JPS5955309A - 気体分離用複合成形体 - Google Patents
気体分離用複合成形体Info
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- JPS5955309A JPS5955309A JP16618282A JP16618282A JPS5955309A JP S5955309 A JPS5955309 A JP S5955309A JP 16618282 A JP16618282 A JP 16618282A JP 16618282 A JP16618282 A JP 16618282A JP S5955309 A JPS5955309 A JP S5955309A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- gas separation
- separation
- composite molded
- oxygen
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- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は良好な気体透過性を有すると共に気体の選択旧
す1ii1機能にすぐれた気体分離用複合成形体に関し
、とくには空気から酸素富化空気を得るのに好適とされ
る気体分離用複合成形体の提供を目的とする。
す1ii1機能にすぐれた気体分離用複合成形体に関し
、とくには空気から酸素富化空気を得るのに好適とされ
る気体分離用複合成形体の提供を目的とする。
最近、限外濾過膜、逆浸透膜、ガス透過膜等の高分子膜
を利用する分離技術の進歩発展VC,は著しいものがあ
り、そのいくつかは工業的規模で実用化されている。し
かしながら、現実に実用化されているものは海水の淡水
化、工場廃液の処理1食品(液状物)の濃縮等液−液分
離もしくに液−固分離であシ、気−気分離すなわち2種
以上の混合ガスから特定ガスの富化もしくは分離につい
てになお、研究段階にとどまっている。
を利用する分離技術の進歩発展VC,は著しいものがあ
り、そのいくつかは工業的規模で実用化されている。し
かしながら、現実に実用化されているものは海水の淡水
化、工場廃液の処理1食品(液状物)の濃縮等液−液分
離もしくに液−固分離であシ、気−気分離すなわち2種
以上の混合ガスから特定ガスの富化もしくは分離につい
てになお、研究段階にとどまっている。
このガス分離膜が実用化されていない海山としては1選
択透過性が小さいこと、すなわち特定の気体を選択門に
通し他の気体をほとんど通さないという模がないため、
高純度の気体を得るには膜分離を何度か繰り返す多段方
式を採用する必要があり、そのために装置が大きくなり
すぎることおよび透過流量が小さいため多量のガスを生
産できないことである。
択透過性が小さいこと、すなわち特定の気体を選択門に
通し他の気体をほとんど通さないという模がないため、
高純度の気体を得るには膜分離を何度か繰り返す多段方
式を採用する必要があり、そのために装置が大きくなり
すぎることおよび透過流量が小さいため多量のガスを生
産できないことである。
ガス分離膜の技術に関する問題点は、膜の分離能力を低
下させずに、如何にしてその単位面積当りの透過流量を
増大させる7)xということである。
下させずに、如何にしてその単位面積当りの透過流量を
増大させる7)xということである。
また、分離膜の厚さと透過流量とは逆比例関係があり、
透過流量を増大させるには膜の厚さを減する必要がある
。しかし、薄膜化するとピンホール、ブラッグの発生あ
るいは厚みむら等が起り易く、均一なガス透過性を有す
る薄膜の製造が困難であるばかりでなく、ガス力離性も
徐々に低下するという問題があり、分離膜の薄膜化のみ
でu +r Xll係数2.5以上と百うすぐれた分1
lll能を達成することはできない。
透過流量を増大させるには膜の厚さを減する必要がある
。しかし、薄膜化するとピンホール、ブラッグの発生あ
るいは厚みむら等が起り易く、均一なガス透過性を有す
る薄膜の製造が困難であるばかりでなく、ガス力離性も
徐々に低下するという問題があり、分離膜の薄膜化のみ
でu +r Xll係数2.5以上と百うすぐれた分1
lll能を達成することはできない。
一方1選択透過性の点からみると最終用途として必ずし
も高純1隻のガスを必要としない分野も多々あり、例え
ば酸素の場合高炉送風用、燃焼補助用、廃液処理曝気用
、1笈療における呼2用等としてはいわゆる酸素富化空
気であればその目的が達成される。
