JPS5956730A - レジスト膜の除去方法 - Google Patents
レジスト膜の除去方法Info
- Publication number
- JPS5956730A JPS5956730A JP57167135A JP16713582A JPS5956730A JP S5956730 A JPS5956730 A JP S5956730A JP 57167135 A JP57167135 A JP 57167135A JP 16713582 A JP16713582 A JP 16713582A JP S5956730 A JPS5956730 A JP S5956730A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist film
- sample
- gas
- container
- incinerating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明はフォトプロセスにおけるレジスト膜除去の改善
された方法に関する。
された方法に関する。
（ｂ）、従来技術と問題点
周知のように、半導体装置全製造する際に、半導体ウコ
ーハー面にフォトプロセスによってレジスト膜パターン
を形成し、これを保護膜として所要ル状のエツチングが
おこなわれる。また、そのパターンを形成するフォトマ
スクも同様にレジヌト膜パター、ンで作成さｉｌ、その
他の回路基板（プリント基板）も同じくフ第１・プロセ
スが使用キｉ１て、レジスト膜パターンでＮ）電画し１
線が形成さノ］、る。
ーハー面にフォトプロセスによってレジスト膜パターン
を形成し、これを保護膜として所要ル状のエツチングが
おこなわれる。また、そのパターンを形成するフォトマ
スクも同様にレジヌト膜パター、ンで作成さｉｌ、その
他の回路基板（プリント基板）も同じくフ第１・プロセ
スが使用キｉ１て、レジスト膜パターンでＮ）電画し１
線が形成さノ］、る。
かようなレジスト膜は被エツチジク試判（半導体ウェハ
ー、フォトマスク、プリンを一基板＆と）に所要形状の
エツチングをおこなった後、その表面から除去しなけれ
ばならない。したがって、このレジスト膜の除去には、
従来は熱硫酸や発煙硝酸で煮沸する方法、あるいは有機
溶剤に浸漬する方法が使用されていた９しかし、こノ１
らの化学薬品は有害ＮＩＩ楽であるため、その作業の安
全性や使用後薬品の処置に問題があって、最近ではレジ
スト膜を灰化して除去する灰化（アッシング）方法が主
体となってきた。
ー、フォトマスク、プリンを一基板＆と）に所要形状の
エツチングをおこなった後、その表面から除去しなけれ
ばならない。したがって、このレジスト膜の除去には、
従来は熱硫酸や発煙硝酸で煮沸する方法、あるいは有機
溶剤に浸漬する方法が使用されていた９しかし、こノ１
らの化学薬品は有害ＮＩＩ楽であるため、その作業の安
全性や使用後薬品の処置に問題があって、最近ではレジ
スト膜を灰化して除去する灰化（アッシング）方法が主
体となってきた。
第１図はそのアッシング（ａ、ｓｈ、ｕ＋ｇ）装置の一
例の概要図を示しており１石英容器ｌ内に被エツチング
材２を収容し、排気口３より排気系によって真空に排気
し、次いで酸素（０２）ガスを流入口Φより流入させて
、容器内の減圧度を０．１〜］ＴＯＩ“１′とした後、
両電極５．６の間に１３．５６ＭＨｚの高層ｅ電力を印
加して０２７′ラズマを発生させる、かくして、被エツ
チング試判２面上のレジメ１〜１扮を灰化して消滅させ
るものである。しかしながら、このようなアッシング装
置は高周波電源や排気系を必要として装置が高価となり
、且つ操作が複雑である。
例の概要図を示しており１石英容器ｌ内に被エツチング
材２を収容し、排気口３より排気系によって真空に排気
し、次いで酸素（０２）ガスを流入口Φより流入させて
、容器内の減圧度を０．１〜］ＴＯＩ“１′とした後、
両電極５．６の間に１３．５６ＭＨｚの高層ｅ電力を印
加して０２７′ラズマを発生させる、かくして、被エツ
チング試判２面上のレジメ１〜１扮を灰化して消滅させ
るものである。しかしながら、このようなアッシング装
置は高周波電源や排気系を必要として装置が高価となり
、且つ操作が複雑である。
（０） 発明の目的
本発明は、上記の欠点を解消させて、安価な装置を使用
して、単純な操作によってレジスト膜を除去する方法を
提案するものである。
して、単純な操作によってレジスト膜を除去する方法を
提案するものである。
（［１） 発明の構成
このような目的は、０２ガスを充満した容器内において
、ランプによって試料面を照射し、加熱してレジスト膜
を灰化する除去方法によって達成される。
、ランプによって試料面を照射し、加熱してレジスト膜
を灰化する除去方法によって達成される。
（ｅ） 発明の実施例
以下、図面を参照して詳細に説明すると、瀉２図は一実
施例の概要断面図金示す。図示のようにガス流入口１０
から０２ガスを流入して、灰化処理容器ｌｌ内に０２ガ
スを充満させて、大気圧よりわずかに高い０２ガスの圧
力にする。且つ多数の赤外線ランプ１２によって試料２
の表面を照射すれば、その表面は約５００ｔ：に加熱さ
れ、有機材料からなるレジスト膜は灰化される。
施例の概要断面図金示す。図示のようにガス流入口１０
から０２ガスを流入して、灰化処理容器ｌｌ内に０２ガ
スを充満させて、大気圧よりわずかに高い０２ガスの圧
力にする。且つ多数の赤外線ランプ１２によって試料２
の表面を照射すれば、その表面は約５００ｔ：に加熱さ
れ、有機材料からなるレジスト膜は灰化される。
試料２（ｌ−１，保温台１３上に載置しておき、処理容
器への送入・搬出は保温台１３と共に左右の出入＋１］
１，１．５より出入させる。且つ、処理容器１１全体を
保温利料で構成すると、容器内の引温か早く短詩！７ｆ
ｆ 、’例えば１０分前後で灰化することができる・ このような本発明にか！るレジスト膜除去方法は、第１
図に示すパンチ処理型のアッシング装置に比べて構造が
