リスタ特性を示すセラミックとして構成され、一方又は
双方の’、ＸＩＩ 、’＞区域のに囲に設Ｖづられ／こ
二つの？仇極（）ｔ；１２．に））をイＩｍえて一つの
構成素Ｔを１［ニ成すること、基板の残りの区域か少く
とも近イＪ）的（Ｃ電気絶縁性となっていること を！時機とする複数の構成累計を含み、少くども一つの
ｉｎ構成素子基板表面ＶＣ設けＩ：コれ、基板の一つの
部分区域に作らｊＬ／こ少くとも一つの構成素子と導′
亀結合されてし）る腹合電子回路。 ２）基板表面に少くとも一つの集積半導体回路と少くと
も一つの混成化さｆ’ｌた′屯「゛素ｒとが設けられて
いることを特敵とする］信Ｎ′ｌ’ 、ｉｉ−＋求のＩ
絶囲＋ｇ Ｉ ｊｒ４記ｄ ノ腹ｇ ？ｉｌイ回１う６
３、；３）最ＶＪＩＣ酸化【１１１鉛セラミ゛ツクかｋ
】、１ノン［、？−１フル仄の基板を作り、その際出発
４Ａ’ ：ｌ”ｌの酸化亜鉛にそれで作られるセラミッ
クを電気５ピＬ２に４ ｉ’：ｌ−とする１・−ベット
を入れておくこと、Ａｒｌじ〈］１．稈段におｈでバリ
スタに予Ａこされた）Ａ板表囲部分乞・１・−ベントの
パスタ、１犬（昆８−′４勿Ｃ１麻つこと、ｈ′じいて
７５（〕乃至１ ：（８（１Ｃの’！ＩＩ’（Ｉｌｔで
０．１約１〕２時間のテンパー処ｌＩＩ＋によりこの仮
国層の十の基板セラミック４ｉｔ Ｒ）ｃバリスタフ１
つ慴をりえることをＣ時機とする複合？％了回路の・投
造力法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3231118A DE3231118C1 (de) | 1982-08-20 | 1982-08-20 | Kombinierte Schaltungsanordnung mit Varistor und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| DE32311184 | 1982-08-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5954264A true JPS5954264A (ja) | 1984-03-29 |
Family
ID=6171378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58150892A Pending JPS5954264A (ja) | 1982-08-20 | 1983-08-18 | 複合電子回路およびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4506285A (ja) |
| EP (1) | EP0103748B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5954264A (ja) |
| DE (2) | DE3231118C1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03160334A (ja) * | 1989-11-17 | 1991-07-10 | Murata Mfg Co Ltd | 測温抵抗体 |
| JPH03160333A (ja) * | 1989-11-17 | 1991-07-10 | Murata Mfg Co Ltd | 測温抵抗体 |
Families Citing this family (47)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2524712B1 (fr) * | 1982-03-31 | 1985-06-07 | Radiotechnique Compelec | Circuit hyperfrequence a condensateur integre et application a un circuit d'alimentation |
| EP0116454B1 (en) * | 1983-02-11 | 1987-04-29 | National Research Development Corporation | Enhanced luminescent or luminometric assay |
| DE3335195A1 (de) * | 1983-09-28 | 1985-04-04 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Kombinierte schaltung mit varistor |
| FR2726941A1 (fr) * | 1986-01-28 | 1996-05-15 | Cimsa Cintra | Dispositif integre de protection par varistance d'un composant electronique contre les effets d'un champ electro-magnetique ou de charges statiques |
| DE3729013A1 (de) * | 1987-08-31 | 1989-03-09 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung mit einem varistor als ueberspannungsschutz fuer ein eine elektrische schaltung enthaltendes bauelement |
| CA2107906C (en) * | 1992-02-25 | 1998-05-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Zinc oxide varistor and process for the production thereof |
| US5781682A (en) * | 1996-02-01 | 1998-07-14 | International Business Machines Corporation | Low-cost packaging for parallel optical computer link |
| KR100219080B1 (ko) * | 1996-08-09 | 1999-09-01 | 김영환 | 반도체 장치의 패키지용 리드프레임 및 반도체 장치 |
| US5869898A (en) * | 1997-04-25 | 1999-02-09 | Nec Corporation | Lead-frame having interdigitated signal and ground leads with high frequency leads positioned adjacent a corner and shielded by ground leads on either side thereof |
| US6094128A (en) * | 1998-08-11 | 2000-07-25 | Maida Development Company | Overload protected solid state varistors |
| US20100044079A1 (en) * | 1999-08-27 | 2010-02-25 | Lex Kosowsky | Metal Deposition |
| US7825491B2 (en) * | 2005-11-22 | 2010-11-02 | Shocking Technologies, Inc. | Light-emitting device using voltage switchable dielectric material |
| US20100040896A1 (en) * | 1999-08-27 | 2010-02-18 | Lex Kosowsky | Metal Deposition |
| US20100044080A1 (en) * | 1999-08-27 | 2010-02-25 | Lex Kosowsky | Metal Deposition |
| US20100038119A1 (en) * | 1999-08-27 | 2010-02-18 | Lex Kosowsky | Metal Deposition |
| US20100038121A1 (en) * | 1999-08-27 | 2010-02-18 | Lex Kosowsky | Metal Deposition |