も高純1隻のガスを必要としない分野も多々あり、例え
ば酸素の場合高炉送風用、燃焼補助用、廃液処理曝気用
、1笈療における呼2用等としてはいわゆる酸素富化空
気であればその目的が達成される。
しかして−酸素富化空気を得る従来の方法としては空気
分離装置(空気液化法)で高純度酸素を製造し、これを
空気と混合することで目的とする高い 酸素濃度痛素富化空気を得ていたが、この場合高純度酸
素は圧力容器に入っているため、取扱い上の危険性、混
合ガス濃度を一定とするための操作の煩雑性等の問題が
あシ、宵利な方法ではない。
分離装置(空気液化法)で高純度酸素を製造し、これを
空気と混合することで目的とする高い 酸素濃度痛素富化空気を得ていたが、この場合高純度酸
素は圧力容器に入っているため、取扱い上の危険性、混
合ガス濃度を一定とするための操作の煩雑性等の問題が
あシ、宵利な方法ではない。
他方またオルガノポリシロキチン−ポリカーボネート共
重合体溶液を液状の流延支持体の表面に滴下することに
より極薄の膜を作シ、この膜をガスカ離膜として使用す
ることにより酸素富化空気を得る方法(特開昭54−4
0868号公報参照)も試みられている。この方法はガ
ス透過量を多くするために極薄の膜を使用するのである
が、支持体なしで厚さ0.I/Im程度の膜を安定して
作ることは非常に困難であるほか、このような極薄の膜
を装置に組み込む場合において、その取扱いが面倒であ
るという問題点があり、実用化されるに至っていない。
重合体溶液を液状の流延支持体の表面に滴下することに
より極薄の膜を作シ、この膜をガスカ離膜として使用す
ることにより酸素富化空気を得る方法(特開昭54−4
0868号公報参照)も試みられている。この方法はガ
ス透過量を多くするために極薄の膜を使用するのである
が、支持体なしで厚さ0.I/Im程度の膜を安定して
作ることは非常に困難であるほか、このような極薄の膜
を装置に組み込む場合において、その取扱いが面倒であ
るという問題点があり、実用化されるに至っていない。
本発明者らはこれらの問題点を解決するために鋭意研究
した結果1例えば製膜の再現性がよく。
した結果1例えば製膜の再現性がよく。
取扱い上の操作が比較的簡単で69、ガスの分離能力が
晶く、かつ、単位面積当りの透過流量が多大であるガス
(気体〕分離用複合成形体を完成した。
晶く、かつ、単位面積当りの透過流量が多大であるガス
(気体〕分離用複合成形体を完成した。
丁なわら、本発明は有機高分子材料もしくは無機多孔質
材料で作られた、気体透過部における酸素透過係数が1
xlOclI−tTn/M・sec・cm Hg以上で
ある成形体に、葺成化合物の低1品プラズマ小合膜を設
けてなる分離係数2,5以上の気体分離用複合成形体に
関するものであシ、とくに空気から酸素富化空気を得る
のに好適とされる気体分離用複合成形体を提供するもの
である。
材料で作られた、気体透過部における酸素透過係数が1
xlOclI−tTn/M・sec・cm Hg以上で
ある成形体に、葺成化合物の低1品プラズマ小合膜を設
けてなる分離係数2,5以上の気体分離用複合成形体に
関するものであシ、とくに空気から酸素富化空気を得る
のに好適とされる気体分離用複合成形体を提供するもの
である。
本発明によればその気体分離用複合成形体例えばフィル
ム状態が分離係数2.5以上というすぐれた“性能を備
えたものであり、その基体フィルムが若干のビンホール
−ブラッグ等を有していてもその上に形成される低温プ
ラズマ重合膜によってカバーされるために、′)′f離
膜の薄膜化は容易となり、高いガス分離性能が達成され
る。
ム状態が分離係数2.5以上というすぐれた“性能を備
えたものであり、その基体フィルムが若干のビンホール
−ブラッグ等を有していてもその上に形成される低温プ
ラズマ重合膜によってカバーされるために、′)′f離
膜の薄膜化は容易となり、高いガス分離性能が達成され
る。
以下本発明を詳細に説明する。
本発明に使用される成ノ1ネ体としては一般の有機高分
子材料刀鳥ら作られたフィルム−シート、中空体あるい
は中空糸、プラスチックスの焼結成形体、無1幾多孔賀
材料で作られた各種形状の成形体が色代されるが、これ
ら成形体に気体透過部におけるどは一素rRdjJ イ
糸敬が l XI Ocr/I −tyn/cr
l ・ sec ・錆Hg以上であることが必要と
される。酸素透過係数がこれよりも小さいと単位面槓当
りの透過流V11が小さく rxす、工業同規模での分
離性能に劣るものとなる。
子材料刀鳥ら作られたフィルム−シート、中空体あるい
は中空糸、プラスチックスの焼結成形体、無1幾多孔賀
材料で作られた各種形状の成形体が色代されるが、これ