簡単となり、フｍｌ・デロセヌの自動連続処理装置の組
み込みに好適な構造に形成することができる。且つ、真
空９＆理ではないから真空チェンバーが不要で非常に安
価となる。
器への送入・搬出は保温台１３と共に左右の出入＋１］
１，１．５より出入させる。且つ、処理容器１１全体を
保温利料で構成すると、容器内の引温か早く短詩！７ｆ
ｆ 、’例えば１０分前後で灰化することができる・ このような本発明にか！るレジスト膜除去方法は、第１
図に示すパンチ処理型のアッシング装置に比べて構造が
簡単となり、フｍｌ・デロセヌの自動連続処理装置の組
み込みに好適な構造に形成することができる。且つ、真
空９＆理ではないから真空チェンバーが不要で非常に安
価となる。
（ｆ） 発明の効果
したがって、本発明によノ１ばフォトプロセスが簡易化
されて、中導体装置などの可子部品の低価格化に著しく
寄与する効果の大きいものである。
されて、中導体装置などの可子部品の低価格化に著しく
寄与する効果の大きいものである。
第１図は従来のアッシング装置の概要図、第２（財）は
本発明にか−る灰化処理装置である。図中、２は試料、
１０は０２ガス流入に１．１１は処理容器、１２は赤外
線ランプ、１３は保温台、ｉａ。 １５は試料の出入口を示す。 第１図 第２図
本発明にか−る灰化処理装置である。図中、２は試料、
１０は０２ガス流入に１．１１は処理容器、１２は赤外
線ランプ、１３は保温台、ｉａ。 １５は試料の出入口を示す。 第１図 第２図
Claims (1)
- 酸素ガスを充満した容器内において、ランプによって試
料面を照射し、加熱してレジスト膜を灰化して除去する
ことを特徴とするレジスト膜の除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57167135A JPS5956730A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | レジスト膜の除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57167135A JPS5956730A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | レジスト膜の除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5956730A true JPS5956730A (ja) | 1984-04-02 |
Family
ID=15844072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57167135A Pending JPS5956730A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | レジスト膜の除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5956730A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005043603A3 (en) * | 2003-10-20 | 2005-06-30 | Wafermasters Inc | Integrated ashing and implant annealing method |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4844054A (ja) * | 1971-10-08 | 1973-06-25 | ||
| JPS5710928A (en) * | 1980-06-24 | 1982-01-20 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor element |
| JPS5735323A (en) * | 1980-08-13 | 1982-02-25 | Fujitsu Ltd | Removal of photoresist film |
-
1982
- 1982-09-24 JP JP57167135A patent/JPS5956730A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4844054A (ja) * | 1971-10-08 | 1973-06-25 | ||
| JPS5710928A (en) * | 1980-06-24 | 1982-01-20 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor element |
| JPS5735323A (en) * | 1980-08-13 | 1982-02-25 | Fujitsu Ltd | Removal of photoresist film |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005043603A3 (en) * | 2003-10-20 | 2005-06-30 | Wafermasters Inc | Integrated ashing and implant annealing method |
| US7141513B2 (en) | 2003-10-20 | 2006-11-28 | Wafermasters, Inc. | Integrated ashing and implant annealing method using ozone |
| JP2007513496A (ja) * | 2003-10-20 | 2007-05-24 | ウェーハマスターズ・インコーポレイテッド | 統合されたアッシング及びインプラントアニーリング方法 |
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