| AU6531600A (en) * | 1999-08-27 | 2001-03-26 | Lex Kosowsky | Current carrying structure using voltage switchable dielectric material |
| US20080035370A1 (en) * | 1999-08-27 | 2008-02-14 | Lex Kosowsky | Device applications for voltage switchable dielectric material having conductive or semi-conductive organic material |
| US6981319B2 (en) * | 2003-02-13 | 2006-01-03 | Shrier Karen P | Method of manufacturing devices to protect election components |
| US7279724B2 (en) * | 2004-02-25 | 2007-10-09 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Ceramic substrate for a light emitting diode where the substrate incorporates ESD protection |
| US7218492B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-05-15 | Electronic Polymers, Inc. | Devices and systems for electrostatic discharge suppression |
| EP1946336A1 (en) * | 2005-10-19 | 2008-07-23 | Littelfuse Ireland Development Company Limited | A varistor and production method |
| CN101496167A (zh) * | 2005-11-22 | 2009-07-29 | 肖克科技有限公司 | 用于过电压保护的包括电压可变换材料的半导体器件 |
| US20100264224A1 (en) * | 2005-11-22 | 2010-10-21 | Lex Kosowsky | Wireless communication device using voltage switchable dielectric material |
| US20080032049A1 (en) * | 2006-07-29 | 2008-02-07 | Lex Kosowsky | Voltage switchable dielectric material having high aspect ratio particles |
| US7968014B2 (en) | 2006-07-29 | 2011-06-28 | Shocking Technologies, Inc. | Device applications for voltage switchable dielectric material having high aspect ratio particles |
| US20080029405A1 (en) * | 2006-07-29 | 2008-02-07 | Lex Kosowsky | Voltage switchable dielectric material having conductive or semi-conductive organic material |
| CN101506912B (zh) * | 2006-09-19 | 2011-10-12 | 东莞令特电子有限公司 | 包括钝化层的变阻器的制造 |
| CN101536190A (zh) | 2006-09-24 | 2009-09-16 | 肖克科技有限公司 | 具有分级电压响应的电压可切换介电材料的配方及其制造方法 |
| US20120119168A9 (en) * | 2006-11-21 | 2012-05-17 | Robert Fleming | Voltage switchable dielectric materials with low band gap polymer binder or composite |
| US7793236B2 (en) * | 2007-06-13 | 2010-09-07 | Shocking Technologies, Inc. | System and method for including protective voltage switchable dielectric material in the design or simulation of substrate devices |
| US8206614B2 (en) * | 2008-01-18 | 2012-06-26 | Shocking Technologies, Inc. | Voltage switchable dielectric material having bonded particle constituents |
| US8203421B2 (en) * | 2008-04-14 | 2012-06-19 | Shocking Technologies, Inc. | Substrate device or package using embedded layer of voltage switchable dielectric material in a vertical switching configuration |
| US20100047535A1 (en) * | 2008-08-22 | 2010-02-25 | Lex Kosowsky | Core layer structure having voltage switchable dielectric material |
| WO2010033635A1 (en) * | 2008-09-17 | 2010-03-25 | Shocking Technologies, Inc. | Voltage switchable dielectric material containing boron compound |
| US9208930B2 (en) * | 2008-09-30 | 2015-12-08 | Littelfuse, Inc. | Voltage switchable dielectric material containing conductive core shelled particles |
| US9208931B2 (en) * | 2008-09-30 | 2015-12-08 | Littelfuse, Inc. | Voltage switchable dielectric material containing conductor-on-conductor core shelled particles |
| US8362871B2 (en) * | 2008-11-05 | 2013-01-29 | Shocking Technologies, Inc. | Geometric and electric field considerations for including transient protective material in substrate devices |
| US8272123B2 (en) | 2009-01-27 | 2012-09-25 | Shocking Technologies, Inc. | Substrates having voltage switchable dielectric materials |
| US9226391B2 (en) | 2009-01-27 | 2015-12-29 | Littelfuse, Inc. | Substrates having voltage switchable dielectric materials |
| US8399773B2 (en) | 2009-01-27 | 2013-03-19 | Shocking Technologies, Inc. | Substrates having voltage switchable dielectric materials |