ら成形体に気体透過部におけるどは一素rRdjJ イ
糸敬が l XI Ocr/I −tyn/cr
l ・ sec ・錆Hg以上であることが必要と
される。酸素透過係数がこれよりも小さいと単位面槓当
りの透過流V11が小さく rxす、工業同規模での分
離性能に劣るものとなる。
十紀有醐簡分子材料としては、ポリエチレン。
ホリブロビレン、ポリセルロースアセテート、ポリカー
ボネート、ポリエチレンテレフタレート。
ボネート、ポリエチレンテレフタレート。
ポリビニルアルコール、ポリスチレン、ポリスルホン−
芳香族ポリエステル、ポリ塩化ビニル、ポリエレン系樹
脂、ふっ素糸樹脂、シリコーン系樹脂などが、また弾N
多孔質材料としては金1声、鉱物質の焼結体、磁器、陶
器、素焼、ニューセラミラグなどがそれぞJ1包含され
る。こす1.ら材料は対象とするガス分にWの種類、そ
の他の目的に応じて有利な材料が選択されなければなら
ないのであるが−例えば空気より酸素バ化草気を舟る目
FFJに対しては、よF)r4g累透過度のすぐれた材
料を使うのが有利であり、この?l+’μ点からげシリ
コーン系樹脂が好肩とされる。
芳香族ポリエステル、ポリ塩化ビニル、ポリエレン系樹
脂、ふっ素糸樹脂、シリコーン系樹脂などが、また弾N
多孔質材料としては金1声、鉱物質の焼結体、磁器、陶
器、素焼、ニューセラミラグなどがそれぞJ1包含され
る。こす1.ら材料は対象とするガス分にWの種類、そ
の他の目的に応じて有利な材料が選択されなければなら
ないのであるが−例えば空気より酸素バ化草気を舟る目
FFJに対しては、よF)r4g累透過度のすぐれた材
料を使うのが有利であり、この?l+’μ点からげシリ
コーン系樹脂が好肩とされる。
このシリコーン系樹脂にはメチル糸ボリシaキサン、フ
ェニル糸ボリシσキチン、メチルフェニル系ポリシロキ
サン、ビニル系ポリシロキサン、さらに他のアルキルも
しくにハロゲン、シアノ基で置換されたアルキル基を有
するポリシロキサン、それらの混合体あるいはこれらと
他の有機化合物とのコポリマー例えばシリコーン−カー
ボネートコポリマー1,7リコーンーウレタンコボリマ
ー、シリコーン−アクリルコポリマーなどが、さらには
変性ポリシロキサン例えばアミノ&f性ポリシロキサン
、エボキリ糸変性ポリシロキサン、アグリル糸変性ポリ
シロキサン、ポリエーテル変性ポリシロキチン、フェノ
ール変性ポリシロキチンなどが包含される。
ェニル糸ボリシσキチン、メチルフェニル系ポリシロキ
サン、ビニル系ポリシロキサン、さらに他のアルキルも
しくにハロゲン、シアノ基で置換されたアルキル基を有
するポリシロキサン、それらの混合体あるいはこれらと
他の有機化合物とのコポリマー例えばシリコーン−カー
ボネートコポリマー1,7リコーンーウレタンコボリマ
ー、シリコーン−アクリルコポリマーなどが、さらには
変性ポリシロキサン例えばアミノ&f性ポリシロキサン
、エボキリ糸変性ポリシロキサン、アグリル糸変性ポリ
シロキサン、ポリエーテル変性ポリシロキチン、フェノ
ール変性ポリシロキチンなどが包含される。
これらシリコーン系樹脂の構造としては―錫杖。
分枝状、網状のいずれでもよく、必要vtc応じて硬化
剤の添7J1.I VCより架偏させることもできる。
剤の添7J1.I VCより架偏させることもできる。
例えば熱硬化型ポリシロキサンには硬化用触媒あるいは
バーブキサイドのいずれを使用してもよく、また室ず晶
1便化型ポリνロギサンにに脱オキシム型。
バーブキサイドのいずれを使用してもよく、また室ず晶
1便化型ポリνロギサンにに脱オキシム型。
脱酢酸型、脱アルコール型、脱アセトン型など各種のも
のが包含される。
のが包含される。
T−i 1’l晶分子亭4料から前記した各棟の成形体
を得る方lリーとしてば、西宮の押出成形−圧縮成形、
カレンダー幌上、モールティング成形、キャスティング
成形等の方法によればよく、その成形方法に制限はない
。また無機多孔質材料の場合も、酸素透過係数が前記し
た値を満足する限り、従来公知の成形方法に阜じれはよ
く、板状体、シート状体、管状体等各種形状の成形体が
作られる。
を得る方lリーとしてば、西宮の押出成形−圧縮成形、
カレンダー幌上、モールティング成形、キャスティング
成形等の方法によればよく、その成形方法に制限はない
。また無機多孔質材料の場合も、酸素透過係数が前記し
た値を満足する限り、従来公知の成形方法に阜じれはよ
く、板状体、シート状体、管状体等各種形状の成形体が
作られる。
本発明に刀1かわる気体分離用複合酸4形体は、上記し
た所定の酸素透過係数を有する成形体の表面に有機化合
物の低温プラズマ重合膜を設けてなるものであるが、こ
こに使用される有機化合物としては、荷槻けい素化合物
−有機フッ素化合物、炭化水素化合物、七の4tlJの
有機化合物がノ関宜選択使用される。具体的例示をあげ
れば次のとおシである。
た所定の酸素透過係数を有する成形体の表面に有機化合
物の低温プラズマ重合膜を設けてなるものであるが、こ
こに使用される有機化合物としては、荷槻けい素化合物
−有機フッ素化合物、炭化水素化合物、七の4tlJの
有機化合物がノ関宜選択使用される。具体的例示をあげ
れば次のとおシである。
トリメチルグロr7ゾランー トリメチルメトキシシラ
ン、トリメチルエトキシシラン、ビニルジメチルグロロ
シラン、ビニルジメチルメトキシシラン、ビニルジメチ
ルエトキシシラン、エチニルジメチルメトキv+/ラン
、エチニルジメチルグロ口νラン、メチルグロロメチル
メトキシグロロシラン、トリエチルメトギシシランージ
メチルグロロメチルエ・トキシシラ。ン、ジメチルクa
oメチルグロロシラン、ジメチルフェニルメトキシシラ
ン。
ン、トリメチルエトキシシラン、ビニルジメチルグロロ
シラン、ビニルジメチルメトキシシラン、ビニルジメチ
ルエトキシシラン、エチニルジメチルメトキv+/ラン
、エチニルジメチルグロ口νラン、メチルグロロメチル
メトキシグロロシラン、トリエチルメトギシシランージ
メチルグロロメチルエ・トキシシラ。ン、ジメチルクa
oメチルグロロシラン、ジメチルフェニルメトキシシラ
ン。
2−グロロエチニルジメチルグロc1シラン、2一グロ
口エチルジメチルメトキシνラン、ジメチルジグロロシ
ランージメチルジメトキシシラン、ジメチルジェトキシ
シラン、ジメチルジェトキシシラン、ビニルメチルジグ
ロロシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、2−クロ
ロエチルメチルジメトキシシラン、ビニルメチルジェト
キシシラン、グロ口メチルメチルジグロ口νラン、ジメ
トキシメチルフェニルシラン、グロ口メチルメチルジメ
トキシνラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリ
エトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、フェニル
トリメトキシシラン、クロロメチルトリメトキシシラン
、2−クロロエチルトリメトキシシラン、トリフロロブ
aビルトリグロaシラン、テトラビニルシラン、トリビ
ニルメチルシラン、ジビニルジメチルシラン、ビニルト
リメチルシラン、ジビニルテトラメチルジνロキサンー
ジグロ口メチルテトラメチルジシロキサン、ジェチニル
テトラメチルジシロキサン、テトラメチルジチルジシラ
ザン、オグタメチルシグロテトラシロキサン、ヘキサメ
チルシルフェニレン。
口エチルジメチルメトキシνラン、ジメチルジグロロシ
ランージメチルジメトキシシラン、ジメチルジェトキシ
シラン、ジメチルジェトキシシラン、ビニルメチルジグ
ロロシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、2−クロ
ロエチルメチルジメトキシシラン、ビニルメチルジェト
キシシラン、グロ口メチルメチルジグロ口νラン、ジメ
トキシメチルフェニルシラン、グロ口メチルメチルジメ
トキシνラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリ
エトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、フェニル
トリメトキシシラン、クロロメチルトリメトキシシラン
、2−クロロエチルトリメトキシシラン、トリフロロブ
aビルトリグロaシラン、テトラビニルシラン、トリビ
ニルメチルシラン、ジビニルジメチルシラン、ビニルト
リメチルシラン、ジビニルテトラメチルジνロキサンー
ジグロ口メチルテトラメチルジシロキサン、ジェチニル
テトラメチルジシロキサン、テトラメチルジチルジシラ
ザン、オグタメチルシグロテトラシロキサン、ヘキサメ
チルシルフェニレン。
モノクロロトリフルオロメタン、ジグ口口ジフルオ口メ
タン、モノグロ口ジフルオ口メタン、トリグロaトリフ
ルオロエタン、ジグ口口テトラフルオ口エタン、モノグ
ロ口ペンタフルオ口エタン。
タン、モノグロ口ジフルオ口メタン、トリグロaトリフ
ルオロエタン、ジグ口口テトラフルオ口エタン、モノグ
ロ口ペンタフルオ口エタン。
テトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、
パーフルオaブaパン、テトラフルオロメタン% 1.