| KR101679099B1 (ko) | 2009-03-26 | 2016-11-23 | 쇼킹 테크놀로지스 인코포레이티드 | 전압 스위칭형 유전 물질을 갖는 소자 |
| US9053844B2 (en) * | 2009-09-09 | 2015-06-09 | Littelfuse, Inc. | Geometric configuration or alignment of protective material in a gap structure for electrical devices |
| US20110198544A1 (en) * | 2010-02-18 | 2011-08-18 | Lex Kosowsky | EMI Voltage Switchable Dielectric Materials Having Nanophase Materials |
| US9320135B2 (en) * | 2010-02-26 | 2016-04-19 | Littelfuse, Inc. | Electric discharge protection for surface mounted and embedded components |
| US9224728B2 (en) * | 2010-02-26 | 2015-12-29 | Littelfuse, Inc. | Embedded protection against spurious electrical events |
| US9082622B2 (en) | 2010-02-26 | 2015-07-14 | Littelfuse, Inc. | Circuit elements comprising ferroic materials |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2120787A1 (de) * | 1971-04-28 | 1972-11-16 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und integrierten Schaltungen |
| US3768058A (en) * | 1971-07-22 | 1973-10-23 | Gen Electric | Metal oxide varistor with laterally spaced electrodes |
| US3743897A (en) * | 1971-08-05 | 1973-07-03 | Gen Electric | Hybrid circuit arrangement with metal oxide varistor shunt |
| US3896480A (en) * | 1971-10-22 | 1975-07-22 | Gen Electric | Semiconductor device with housing of varistor material |
| US3805114A (en) * | 1972-03-01 | 1974-04-16 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Voltage-nonlinear resistors |
| US3764566A (en) * | 1972-03-24 | 1973-10-09 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Voltage nonlinear resistors |
| DE2820118C2 (de) * | 1977-06-23 | 1985-04-11 | Kombinat Veb Keramische Werke Hermsdorf, Ddr 6530 Hermsdorf | Oxid-Varistor und Verfahren zu dessen Herstellung |
| DD137867A1 (de) * | 1978-07-20 | 1979-09-26 | Guenter Weise | Substrat fuer keramische halbleiterwiderstaende und herstellungsverfahren |
-
1982
- 1982-08-20 DE DE3231118A patent/DE3231118C1/de not_active Expired
-
1983
- 1983-07-25 US US06/516,676 patent/US4506285A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-08-16 EP EP19830108085 patent/EP0103748B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1983-08-16 DE DE8383108085T patent/DE3381764D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1983-08-18 JP JP58150892A patent/JPS5954264A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03160334A (ja) * | 1989-11-17 | 1991-07-10 | Murata Mfg Co Ltd | 測温抵抗体 |
| JPH03160333A (ja) * | 1989-11-17 | 1991-07-10 | Murata Mfg Co Ltd | 測温抵抗体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3381764D1 (de) | 1990-08-30 |
| EP0103748B1 (de) | 1990-07-25 |
| EP0103748A2 (de) | 1984-03-28 |
| US4506285A (en) | 1985-03-19 |
| DE3231118C1 (de) | 1983-11-03 |
| EP0103748A3 (en) | 1986-03-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4506285A (en) | Substrate made of varistor material having a plurality of electronic components mounted thereon | |
| JPS646534B2 (ja) | ||
| EP0186765A2 (en) | End termination for chip capacitor | |
| DE3433779A1 (de) | Schutzschicht fuer halbleiterschaltungen | |
| JPS6316282Y2 (ja) | ||
| JPS5834751Y2 (ja) | サ−ジ吸収器 | |
| JPS59132611A (ja) | コンデンサ複合基板 | |
| JPS6041691Y2 (ja) | サ−ジ吸収器 | |
| JPS59198775A (ja) | 太陽電池 | |
| JPS6092692A (ja) | バリスタを含む複合回路とその製法 | |
| JPS60100725U (ja) | 表示装置 | |
| JPS6317239Y2 (ja) | ||
| JPH0214291Y2 (ja) | ||
| JPS5915444Y2 (ja) | 避雷器 | |
| JPS59167057A (ja) | シリコン半導体電極 | |
| JPS5847880B2 (ja) | 印刷回路板 | |
| JPS58100482A (ja) | 積層コンデンサを内蔵する混成集積回路用基板 | |
| JPH0139065Y2 (ja) | ||
| JPH01137802A (ja) | アンテナ装置 | |
| JP3158529B2 (ja) | ノイズフィルタ | |
| SU799023A1 (ru) | Токопровод щий состав | |
| JPS5916127U (ja) | 貫通形コンデンサ | |
| JPH0559801U (ja) | 積層電子部品 | |
| JPS60247902A (ja) | 限流抵抗素子 | |
| JPS5917294A (ja) | 複合積層セラミツク部品とその製造方法 |