1−ジフルオロエチレン、トリフルオロメタン、フルオ
ロメタン、オグタフルオロシグロブタン、ジプルオロエ
タン、グロ口ジフルオ口エタン、ヘキサフルオロエタン
、クロロペンタフルオロエタン、ジブロモテトラフルオ
ロエタン。
パーフルオaブaパン、テトラフルオロメタン% 1.
1−ジフルオロエチレン、トリフルオロメタン、フルオ
ロメタン、オグタフルオロシグロブタン、ジプルオロエ
タン、グロ口ジフルオ口エタン、ヘキサフルオロエタン
、クロロペンタフルオロエタン、ジブロモテトラフルオ
ロエタン。
メタン、エタン、プロパン、ペンタン、ヘキサン、エチ
レン、プロピレン、ブテン、ヘプテン。
レン、プロピレン、ブテン、ヘプテン。
ブダジエン、プロパジエン−ヘキサトリエン、メチルプ
ロペン、ジメチルへキサジエン、ジグaヘキサン、シグ
ロペンテン、Vグロヘキセン、Vグロへキサジエン、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン。
ロペン、ジメチルへキサジエン、ジグaヘキサン、シグ
ロペンテン、Vグロヘキセン、Vグロへキサジエン、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン。
ナフタレン−スチレン、メチルスチレン、ペンタメチル
ベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、ジビニルベンゼン、
アリルベンゼン、ビニルナフタレン。
ベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、ジビニルベンゼン、
アリルベンゼン、ビニルナフタレン。
ブダノール、メチルアミン、ヘプタノン、グロロメチル
プロパン、バルロニトリル、グロロアセトニトリル、メ
タグリル酸、メタグリル酸メチルーアクリル酸、マレイ
ン酸、アリルアミン、アリルメチルアミン、アグリロニ
トリル、テトラシアノWfンニトリル、メタクリ口ニト
リル、ビニレンカーボネート、アクロレイン、アリルブ
ロマイド、グロロブロペン、塩化ビニルー塩化ビニリデ
ン、アリルアルコール、クロロベンゼンー トリクロロ
ベンゼン、ベンゾニトリル、トルイジン。
プロパン、バルロニトリル、グロロアセトニトリル、メ
タグリル酸、メタグリル酸メチルーアクリル酸、マレイ
ン酸、アリルアミン、アリルメチルアミン、アグリロニ
トリル、テトラシアノWfンニトリル、メタクリ口ニト
リル、ビニレンカーボネート、アクロレイン、アリルブ
ロマイド、グロロブロペン、塩化ビニルー塩化ビニリデ
ン、アリルアルコール、クロロベンゼンー トリクロロ
ベンゼン、ベンゾニトリル、トルイジン。
ニトロトルエン+ N 、 N −i)) チア1z
) 7L/(i)ン。
) 7L/(i)ン。
N−ニトロソジエチルアミン、アニリン、メチルアニリ
ン、フタル岐−フエノール、ベンズアルデヒド、Vグロ
ヘキセノール、ピリジン、ビニルピリジン、ビニルメチ
ルビリジン、ピコリン、フェロセン、ビニルフエロヤン
、チオフェン、ジヒドロフラン、N−ニトロソピペリジ
ン。
ン、フタル岐−フエノール、ベンズアルデヒド、Vグロ
ヘキセノール、ピリジン、ビニルピリジン、ビニルメチ
ルビリジン、ピコリン、フェロセン、ビニルフエロヤン
、チオフェン、ジヒドロフラン、N−ニトロソピペリジ
ン。
上記した各柿有機化合物に1柿に限られず、2種以上を
併用して差支えないが、酸素透過性がすぐれている点に
おいて有機けい素化合物特には分子内に不飽和結合を有
する有機けい素化合物を主体UF+に使用することが好
ましい。
併用して差支えないが、酸素透過性がすぐれている点に
おいて有機けい素化合物特には分子内に不飽和結合を有
する有機けい素化合物を主体UF+に使用することが好
ましい。
成形体の表面に低温プラズマ重合膜を設ける方法として
は、低温プラズマ発生装置内に成形体を装入し、この装
置内に有機化合物のガスを流通させながら装置内を10
トル以下の圧力に調整保持し、このガス圧力下に低温プ
ラズマを発生させ、該成J16品を低温プラズマにさら
す方法によればよいoなお1句4λへ化付物と共にヘリ
ウム、アルゴン寺の不活性ガス、空素、#を素、草気、
水素、水蒸気、二酸化炭素、−葭化炭、+e等の無機ガ
スを共存させてもよい。
は、低温プラズマ発生装置内に成形体を装入し、この装
置内に有機化合物のガスを流通させながら装置内を10
トル以下の圧力に調整保持し、このガス圧力下に低温プ
ラズマを発生させ、該成J16品を低温プラズマにさら
す方法によればよいoなお1句4λへ化付物と共にヘリ
ウム、アルゴン寺の不活性ガス、空素、#を素、草気、
水素、水蒸気、二酸化炭素、−葭化炭、+e等の無機ガ
スを共存させてもよい。
上記方法しこおいて、■機化合物のガスの装置内におけ
る圧力が商才ぎると、b見老体表面へのプラズマ重合膜
の形成が困帷となるので、この低温プラズマのガス圧力
i’[10)ル以下であることが好ましく、待にば5〜
0.005)ルの範囲であることが望廿しい。このガス
j上刃における低温プラズマにより、すぐれたガス分離
時性を有する重合膜がノ1そ吸さ」する。このようにし
て(F6成されるプラズマ重合膜の望ましい厚さは0.
01〜1μmである。
る圧力が商才ぎると、b見老体表面へのプラズマ重合膜
の形成が困帷となるので、この低温プラズマのガス圧力
i’[10)ル以下であることが好ましく、待にば5〜
0.005)ルの範囲であることが望廿しい。このガス
j上刃における低温プラズマにより、すぐれたガス分離
時性を有する重合膜がノ1そ吸さ」する。このようにし
て(F6成されるプラズマ重合膜の望ましい厚さは0.
01〜1μmである。
なお、低7h^プラズマを発生させる条件としては。
例えば?Q411(6C10KHz 〜100MHz−
1ow〜100KWの電力を印加すれdよく、内部′小
極、外部電極(年声極]のいずれの方式を使用してもよ
い。
1ow〜100KWの電力を印加すれdよく、内部′小
極、外部電極(年声極]のいずれの方式を使用してもよ
い。
成形体を上記した諸条件のもとに発生させた低7h^プ
ラズマで処理し、その表面に有機化合物のプラズマ重合
膜を形IJVさせるのであるが、そのためのプラズマ処
理時間は印7JO竜力青によっても相違1−るが、一般
には数秒〜100号程度で充分である。
ラズマで処理し、その表面に有機化合物のプラズマ重合
膜を形IJVさせるのであるが、そのためのプラズマ処
理時間は印7JO竜力青によっても相違1−るが、一般
には数秒〜100号程度で充分である。
つぎに具体的実施例をあげるが、以下の各実施例におけ
る酸素透過係数および窒素透過係数の各個ぼ、JIS
Z 1707(減圧法)に準じた方式に基づいて測
定したもので、これはまず透過セル中に膜を挾持し、膜
の両側の空間を真空ポンプにより排坊した後、大気圧状
態で酸素もしくは窒素を導入し友とき、膜を通過した側
での単位時間における圧力斐化を測定して算出したもの
である。
る酸素透過係数および窒素透過係数の各個ぼ、JIS
Z 1707(減圧法)に準じた方式に基づいて測
定したもので、これはまず透過セル中に膜を挾持し、膜
の両側の空間を真空ポンプにより排坊した後、大気圧状
態で酸素もしくは窒素を導入し友とき、膜を通過した側
での単位時間における圧力斐化を測定して算出したもの
である。
実施例1
カレンダー成形法により得られた厚さ50ノlTLのシ
リコーンゴムリート(信越化学社製シリコーンゴムKE
−1517をプラズマ発生装置内にセットし、装置内を
I O”−4トルまで減圧したのち、Tfaモノマーと
してトリメチルビニルシランの蒸気をこの装置内に導入
し、流通下0,2トルに調整保持したのら、13.56
MHz 150wの高周波電力を12分間与えてトリ
メチルビニルシランの低温プラズマを発生させてOj1
記シート上にプラズマ重合膜を形成させた。
リコーンゴムリート(信越化学社製シリコーンゴムKE
−1517をプラズマ発生装置内にセットし、装置内を
I O”−4トルまで減圧したのち、Tfaモノマーと
してトリメチルビニルシランの蒸気をこの装置内に導入
し、流通下0,2トルに調整保持したのら、13.56
MHz 150wの高周波電力を12分間与えてトリ
メチルビニルシランの低温プラズマを発生させてOj1
記シート上にプラズマ重合膜を形成させた。
このものの酸素透過係数、窒素透過係数および分離率(
酸素透過係数/窒素透過係数)を測定したところ、下記
第1表のとおシであった。
酸素透過係数/窒素透過係数)を測定したところ、下記
第1表のとおシであった。
なお、比較例としてプラズマ重合処理を行なわなかった
ものについて同表に併記した。
ものについて同表に併記した。
第 1 表
(注) c4−tyn/ ctlr・sea・cm
Hg実施例2 実施例1において、トリメチルビニルシランのロロシラ
ンおよびジメチルジメトキシシランを使用したほかは実
施例1と同様に行い、シリコーンゴムシート上にプラズ
マ重合膜を形成させた。これらの物性を測定したところ
、下記の第2表のとおりであった。
Hg実施例2 実施例1において、トリメチルビニルシランのロロシラ
ンおよびジメチルジメトキシシランを使用したほかは実
施例1と同様に行い、シリコーンゴムシート上にプラズ
マ重合膜を形成させた。これらの物性を測定したところ
、下記の第2表のとおりであった。
第 2 表
実施例3
t/ QコーンKE45RTV(信越化学商品名)のl
071fft%)ルエン溶液をポリエチレン板上にキャ
スティングし硬化させたところ、35μmのシリコーン
ゴムシートが得られた。
071fft%)ルエン溶液をポリエチレン板上にキャ
スティングし硬化させたところ、35μmのシリコーン
ゴムシートが得られた。
このシートを実施例1における装置内にセットし、装置
内を10 トルにまで減圧したのら、トリビニルメチル
シランの蒸気をこの装置内に導入し、流通下0.3トル
に調整保持したのら、11OKHz500Wの高周波電
力を3分間与えてトリビニルメチルシランの低温プラズ
マを発生させ前記シート上に処理を行ってプラズマ重合
膜を形成させた。このものの物性を測定したところ、下
記の第3表のとおりであった。
内を10 トルにまで減圧したのら、トリビニルメチル
シランの蒸気をこの装置内に導入し、流通下0.3トル
に調整保持したのら、11OKHz500Wの高周波電
力を3分間与えてトリビニルメチルシランの低温プラズ
マを発生させ前記シート上に処理を行ってプラズマ重合
膜を形成させた。このものの物性を測定したところ、下
記の第3表のとおりであった。
第 3 表
実施例4
1gのポリカーポートフィルを12000のトルエンお
よびs o aaのジメチルホルムアミドに溶解させた
溶液を調整し、これを水面上に滴下することにより極薄
膜を形成させた。この極薄膜を1紙上にすくいとり、室
温で1日ついで80℃で3時間乾燥した。
よびs o aaのジメチルホルムアミドに溶解させた
溶液を調整し、これを水面上に滴下することにより極薄
膜を形成させた。この極薄膜を1紙上にすくいとり、室
温で1日ついで80℃で3時間乾燥した。
上記のようにして得たポリカーボネート極薄膜を実施例
1における装置内において実施例1と同様のプラズマ重
合処理を行ってプラズマ重合膜を形成させた。
1における装置内において実施例1と同様のプラズマ重
合処理を行ってプラズマ重合膜を形成させた。
このものの物性を測定し次ところ、下記の第4辰のとお
りであった。なお、前記ポリカーボネート極薄膜を重量
法により測定したところ膜厚は0.98μmであった。
りであった。なお、前記ポリカーボネート極薄膜を重量
法により測定したところ膜厚は0.98μmであった。
第 4 表
実施例 5
無機多孔質材料として孔径200Xの多孔質ガラス板(
コーニンダグラス社製)を実施例】における装置内にセ
ットし、装置内を10”−’トルにまで減圧したのちト
リビニルメチルシランの蒸気をこの装置内に導入して流
通下0.3トルに調整保持した。この状態で110KH
z500Wの高周波電力を40分間与えてトリビニルメ
チルシランの低温プラズマを発生させ、前記多孔質ガラ
ス板上にプラズマを発生させ、前記多孔質ガラス板上に
プラズマ重合膜を形成させた。このものの物性を測定し
たところ、下記第5表に示すとおりであった。
コーニンダグラス社製)を実施例】における装置内にセ
ットし、装置内を10”−’トルにまで減圧したのちト
リビニルメチルシランの蒸気をこの装置内に導入して流
通下0.3トルに調整保持した。この状態で110KH
z500Wの高周波電力を40分間与えてトリビニルメ
チルシランの低温プラズマを発生させ、前記多孔質ガラ
ス板上にプラズマを発生させ、前記多孔質ガラス板上に
プラズマ重合膜を形成させた。このものの物性を測定し
たところ、下記第5表に示すとおりであった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、有機高分子材料もしくに無機多孔質材料で作られた
、気体透過部における酸素透過係数が8 1 X 10 crl−cm/−・sec ・mH
g以上である成形体に、有機化合物の低温プラズマ重合
膜を設けてなる分離係数2.5以上の気体分離用複合成
形体。 2、低温プラズマ重合膜の膜厚が0.01〜1μmであ
る特許請求の範囲第1項記載の気体分離用複合成形体。 3、有機化合物が有機けい素化合物である特許請求の範
囲第1項記載の気体分離用複合成形体。 4、有機化合物が分子内に不飽和結合を有する有賊の気
体分離用複合成形体。 5、空気から酸素富化空気を得るのに使用する特許請求
の範囲第1項記載の気体分離用複合酸フレ体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16618282A JPS5955309A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 気体分離用複合成形体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16618282A JPS5955309A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 気体分離用複合成形体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5955309A true JPS5955309A (ja) | 1984-03-30 |
Family
ID=15826591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16618282A Pending JPS5955309A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 気体分離用複合成形体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5955309A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6219206A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-01-28 | Dainippon Ink & Chem Inc | 高分離能高分子膜の製造方法 |
| JPH06277471A (ja) * | 1992-10-13 | 1994-10-04 | Deutsche Carbone Ag | 合成プラズマ膜の製造方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5658518A (en) * | 1979-10-17 | 1981-05-21 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | Fine-tubelike gas separating member |
| JPS5781805A (en) * | 1980-11-11 | 1982-05-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Gas selective permeable composite membrane and its production |
| JPS5791708A (en) * | 1980-11-28 | 1982-06-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Composite membrane having selective permeability to gas and method for producing the same |
| JPS5794304A (en) * | 1980-12-03 | 1982-06-11 | Sumitomo Chem Co Ltd | Gas separating membrane made of polysulfone hollow fiber and its manufacture |
| JPS586207A (ja) * | 1981-07-06 | 1983-01-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガス選択透過性複合膜の製造方法 |
| JPS586208A (ja) * | 1981-07-06 | 1983-01-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガス選択透過性複合膜の製造方法 |
| JPS588517A (ja) * | 1981-07-08 | 1983-01-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガス選択透過性複合膜の製造方法 |
| JPS58180205A (ja) * | 1982-04-16 | 1983-10-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 東京都港区虎ノ門二丁目5番21号 |
-
1982
- 1982-09-24 JP JP16618282A patent/JPS5955309A/ja active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5658518A (en) * | 1979-10-17 | 1981-05-21 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | Fine-tubelike gas separating member |
| JPS5781805A (en) * | 1980-11-11 | 1982-05-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Gas selective permeable composite membrane and its production |
| JPS5791708A (en) * | 1980-11-28 | 1982-06-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Composite membrane having selective permeability to gas and method for producing the same |
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| JPS586207A (ja) * | 1981-07-06 | 1983-01-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガス選択透過性複合膜の製造方法 |
| JPS586208A (ja) * | 1981-07-06 | 1983-01-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガス選択透過性複合膜の製造方法 |
| JPS588517A (ja) * | 1981-07-08 | 1983-01-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガス選択透過性複合膜の製造方法 |
| JPS58180205A (ja) * | 1982-04-16 | 1983-10-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 東京都港区虎ノ門二丁目5番21号 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6219206A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-01-28 | Dainippon Ink & Chem Inc | 高分離能高分子膜の製造方法 |
| JPH06277471A (ja) * | 1992-10-13 | 1994-10-04 | Deutsche Carbone Ag | 合成プラズマ膜の製造方法 |
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